JP4507549B2 - Defect detection sensitivity inspection method for mask defect inspection apparatus - Google Patents

Defect detection sensitivity inspection method for mask defect inspection apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP4507549B2
JP4507549B2 JP2003354805A JP2003354805A JP4507549B2 JP 4507549 B2 JP4507549 B2 JP 4507549B2 JP 2003354805 A JP2003354805 A JP 2003354805A JP 2003354805 A JP2003354805 A JP 2003354805A JP 4507549 B2 JP4507549 B2 JP 4507549B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
defect
inspection
mask
pattern
data
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2003354805A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2005121778A (en
Inventor
啓司 田中
炳局 金
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toppan Inc
Original Assignee
Toppan Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toppan Inc filed Critical Toppan Inc
Priority to JP2003354805A priority Critical patent/JP4507549B2/en
Publication of JP2005121778A publication Critical patent/JP2005121778A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4507549B2 publication Critical patent/JP4507549B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Description

この発明は欠陥検出感度検査用マスク及び欠陥検出感度検査方法に関する。更に具体的には、フォトマスクのパターン欠陥を検査する欠陥検査装置の欠陥検出感度を測定するために用いられる欠陥検出感度検査用マスク、及び、これを用いた欠陥検出感度検査方法に関するものである。   The present invention relates to a defect detection sensitivity inspection mask and a defect detection sensitivity inspection method. More specifically, the present invention relates to a defect detection sensitivity inspection mask used for measuring the defect detection sensitivity of a defect inspection apparatus for inspecting a pattern defect of a photomask, and a defect detection sensitivity inspection method using the same. .

現在、半導体集積回路の製造において、半導体ウェーハに微細パターンを形成する場合、フォトリソグラフィ技術を用いて、マスク（あるいは、レチクル）に形成されたパターンを１/１０程度に縮小して転写する方法が多用されている。また、一般には、１つのマスクのパターンが、複数のウェーハ、あるいは、１枚のウェーハ上の複数領域に転写される。従って、マスクパターン自体に存在する欠陥は、半導体製造歩留まりを大きく低下させる原因となる。このため、マスクに形成されたパターンの欠陥を検出し、欠陥を有するマスクの使用を避けることは、半導体集積回路の製造においては、重要な課題である。更に、近年、半導体集積回路の微細化、高集積化の要求に伴い、マスクパターンの微細化も進んでいる。従って、マスクパターンの検査においては、より微細な欠陥をも検出できるよう、高精度、高感度な検査が望まれている。   Currently, in the manufacture of semiconductor integrated circuits, when a fine pattern is formed on a semiconductor wafer, there is a method of transferring a pattern formed on a mask (or reticle) by reducing it to about 1/10 using a photolithography technique. It is used a lot. In general, one mask pattern is transferred to a plurality of wafers or a plurality of regions on one wafer. Therefore, defects present in the mask pattern itself cause a significant decrease in semiconductor manufacturing yield. For this reason, detecting a defect in a pattern formed on a mask and avoiding the use of a mask having a defect is an important issue in the manufacture of a semiconductor integrated circuit. Further, in recent years, with the demand for miniaturization and high integration of semiconductor integrated circuits, mask patterns have also been miniaturized. Therefore, in the inspection of the mask pattern, a highly accurate and highly sensitive inspection is desired so that even finer defects can be detected.

一般に、マスクのパターン欠陥検査方法には、「Die to Die」と呼ばれる方法と、「Die to Database」と呼ばれる方法とがある。
「Die to Die」は、例えば、同一のパターン領域が、１枚のマスク上に繰り返し配列してある場合などに用いられる検査で、２以上のパターン領域のパターン同士を比較して、その違いを欠陥検出手段によって検出する技術である。
一方、「Die to Database」は、あるパターン領域のパターンを検出手段で検出し、その検出画像と、そのパターン領域の元の設計データとを比較して欠陥を検出する方法である。 In general, mask pattern defect inspection methods include a method called “Die to Die” and a method called “Die to Database”.
“Die to Die” is an inspection used when, for example, the same pattern area is repeatedly arranged on a single mask, comparing patterns in two or more pattern areas, and comparing the differences. This is a technique for detecting by defect detection means.
On the other hand, “Die to Database” is a method in which a pattern in a certain pattern area is detected by a detection unit, and a defect is detected by comparing the detected image with the original design data of the pattern area.

