JP4506484B2 - 化学増幅型ポジ型レジスト用組成物 - Google Patents
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- QEGNUYASOUJEHD-UHFFFAOYSA-N CC1(C)CCCCC1 Chemical compound CC1(C)CCCCC1 QEGNUYASOUJEHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XMFKMAANTBAHEP-UHFFFAOYSA-N CC(CO1)C2C1[IH]C(C)C2 Chemical compound CC(CO1)C2C1[IH]C(C)C2 XMFKMAANTBAHEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N O=C1OCCC1 Chemical compound O=C1OCCC1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Description
(メタ)アクリル酸 2−アルキル−2−シクロヘキシル、または(メタ)アクリル酸 2−アルキル−2−シクロペンチルを用いた感光性樹脂組成物が提案されている(特許文献1〜3参照。)。
しかしながら、いずれに記載の感光性樹脂組成物も感度および解像度がまだ充分ではなく、またラインエッジラフネスもまだ特に改良されてはいなかった。
本発明の目的は、ArFやKrFなどのエキシマレーザーリソグラフィに適した、解像度、感度およびパターン形状などの各種のレジスト性能が良好であるとともに、特にラインエッジラフネスが良好な化学増幅型ポジ型レジスト組成物を提供することにある。
(式中、R1は水素原子またはメチル基を表し、R2はアルキル基を表す。R10はハロゲン原子、水酸基、アルキル基またはアルコキシ基を表し、nは0〜3の整数である。nが2以上のときは、複数のR10は互いに同一でも異なってもよい。)
(式中、R102は水素原子またはメチル基を表す。R11はアルキル基またはアルコキシ基を表し、mは0〜3の整数である。mが2以上のときは、複数のR11は互いに同一でも異なってもよい。)
(式中、R103およびR104は水素原子またはメチル基を表し、R3およびR4はアルキル基を表す。R12およびR13は互いに独立にアルキル基またはアルコキシ基を表し、pおよびqは互いに独立に0〜3の整数である。pが2以上のときは、複数のR12は互いに同一でも異なってもよい。qが2以上のときは、複数のR13は互いに同一でも異なってもよい。)
(式中、R105およびR106は水素原子またはメチル基を表し、R5は水酸基またはヒドロキシメチル基を表す。R14は水酸基、アルキル基またはアルコキシ基を表し、R15はアルキル基を表す。rおよびsは互いに独立に0〜3の整数である。rが2以上のときは、複数のR14は互いに同一でも異なってもよい。sが2以上のときは、複数のR15は互いに同一でも異なってもよい。)
本発明の樹脂組成物における樹脂として、樹脂全重合単位の合計に対して、下式(Ia)で示される重合単位を5〜50モル%含有し、下式(IIa)で示される重合単位を5〜50モル%含有し、下式(IIIa)および/または(IVa)で示される重合単位を5〜50モル%含有する樹脂が好ましい。
(式中、R1は水素原子またはメチル基を表し、R22は炭素数1〜5のアルキル基を表わす。R101はハロゲン原子、炭素数1〜4のアルキル基または炭素数1〜4のアルコキシ基を表わす。nは0〜3の整数である。nが2以上のときは、複数のR101は互いに同一でも異なってもよい。)
(式中、R102は水素原子またはメチル基を表す。R111は炭素数1〜4のアルキル基または炭素数1〜4のアルコキシ基を表わす。mは0〜3の整数である。mが2以上のときは、複数のR111は互いに同一でも異なってもよい。)
ここで、上記式(IIa)において、mは0の場合が好ましい。
(式中、R103およびR104は水素原子またはメチル基を表し、R33およびR44は互いに独立に炭素数1〜5のアルキル基を表わす。R121およびR131は互いに独立に炭素数1〜5のアルキル基または炭素数1〜4のアルコキシ基を表わす。pおよびqは0〜3の整数である。)
ここで、上記式(IIIa)において、R33としてはメチル基、エチル基、イソプロピル基が好ましく、上記式(IVa)において、R44としてはメチル基、エチル基、イソプロピル基が好ましい。
また、上記式(IIIa)において、pは0の場合が好ましく、上記式(IVa)において、qは0の場合が好ましい。
(式中、R105およびR106は水素原子またはメチル基を表し、R5は水酸基またはヒドロキシメチル基を表す。R14は水酸基、アルキル基またはアルコキシ基を表し、R15はアルキル基を表す。rおよびsは互いに独立に0〜3の整数である。rが2以上のときは、複数のR14は互いに同一でも異なってもよい。sが2以上のときは、複数のR15は互いに同一でも異なってもよい。)
上記式(V)および/または(VI)で示される重合単位の樹脂組成物中の含有量としては0〜50モル%が好ましい。
上記式(V)においてR14としては、水酸基、炭素数1〜4のアルキル基または炭素数1〜4のアルコキシ基が好ましく、上記式(VI)において、R15としては、炭素数1〜4のアルキル基が好ましい。