ところで、このようなパターン欠陥検査の際に用いられる欠陥検査装置の性能確認や性能管理等のため、最小欠陥検出サイズ等から欠陥検査装置の欠陥検出感度の確認が要求される場合がある。この場合、例えば、ドットパターンやホールパターン等のパターン欠陥、あるいは、半透明の（即ち、光透過率の低い）材料からなるパターン欠陥を、予め、基本パターンに作り込んだ欠陥検査用マスクを用いて欠陥検出を行い、その欠陥検出の結果から感度を判断する。具体的には、パターン欠陥を含んだ欠陥検査用マスクから、検出手段により取得した検査画像と、パターン欠陥を含まない基本パターンの設計データから生成した参照画像とを比較検査する。この検査により、欠陥として検出した部分の座標とその欠陥のサイズとを記録する。そして、この記録されたデータと、予めマスクに作り込んだパターン欠陥の設計データとを、順次比較して、パターン欠陥を、実際に検出できたか否かで、検出感度を判断する方法が取られている（例えば、特許文献１参照）。   By the way, in order to confirm the performance and manage the performance of the defect inspection apparatus used in such pattern defect inspection, confirmation of the defect detection sensitivity of the defect inspection apparatus may be required from the minimum defect detection size or the like. In this case, for example, a defect inspection mask in which a pattern defect such as a dot pattern or a hole pattern or a pattern defect made of a translucent (that is, low light transmittance) material is previously formed in a basic pattern is used. The defect is detected, and the sensitivity is judged from the result of the defect detection. Specifically, the inspection image acquired by the detection means from the defect inspection mask including the pattern defect is compared with the reference image generated from the basic pattern design data not including the pattern defect. By this inspection, the coordinates of the portion detected as a defect and the size of the defect are recorded. Then, the recorded data and the design data of the pattern defect created in advance in the mask are sequentially compared to determine the detection sensitivity based on whether or not the pattern defect has actually been detected. (For example, refer to Patent Document 1).

このような欠陥検出感度を評価するために用いられる欠陥検査用マスクを形成する場合、例えば、マスクの欠陥部分の検出サイズをある程度正確に評価するためには、欠陥検査用マスクのパターン欠陥は、欠陥検査装置の欠陥検出感度に相当する欠陥サイズよりも小さなサイズで形成する必要がある。また、それら欠陥サイズの計測には、パターン欠陥の欠陥検出サイズを正しく評価するために、例えば、欠陥検査装置よりも波長の短い光源をもつ光学顕微鏡や、あるいは、電子線走査顕微鏡（ＳＥＭ）等が用いられる。また、例えば、ゴミ等異物欠陥の欠陥検出サイズを評価するための欠陥検査用マスクは、予めサイズの判明している真球状ポリスチレンラテックスなどの粒子を散在して、パターン欠陥を追加する等の方法により形成される。   When forming a defect inspection mask used for evaluating such defect detection sensitivity, for example, in order to accurately evaluate the detection size of the defective portion of the mask to some extent, the pattern defect of the defect inspection mask is: It is necessary to form with a size smaller than the defect size corresponding to the defect detection sensitivity of the defect inspection apparatus. In order to correctly evaluate the defect detection size of the pattern defect, for example, an optical microscope having a light source with a wavelength shorter than that of the defect inspection apparatus, an electron beam scanning microscope (SEM), etc. Is used. In addition, for example, a defect inspection mask for evaluating the defect detection size of foreign matter defects such as dust is a method of adding pattern defects by interspersing particles such as spherical polystyrene latex whose size is known in advance. It is formed by.

特開平５−９４００５号公報JP-A-5-94005

しかし、各種基本パターンに、種類やサイズの異なるパターン欠陥を、遮光部あるいは透過部として、設計データのサイズの通りに正確に作り込むことは困難であり、このため形成されたパターン欠陥のサイズが、設計データ上の値とは乖離していたり、形成した欠陥と欠陥との間隔が大きくなっていたりする場合がある。特に、ピンホール欠陥や、ドット欠陥等の、設計データサイズ通りの形成は困難であり、設計データとのずれが生じやすい。また、現在の微細パターンに対応可能な検査を行うことを考えた場合、作りこむパターン欠陥にも、当然に微細化が要求されるため、正確なパターン欠陥を作りこむことは、ますます困難な状況となっている。また、真球状ポリスチレンラテックスなどの粒子を散在させたマスクは、散在させた異物の位置、及びその異物の大きさを正確に特定することは困難である。   However, it is difficult to accurately create pattern defects of different types and sizes in various basic patterns as light shielding parts or transmission parts according to the size of the design data. In some cases, the values are different from the values on the design data, or the distance between the formed defects is large. In particular, formation according to the design data size such as pinhole defects and dot defects is difficult, and deviation from the design data is likely to occur. In addition, considering the inspection that can handle the current fine pattern, it is of course more difficult to create an accurate pattern defect because the pattern defect to be created is naturally required to be miniaturized. It is a situation. In addition, it is difficult for a mask in which particles such as spherical polystyrene latex are scattered to accurately specify the position of the scattered foreign material and the size of the foreign material.

しかし、欠陥検査用マスクに作り込むパターン欠陥が正確でなければ、当然に、欠陥検出感度の評価を正確に行うこともできないため、問題である。   However, if the pattern defect to be built in the defect inspection mask is not accurate, naturally, the defect detection sensitivity cannot be accurately evaluated, which is a problem.

従って、この発明は、以上の問題を解決し、欠陥検査装置の検出感度を、より正確に評価できるよう改良した欠陥検出感度検査用マスク及び欠陥検出感度検査方法を提供するものである。   Accordingly, the present invention provides a defect detection sensitivity inspection mask and a defect detection sensitivity inspection method improved so as to solve the above problems and to more accurately evaluate the detection sensitivity of a defect inspection apparatus.

かかる課題を解決するために、本発明のマスクの欠陥検査装置の欠陥感度検査方法は、基本パターンの設計データを基にパターンが形成された基本パターン領域と、前記基本パターンに、所定の欠陥を加えた欠陥パターンの設計データを基にパターンが形成された欠陥パターン領域と、を備える欠陥検出感度検査用マスクを用い、マスクの欠陥検査装置が、マスクを透過した光を検出して得た透過像のマスクの検査画像データを作成しバッファメモリに記憶し、かつ、マスクから反射した光を検出して得た反射像のマスクの検査画像データを作成しバッファメモリに記憶し、データ準備システムが、前記欠陥検出感度検査用マスクの前記設計データから、前記検査画像データに合わせて、前記設計データの頂点部分を丸め周辺部分に階調を持たせる画像処理を行うことで参照画像データを作成し、前記基本パターン領域の前記検査画像データと前記欠陥パターン領域の前記参照画像データを比較することで参照画像側でどのサイズの欠陥まで検出されたかの参照画像側の欠陥検出の感度のデータを得、前記欠陥パターン領域の前記検査画像データと前記基本パターン領域の前記参照画像データを比較することで検査画像側でどのサイズの欠陥まで検出されたかの検査画像側の欠陥検出の感度データを得、前記参照画像側の欠陥検出の感度のデータと前記検査画像側の欠陥検出の感度データとから前記マスクの欠陥検査装置の欠陥検出感度を検査するものである。 In order to solve such a problem, the defect sensitivity inspection method of the mask defect inspection apparatus of the present invention includes a basic pattern region in which a pattern is formed based on basic pattern design data, and a predetermined defect in the basic pattern. A defect detection sensitivity inspection mask comprising a defect pattern region formed with a pattern based on the design data of the added defect pattern, and a transmission obtained by detecting light transmitted through the mask by a mask defect inspection apparatus Inspection image data for the image mask is created and stored in the buffer memory, and inspection image data for the reflected image mask obtained by detecting the light reflected from the mask is created and stored in the buffer memory. From the design data of the defect detection sensitivity inspection mask, the apex portion of the design data is rounded in accordance with the inspection image data, and gradation is given to the peripheral portion. The reference image data is created by performing image processing, and the size of the defect detected on the reference image side by comparing the inspection image data in the basic pattern area and the reference image data in the defect pattern area Inspection of defect size detection on the inspection image side by obtaining defect detection sensitivity data on the reference image side and comparing the inspection image data in the defect pattern area with the reference image data in the basic pattern area Obtaining defect detection sensitivity data on the image side, and inspecting the defect detection sensitivity of the defect inspection apparatus of the mask from the defect detection sensitivity data on the reference image side and the defect detection sensitivity data on the inspection image side is there.

この発明においては、欠陥検出感度検査用マスクの基本パターン部分の基本検査画像と、欠陥パターンの設計データから得た欠陥参照画像とを比較する。従って、比較される参照画像側には、正確にパターン欠陥を含む設計データを用いることができる。このため、パターン欠陥の設計上のデータと、実際にマスクに形成されたパターン欠陥とのズレに左右されることなく、欠陥検出感度の検査を、より正確に行うことができる。   In the present invention, the basic inspection image of the basic pattern portion of the defect detection sensitivity inspection mask is compared with the defect reference image obtained from the design data of the defect pattern. Accordingly, design data including a pattern defect can be used accurately on the reference image side to be compared. For this reason, the inspection of the defect detection sensitivity can be performed more accurately without being influenced by the deviation between the design data of the pattern defect and the pattern defect actually formed on the mask.

以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。なお、各図において、同一または相当する部分には同一符号を付してその説明を簡略化ないし省略する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is simplified or omitted.

実施の形態．
図１は、この発明の実施の形態における欠陥検査用マスク１００を説明するための模式図である。
図１に示すように、欠陥検査用マスク１００は、基本パターン領域１１０と、欠陥パターン領域１２０とを含んで構成されている。 Embodiment.
FIG. 1 is a schematic diagram for explaining a defect inspection mask 100 according to an embodiment of the present invention.
As shown in FIG. 1, the defect inspection mask 100 includes a basic pattern region 110 and a defect pattern region 120.

欠陥検査用マスク１００において、マスク基板２は、ガラス等の光透過率の高い材料により構成されている。また、遮光部分４は、クロム等の光を遮断する材料により構成された、光を遮断する部分である。   In the defect inspection mask 100, the mask substrate 2 is made of a material having high light transmittance such as glass. The light shielding portion 4 is a portion that blocks light, and is made of a material that blocks light, such as chromium.

基本パターン領域１１０においては、マスク基板２上に、遮光部分４が、基本パターン設計データに基づいて配置されて、基本パターンが形成されている。基本パターンの遮光部分４は、ライン１０と、パッド１２とからなる。また、欠陥パターン領域１２０においては、マスク基板２上に、遮光部分４が、欠陥パターン設計データに基づいて配置されている。ここで、欠陥パターンは、基本パターンに、ピンホール１４と、ピンドット１６からなるパターン欠陥を作り込んだパターンである。   In the basic pattern region 110, the light shielding portion 4 is arranged on the mask substrate 2 based on the basic pattern design data, and a basic pattern is formed. The light shielding portion 4 of the basic pattern includes a line 10 and a pad 12. In the defect pattern region 120, the light shielding portion 4 is arranged on the mask substrate 2 based on the defect pattern design data. Here, the defect pattern is a pattern in which a pattern defect including a pinhole 14 and a pin dot 16 is formed in the basic pattern.