(式中、R105およびR106は水素原子またはメチル基を表し、R5は水酸基またはヒドロキシメチル基を表す。R55は水酸基、メチル基、エチル基またはメトキシ基を表し、R66はメチル基またはエチル基を表す。rおよびsは互いに独立に0〜3の整数である。rが2以上のときは、複数のR55は互いに同一でも異なってもよい。sが2以上のときは、複数のR66は互いに同一でも異なってもよい。)
また、本発明〔2〕における樹脂の製造方法としては、式(I)で示される重合単位に導くモノマーと、式(II)で示される重合単位に導くモノマーと、さらに、酸解離性基の相異なる式(III)および/または式(IV)で示される重合単位に導くモノマーと、式(V)および/または(VI)で示される重合単位に導くモノマーとを重合する方法が挙げられる。
式(I)で示される重合単位に導くモノマーは、市販されているが、例えば重合単位に対応するアダマンタン誘導体を(メタ)アクリル酸又はそのハライドと反応させることにより、製造することもできる。
また、式(II)で示される重合単位に導くモノマーは、市販されているが、ブチロラクトン誘導体に(メタ)アクリル酸を反応させるか、またはアクリル酸ハライドもしくはメタクリル酸ハライドを反応させることにより製造できる。
式(III)および(IV)で示される重合単位に導くモノマーは、市販されているが、シクロヘキシル誘導体およびシクロペンチル誘導体に(メタ)アクリル酸を反応させるか、またはアクリル酸ハライドもしくはメタクリル酸ハライドを反応させることにより製造できる。
式(V)で示される重合単位に導くモノマーは、市販されているが、ヒドロキシアダマンタン誘導体もしくはヒドロキシメチルアダマンタン誘導体に(メタ)アクリル酸を反応させるか、またはアクリル酸ハライドもしくはメタクリル酸ハライドを反応させることにより製造できる(例えば、特開昭63-33350号公報)。
式(VI)で示される重合単位に導くモノマーは、具体的には例えば、次のような水酸基を有する脂環式ラクトンの(メタ)アクリル酸エステル、またはそれらの混合物等が挙げられる。これらのエステルは、例えば対応する水酸基を有する脂環式ラクトンと(メタ)アクリル酸類との反応により製造し得る(例えば特開2000−26446号公報)。
式(II)で示される重合単位に導くモノマーとして、具体的には下記のようなモノマーが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
アクリル酸3−ヒドロキシ−1−アダマンチル、
メタクリル酸3−ヒドロキシ−1−アダマンチル、
アクリル酸3,5−ジヒドロキシ−1−アダマンチル、
メタクリル酸3,5−ジヒドロキシ−1−アダマンチル、
アクリル酸3−ヒドロキシメチル−1−アダマンチル、
メタクリル酸3−ヒドロキシメチル−1−アダマンチル、
アクリル酸3−ヒドロキシ−5,7−ジメチル−1−アダマンチル、
メタクリル酸3−ヒドロキシ−5,7−ジメチル−1−アダマンチル、
アクリル酸3−ヒドロキシ−5,7−ジメトキシ−1−アダマンチル、
メタクリル酸3−ヒドロキシ−5,7−ジメトキシ−1−アダマンチル
などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
ここで用いられる重合開始剤は、公知のものであって、特に限定されるものではないが、熱により効率的にラジカルを発生するものが好ましい。このような重合開始剤としては、例えば、2,2’−アゾビスイソブチロニトリル、2,2’−アゾビスイソ酪酸ジメチル、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)等のアゾ化合物、2,5−ジメチル−2,5−ビス(tert−ブチルパーオキシ)ヘキサン、t−ヘキシルパーオキシピバレート等の有機過酸化物、などが挙げられ、それぞれ単独でも良いし、2種類以上の開始剤を併用しても良い。
本発明における樹脂の製造方法における反応温度は、0〜150℃の範囲であって、好ましくは40〜100℃の範囲である。
該酸に不安定な基としては、カルボン酸エステル構造−COOYにおけるYが挙げられ、本発明において、例えばカルボン酸エステル構造−COOYを含むモノマーを併用してもよい。ここで、エステルは正確には基名ではなく、化合物名に相当するが、−COO−を、ここではエステルと呼ぶ。例えば、−COOCH3をメチルエステルと呼ぶ。
酸に不安定な基を含むカルボン酸エステル構造として、例えば、メチルエステル及びtert−ブチルエステルに代表されるアルキルエステル;メトキシメチルエステル、エトキシメチルエステル、1−エトキシエチルエステル、1−イソブトキシエチルエステル、1−イソプロポキシエチルエステル、1−エトキシプロピルエステル、1−(2−メトキシエトキシ)エチルエステル、1−(2−アセトキシエトキシ)エチルエステル、1−〔2−(1−アダマンチルオキシ)エトキシ〕エチルエステル、1−〔2−(1−アダマンタンカルボニルオキシ)エトキシ〕エチルエステル、テトラヒドロ−2−フリルエステル及びテトラヒドロ−2−ピラニルエステルのようなアセタール型エステル;イソボルニルエステル及び2−アルキル−2−アダマンチルエステル、1−(1−アダマンチル)−1−アルキルアルキルエステルのような脂環式エステルなどが挙げられる。
ArF露光の場合は光吸収が大きくて好ましくはないが、KrF露光の場合は光吸収の問題が無いので、ヒドロキシスチレンから導かれる重合単位を用いることができる。