具体的には、基本パターン領域１１０の基本パターンは、例えば、寸法幅約３００nmのライン１０と、ライン１０上に規則的に配置された約５００nm角のパッド１２とからなる。また、欠陥パターン領域１２０の欠陥パターンは、基本パターンに加えて、パターン欠陥として、ピンホール１４と、ピンドット１６とが形成されたパターンである。ピンホール１４は、基本パターンの所定のパッド１２上に、規則的に繰り返し配置されている。また、ピンドット１６は、基本パターンの所定のパッド１２付近に、規則的に繰り返し配置されている。ピンホール１４及びピンドット１６のサイズは、それぞれ、約１４nmから、約２８０nmまで、１４nm刻みで、２０段階の異なるサイズに振り分けられている。なお、このようなパターンは、SEMI Draft Documentにある、SEMI STANDARD P23-99-1500Wパターンのベース寸法と、配列を変更して使用したものでもよい。また、このようなパターンは、電子線描画装置を用いて形成すればよい。   Specifically, the basic pattern of the basic pattern region 110 includes, for example, a line 10 having a dimension width of about 300 nm and a pad 12 having a square of about 500 nm that is regularly arranged on the line 10. Further, the defect pattern in the defect pattern region 120 is a pattern in which pinholes 14 and pin dots 16 are formed as pattern defects in addition to the basic pattern. The pinholes 14 are regularly and repeatedly arranged on the predetermined pads 12 of the basic pattern. The pin dots 16 are regularly and repeatedly arranged in the vicinity of the predetermined pad 12 of the basic pattern. The sizes of the pinhole 14 and the pin dot 16 are each divided into 20 different sizes in steps of 14 nm from about 14 nm to about 280 nm. Such a pattern may be used by changing the base dimensions and arrangement of the SEMI STANDARD P23-99-1500W pattern in the SEMI Draft Document. Such a pattern may be formed using an electron beam drawing apparatus.

図２は、この実施の形態において、欠陥検査及びその欠陥検出感度検査のために用いられる検査装置２００を説明するための模式図である。
検査装置２００においては、欠陥検査の対象となるマスクの検査画像を取得する検査画像取得部２１０と、そのマスクのパターン設計データから参照画像を生成する参照画像作成部２２０と、検査画像と、参照画像とを比較して欠陥を検出する、比較検査部２３０とが設けられている。 FIG. 2 is a schematic diagram for explaining an inspection apparatus 200 used for defect inspection and defect detection sensitivity inspection in this embodiment.
In the inspection apparatus 200, an inspection image acquisition unit 210 that acquires an inspection image of a mask to be subjected to defect inspection, a reference image creation unit 220 that generates a reference image from the pattern design data of the mask, an inspection image, and a reference A comparison inspection unit 230 that detects a defect by comparing with an image is provided.

検査画像取得部２１０は、マスクの検査画像を取得するための検出手段として、光源２０、ミラー２２、ハーフミラー２４、対物レンズ２６、マスクステージ２８、コレクタレンズ３０、ミラー３２、さらに、イメージセンサ３４、３６、バッファメモリ３８を含んで構成されている。
一方、参照画像作成部２２０は、基本パターン設計データ４２、欠陥パターン設計データ４４とを読み込み、参照画像を作成するデータ準備システム４６を含んで構成されている。
また、比較検査部２３０は、比較検査システム５０及びデータ収集システム５２を含んで構成されている。 The inspection image acquisition unit 210 is a light source 20, mirror 22, half mirror 24, objective lens 26, mask stage 28, collector lens 30, mirror 32, and image sensor 34 as detection means for acquiring a mask inspection image. , 36, and a buffer memory 38.
On the other hand, the reference image creation unit 220 includes a data preparation system 46 that reads the basic pattern design data 42 and the defect pattern design data 44 and creates a reference image.
The comparison inspection unit 230 includes a comparison inspection system 50 and a data collection system 52.

検査装置２００において、検査画像を取得する場合、マスクステージ２８に、欠陥検査の対象となるマスクが載置される。そして、光源２０から、検査光が発振されると、検査光は、まず、ミラー２２に入射する。ミラー２２は、入射した検査光を、ハーフミラー２４方向に反射する。ハーフミラー２４は、ミラー２２からの検査光を透過する。ハーフミラー２４を透過した光は、対物レンズ２６に入射して、対物レンズ２６において、焦点が合わせられ、マスクステージ２８上に載置されたマスクに照射される。   In the inspection apparatus 200, when an inspection image is acquired, a mask to be subjected to defect inspection is placed on the mask stage 28. When inspection light is oscillated from the light source 20, the inspection light first enters the mirror 22. The mirror 22 reflects the incident inspection light toward the half mirror 24. The half mirror 24 transmits the inspection light from the mirror 22. The light transmitted through the half mirror 24 enters the objective lens 26, is focused on the objective lens 26, and is irradiated onto the mask placed on the mask stage 28.