そして、酸に不安定な基として、式(I)と式(III)および/または式(IV)の重合単位を用いる場合は、該重合単位の合計が樹脂の全重合単位のうち10モル%〜80モル%となるようにすることが有利である。
また、式(I)と式(III)および/または式(IV)で示される重合単位に加えて、酸の作用で解裂しにくい他の重合単位、例えば、式(II)で示される重合単位、式(V)および/または式(VI)で示される重合単位を存在させる場合は、それらの重合単位の合計が、樹脂の全重合単位に対して、15〜100モル%の範囲となるようにすることが好ましく、20〜90モル%とすることがさらに好ましい。
本発明における酸発生剤として、例えば下式(VIIa)、(VIIb)又は(VIIc)が挙げられる。
(式中、P1〜P3は、互いに独立に、水酸基、炭素数1〜6のアルキル基又は炭素数1〜6のアルコキシ基を表す。a、b、cは、それぞれ独立に0〜3の整数である。aが2以上のとき、複数のP1は、互いに同一でも異なってもよい。bが2以上のとき、複数のP2は、互いに同一でも異なってもよい。cが2以上のとき、複数のP3は、互いに同一でも異なってもよい。Z-は、有機対イオンを表す。)
(式中、P4、P5は、互いに独立に、水素原子、水酸基、炭素数1〜6のアルキル基又は炭素数1〜6のアルコキシ基を表す。d、eは、互いに独立に、0〜1の整数である。Z-は、有機対イオンを表す。)
(式中、P6、P7は、互いに独立に、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数3〜10のシクロアルキル基、又はP6とP7とが結合して炭素数3〜7の二価の脂肪族炭化水素基を表し、隣接するS+とともに環を形成する。該脂肪族炭化水素基の少なくとも1個の−CH2−がカルボニル基、酸素原子もしくは硫黄原子に置換されていてもよい。P8が水素原子を表し、P9が炭素数1〜6のアルキル基、炭素数3〜10のシクロアルキル基もしくは置換されていても良い芳香環基を表すか、又はP8とP9とが結合して二価の脂肪族炭化水素基を表し、隣接する−CHCO−とともに環を形成する。Z-は、有機対イオンを表す。)
式(VIIb)におけるP4及びP5が、アルキル基又はアルコキシ基である場合に、炭素数3以上のときは直鎖でも分岐していてもよい。
P1、P2、P3、P4及びP5の具体的なアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基などが挙げられ、アルコキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などが挙げられる。
P6、P7、P9がアルキル基の場合には、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基などが挙げられ、またシクロアルキル基の場合には具体的にはシクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基などが挙げられる。
(式中、Q1、Q2、Q3、Q4及びQ5は、互いに独立に、水素原子、炭素数1〜16個の分岐していてもよいアルキル基、炭素数1〜8個のハロゲン化アルキル基、炭素数6〜12個のアリール基、炭素数7〜12のアラルキル基、シアノ基、炭素数1〜4個のアルキルチオ基、炭素数1〜4個のアルキルスルホニル基、ヒドロキシ基、ニトロ基又は下式(VIII’)で示される基を表す。ただし、Q1、Q2、Q3、Q4及びQ5のうち少なくとも一つは、下式(VIII’)で示される基である。
式中、Xは、酸素原子又は硫黄原子を含んでも良い直鎖アルキレン基を表し、Cy1は、炭素数3〜20個の脂環式炭化水素基を表す。)
炭素数1〜16の分岐していてもよいアルコキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、tert−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、イソペンチルオキシ基、デシルオキシ基、ドデシルオキシ基、ヘキサデシルオキシ基などが挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
炭素数6〜12個のアリール基としては、フェニル基、トリル基、メトキシフェニル基、ナフチル基などが挙げられる。
炭素数7〜12のアラルキル基としては、ベンジル基、クロロベンジル基、メトキシベンジル基などが挙げられる。
上記式において、好ましくはシクロヘキシル基(b−4)、2−ノルボルニル基(b−21)、1−アダマンチル基(b−24)、2−アダマンチル基(b−23)が挙げられる。
(式中、Q6は、炭素数1〜20の分岐していてもよいパーフルオロアルキル基又は炭素数10〜20の置換されていてもよいナフチル基及びアントリル基を表す。)
(式中、Q7、Q8は、互いに独立に、炭素数1〜20の分岐していてもよいパーフルオロアルキル基又は炭素数6〜20の置換されていてもよい芳香環基を表す。)
W14、W15及びW16は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル、シクロアルキル、アリール又はアルコキシを表す。該アルキル、シクロアルキル、アリール、又はアルコキシは、それぞれ独立に、水酸基、アミノ基、又は炭素数1〜6のアルコキシ基、で置換されていてもよい。該アミノ基は、炭素数1〜4のアルキル基で置換されていてもよい。また、該アルキルは、炭素数1〜6程度が好ましく、該シクロアルキルは、炭素数5〜10程度が好ましく、該アリールは、炭素数6〜10程度が好ましく、該アルコキシは、炭素数1〜6程度が好ましい。