マスクを透過した光は、コンタクトレンズ３０に入射して集光され、ミラー３２に反射して、イメージセンサ３４に送られ、イメージセンサ３４から、バッファメモリ３８に送られて透過像として取り込まれる。   The light that has passed through the mask is incident on the contact lens 30, collected, reflected by the mirror 32, sent to the image sensor 34, sent from the image sensor 34 to the buffer memory 38, and taken in as a transmission image.

一方、マスクを反射した光は、ハーフミラー２４に入射して、ここで反射する。この反射光は、イメージセンサ３６に送られ、イメージセンサ３６から、バッファメモリ３８に送られて反射像として取り込まれる。   On the other hand, the light reflected from the mask enters the half mirror 24 and is reflected there. This reflected light is sent to the image sensor 36, sent from the image sensor 36 to the buffer memory 38, and taken in as a reflected image.

バッファメモリ３８に取り込まれた透過像、あるいは、反射像は、マスクの検査画像として、バッファメモリ３８から、必要に応じて、１画面毎に、順次比較検査システム５０に送信できるようになっている。   The transmitted image or the reflected image taken into the buffer memory 38 can be sequentially transmitted from the buffer memory 38 to the comparative inspection system 50 for each screen as necessary, as a mask inspection image. .

一方、検査対象となるマスクパターンの基本パターン設計データ４２、あるいは、欠陥パターン設計データ４４は、データ準備システム４６に取り込まれる。データ準備システム４６においては、取り込まれたデータから参照画像が合成される。参照画像の合成においては、バッファメモリ３８に送られた検査画像に合うように、設計データの頂点部分を丸めたり、周辺部分に階調を持たせたりする、いわゆる画像処理が行われる。ここで合成された参照画像は、１画面毎に、順次、比較検査システム５０に送信できるようになっている。 On the other hand, the basic pattern design data 42 or the defect pattern design data 44 of the mask pattern to be inspected is taken into the data preparation system 46. In the data preparation system 46, a reference image is synthesized from the captured data. In the synthesis of the reference image, so-called image processing is performed in which the vertex portion of the design data is rounded or the gradation is given to the peripheral portion so as to match the inspection image sent to the buffer memory 38. The reference images synthesized here can be sequentially transmitted to the comparative inspection system 50 for each screen.

比較検査システム５０において、受信された検査画像と、参照画像とが比較検査され、欠陥が検出される。欠陥として、検出された箇所については、その欠陥の位置や欠陥のサイズなどの情報が、データ収集システム５２に送信される。   In the comparative inspection system 50, the received inspection image and the reference image are comparatively inspected to detect defects. For a portion detected as a defect, information such as the position of the defect and the size of the defect is transmitted to the data collection system 52.

図３は、この発明の実施の形態において、欠陥感度を検査する工程を説明するためのフロー図である。
この実施の形態において、欠陥感度を検査する場合には、検査画像取得部２１０において、マスクステージ２８に、欠陥検査用マスク１００を載置する（ステップＳ２）。その後、光源２０から、検査光を照射して、欠陥検査用マスク１００の、基本パターン領域１１０、及び、欠陥領域１２０に対応する基本検査画像、欠陥検査画像を、それぞれ、バッファメモリ３８に取り込む。バッファメモリ３８には、基本検査画像と、欠陥検査画像とが登録される（ステップＳ４）。 FIG. 3 is a flowchart for explaining the step of inspecting the defect sensitivity in the embodiment of the present invention.
In this embodiment, when the defect sensitivity is inspected, the inspection image acquisition unit 210 places the defect inspection mask 100 on the mask stage 28 (step S2). Thereafter, the light source 20 emits inspection light, and the basic inspection image and the defect inspection image corresponding to the basic pattern region 110 and the defect region 120 of the defect inspection mask 100 are taken into the buffer memory 38, respectively. The basic inspection image and the defect inspection image are registered in the buffer memory 38 (step S4).

一方、参照画像作成部２２０においては、データ準備システムにおいて、基本パターン設計データ４２あるいは、欠陥パターン設計データ４４から、基本参照画像あるいは欠陥参照画像が作成される（ステップＳ６）。   On the other hand, the reference image creation unit 220 creates a basic reference image or a defect reference image from the basic pattern design data 42 or the defect pattern design data 44 in the data preparation system (step S6).