W17は、アルキル又はシクロアルキルを表す。該アルキル又はシクロアルキルは、それぞれ独立に、水酸基、アミノ基、炭素数1〜6のアルコキシ基、で置換されていてもよい。該アミノ基は、炭素数1〜4のアルキル基で置換されていてもよい。また、該アルキルは、炭素数1〜6程度が好ましく、該シクロアルキルは、炭素数5〜10程度が好ましい。
Aは、アルキレン、カルボニル、イミノ、スルフィド又はジスルフィドを表す。該アルキレンは、炭素数2〜6程度であることが好ましい。
また、W12〜W18において、直鎖構造と分岐構造の両方をとり得るものについては、そのいずれでもよい。
但し、前記式[3]化合物におけるW12、W13及びW18は何れも水素原子であることはない。
W19〜W21は同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数1〜6個のアルキル基、炭素数1〜6個のアミノアルキル基、炭素数1〜6個のヒドロキシアルキル基又は6〜20個の置換もしくは非置換のアリール基を表し、ここで
W19とW20は互いに結合して環を形成していてもよい。
本発明の組成物において、塩基性含窒素化合物を用いる場合は、該樹脂100重量部に対して、0.001〜1重量部の範囲、さらには0.01〜1.0重量部の範囲で含有することが好ましい。
本発明の組成物は、必要に応じて、増感剤、溶解抑止剤、他の樹脂、界面活性剤、安定剤、染料など、各種の添加物を少量含有することもできる。
例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートのようなグリコールエーテルエステル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルのようなエステル類;アセトン、メチルイソブチルケトン、2−ヘプタノン及びシクロヘキサノンのようなケトン類;γ−ブチロラクトンのような環状エステル類などを挙げることができる。これらの溶剤は、それぞれ単独で、又は2種以上組み合わせて用いることができる。
上記において、本発明の実施の形態について説明を行なったが、上記に開示された本発明の実施の形態は、あくまで例示であって、本発明の範囲はこれらの実施の形態に限定されない。本発明の範囲は、特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲の記載と均等の意味及び範囲内でのすべての変更を含むものである。
温度計、還流管を装着した4つ口フラスコに1,4-ジオキサン 25.9部を仕込み、窒素ガスで30分間バブリングを行った。窒素シール下で87℃まで昇温した後、下記の図で示されるモノマーA 5.85部、C 7.40部、E 6.62部、D 10.22部、アゾビスイソブチロニトリル 0.49部、1,4-ジオキサン 33.75部を混合した溶液を、87℃を保ったまま1時間かけて滴下した。滴下終了後87℃で5時間保温した。その後反応液をメタノール 259部、イオン交換水 65部の混合液中へ攪拌しながら注ぎ、析出した樹脂を濾取した。濾物をメタノール 104部に投入し攪拌後濾過を行った。得られた濾過物をメタノールに投入、攪拌、濾過の操作を、更に2回行った。その後減圧乾燥を行い 22.0部の樹脂を得た。この樹脂をR1とする。Mw:10030、Mw/Mn:1.87。
仕込みモノマーのみを変えて、樹脂合成例1と同様の操作を行い、表1に示す樹脂を合成した。
〔表1〕
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
合成例 樹脂 仕込みモノマーモル比 Mw Mw/Mn
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
1 R1 A/C/D/E=25/25/25/25 10030 1.87
2 R2 A/C/D/F=25/25/25/25 9610 1.74
3 R3 A/C/D/E/F=20/25/30/20/5 9897 1.88
4 R4 A/C/D/E/F=30/15/30/20/5 9240 1.54
5 R5 A/C/D/E/F=20/25/30/15/10 8600 1.44
6 R6 A/H/D/E/F=20/20/30/15/15 7590 1.64
7 R7 B/G=50/50 7860 1.77
8 R8 A/G=50/50 9920 1.95
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
S1:(4−メチルフェニル)ジフェニルスルホニウム パーフルオロブタンスルホナート
<クェンチャー>
Q1:2,6−ジイソプロピルアニリン
<溶剤>
Y1:メチルイソアミルケトン 84部
γ−ブチロラクトン 4部
Y2:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
51.5部
2−ヘプタノン 35部
γ−ブチロラクトン 3.5部
以下の各成分を混合して溶解し、さらに孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジスト液を調製した。
酸発生剤(種類及び量は表1記載)
クェンチャー(種類及び量は表1記載)
溶剤(種類は表1記載)
有機反射防止膜基板上のもので現像後のダークフィールドパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、その結果を表3に示した。なお、ここでいうダークフィールドパターンとは、外側にクロム層(遮光層)をベースとしてライン状にガラス面(透光部)が形成されたレチクルを介した露光及び現像によって得られ、したがって露光現像後は、ラインアンドスペースパターンの周囲のレジスト層が残るパターンである。
解像度: 実効感度の露光量で分離するラインアンドスペースパターンの最小寸法で表示した。
レジスト形状: パターン形状が良好なものを◎、T-Topであるが解像しているものを〇、パターンが形成しなかったものを×で表記する。
ラインエッジラフネス: ラインエッジラフネスが非常に良好なものを◎、良好なものを○、良くないものを×で表記する。
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
例 No. 樹脂 酸発生剤 クェンチャー 溶剤 PB PEB
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
実施例1 R1/10部 S1/0.15部 Q1/0.0075部 Y1 110℃ 100℃
実施例2 R2/10部 S1/0.15部 Q1/0.0075部 Y1 120℃ 120℃
実施例3 R3/10部 S1/0.15部 Q1/0.0075部 Y2 120℃ 110℃
実施例4 R4/10部 S1/0.15部 Q1/0.0075部 Y2 120℃ 110℃
実施例5 R5/10部 S1/0.15部 Q1/0.0075部 Y2 120℃ 110℃
実施例6 R6/10部 S1/0.15部 Q1/0.0075部 Y2 120℃ 110℃
────────────────────────────────────
比較例1 R7/10部 S1/0.15部 Q1/0.0075部 Y1 120℃ 120℃
比較例2 R8/10部 S1/0.15部 Q1/0.0075部 Y1 120℃ 120℃
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
例 No. 実効感度 解像度 パターン形状 ラインエッジラフネス
(mJ/cm2) (μm)
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
実施例1 60 0.125 〇 ◎
実施例2 47.5 0.12 ◎ 〇
実施例3 62.5 0.13 ◎ ◎
実施例4 45 0.125 〇 ◎
実施例5 62.5 0.13 〇 ◎
実施例6 62.5 0.13 〇 ◎
──────────────────────────────────
比較例1 * * × *
比較例2 * * × *
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
* パターン形成せず測定不可
また、塗布表面の親水性(現像液への濡れ性)やラインエッジラフネスも比較例に比べて、良好な結果であった。
Claims (6)
- (A)樹脂全重合単位の合計に対して、下式(I)で示される重合単位を5〜50モル%含有し、下式(II)で示される重合単位を5〜50モル%含有し、下式(III)および/または(IV)で示される重合単位を5〜50モル%含有する樹脂と、(B)光または放射線の照射により酸を発生する化合物とを含有することを特徴とする感光性樹脂組成物。
(式中、R1は水素原子またはメチル基を表し、R2はアルキル基を表す。R10はハロゲン原子、水酸基、アルキル基またはアルコキシ基を表し、nは0〜3の整数である。nが2以上のときは、複数のR10は互いに同一でも異なってもよい。)
(式中、R102は水素原子またはメチル基を表す。R11はアルキル基またはアルコキシ基を表し、mは0〜3の整数である。mが2以上のときは、複数のR11は互いに同一でも異なってもよい。)
(式中、R103およびR104は水素原子またはメチル基を表し、R3およびR4はアルキル基を表す。R12およびR13は互いに独立にアルキル基またはアルコキシ基を表し、pおよびqは互いに独立に0〜3の整数である。pが2以上のときは、複数のR12は互いに同一でも異なってもよい。qが2以上のときは、複数のR13は互いに同一でも異なってもよい。) - 樹脂が、樹脂全重合単位の合計に対して、下式(Ia)で示される重合単位を5〜50モル%含有し、下式(IIa)で示される重合単位を5〜50モル%含有し、下式(IIIa)および/または(IVa)で示される重合単位を5〜50モル%含有する請求項1に記載の感光性樹脂組成物。
(式中、R1は水素原子またはメチル基を表し、R22は炭素数1〜5のアルキル基を表わす。R101はハロゲン原子、炭素数1〜4のアルキル基または炭素数1〜4のアルコキシ基を表わす。nは0〜3の整数である。nが2以上のときは、複数のR101は互いに同一でも異なってもよい。)
(式中、R102は水素原子またはメチル基を表す。R111は炭素数1〜4のアルキル基または炭素数1〜4のアルコキシ基を表わす。mは0〜3の整数である。mが2以上のときは、複数のR111は互いに同一でも異なってもよい。)
(式中、R103およびR104は水素原子またはメチル基を表し、R33およびR44は互いに独立に炭素数1〜5のアルキル基を表わす。R121およびR131は互いに独立に炭素数1〜5のアルキル基または炭素数1〜4のアルコキシ基を表わす。pおよびqは0〜3の整数である。) - (B)光または放射線の照射により酸を発生する化合物が、オニウム塩、ハロゲン含有化合物、ジアゾケトン化合物、スルホン化合物およびスルホン酸化合物からなる群から選ばれた少なくとも1種である請求項1〜4のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
- (B)光または放射線の照射により酸を発生する化合物が、オニウム塩である請求項1〜5のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005012445A JP4506484B2 (ja) | 2004-01-21 | 2005-01-20 | 化学増幅型ポジ型レジスト用組成物 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004012917 | 2004-01-21 | ||
JP2005012445A JP4506484B2 (ja) | 2004-01-21 | 2005-01-20 | 化学増幅型ポジ型レジスト用組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005234553A JP2005234553A (ja) | 2005-09-02 |
JP4506484B2 true JP4506484B2 (ja) | 2010-07-21 |
Family
ID=35017510
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005012445A Active JP4506484B2 (ja) | 2004-01-21 | 2005-01-20 | 化学増幅型ポジ型レジスト用組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4506484B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2008133270A1 (ja) * | 2007-04-25 | 2010-07-29 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
JP5129988B2 (ja) * | 2007-06-13 | 2013-01-30 | 東京応化工業株式会社 | 高分子化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
JP5648094B2 (ja) * | 2013-07-01 | 2015-01-07 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法および高分子化合物 |
JP2015179163A (ja) * | 2014-03-19 | 2015-10-08 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法 |
CN108264605A (zh) * | 2016-12-30 | 2018-07-10 | 罗门哈斯电子材料韩国有限公司 | 单体、聚合物和光致抗蚀剂组合物 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003195507A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-07-09 | Jsr Corp | 感放射線性樹脂組成物 |
JP2003337419A (ja) * | 2002-03-15 | 2003-11-28 | Jsr Corp | 感放射線性樹脂組成物 |
-
2005
- 2005-01-20 JP JP2005012445A patent/JP4506484B2/ja active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003195507A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-07-09 | Jsr Corp | 感放射線性樹脂組成物 |
JP2003337419A (ja) * | 2002-03-15 | 2003-11-28 | Jsr Corp | 感放射線性樹脂組成物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005234553A (ja) | 2005-09-02 |
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A621 | Written request for application examination |
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RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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