バッファメモリ３８からは、基本検査画像の画像が、１画面ごとに、順次、比較検査システム５０に送信される。一方、この送信される画像に対応する部分の、欠陥参照画像が、データ準備システム４６から比較検査システム５０に送信される。比較検査システム５０においては、両者を比較して、欠陥を有する部分を発見した場合には、その部分の座標や、欠陥のサイズを、データ収集システム５２に送信する（ステップＳ１０）。なお、ここでは、欠陥参照画像と、基本検査画像とを比較している。検査画像側は、基本パターン設計データに基づいて作成された基本パターン領域１１０から得られた画像であり、欠陥が無いものと考えられることから、ここで検出される欠陥は、参照画像側の欠陥として登録される。   From the buffer memory 38, images of basic inspection images are sequentially transmitted to the comparison inspection system 50 for each screen. On the other hand, a defect reference image corresponding to the transmitted image is transmitted from the data preparation system 46 to the comparative inspection system 50. In the comparison inspection system 50, when both are compared and a part having a defect is found, the coordinates of the part and the size of the defect are transmitted to the data collection system 52 (step S10). Here, the defect reference image and the basic inspection image are compared. Since the inspection image side is an image obtained from the basic pattern region 110 created based on the basic pattern design data and is considered to have no defect, the defect detected here is a defect on the reference image side. Registered as

ここで、実際に欠陥として登録された部分と、欠陥パターンの設計データとを比較して、どのサイズの欠陥まで検出することができたか等を検査し、参照画像側の欠陥検出の感度を評価することができる（ステップＳ１２）。   Here, by comparing the part actually registered as a defect with the design data of the defect pattern, it is inspected to what size the defect has been detected, and the sensitivity of defect detection on the reference image side is evaluated. (Step S12).

次に、バッファメモリ３８からは、欠陥検査画像の画像が、１画面ごとに、順次、比較検査システム５０に送信される。一方、この送信される画像に対応する部分の基本参照画像が、データ準備システム４６から、比較検査システム５０に送信される。比較検査システム５０は、両者を比較して、欠陥を有する部分を発見した場合には、その部分の座標や、欠陥のサイズをデータ収集システム５２に送信する（ステップＳ１４）。なお、ここでは、欠陥検査画像と、基本参照画像とを比較している。参照画像側は、基本パターン設計データに基づいて生成されたものであり、欠陥が無いものと考えられることから、ここで検出される欠陥は、検査画像側の欠陥として登録される。   Next, the defect inspection image is sequentially transmitted from the buffer memory 38 to the comparison inspection system 50 for each screen. On the other hand, a basic reference image corresponding to the transmitted image is transmitted from the data preparation system 46 to the comparative inspection system 50. When the comparison inspection system 50 compares the two and finds a portion having a defect, the comparison inspection system 50 transmits the coordinates of the portion and the size of the defect to the data collection system 52 (step S14). Here, the defect inspection image and the basic reference image are compared. Since the reference image side is generated based on the basic pattern design data and is considered to have no defect, the defect detected here is registered as a defect on the inspection image side.

ここで、実際に欠陥として登録された部分と、欠陥パターンの設計データとを比較して、どのサイズの欠陥まで検出することができたか等を検査し、検査画像側の欠陥検出の感度を評価することができる（ステップＳ１６）。
最終的に、参照画像側の欠陥検出の感度と、検査画像側の欠陥検出の感度とから、欠陥検査装置２００の欠陥検出感度を評価することができる（ステップＳ１８）。 Here, the part actually registered as a defect and the design data of the defect pattern are compared, and it is inspected to what size the defect can be detected, and the defect detection sensitivity on the inspection image side is evaluated. (Step S16).
Finally, the defect detection sensitivity of the defect inspection apparatus 200 can be evaluated from the defect detection sensitivity on the reference image side and the defect detection sensitivity on the inspection image side (step S18).

以上説明したように、この実施の形態においては、まず、基本パターンの検出画像と、欠陥パターンの参照画像とを比較することにより、欠陥検出感度の評価を行うことができる。即ち、欠陥検出感度の測定において、実際に形成されたマスクからの検出画像側は基本パターンに対応する基本検出画像を用いる。従って、欠陥サイズに、設計データからのずれが生じている場合にも、そのずれに左右されることなく、正確に、欠陥検出感度を評価を行うことができる。   As described above, in this embodiment, first, the defect detection sensitivity can be evaluated by comparing the detection image of the basic pattern with the reference image of the defect pattern. That is, in the measurement of the defect detection sensitivity, the basic detection image corresponding to the basic pattern is used on the detection image side from the actually formed mask. Accordingly, even when the defect size is deviated from the design data, the defect detection sensitivity can be accurately evaluated without being influenced by the deviation.

また、この実施の形態においては、更に、通常の欠陥感度測定の際と同様に、欠陥パターンに対応する欠陥検出画像と、基本パターンからの基本参照画像とを比較して、検査画像側の欠陥検出の感度をも測定し、欠陥検査装置の感度検出の際には、この結果をも考慮して感度評価を行う。従って、より正確な感度の評価を行うことができる。   Further, in this embodiment, as in the case of normal defect sensitivity measurement, the defect detection image corresponding to the defect pattern is compared with the basic reference image from the basic pattern, and the defect on the inspection image side is compared. The sensitivity of the detection is also measured, and the sensitivity is evaluated in consideration of this result when detecting the sensitivity of the defect inspection apparatus. Therefore, more accurate sensitivity evaluation can be performed.

また、ここでは、１のマスクに、基本パターン領域１１０と、欠陥パターン領域１２０とが形成され、同時に、基本検出画像と、欠陥検出画像とを得る事ができる。従って、欠陥検査用マスク１００の交換等を必要とせず、効率の良い検査を行うことができる。   Here, the basic pattern area 110 and the defect pattern area 120 are formed on one mask, and at the same time, a basic detection image and a defect detection image can be obtained. Therefore, it is possible to perform an efficient inspection without requiring replacement of the defect inspection mask 100 or the like.

なお、この実施の形態においては、基本検査画像と、欠陥参照画像とを比較した後、更に、基本参照画像と、欠陥検査画像とを比較する場合について説明した。これは、このように、２重の検査を行うことにより、参照画像側の欠陥検出感度と、検査画像側の欠陥検出感度とを踏まえて、より、正確な感度の評価を行うことができるためである。しかし、この発明は、このように２段階に比較を行うものに限るものではなく、基本検査画像と、欠陥参照画像との比較のみを行うものであってもよい。この場合には、欠陥検査用マスク１００は、基本パターン領域１１０のみを備えるものであってもよい。   In this embodiment, after comparing the basic inspection image and the defect reference image, the case of further comparing the basic reference image and the defect inspection image has been described. This is because, by performing double inspection in this way, more accurate evaluation of sensitivity can be performed based on the defect detection sensitivity on the reference image side and the defect detection sensitivity on the inspection image side. It is. However, the present invention is not limited to the two-stage comparison as described above, and only the basic inspection image and the defect reference image may be compared. In this case, the defect inspection mask 100 may include only the basic pattern region 110.

また、この発明において、欠陥検査用マスク１００の各部材の構成材料、あるいは、欠陥検査装置２００の構造等は、この実施の形態において説明したに限られるものではなく、この発明の範囲内で、適宜選択しうるものである。   In the present invention, the constituent material of each member of the defect inspection mask 100 or the structure of the defect inspection apparatus 200 is not limited to that described in this embodiment, and within the scope of the present invention, It can be selected as appropriate.

なお、例えば、この実施の形態において、欠陥検査用マスク１００は、この発明の欠陥検出感度検査用マスクに該当する。   For example, in this embodiment, the defect inspection mask 100 corresponds to the defect detection sensitivity inspection mask of the present invention.

この発明の実施の形態における欠陥検査用マスクを説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the mask for defect inspection in embodiment of this invention. この発明の実施の形態における欠陥検査装置を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the defect inspection apparatus in embodiment of this invention. この発明の実施の形態における欠陥検出感度を評価する工程を説明するためのフロー図である。It is a flowchart for demonstrating the process of evaluating the defect detection sensitivity in embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１００ 欠陥検査用マスク
１１０ 基本パターン領域
１２０ 欠陥パターン領域
２ マスク基板
４ 遮光部
１０ ライン
１２ パッド
１４ ピンホール
１６ ピンドット
２００ 欠陥検査装置
２１０ 検査画像取得部
２２０ 参照画像作成部
２３０ 比較検査部
２０ 光源
２２ ミラー
２４ ハーフミラー
２６ 対物レンズ
２８ マスクステージ
３０ コンタクトレンズ
３２ ミラー
３４ イメージセンサ
３６ イメージセンサ
３８ バッファメモリ
４２ 基本パターン設計データ
４４ 欠陥パターン設計データ
４６ データ準備システム
５０ 比較検査システム
５２ データ収集システム DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Defect inspection mask 110 Basic pattern area 120 Defect pattern area 2 Mask substrate 4 Light-shielding part 10 Line 12 Pad 14 Pinhole 16 Pin dot 200 Defect inspection apparatus 210 Inspection image acquisition part 220 Reference image creation part 230 Comparison inspection part 20 Light source 22 Mirror 24 Half mirror 26 Objective lens 28 Mask stage 30 Contact lens 32 Mirror 34 Image sensor 36 Image sensor 38 Buffer memory 42 Basic pattern design data 44 Defect pattern design data 46 Data preparation system 50 Comparison inspection system 52 Data collection system

Claims (1)

基本パターンの設計データを基にパターンが形成された基本パターン領域と、前記基本パターンに、所定の欠陥を加えた欠陥パターンの設計データを基にパターンが形成された欠陥パターン領域と、を備える欠陥検出感度検査用マスクを用い、
マスクの欠陥検査装置が、マスクを透過した光を検出して得た透過像のマスクの検査画像データを作成しバッファメモリに記憶し、かつ、マスクから反射した光を検出して得た反射像のマスクの検査画像データを作成しバッファメモリに記憶し、
データ準備システムが、前記欠陥検出感度検査用マスクの前記設計データから、前記検査画像データに合わせて、前記設計データの頂点部分を丸め周辺部分に階調を持たせる画像処理を行うことで参照画像データを作成し、
前記基本パターン領域の前記検査画像データと前記欠陥パターン領域の前記参照画像データを比較することで参照画像側でどのサイズの欠陥まで検出されたかの参照画像側の欠陥検出の感度のデータを得、
前記欠陥パターン領域の前記検査画像データと前記基本パターン領域の前記参照画像データを比較することで検査画像側でどのサイズの欠陥まで検出されたかの検査画像側の欠陥検出の感度データを得、
前記参照画像側の欠陥検出の感度のデータと前記検査画像側の欠陥検出の感度データとから前記マスクの欠陥検査装置の欠陥検出感度を検査することを特徴とするマスクの欠陥検査装置の欠陥検出感度検査方法。 A defect having a basic pattern area in which a pattern is formed based on design data of a basic pattern, and a defect pattern area in which a pattern is formed based on design data of a defect pattern obtained by adding a predetermined defect to the basic pattern Using a detection sensitivity inspection mask ,
The mask defect inspection device creates inspection image data of the transmission image mask obtained by detecting the light transmitted through the mask, stores it in the buffer memory, and also reflects the reflected image obtained by detecting the light reflected from the mask. The inspection image data of the mask is created and stored in the buffer memory,
A data preparation system performs reference image processing by rounding the apex portion of the design data from the design data of the defect detection sensitivity inspection mask in accordance with the inspection image data so as to have gradation in peripheral portions. Create data,
By obtaining the defect detection sensitivity data on the reference image side, which size defect was detected on the reference image side by comparing the inspection image data of the basic pattern region and the reference image data of the defect pattern region,
By comparing the inspection image data of the defect pattern area and the reference image data of the basic pattern area to obtain a defect detection sensitivity data on the inspection image side of which size defect was detected on the inspection image side,
Defect detection of the defect inspection apparatus of the mask, characterized in that to inspect the defect detection sensitivity of the defect inspection apparatus of the mask from the defect detection sensitivity data of data and the inspection image side of the sensitivity of defect detection of the reference image side Sensitivity inspection method.
JP2003354805A 2003-10-15 2003-10-15 Defect detection sensitivity inspection method for mask defect inspection apparatus Expired - Fee Related JP4507549B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003354805A JP4507549B2 (en) 2003-10-15 2003-10-15 Defect detection sensitivity inspection method for mask defect inspection apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003354805A JP4507549B2 (en) 2003-10-15 2003-10-15 Defect detection sensitivity inspection method for mask defect inspection apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005121778A JP2005121778A (en) 2005-05-12
JP4507549B2 true JP4507549B2 (en) 2010-07-21

Family

ID=34612609

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003354805A Expired - Fee Related JP4507549B2 (en) 2003-10-15 2003-10-15 Defect detection sensitivity inspection method for mask defect inspection apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4507549B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9196033B2 (en) 2013-05-22 2015-11-24 Nuflare Technology, Inc. Inspection sensitivity evaluation method

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6197283B2 (en) * 2012-07-11 2017-09-20 大日本印刷株式会社 Mask for nanoimprint lithography and method for manufacturing the same
JP7443268B2 (en) 2021-01-05 2024-03-05 株式会社ニューフレアテクノロジー Defect inspection method

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09166865A (en) * 1995-12-18 1997-06-24 Seiko Epson Corp Photomask, semiconductor device and production of these
JPH1114553A (en) * 1997-06-23 1999-01-22 Omron Corp Method and apparatus for output of defect sample data in visual defect inspection device
JP2004333451A (en) * 2003-05-12 2004-11-25 Nec Corp Method, system, apparatus, and program for making defects data for evaluating reticle inspection apparatus

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09166865A (en) * 1995-12-18 1997-06-24 Seiko Epson Corp Photomask, semiconductor device and production of these
JPH1114553A (en) * 1997-06-23 1999-01-22 Omron Corp Method and apparatus for output of defect sample data in visual defect inspection device
JP2004333451A (en) * 2003-05-12 2004-11-25 Nec Corp Method, system, apparatus, and program for making defects data for evaluating reticle inspection apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9196033B2 (en) 2013-05-22 2015-11-24 Nuflare Technology, Inc. Inspection sensitivity evaluation method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2005121778A (en) 2005-05-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI587082B (en) Mask inspection device, mask evaluation method and mask evaluation system
US9057711B2 (en) Inspection apparatus and method
US8213704B2 (en) Methods and systems for detecting defects in a reticle design pattern
US7769225B2 (en) Methods and systems for detecting defects in a reticle design pattern
TWI519778B (en) A method for inspecting line width and/or positional errors of a pattern
US9031313B2 (en) Inspection system
JP6043662B2 (en) Inspection method and inspection apparatus
JP4933601B2 (en) Inspection apparatus and inspection method
US20150131892A1 (en) Defect estimation device and method and inspection system and method
US9733640B2 (en) Method and apparatus for database-assisted requalification reticle inspection
JP2015232549A (en) Inspection method, template board, and focus offset method
US8575547B2 (en) Electron beam measurement apparatus
JP2011145263A (en) Inspection apparatus and inspection method
JP2015022192A (en) Inspection apparatus
JP5514754B2 (en) Inspection apparatus and inspection method
JP2003215059A (en) Pattern inspection apparatus and method for the same
JP4860294B2 (en) electronic microscope
JP6373119B2 (en) Mask inspection apparatus and mask inspection method
JP4507549B2 (en) Defect detection sensitivity inspection method for mask defect inspection apparatus
TWI686673B (en) Inspection Method
JP2004151622A (en) Inspecting apparatus of mask defect and method for inspecting mask defect
JP4131728B2 (en) Image creation method, image creation apparatus, and pattern inspection apparatus
JP6533062B2 (en) Pattern inspection method

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20060328

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20060328

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060919

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20091019

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091027

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091225

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100413

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100426

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees