JP4501109B2 - Light emitting device - Google Patents

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Description

本発明は、発光素子がセラミックス基板の窪み内に載置された、いわゆるセラミックスパッケージ型の発光装置に関し、特に、発光素子から発光される光の取出し効率が高く、放熱性にも優れた発光装置に関する。   The present invention relates to a so-called ceramics package type light-emitting device in which a light-emitting element is placed in a recess of a ceramic substrate, and in particular, a light-emitting device that has high extraction efficiency of light emitted from the light-emitting element and excellent heat dissipation. About.

ＬＥＤディスプレイ等に使用されているＬＥＤチップとして、セラミックス基板で構成されたセラミックスパッケージを用いた発光装置が知られている。
従来の発光装置としては、例えば図１５に示すように、窪み１０３が形成されたセラミックス基板１０２と、該窪み１０３の内部に配されたＬＥＤチップ１０６と、該ＬＥＤチップ１０６に電力を供給するための導電体層１０５と、窪み１０３の側面に光の反射効率を高めるために形成された反射層１０４とを備えてなり、導電体層１０５の上にＬＥＤチップ１０６が載置された状態で構成されたものが開示されている（特許文献１）。
実開平４−１０５５６２ しかしながら、斯かる構成の発光装置によれば、ＬＥＤチップ１０６から横方向へ発せられた光の一部が窪み１０３の側面に露出したセラミックス基板１０２へと透過してしまい、ＬＥＤチップ１０６からの光の取出し効率が低下するという問題がある。 2. Description of the Related Art As LED chips used for LED displays and the like, a light emitting device using a ceramic package made of a ceramic substrate is known.
As a conventional light emitting device, for example, as shown in FIG. 15, a ceramic substrate 102 in which a depression 103 is formed, an LED chip 106 disposed in the depression 103, and power for supplying power to the LED chip 106. The conductive layer 105 and the reflective layer 104 formed on the side surface of the recess 103 to increase the light reflection efficiency are provided, and the LED chip 106 is placed on the conductive layer 105. Has been disclosed (Patent Document 1).
However, according to the light emitting device having such a configuration, part of the light emitted from the LED chip 106 in the lateral direction is transmitted to the ceramic substrate 102 exposed on the side surface of the depression 103, and the LED There is a problem that the light extraction efficiency from the chip 106 is lowered.

これに対し、下記特許文献２記載の如く、側面の反射層を窪みの基底面にまで延在させ、横方向へ発せられる光を反射させる構成の発光装置も開示されている。
特開２００２−２３２０１７ On the other hand, as described in Patent Document 2 below, a light-emitting device having a configuration in which a reflective layer on a side surface extends to the base surface of a depression and light emitted in the lateral direction is reflected is also disclosed.
JP2002-232017

しかしながら、この種の発光装置においては、ＬＥＤチップに電力を供給する導電体層としてのカソードおよびアノードをそれぞれ離間させ、しかも、該導電体層と前記反射層とも離間させるように構成する必要があるため、前記特許文献２記載の発光装置によれば、ＬＥＤチップの載置面においてセラミックス基板が表面に露出した状態となりやすい。
そうすると、該特許文献２記載の発光装置によれば、反射層を介して光を有効に取り出すことはできるが、ＬＥＤチップの載置面において光がセラミックス基板へと透過しやすく、光の取出し効率が低下するという問題がある。 However, in this type of light emitting device, it is necessary to configure the cathode and the anode as the conductor layers for supplying power to the LED chip to be separated from each other, and also to separate the conductor layers from the reflective layer. Therefore, according to the light emitting device described in Patent Document 2, the ceramic substrate is likely to be exposed on the surface of the LED chip mounting surface.
Then, according to the light emitting device described in Patent Document 2, it is possible to effectively extract light through the reflective layer, but light is easily transmitted to the ceramic substrate on the mounting surface of the LED chip, and the light extraction efficiency There is a problem that decreases.

また、ＬＥＤの載置面に設けた導電体層はセラミックス基板に比して熱伝導性に優れ、放熱作用による発光装置の冷却効果をも奏しうるものであるが、該導電体層の面積が減少すると発光面側からの放熱効果が低下してしまい、キャビティー内部の温度上昇を招いてＬＥＤチップの寿命に悪影響を及ぼす虞もある。   In addition, the conductor layer provided on the LED mounting surface is excellent in thermal conductivity as compared with the ceramic substrate, and can also exert a cooling effect on the light emitting device due to heat dissipation, but the area of the conductor layer is If it decreases, the heat dissipation effect from the light emitting surface side is lowered, and the temperature inside the cavity is increased, which may adversely affect the life of the LED chip.

一方、下記特許文献３記載の如く、導電体層を構成するカソードおよびアノードをそれぞれ窪みの側面全体に延長させるようにして形成し、これらのカソードおよびアノードを反射層として機能させることにより、光の反射する面積を拡大させた構成の発光装置も開示されている（特許文献３）。
特開平９−４５９６５ On the other hand, as described in Patent Document 3 below, the cathode and the anode constituting the conductor layer are respectively formed so as to extend over the entire side surface of the recess, and by making these cathode and anode function as a reflective layer, A light-emitting device having a configuration in which the reflection area is enlarged is also disclosed (Patent Document 3).
JP 9-45965 A

しかしながら、斯かる構成の発光装置では、導電体層をカソードおよびアノードとして機能させる必要があるため、カソードとアノードとの間に隙間を設ける必要が生じ、該反射層にセラミックス基板の露出した溝が形成されることとなる。
そうすると、斯かる構成の発光装置では、露出したセラミックス基板へ光が透過して、光の取出し効率が低下するという問題が生じるのみならず、反射層によって反射される光にムラが生じるという問題をも招くこととなる。 However, in the light emitting device having such a configuration, since the conductor layer needs to function as a cathode and an anode, it is necessary to provide a gap between the cathode and the anode, and an exposed groove of the ceramic substrate is formed in the reflective layer. Will be formed.
Then, in the light emitting device having such a configuration, there is a problem that light is transmitted to the exposed ceramic substrate and the light extraction efficiency is lowered, and the light reflected by the reflective layer is uneven. Will also be invited.

そこで本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑み、セラミックス基板の窪み内に発光素子が載置されてなる発光装置において、発光素子が発する光を効率良く且つムラなく取り出すことができ、しかも放熱性にも優れた発光装置を提供することを一の課題とする。   In view of the above-described problems of the prior art, the present invention can efficiently and uniformly extract light emitted from a light-emitting element in a light-emitting device in which the light-emitting element is placed in a recess of a ceramic substrate. In addition, it is an object to provide a light-emitting device that is excellent in heat dissipation.

前記課題を解決すべく、本発明の発光装置は、セラミックス基板に形成された窪み内に発光素子が載置されてなる発光装置であって、該窪みの上端側開口部に対向する下端側基底面に形成された導電体層と、該下端側基底面に接しないように少なくとも前記窪みの側面に形成された第１の反射層とを備え、前記発光素子が前記第１の反射層と前記導電体層との隙間よりも上方側に位置するように該発光素子が前記下端側基底面よりも上方側に備えられた第２基底面上に載置され、且つ、該発光素子が、前記第２基底面上に形成された導電体層又は導電体層と離間した第２の反射層の上に載置されてなることを特徴とする。
In order to solve the above problems, a light emitting device of the present invention is a light emitting device in which a light emitting element is placed in a recess formed in a ceramic substrate, and a lower end side base facing an upper end side opening of the recess. A conductive layer formed on the surface, and a first reflective layer formed on at least a side surface of the recess so as not to contact the bottom-side base surface, and the light-emitting element includes the first reflective layer and the first reflective layer The light-emitting element is placed on a second base surface provided above the bottom-side base surface so that the light-emitting element is positioned above the gap with the conductor layer , and the light-emitting element is It is characterized by being placed on a conductive layer formed on the second base surface or a second reflective layer separated from the conductive layer .

斯かる構成の発光装置によれば、発光素子が反射層と導電体層との隙間よりも上方側に位置するように窪みの基底面よりも上方側に載置されているため、発光素子から横方向へ向かって発せられる光が、セラミックス基板に吸収されずに反射層によって反射することとなり、光の取出し効率が改善される。
また、窪みの側面に形成された反射層が、窪みの下端側基底面には接しないように設けられているため、導電体層を下端側基底面の広い範囲にわたって形成することが可能となり、該導電体層を介しての光の反射効率を高め、しかも放熱性にも優れた発光装置とすることができる。 According to the light emitting device having such a configuration, since the light emitting element is placed above the base surface of the recess so as to be located above the gap between the reflective layer and the conductor layer, The light emitted in the lateral direction is reflected by the reflective layer without being absorbed by the ceramic substrate, and the light extraction efficiency is improved.
In addition, since the reflective layer formed on the side surface of the recess is provided so as not to contact the lower end side base surface of the recess, it becomes possible to form the conductor layer over a wide range of the lower end side base surface, A light-emitting device with improved light reflection efficiency through the conductor layer and excellent heat dissipation can be obtained.

また、該発光装置においては、前記発光素子が、前記第２基底面上に形成された導電体層又は導電体層と離間した第２の反射層の上に載置されているため、該発光素子から下方へ発せられる光をも効果的に反射させ、光の取出し効率を更に高めることができる。
Further, because the light emitting device, the previous SL-emitting element has been placed on the second reflective layer spaced apart from the conductive formed on the second base surface on the body layer or conductor layer, Light emitted downward from the light emitting element can also be effectively reflected, and the light extraction efficiency can be further increased.

以上のように、本発明に係る発光装置によれば、発光素子が発する光を効率良く取り出すことができ、しかも放熱性にも優れたものとなる。さらに、該発光装置の側面に設けられた反射層には、セラミックス基板の露出した溝を設ける必要がなく、セラミックス基板の略全域を覆うような形状とすることができるため、ムラのない光を得ることができる。   As described above, according to the light-emitting device of the present invention, the light emitted from the light-emitting element can be extracted efficiently and the heat dissipation is excellent. Further, the reflective layer provided on the side surface of the light-emitting device does not need to be provided with an exposed groove of the ceramic substrate, and can be shaped so as to cover almost the entire area of the ceramic substrate. Obtainable.

（第一実施形態）
図１は、本発明の発光装置の第一実施形態を示した平面図であり、図２は、図１における２−２線断面図、図３は、図１における３−３線断面図である。
図１〜３に示すように、第一実施形態に係る発光装置１は、窪み３を有するように構成されたセラミックス基板２と、該窪み３の上端開口部に対向する下端側基底面３ａに形成された導電体層５と、該窪み３の側面３ｂに形成された第１の反射層４ａとを備え、窪み３の内部には発光素子としてのＬＥＤチップ６が載置されている。 (First embodiment)
1 is a plan view showing a first embodiment of a light emitting device of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line 2-2 in FIG. 1, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line 3-3 in FIG. is there.
As shown in FIGS. 1 to 3, the light-emitting device 1 according to the first embodiment includes a ceramic substrate 2 configured to have a recess 3 and a lower-end-side base surface 3 a facing the upper end opening of the recess 3. The formed conductor layer 5 and a first reflective layer 4a formed on the side surface 3b of the recess 3 are provided, and an LED chip 6 as a light emitting element is placed inside the recess 3.

第一実施形態において、前記窪み３は、その水平方向断面が楕円となるような略円筒形状に形成されており、前記第１の反射層４ａは、前記下端側基底面３ａと接する部分を除く該窪みの側面３ｂ全体を覆うように前記セラミックス基板２上に被着されている。   In the first embodiment, the recess 3 is formed in a substantially cylindrical shape whose horizontal cross section is an ellipse, and the first reflective layer 4a excludes a portion in contact with the lower end side base surface 3a. It is deposited on the ceramic substrate 2 so as to cover the entire side surface 3b of the recess.

前記窪み３の下端側基底面３ａに形成された導電体層５は、発光素子であるＬＥＤチップ６に電力を供給するためのものであり、該窪み３の外部から導通された一対のカソードおよびアノードとして構成されている。該カソードおよびアノードは、前記窪みの下端側基底面３ａの両端（図１において左右両端、以下、これを結ぶ方向をＸ軸方向ともいう）から中央に向かってそれぞれ矩形状に形成されている。また、カソードおよびアノードは、それぞれ、下端側基底面３ａと後述する凸部１０とを合わせた窪み底面全体の１／５〜１／４を占めるような広い範囲にわたって形成されている。   The conductor layer 5 formed on the bottom side base surface 3a of the recess 3 is for supplying electric power to the LED chip 6 which is a light emitting element, and a pair of cathodes electrically connected from the outside of the recess 3 and It is configured as an anode. The cathode and the anode are each formed in a rectangular shape from both ends of the lower end side bottom surface 3a of the recess (left and right ends in FIG. 1; hereinafter, the direction connecting them is also referred to as the X-axis direction) toward the center. Moreover, the cathode and the anode are each formed over a wide range so as to occupy 1/5 to 1/4 of the entire bottom surface of the recess including the bottom-side base surface 3a and the convex portion 10 described later.

また、該第一実施形態の発光装置１では、下端側基底面３ａにはＬＥＤチップ６を載置するための平板状の凸部１０が形成されている。該凸部１０は、導電体層５が形成された下端側基底面３ａよりも上方に突出した状態で形成されており、その上面は、前記側面３ｂに形成された第１の反射層４ａの下端と同じ高さとなるように構成されている。   Further, in the light emitting device 1 of the first embodiment, a flat plate-like convex portion 10 on which the LED chip 6 is placed is formed on the bottom side base surface 3a. The convex portion 10 is formed in a state of projecting upward from the lower end side base surface 3a on which the conductor layer 5 is formed, and the upper surface of the convex portion 10 is the first reflective layer 4a formed on the side surface 3b. It is comprised so that it may become the same height as a lower end.

さらに、該凸部１０の中央、即ち、前記カソードとアノードとの間の領域には、第２の反射層４ｂが形成されており、該第２の反射層４ｂは、発光素子であるＬＥＤチップ６が載置される領域を含み、その両端（図１において上下両端、以下、これを結ぶ方向をＹ軸方向ともいう）が窪み３の側面３ｂにまで達するように形成されており、側面３ｂに達した部分、即ち、下端側基底面３ａと側面３ｂとの境界部分では、該第２の反射層４ｂは前記第１の反射層４ａと接合され、セラミックス基板２が完全に被覆された状態となっている。また、第２の反射層４ｂは、下端側基底面３ｂと凸部１０とを合わせた窪み底面全体の１／５〜１／４を占めるような広い範囲にわたって形成されている。   Furthermore, a second reflective layer 4b is formed in the center of the convex portion 10, that is, in a region between the cathode and the anode, and the second reflective layer 4b is an LED chip that is a light emitting element. 6 is formed so that both ends thereof (upper and lower ends in FIG. 1, the direction connecting them hereinafter also referred to as the Y-axis direction) reach the side surface 3b of the recess 3. In the portion that has reached the point, that is, at the boundary portion between the bottom-side base surface 3a and the side surface 3b, the second reflective layer 4b is joined to the first reflective layer 4a and the ceramic substrate 2 is completely covered It has become. Further, the second reflective layer 4b is formed over a wide range so as to occupy 1/5 to 1/4 of the entire bottom surface of the recess including the bottom side base surface 3b and the convex portion 10.

そして、該第２の反射層４ｂの中央部、即ち、下端側基底面３ａの中央部には、発光素子であるＬＥＤチップ６が接着剤層（図示せず）を介して着接されており、該ＬＥＤチップ６と前記アノードおよびカソードとしての導電体層５とは、ボンディングワイヤ７によってそれぞれ電気的に接続されている。
さらに、該窪み３の内部は、光透過性の樹脂で満たされた状態となっている。 And the LED chip 6 which is a light emitting element is contact | attached via the adhesive bond layer (not shown) to the center part of this 2nd reflective layer 4b, ie, the center part of the lower end side base face 3a. The LED chip 6 and the conductor layer 5 as the anode and the cathode are electrically connected by bonding wires 7 respectively.
Furthermore, the interior of the recess 3 is filled with a light transmissive resin.

斯かる構成の発光装置１によれば、ＬＥＤチップ６が凸部１０の上に載置され、第１の反射層４ａの下端よりも上方に位置した状態となっているため、ＬＥＤチップ６から発せられる水平方向の光は、全て該第１の反射層４ａによって反射されることとなる。
さらに、該第一実施形態では、凸部１０のＹ軸方向両端に於いて、前記第１の反射層４ａと第２の反射層４ｂとが接合され、セラミックス基板２が完全に被覆された状態となっているため、ＬＥＤチップ６からＹ軸方向に向けて発せられる光は完全に反射されることとなる。 According to the light emitting device 1 having such a configuration, the LED chip 6 is placed on the convex portion 10 and is located above the lower end of the first reflective layer 4a. All the emitted light in the horizontal direction is reflected by the first reflective layer 4a.
Further, in the first embodiment, the first reflective layer 4a and the second reflective layer 4b are joined at both ends in the Y-axis direction of the convex portion 10, and the ceramic substrate 2 is completely covered. Therefore, the light emitted from the LED chip 6 in the Y-axis direction is completely reflected.

また、該第一実施形態では、窪み底面全体の１／５〜１／４を占めるような広い範囲にわたって形成された第２の反射層４ｂと、同じく窪み底面全体の１／５〜１／４を占めるような広い範囲にわたって形成されたカソードおよびアノードとしての導電体層５が形成されているため、該ＬＥＤチップ６から下方に向けて発せられる光も、これら第２の反射層４ｂおよび導電体層５によって有効に反射されることとなる。   Further, in the first embodiment, the second reflective layer 4b formed over a wide range so as to occupy 1/5 to 1/4 of the entire bottom surface of the recess, and 1/5 to 1/4 of the entire bottom surface of the recess. Since the conductor layer 5 as a cathode and an anode formed over a wide range so as to occupy the light is formed, the light emitted downward from the LED chip 6 is also transmitted to the second reflective layer 4b and the conductor. It will be effectively reflected by the layer 5.

さらに、上述のように、第２の反射層４ｂが広い範囲にわたって形成されていれば、ＬＥＤチップから発生する熱を効果的に発散させることができ、該ＬＥＤチップ６の過熱を防止することが可能となる。   Furthermore, as described above, if the second reflective layer 4b is formed over a wide range, the heat generated from the LED chip can be effectively dissipated, and overheating of the LED chip 6 can be prevented. It becomes possible.

また、上記第一実施形態においては、図４に示すように、第２の反射層４ｂの下に熱伝導性の良好な穴埋めスルーホール１５を設けることにより、ＬＥＤチップ６で発生する熱を、該穴埋めスルーホール１５を介して裏面側より外部へ放出させる構成としてもよい。
斯かる穴埋めスルーホール１５を構成する材料としては、例えば、タングステン、銅、銀などの金属部材を使用できるほか、導電性部材が使用できない場合には、エポキシ樹脂などの絶縁性部材を使用することができる。 Further, in the first embodiment, as shown in FIG. 4, by providing the hole filling through hole 15 with good thermal conductivity under the second reflective layer 4 b, the heat generated in the LED chip 6 is It is good also as a structure discharged | emitted outside from the back surface side through this hole-filling through-hole 15. FIG.
For example, a metal member such as tungsten, copper, or silver can be used as a material constituting the hole-filling through-hole 15, and when a conductive member cannot be used, an insulating member such as an epoxy resin should be used. Can do.

さらに、発光装置の裏面側には、前記穴埋めスルーホール１５と接続された金属面を形成することもでき、これによって裏面側からの放熱性をより一層高めることができる。   Further, a metal surface connected to the hole-filling through hole 15 can be formed on the back surface side of the light emitting device, thereby further improving the heat dissipation from the back surface side.

（第二実施形態）
図５は、本発明の発光装置の第二実施形態を示した平面図であり、図６は、図５における６−６線断面図、図７は、図５における７−７線断面図である。
図５〜７に示すように、第二実施形態に係る発光装置１は、前記第一実施形態に係る発光装置とその基本構成を同じくするものであり、窪み３を有するように構成されたセラミックス基板２と、該窪み３の上端開口部に対向する下端側基底面３ａに形成された導電体層５（カソード又はアノードの何れか一方）と、該窪み３の側面３ｂに形成された反射層４とを備え、窪み３の内部には発光素子としてのＬＥＤチップ６が載置されている。 (Second embodiment)
5 is a plan view showing a second embodiment of the light-emitting device of the present invention, FIG. 6 is a sectional view taken along line 6-6 in FIG. 5, and FIG. 7 is a sectional view taken along line 7-7 in FIG. is there.
As shown in FIGS. 5 to 7, the light emitting device 1 according to the second embodiment has the same basic configuration as the light emitting device according to the first embodiment, and is configured to have a recess 3. A substrate 2, a conductor layer 5 (either a cathode or an anode) formed on the bottom-side base surface 3 a facing the upper-end opening of the recess 3, and a reflective layer formed on the side surface 3 b of the recess 3 4, and an LED chip 6 as a light emitting element is placed inside the recess 3.

本実施形態では、図５および６に示されているように、前記下端側基底面３ａは窪み３の一端側の約１／３の領域を占めるように形成されており、他端側の約２／３の領域は、該下端側基底面３ａよりも高い位置に形成された第２基底面３ｃとなっている。該第２基底面３ｃには、前記下端側基底面３ａとは逆の電極（カソード又はアノードの何れか他方）である導電体層５が形成されている。さらに、本実施形態では、該第２基底面３ｃに形成された導電体層５は、窪みの側面３ｂの全域に延びるようにして形成されており、第２基底面３ｃから側面３ｂに延びるように形成された導電体層５が、反射層４を兼ねた構成となっている。言い換えれば、窪みの側面３ｂに形成された反射層４は、導電体層５の一方（カソード又はアノード）を兼ねた構成となっている。ただし、側面３ｂに形成された反射層４は、第２基底面３ｃよりも下方側には形成されておらず、この第２基底面３ｃと下端側基底面３ａとの間においては、セラミックス基板２が露出した構成となっている。そして、ＬＥＤチップ６は、この第２基底面３ｃ上に形成された導電体層５の上に載置された構成となっている。   In the present embodiment, as shown in FIGS. 5 and 6, the lower-end-side base surface 3 a is formed so as to occupy about one third of the region on one end side of the recess 3, and about The 2/3 region is a second base surface 3c formed at a position higher than the lower end side base surface 3a. On the second base surface 3c, a conductor layer 5 which is an electrode (either the cathode or the anode) opposite to the lower end side base surface 3a is formed. Further, in the present embodiment, the conductor layer 5 formed on the second base surface 3c is formed so as to extend over the entire side surface 3b of the recess, and extends from the second base surface 3c to the side surface 3b. The conductor layer 5 formed in the above structure also serves as the reflective layer 4. In other words, the reflective layer 4 formed on the side surface 3b of the depression has a configuration that also serves as one of the conductor layers 5 (cathode or anode). However, the reflective layer 4 formed on the side surface 3b is not formed below the second base surface 3c, and a ceramic substrate is provided between the second base surface 3c and the bottom base surface 3a. 2 is exposed. The LED chip 6 is placed on the conductor layer 5 formed on the second base surface 3c.

斯かる構成の発光装置１によれば、ＬＥＤチップ６が反射層４と導電体層５との隙間よりも上方側に位置するように第２基底面３ｃの上に載置された状態となっているため、ＬＥＤチップ６から発せられる水平方向の光は、全て反射層４によって反射されることとなる。   According to the light emitting device 1 having such a configuration, the LED chip 6 is placed on the second base surface 3 c so as to be positioned above the gap between the reflective layer 4 and the conductor layer 5. Therefore, all the light in the horizontal direction emitted from the LED chip 6 is reflected by the reflective layer 4.

さらに、上記構成の発光装置１によれば、第２基底面から側面３ｂに延びるように形成された導電体層５が、反射層４をも兼ねた構成となっているため、セラミックス基板２の露出した領域が極めて少なく、発光素子から発せられる光をより一層効率的に反射させることができる。しかも、本実施形態に係る発光装置１では、反射層４が導電体層５を兼ねているにも拘らず、窪み３の側面３ｂ全域に反射層４が形成されているため、従来の発光装置のように反射層によって反射される光にムラが生じるという問題を招くことがない。   Furthermore, according to the light emitting device 1 having the above-described configuration, the conductor layer 5 formed so as to extend from the second base surface to the side surface 3b has a configuration that also serves as the reflective layer 4. The exposed area is extremely small, and the light emitted from the light emitting element can be reflected more efficiently. Moreover, in the light emitting device 1 according to the present embodiment, the reflective layer 4 is formed over the entire side surface 3b of the recess 3 even though the reflective layer 4 also serves as the conductor layer 5, and thus the conventional light emitting device. Thus, there is no problem of unevenness in the light reflected by the reflective layer.

（第三形態）
図８は、参考例としての発光装置の第三形態を示した平面図であり、図９は、図８における９−９線断面図、図１０は、図８における１０−１０線断面図である。
図８〜１０に示すように、第三形態に係る発光装置１も、上記実施形態に係る発光装置とその基本構成を同じくするものであり、窪み３を有するように構成されたセラミックス基板２と、該窪み３の上端開口部に対向する下端側基底面３ａに形成された導電体層５と、該窪み３の側面３ｂに形成された反射層４とを備え、窪み３の内部には発光素子としてのＬＥＤチップ６が載置されている。
( Third form )
8 is a plan view showing a third embodiment of a light emitting device as a reference example , FIG. 9 is a sectional view taken along line 9-9 in FIG. 8, and FIG. 10 is a sectional view taken along line 10-10 in FIG. is there.
As shown in FIGS. 8 to 10, the light emitting device 1 according to the third embodiment has the same basic configuration as the light emitting device according to the above embodiment, and the ceramic substrate 2 configured to have the depression 3 A conductor layer 5 formed on the bottom side basal surface 3a facing the upper end opening of the recess 3 and a reflective layer 4 formed on the side surface 3b of the recess 3, and the interior of the recess 3 emits light. An LED chip 6 as an element is placed.

該第三形態の発光装置１では、下端側基底面３ａの中央領域に、さらに凹部１１が形成されている。該凹部１１は、ＬＥＤチップ６を載置するための底面１１ａと、該底面１１ａから凹部１１の開口端側に向かって広がるように形成された側面１１ｂとを備えている。また、該凹部１１の底面１１ａおよび側面１１ｂの全体には、導電体層５としてのアノード（又はカソード）が被着されており、該凹部１１内においてはセラミックス基板２が導電体層５によって完全に被覆された状態となっている。
そして、発光素子であるＬＥＤチップ６は、該凹部１１の底面１１ａに被着された導電体層５の上に、接着剤層（図示せず）を介して着接されている。
In the light emitting device 1 of the third embodiment, the central region of the lower side base surface 3a, are further recess 11 is formed. The recess 11 includes a bottom surface 11 a for placing the LED chip 6, and a side surface 11 b formed so as to spread from the bottom surface 11 a toward the opening end side of the recess 11. An anode (or cathode) as the conductor layer 5 is deposited on the entire bottom surface 11 a and side surface 11 b of the recess 11, and the ceramic substrate 2 is completely covered by the conductor layer 5 in the recess 11. It is in the state covered with.
The LED chip 6 as a light emitting element is attached to the conductor layer 5 attached to the bottom surface 11a of the recess 11 via an adhesive layer (not shown).

また、凹部１１に形成された導電体層５は、凹部１１の開口端を越えて下端側基底面３ａにまで至るように広い範囲で形成されており、その一端は、窪み３の側面３ｂにまで達するように延びて形成されている。   Further, the conductor layer 5 formed in the recess 11 is formed in a wide range so as to extend to the lower end side basal surface 3 a beyond the opening end of the recess 11, and one end thereof is formed on the side surface 3 b of the recess 3. It is formed to extend to reach.

導電体層５のもう一方であるアノード（又はカソード）は、下端側基底面３ａに被着されており、ＬＥＤチップ６は、前記第一実施形態と同様に、ボンディングワイヤ７によってこれらアノードおよびカソードと電気的に接続されている。   The anode (or cathode) which is the other side of the conductor layer 5 is attached to the bottom-side base surface 3a, and the LED chip 6 is connected to the anode and cathode by the bonding wire 7 as in the first embodiment. And are electrically connected.

さらに、窪み３の側面３ｂには、前記第一実施形態と同じく反射層４が形成されている。該反射層４は側面３ｂの全周を覆うように形成され、その下端は、下端側基底面３ａに形成された前記導電体層５と離間するように、例えば０．１ｍｍ程度の僅かな隙間をあけて形成されている。   Further, the reflective layer 4 is formed on the side surface 3b of the recess 3 as in the first embodiment. The reflective layer 4 is formed so as to cover the entire circumference of the side surface 3b, and a lower end thereof is a slight gap of, for example, about 0.1 mm so as to be separated from the conductor layer 5 formed on the lower end side base surface 3a. It is formed with a gap.

斯かる構成の発光装置１によれば、ＬＥＤチップ６が凹部１１の内部に載置されているため、ＬＥＤチップ１１から横方向又は下方向へ向けて発せられる光は、全て凹部内面に形成された導電体層５によって反射されることとなる。
また、該ＬＥＤチップ６から斜め上方へ向けて発せられる光は、側面３ｂの全周を覆うように形成された反射層４によって反射されることとなる。
よって、該第三実施形態に係る発光装置１では、側面３ｂに形成された反射層５と下端側基底面３ａに形成された導電体層５との間には隙間があり、その部分ではセラミックス基板２が露出する構成となっているにも拘らず、ＬＥＤチップ６から発せられる光が該セラミックス基板６に透過することを有効に防止しうるものとなる。 According to the light emitting device 1 having such a configuration, since the LED chip 6 is placed inside the recess 11, all the light emitted from the LED chip 11 in the lateral direction or the downward direction is formed on the inner surface of the recess. Reflected by the conductive layer 5.
Further, light emitted obliquely upward from the LED chip 6 is reflected by the reflective layer 4 formed so as to cover the entire circumference of the side surface 3b.
Therefore, in the light emitting device 1 according to the third embodiment, there is a gap between the reflective layer 5 formed on the side surface 3b and the conductor layer 5 formed on the bottom side basal surface 3a. Even though the substrate 2 is exposed, it is possible to effectively prevent light emitted from the LED chip 6 from being transmitted to the ceramic substrate 6.

尚、該第三形態においては、図１１に示すように、カソードとアノードとを絶縁しうる最小限度の間隔を確保していれば、導電体層５は、下端側基底面３ａの略全域（例えば、９５％以上）を占めるように、さらに広範囲にわたって形成することも可能である。
Incidentally, the in the third embodiment, as shown in FIG. 11, if the securing spacing minimum capable of insulating the cathode and the anode, the conductor layer 5 is substantially the entire area of the lower side base face 3a ( For example, it can be formed over a wider range so as to occupy 95% or more).

（第四形態）
図１２は、参考例としての発光装置の第四形態を示した平面図であり、図１３は、図１２における１３−１３線断面図、図１４は、図１２における１４−１４線断面図である。
図１２〜１４に示すように、第四形態に係る発光装置１は、窪み３を有するように構成されたセラミックス基板２と、該窪み３の上端開口部に対向する下端側基底面３ａに形成された導電体層５と、該窪み３の側面３ｂに形成された反射層４とを備え、下端側基底面３ａの中央領域には凹部１１が形成されてなり、該凹部１１は、ＬＥＤチップ６を載置するための底面１１ａと、該底面１１ａから凹部１１の開口端側に向かって広がるように形成された側面１１ｂとを備え、該凹部１１の底面１１ａに被着された導電体層５の上に、発光素子であるＬＥＤチップ６が載置されている点において、前記第三実施形態と同じ構成である。
( Fourth form )
12 is a plan view showing a fourth embodiment of the light emitting device as a reference example , FIG. 13 is a sectional view taken along line 13-13 in FIG. 12, and FIG. 14 is a sectional view taken along line 14-14 in FIG. is there.
As shown in FIGS. 12-14, the light-emitting device 1 which concerns on a 4th form is formed in the ceramic substrate 2 comprised so that it may have the hollow 3, and the lower end side base face 3a facing the upper end opening part of this hollow 3. A conductive layer 5 and a reflective layer 4 formed on the side surface 3b of the recess 3, and a recess 11 is formed in the central region of the bottom side basal surface 3a. 6 and a side surface 11b formed so as to spread from the bottom surface 11a toward the opening end side of the concave portion 11, and a conductor layer deposited on the bottom surface 11a of the concave portion 11 5 has the same configuration as the third embodiment in that an LED chip 6 as a light emitting element is placed on the top.

該第四形態の発光装置１では、側面３ｂに形成された反射層４が下端側基底面３ａにまで達するように形成され、一方、下端側基底面３ａに形成された導電体層５が側面３ｂから僅かに離間して形成され、これによって反射層４と導電体層５との絶縁が図られた構成となっている。
The In the light emitting device 1 of the fourth embodiment, it is formed as reflective layer 4 formed in the side surface 3b reaches the lower end base surface 3a, whereas, the conductor layer 5 is a side, which is formed on the lower end side base surface 3a It is formed slightly spaced from 3b, whereby the reflection layer 4 and the conductor layer 5 are insulated.

斯かる構成の発光装置１においても、ＬＥＤチップ６が凹部１１の内部に載置されているため、ＬＥＤチップ１１から横方向又は下方向へ向けて発せられる光は、全て凹部内面に形成された導電体層５によって反射されることとなる。
また、該ＬＥＤチップ６から斜め上方へ向けて発せられる光は、側面３ｂの全周を覆うように形成された反射層４によって反射されることとなる。
よって、該第四実施形態に係る発光装置１によれば、下端側基底面３ａにおいて僅かにセラミックス基板２が露出する構成となっているにも拘らず、ＬＥＤチップ６から発せられる光が該セラミックス基板６に透過することを有効に防止しうるものとなる。 Also in the light emitting device 1 having such a configuration, since the LED chip 6 is placed inside the recess 11, all the light emitted from the LED chip 11 in the lateral direction or the downward direction is formed on the inner surface of the recess. It is reflected by the conductor layer 5.
Further, light emitted obliquely upward from the LED chip 6 is reflected by the reflective layer 4 formed so as to cover the entire circumference of the side surface 3b.
Therefore, according to the light emitting device 1 according to the fourth embodiment, the light emitted from the LED chip 6 is emitted from the ceramic chip 2 in spite of the configuration in which the ceramic substrate 2 is slightly exposed at the bottom-side base surface 3a. Transmission to the substrate 6 can be effectively prevented.

尚、本発明においては、窪みの内部の形状については特に限定されず、前記第一及び第二実施形態に於いて示した形状と異なる形状とすることも可能である。例えば、凸部を設ける場合には、該凸部の上に載置される発光素子から水平方向に発せられる光が、側面に形成された反射層によって反射される程度の高さを備えたものであればよい。
In the present invention, the internal shape of the recess is not particularly limited, and may be different from the shapes shown in the first and second embodiments. For example, when providing a convex part, the light emitted in the horizontal direction from the light emitting element placed on the convex part has a height that is reflected by the reflective layer formed on the side surface If it is .

また、前記第一実施形態においては、凸部１０に第２の反射層が形成された場合について説明したが、本発明は、斯かる構成に限定されるものではない。よって、例えば、前記凸部を窪み側面と離間するように下端側基底面の中央領域にのみ形成し、該第２の反射層の代わりにカソード又はアノードの何れか一方の導電体層５を凸部の上面にまで延在させるように形成してもよい。   Moreover, although said 1st embodiment demonstrated the case where the 2nd reflective layer was formed in the convex part 10, this invention is not limited to such a structure. Therefore, for example, the convex portion is formed only in the central region of the bottom side basal plane so as to be separated from the hollow side surface, and either the cathode or the anode conductor layer 5 is projected instead of the second reflective layer. You may form so that it may extend to the upper surface of a part.

また、本発明においては、反射層および導電体層を構成する材料については特に限定されない。
即ち、前記反射層は、発光素子から発せられる光を効率良く反射しうるものであれば特に限定されず、従来公知の材料および構成を採用することができる。反射層を構成する材料としては、例えば、金や銀、ニッケル等の金属材料を好適に使用することができる。 Moreover, in this invention, it does not specifically limit about the material which comprises a reflection layer and a conductor layer.
That is, the reflective layer is not particularly limited as long as it can efficiently reflect the light emitted from the light emitting element, and conventionally known materials and configurations can be adopted. As a material constituting the reflective layer, for example, a metal material such as gold, silver, or nickel can be suitably used.

また、導電体層についても、発光素子に電力を供給するための導電性を有するものあれば特に限定されないが、発光素子から発せられる光を効率良く反射させうるものや、熱伝導率の高いものを好適に採用することができる。該導電体層を構成する材料としては、例えば、タングステン、銅、金、ニッケル等の金属材料を好適に使用することができる。   The conductor layer is not particularly limited as long as it has conductivity for supplying power to the light emitting element, but it can efficiently reflect the light emitted from the light emitting element or has high thermal conductivity. Can be suitably employed. As a material constituting the conductor layer, for example, a metal material such as tungsten, copper, gold, or nickel can be suitably used.

また、前記窪み３内には、蛍光体が含まれていることが好ましい。
窪み３内に蛍光体が含まれていれば、ＬＥＤチップ６から発せられた光の一部は、該蛍光体に照射・吸収され、該蛍光体からは、ＬＥＤチップから発せられた光とは異なる光が放出されることとなる。これにより、ＬＥＤチップ６から発せられた光と蛍光体１２から発せられた光とが混合されることとなり、種々の色味の発光装置を提供することができる。例えば、青色に発光するＬＥＤチップ６と、黄色に発光する蛍光体１２とを用いることにより、白色系に発光する発光装置となる。 Moreover, it is preferable that a phosphor is contained in the recess 3.
If a phosphor is included in the recess 3, a part of the light emitted from the LED chip 6 is irradiated and absorbed by the phosphor, and the phosphor emits light from the LED chip. Different light will be emitted. Thereby, the light emitted from the LED chip 6 and the light emitted from the phosphor 12 are mixed, and light emitting devices of various colors can be provided. For example, by using the LED chip 6 that emits blue light and the phosphor 12 that emits yellow light, the light emitting device emits white light.

蛍光体としては、Ｅｕ等のランタノイド系、Ｍｎ等の遷移金属系の元素により主に付活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類ケイ酸塩、希土類酸硫化物、アルカリ土類硫化物、アルカリ土類チオガレート、アルカリ土類窒化ケイ素、ゲルマン酸塩、窒化物系蛍光体、又は、Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に付活される希土類アルミン酸塩、希土類ケイ酸塩、又は、Ｅｕ等のランタノイド系元素で主に賦活される有機及び有機錯体等から選ばれる少なくともいずれか１以上であることが好ましい。具体例として、下記の蛍光体を使用することができるが、これに限定されない。
Ｅｕ等のランタノイド系、Ｍｎ等の遷移金属系の元素により主に付活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体としては、Ｍ5（ＰＯ4）3Ｘ：Ｒ（Ｍは、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｚｎから選ばれる少なくとも１種以上である。Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉから選ばれる少なくとも１種以上である。Ｒは、Ｅｕ、Ｍｎ、ＥｕとＭｎ、のいずれか１以上である。）などが挙げられる。
アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体としては、Ｍ2Ｂ5Ｏ9Ｘ：Ｒ（Ｍは、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｚｎから選ばれる少なくとも１種以上である。Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉから選ばれる少なくとも１種以上である。Ｒは、Ｅｕ、Ｍｎ、ＥｕとＭｎ、のいずれか１以上である。）などが挙げられる。
アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体としては、ＳｒＡｌ2Ｏ4：Ｒ、Ｓｒ4Ａｌ14Ｏ25：Ｒ、ＣａＡｌ2Ｏ4：Ｒ、ＢａＭｇ2Ａｌ16Ｏ27：Ｒ、ＢａＭｇ2Ａｌ16Ｏ12：Ｒ、ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｒ（Ｒは、Ｅｕ、Ｍｎ、ＥｕとＭｎ、のいずれか１以上である。）などが挙げられる。
希土類酸硫化物蛍光体としては、Ｌａ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ、Ｙ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ、Ｇｄ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕなどが挙げられる。
Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩蛍光体としては、Ｙ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ、（Ｙ0.8Ｇｄ0.2）3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ、Ｙ3（Ａｌ0.8Ｇａ0.2）5Ｏ12：Ｃｅ、（Ｙ，Ｇｄ）3（Ａｌ，Ｇａ）5Ｏ12の組成式で表されるＹＡＧ系蛍光体などが挙げられる。
その他の蛍光体としては、ＺｎＳ：Ｅｕ、Ｚｎ2ＧｅＯ4：Ｍｎ、ＭＧａ2Ｓ4：Ｅｕ（Ｍは、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｚｎから選ばれる少なくとも１種以上である。Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉから選ばれる少なくとも１種以上である。）などが挙げられる。また、Ｍ2Ｓｉ5Ｎ8：Ｅｕ、ＭＳｉ7Ｎ10：Ｅｕ、Ｍ1.8Ｓｉ5Ｏ0.2Ｎ8：Ｅｕ、Ｍ0.9Ｓｉ7Ｏ0.1Ｎ10：Ｅｕ（Ｍは、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｚｎから選ばれる少なくとも１種以上である。）なども使用できる。
さらに、前記蛍光体は、所望に応じてＥｕに代えて、又は、Ｅｕに加えてＴｂ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｎｄ、Ｄｙ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ等から選択される１種以上を含有させることもできる。 Phosphors include alkaline earth halogen apatite phosphors, alkaline earth metal borate halogen phosphors, alkaline earth metal aluminates that are mainly activated by lanthanoids such as Eu and transition metal elements such as Mn. Salt phosphor, alkaline earth silicate, rare earth oxysulfide, alkaline earth sulfide, alkaline earth thiogallate, alkaline earth silicon nitride, germanate, nitride phosphor, or lanthanoids such as Ce It is preferably at least one or more selected from rare earth aluminates, rare earth silicates activated mainly by elements, or organic and organic complexes mainly activated by lanthanoid elements such as Eu. . As specific examples, the following phosphors can be used, but are not limited thereto.
Alkaline earth halogen apatite phosphors mainly activated by lanthanoid compounds such as Eu and transition metal elements such as Mn include M 5 (PO 4 ) 3 X: R (M is Sr, Ca, Ba). X is at least one selected from F, Cl, Br and I. R is any one of Eu, Mn, Eu and Mn. Etc.).
As the alkaline earth metal borate phosphor, M 2 B 5 O 9 X: R (M is at least one selected from Sr, Ca, Ba, Mg, Zn. X is F, Cl , Br, or I. R is Eu, Mn, or any one of Eu and Mn.).
Alkaline earth metal aluminate phosphors include SrAl 2 O 4 : R, Sr 4 Al 14 O 25 : R, CaAl 2 O 4 : R, BaMg 2 Al 16 O 27 : R, BaMg 2 Al 16 O 12 : R, BaMgAl 10 O 17 : R (R is Eu, Mn, or any one of Eu and Mn).
Examples of the rare earth oxysulfide phosphor include La 2 O 2 S: Eu, Y 2 O 2 S: Eu, and Gd 2 O 2 S: Eu.
As rare earth aluminate phosphors mainly activated by lanthanoid elements such as Ce, Y 3 Al 5 O 12 : Ce, (Y 0.8 Gd 0.2 ) 3 Al 5 O 12 : Ce, Y 3 (Al 0.8 Ga) 0.2 ) 5 O 12 : Ce, (Y, Gd) 3 (Al, Ga) 5 O 12 YAG phosphors represented by the composition formula, and the like.
As other phosphors, ZnS: Eu, Zn 2 GeO 4 : Mn, MGa 2 S 4 : Eu (M is at least one selected from Sr, Ca, Ba, Mg, Zn. X is And at least one selected from F, Cl, Br, and I.). M 2 Si 5 N 8 : Eu, MSi 7 N 10 : Eu, M 1.8 Si 5 O 0.2 N 8 : Eu, M 0.9 Si 7 O 0.1 N 10 : Eu (M is Sr, Ca, Ba, Mg , At least one selected from Zn) and the like.
Further, the phosphor may be one or more selected from Tb, Cu, Ag, Au, Cr, Nd, Dy, Co, Ni, Ti and the like instead of Eu or in addition to Eu as desired. It can also be contained.

また、他の蛍光体として、Ｎを含み、かつＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、及びＺｎから選択された少なくとも一種の元素と、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、及びＨｆから選択された少なくとも一種の元素とを含み、希土類元素から選択された少なくとも一種の元素で付活された窒化物系蛍光体を採用することもできる。   Further, as another phosphor, at least one element selected from Be, Mg, Ca, Sr, Ba, and Zn containing N, and C, Si, Ge, Sn, Ti, Zr, and Hf. A nitride-based phosphor including at least one selected element and activated by at least one element selected from rare earth elements can also be employed.

窒化物蛍光体は、Ｓｒ−Ｃａ−Ｓｉ−Ｎ：Ｅｕ、Ｃａ−Ｓｉ−Ｎ：Ｅｕ、Ｓｒ−Ｓｉ−Ｎ：Ｅｕ、Ｓｒ−Ｃａ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ：Ｅｕ、Ｃａ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ：Ｅｕ、Ｓｒ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ：Ｅｕ系窒化物蛍光体である。この蛍光体は、一般式ＬXＳｉYＮ(2/3X+4/3Y)：Ｅｕ若しくはＬXＳｉYＯZＮ(2/3X+4/3Y-2/3Z)：Ｅｕ（Ｌは、Ｓｒ、Ｃａ、ＳｒとＣａのいずれか。０．５≦Ｘ≦３、１．５≦Ｙ≦８である。）で表される。一般式中、Ｘ及びＹは、Ｘ＝２、Ｙ＝５又は、Ｘ＝１、Ｙ＝７であることが好ましいが、任意のものも使用できる。具体的には、（ＳｒXＣａ1-X）2Ｓｉ5Ｎ8：Ｅｕ、Ｓｒ2Ｓｉ5Ｎ8：Ｅｕ、Ｃａ2Ｓｉ5Ｎ8：Ｅｕ、ＳｒXＣａ1-XＳｉ7Ｎ10：Ｅｕ、ＳｒＳｉ7Ｎ10：Ｅｕ、ＣａＳｉ7Ｎ10：Ｅｕで表される蛍光体を使用することが好ましいが、この蛍光体の組成中には、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃｒ及びＮｉからなる群より選ばれる少なくとも１種以上が含有されていてもよい。
発光中心には、希土類元素であるユウロピウムＥｕを用いることが好ましい。ユウロピウムは、主に２価と３価のエネルギー準位を持つ。蛍光体は、母体のアルカリ土類金属系窒化ケイ素に対して、Ｅｕ2+を付活剤として用いることが好ましい。Ｅｕ2+は、酸化されやすく、３価のＥｕ2Ｏ3の組成で市販されている。しかし、市販のＥｕ2Ｏ3では、Ｏの関与が大きく、良好な蛍光体が得られにくい。そのため、Ｅｕ2Ｏ3からＯを、系外へ除去したものを使用することが好ましい。たとえば、ユウロピウム単体、窒化ユウロピウムを用いることが好ましい。但し、Ｂを添加した場合は、その限りではない。
添加物であるＢは、Ｅｕ2+の拡散を促進し、発光輝度、エネルギー効率、量子効率等の発光効率の向上を図る。Ｂは、原料中に含有させるか、又は、製造工程中にＢ化合物を含有させ、原料と共に焼成する。 The nitride phosphors are Sr—Ca—Si—N: Eu, Ca—Si—N: Eu, Sr—Si—N: Eu, Sr—Ca—Si—O—N: Eu, Ca—Si—O—. N: Eu, Sr—Si—O—N: Eu nitride nitride phosphor. This phosphor has the general formula L X Si Y N (2 / 3X + 4 / 3Y) : Eu or L X Si Y O Z N (2 / 3X + 4 / 3Y-2 / 3Z) : Eu (L is Sr, Ca, or any one of Sr and Ca. 0.5 ≦ X ≦ 3 and 1.5 ≦ Y ≦ 8) In the general formula, X and Y are preferably X = 2, Y = 5, or X = 1, Y = 7, but any can be used. Specifically, (Sr X Ca 1-X ) 2 Si 5 N 8: Eu, Sr 2 Si 5 N 8: Eu, Ca 2 Si 5 N 8: Eu, Sr X Ca 1-X Si 7 N 10: It is preferable to use a phosphor represented by Eu, SrSi 7 N 10 : Eu, CaSi 7 N 10 : Eu. In the composition of this phosphor, Mg, Sr, Ca, Ba, Zn, B, At least one selected from the group consisting of Al, Cu, Mn, Cr and Ni may be contained.
Europium Eu, which is a rare earth element, is preferably used for the emission center. Europium mainly has bivalent and trivalent energy levels. The phosphor preferably uses Eu 2+ as an activator with respect to the base alkaline earth metal silicon nitride. Eu 2+ is easily oxidized and is commercially available with a trivalent Eu 2 O 3 composition. However, with commercially available Eu 2 O 3 , the involvement of O is large and it is difficult to obtain a good phosphor. Therefore, it is preferable to use a material obtained by removing O from Eu 2 O 3 . For example, it is preferable to use europium alone or europium nitride. However, this is not the case when B is added.
B as an additive promotes diffusion of Eu 2+ and improves luminous efficiency such as luminous luminance, energy efficiency, and quantum efficiency. B is contained in the raw material, or a B compound is contained in the production process and is baked together with the raw material.

窒化物蛍光体には、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｏ及びＮｉからなる群より選ばれる少なくとも１種以上を含有することもできる。これらの元素は、粒径を大きくしたり、発光輝度を高めたりする等の作用を有している。また、Ｂ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃｒ及びＮｉは、残光を抑えることができるという作用を有している。   The nitride phosphor may contain at least one selected from the group consisting of Mg, Sr, Ca, Ba, Zn, B, Al, Cu, Mn, Cr, O, and Ni. These elements have actions such as increasing the particle diameter and increasing the luminance of light emission. Further, B, Al, Mg, Cr and Ni have an effect that afterglow can be suppressed.

このような窒化物系蛍光体は、ＬＥＤチップ６によって発光された青色光の一部を吸収して黄から赤色領域の光を発光する。窒化物系蛍光体をＹＡＧ系蛍光体と共に上記の構成を有する発光装置に使用すれば、ＬＥＤチップ６により発光された青色光と、窒化物系蛍光体による黄色から赤色光とが混色により暖色系の白色に発光する発光装置を提供することができる。窒化物系蛍光体の他に加える蛍光体には、セリウムで付活されたイットリウム・アルミニウム酸化物蛍光物質が含有されていることが好ましい。前記イットリウム・アルミニウム酸化物蛍光物質を含有することにより、所望の色度に調節することができるからである。セリウムで付活されたイットリウム・アルミニウム酸化物蛍光物質は、ＬＥＤチップ６により発光された青色光の一部を吸収して黄色領域の光を発光する。こうして、ＬＥＤチップ６により発光された青色光と、イットリウム・アルミニウム酸化物蛍光物質の黄色光とを混色させることにより、青白い白色に発光する発光装置を提供することができる。   Such a nitride-based phosphor absorbs part of the blue light emitted by the LED chip 6 and emits light in the yellow to red region. If a nitride-based phosphor is used in a light-emitting device having the above configuration together with a YAG-based phosphor, a warm color system is produced by mixing the blue light emitted from the LED chip 6 and the yellow to red light by the nitride-based phosphor. A light emitting device that emits white light can be provided. It is preferable that the phosphor added in addition to the nitride-based phosphor contains an yttrium / aluminum oxide phosphor activated with cerium. This is because it can be adjusted to a desired chromaticity by containing the yttrium aluminum oxide phosphor. The yttrium / aluminum oxide phosphor activated with cerium absorbs part of the blue light emitted by the LED chip 6 and emits light in the yellow region. Thus, by mixing the blue light emitted by the LED chip 6 and the yellow light of the yttrium aluminum oxide fluorescent material, a light emitting device that emits light blue white can be provided.

前記蛍光体としては、酸窒化物蛍光体を使用することもできる。酸窒化物蛍光体は、賦活剤に希土類元素を用いており、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎからなる群から選ばれる少なくとも１種以上である第ＩＩ族元素と、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆからなる群から選ばれる少なくとも１種以上である第ＩＶ族元素と、を少なくとも含有するものである。該元素の組合せは任意であるが、以下の組成のものを使用することが好ましい。該酸窒化物蛍光体は、ＬXＭYＯZＮ((2/3)X+(4/3)Y-(2/3)Z)：Ｒ、又は、ＬXＭYＱTＯZＮ((2/3)X+(4/3)Y+T-(2/3)Z)：Ｒ（Ｌは、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎからなる群から選ばれる少なくとも１種以上である第ＩＩ族元素である。Ｍは、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆからなる群から選ばれる少なくとも１種以上である第ＩＶ族元素である。Ｑは、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎからなる群から選ばれる少なくとも１種以上である第ＩＩＩ族元素である。Ｏは、酸素元素である。Ｎは、窒素元素である。Ｒは、希土類元素である。０．５＜Ｘ＜１．５、１．５＜Ｙ＜２．５、０＜Ｔ＜０．５、１．５＜Ｚ＜２．５である。）の一般式で表される。前記Ｘ、前記Ｙ、前記Ｚは、該範囲で高い輝度を示す。そのうち特に、一般式中、前記Ｘ、前記Ｙ、前記Ｚが、Ｘ＝１、Ｙ＝２、Ｚ＝２で表される酸窒化物蛍光体は高い輝度を示すため特に好ましい。但し、上記範囲に限定されず、任意のものも使用できる。具体的にはＣａＳｉ2Ｏ2Ｎ2：Ｅｕ、ＳｒＳｉ2Ｏ2Ｎ2：Ｅｕ、ＢａＳｉ2Ｏ2Ｎ2：Ｅｕ、ＣａＧｅ2Ｏ2Ｎ2：Ｅｕ、ＳｒＧｅ2Ｏ2Ｎ2：Ｅｕ、ＢａＧｅ2Ｏ2Ｎ2：Ｅｕ、Ｃａ0.5Ｓｒ0.5Ｓｉ2Ｏ2Ｎ2：Ｅｕ、Ｃａ0.5Ｂａ0.5Ｓｉ2Ｏ2Ｎ2：Ｅｕ、Ｃａ0.5Ｚｎ0.5Ｓｉ2Ｏ2Ｎ2：Ｅｕ、Ｓｒ0.5Ｍｇ0.5Ｓｉ2Ｏ2Ｎ2：Ｅｕ、ＣａＳｉ2Ｂ0.1Ｏ2Ｎ2：Ｅｕ、ＳｒＳｉ2Ｂ0.1Ｏ2Ｎ2：Ｅｕ、ＢａＳｉ2Ｂ0.1Ｏ2Ｎ2：Ｅｕ、ＺｎＳｉ2Ｂ0.1Ｏ2Ｎ2：Ｅｕ、ＣａＧｅ2Ｂ0.01Ｏ2Ｎ2：Ｅｕ、ＳｒＧｅ2Ｇａ0.01Ｏ2Ｎ2：Ｅｕ、ＣａＳｉ2Ｏ2Ｎ2：Ｅｕ，Ｃｅ、ＳｒＳｉ2Ｏ2Ｎ2：Ｅｕ，Ｃｅ、ＢａＳｉ2Ｏ2Ｎ2：Ｅｕ，Ｃｅ、ＣａＧｅ2Ｏ2Ｎ2：Ｅｕ，Ｃｅ等で表される酸窒化物蛍光体を使用することできる。また、ここで示すように、本酸窒化物蛍光体は、ＯとＮとの比を変化させることで、色調や輝度を調節することができる。また、（Ｌ＋Ｍ）／（Ｏ＋Ｎ）で示す陽イオンと陰イオンのモル比を変化させることでも、発光スペクトルや強度を調整することも可能である。これは、例えば、真空などの処理を施し、ＮやＯを脱離させること等により可能であるが、この方法には、限定されない。この酸窒化物蛍光体の組成中には、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕの少なくとも１種以上含有されていてもよい。これらを添加することにより輝度、量子効率等の発光効率を調整することができるからである。また、その他の元素も特性を損なわない程度に入っていても良い。但し、本発明に用いる蛍光体は、この実施の形態及び実施例に限定されない。 An oxynitride phosphor may be used as the phosphor. The oxynitride phosphor uses a rare earth element as an activator, and includes at least one group II element selected from the group consisting of Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, C, Si, And at least one group IV element selected from the group consisting of Ge, Sn, Ti, Zr, and Hf. Although the combination of these elements is arbitrary, it is preferable to use the following composition. The oxynitride phosphor is L X M Y O Z N ((2/3) X + (4/3) Y- (2/3) Z) : R or L X M Y Q T O Z N ((2/3) X + (4/3) Y + T- (2/3) Z) : R (L is at least one selected from the group consisting of Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn) M is a Group II element, wherein M is at least one Group IV element selected from the group consisting of C, Si, Ge, Sn, Ti, Zr, and Hf, Q is B, Al And at least one group III element selected from the group consisting of Ga, In, O is an oxygen element, N is a nitrogen element, and R is a rare earth element. <X <1.5, 1.5 <Y <2.5, 0 <T <0.5, 1.5 <Z <2.5.) Said X, said Y, and said Z show a high brightness | luminance in this range. Among them, an oxynitride phosphor in which X, Y, and Z are represented by X = 1, Y = 2, and Z = 2 in the general formula is particularly preferable because it exhibits high luminance. However, it is not limited to the said range, Arbitrary things can also be used. Specifically, CaSi 2 O 2 N 2 : Eu, SrSi 2 O 2 N 2 : Eu, BaSi 2 O 2 N 2 : Eu, CaGe 2 O 2 N 2 : Eu, SrGe 2 O 2 N 2 : Eu, BaGe 2 O 2 N 2 : Eu, Ca 0.5 Sr 0.5 Si 2 O 2 N 2 : Eu, Ca 0.5 Ba 0.5 Si 2 O 2 N 2 : Eu, Ca 0.5 Zn 0.5 Si 2 O 2 N 2 : Eu, Sr 0.5 Mg 0.5 Si 2 O 2 N 2 : Eu, CaSi 2 B 0.1 O 2 N 2 : Eu, SrSi 2 B 0.1 O 2 N 2 : Eu, BaSi 2 B 0.1 O 2 N 2 : Eu, ZnSi 2 B 0.1 O 2 N 2: Eu, CaGe 2 B 0.01 O 2 N 2: Eu, SrGe 2 Ga 0.01 O 2 N 2: Eu, CaSi 2 O 2 N 2: Eu, Ce, SrSi 2 O 2 N 2: Eu, Ce, BaSi 2 O 2 N 2: Eu, Ce , CaGe 2 O 2 N 2: using the Eu, the oxynitride phosphor represented by Ce, etc. It can be a. Further, as shown here, the present oxynitride phosphor can adjust the color tone and luminance by changing the ratio of O and N. Further, the emission spectrum and intensity can be adjusted by changing the molar ratio of the cation and the anion represented by (L + M) / (O + N). This is possible by, for example, performing a process such as vacuum to desorb N and O, but is not limited to this method. The composition of the oxynitride phosphor may contain at least one of Li, Na, K, Rb, Cs, Mn, Re, Cu, Ag, and Au. This is because the luminous efficiency such as luminance and quantum efficiency can be adjusted by adding these. Further, other elements may be included so as not to impair the characteristics. However, the phosphor used in the present invention is not limited to this embodiment and example.

前記酸窒化物蛍光体に含まれる第ＩＩ族元素の一部は、前記賦活剤Ｒで置換される。前記第ＩＩ族元素と前記賦活剤Ｒとの混合量に対して、前記賦活剤Ｒの量は、（前記第ＩＩ族元素と前記賦活剤Ｒとの混合量）：（前記賦活剤Ｒの量）＝１：０．００１乃至１：０．８のモル比であることが好ましい。
Ｒは、希土類元素である。具体的には、Ｒは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕである。これら希土類元素のうち、Ｅｕが好ましい。また、Ｅｕと、希土類元素から選ばれる少なくとも１以上の元素と、を含んでいるものも使用することができる。特に、賦活剤Ｒは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕからなる群から選ばれるＥｕを必須とする少なくとも１種以上である希土類元素であることが好ましい。Ｅｕ以外の元素は、共賦活剤として、作用するためである。Ｒは、Ｅｕが５０重量％以上含有されていることが好ましい。
また、上記蛍光体以外の蛍光体であって、同様の性能、効果を有する蛍光体も使用することができる。
これらの蛍光体は、ＬＥＤチップ６の励起光により、黄色、赤色、緑色、青色、また、これらの中間色である黄色、青緑色、橙色などに発光スペクトルを有する。これらの蛍光体は１種のみでも良いが、数種類を組み合わせて使用することにより、種々の発光色を有する発光装置を製造することができる。
例えば、紫外線発光のＬＥＤチップ６を用い、緑色から黄色に発光するＣａＳｉ2Ｏ2Ｎ2：Ｅｕ、又はＳｒＳｉ2Ｏ2Ｎ2：Ｅｕと、青色に発光する（Ｓｒ，Ｃａ）5（ＰＯ4）3Ｃｌ：Ｅｕ、赤色に発光する（Ｃａ，Ｓｒ）2Ｓｉ5Ｎ8：Ｅｕと、からなる蛍光体を使用することによって、演色性の良好な白色に発光する発光装置を提供することができる。これは、色の三原色である赤・青・緑を使用しているため、蛍光体の配合比を変えることのみで、所望の白色光を実現することができる。 Part of the Group II element contained in the oxynitride phosphor is replaced with the activator R. The amount of the activator R with respect to the mixed amount of the group II element and the activator R is (mixed amount of the group II element and the activator R): (amount of the activator R) ) = 1: 0.001 to 1: 0.8 molar ratio is preferred.
R is a rare earth element. Specifically, R is La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, and Lu. Of these rare earth elements, Eu is preferable. Moreover, what contains Eu and at least 1 or more elements chosen from rare earth elements can also be used. In particular, the activator R is at least one or more types including Eu selected from the group consisting of La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, and Lu. A certain rare earth element is preferable. This is because elements other than Eu act as a co-activator. R preferably contains 50% by weight or more of Eu.
Moreover, it is fluorescent substance other than the said fluorescent substance, Comprising: The fluorescent substance which has the same performance and effect can also be used.
These phosphors have emission spectra in yellow, red, green, blue, and intermediate colors thereof such as yellow, blue-green, and orange by the excitation light of the LED chip 6. Although only one kind of these phosphors may be used, light emitting devices having various emission colors can be manufactured by using a combination of several kinds.
For example, using an LED chip 6 that emits ultraviolet light, CaSi 2 O 2 N 2 : Eu or SrSi 2 O 2 N 2 : Eu that emits light from green to yellow emits blue light (Sr, Ca) 5 (PO 4 ). ) 3 Cl: Eu, which emits red light (Ca, Sr) 2 Si 5 N 8: and Eu, by using a phosphor composed of, is possible to provide a light emitting device which emits color rendering properties of good white it can. This uses the three primary colors red, blue, and green, so that desired white light can be realized only by changing the blending ratio of the phosphors.

上記蛍光体の粒径は、１μｍ〜２０μｍの範囲が好ましく、より好ましくは２μｍ〜８μｍである。特に、５μｍ〜８μｍが好ましい。２μｍより小さい粒径を有する蛍光体は、凝集体を形成しやすい傾向にある。一方、５μｍ〜８μｍの粒径範囲の蛍光体は、光の吸収率及び変換効率が高い。このように、光学的に優れた特徴を有する粒径の大きな蛍光体を含有させることにより、発光装置の量産性が向上する。
ここで粒径は、空気透過法で得られる平均粒径を指す。具体的には、気温２５℃、湿度７０％の環境下において、１ｃｍ3分の試料を計り取り、専用の管状容器にパッキングした後、一定圧力の乾燥空気を流し、差圧から比表面積を読みとり、平均粒径に換算した値である。本発明で用いられる蛍光体の平均粒径は２μｍ〜８μｍの範囲であることが好ましい。また、この平均粒径値を有する蛍光体が、頻度高く含有されていることが好ましい。また、粒度分布も狭い範囲に分布しているものが好ましく、特に、微粒子２μｍ以下の少ないものが好ましい。このように粒径、及び粒度分布のバラツキが小さい蛍光体を用いることにより、より色ムラが抑制され、良好な色調を有する発光装置が得られる。 The particle size of the phosphor is preferably in the range of 1 μm to 20 μm, more preferably 2 μm to 8 μm. Particularly, 5 μm to 8 μm is preferable. A phosphor having a particle size smaller than 2 μm tends to form an aggregate. On the other hand, a phosphor having a particle size range of 5 μm to 8 μm has high light absorption and conversion efficiency. In this manner, the mass productivity of the light-emitting device is improved by including a phosphor having a large particle diameter and having optically excellent characteristics.
Here, the particle size refers to the average particle size obtained by the air permeation method. Specifically, in an environment with an air temperature of 25 ° C. and a humidity of 70%, a sample of 1 cm 3 is weighed and packed in a special tubular container, and then a constant pressure of dry air is flowed to read the specific surface area from the differential pressure. It is a value converted into an average particle diameter. The average particle size of the phosphor used in the present invention is preferably in the range of 2 μm to 8 μm. Moreover, it is preferable that the phosphor having this average particle diameter value is contained frequently. In addition, it is preferable that the particle size distribution is distributed in a narrow range, and in particular, particles having a fine particle size of 2 μm or less are preferable. As described above, by using a phosphor having a small variation in particle size and particle size distribution, color unevenness is further suppressed, and a light emitting device having a good color tone can be obtained.

発光装置１における蛍光体の配置場所は、ＬＥＤチップ６との位置関係において種々の場所に配置することができる。例えば、ＬＥＤチップ６を被覆するコーティング部材中に、蛍光体を含有させることができる。また、ＬＥＤチップ６と蛍光体とを、間隙をおいて配置しても良いし、ＬＥＤチップ６の上部に蛍光体を、直接載置しても良い。また、前記図５の凹部１１に蛍光体を混入させたコーティング部材を配置し、その凹部を覆うように窪み３内に異なる若しくは同一のコーティング部材を配置してもよい。また、二種類以上の蛍光体を用いる場合、凹部１１に長波長側の蛍光体を配置し、窪み３に短波長側の蛍光体を配置する。これによりＬＥＤチップ６の光路長の近い方に長波長側の蛍光体を配置するため、短波長側の蛍光体の光が長波長側の蛍光体に吸収されることは少ないため、色度調整の容易な高輝度な発光装置を提供することができる。   The fluorescent material in the light emitting device 1 can be arranged at various places in the positional relationship with the LED chip 6. For example, the phosphor can be contained in the coating member that covers the LED chip 6. Further, the LED chip 6 and the phosphor may be arranged with a gap, or the phosphor may be directly placed on the LED chip 6. Further, a coating member mixed with a phosphor may be disposed in the recess 11 of FIG. 5, and a different or the same coating member may be disposed in the recess 3 so as to cover the recess. When two or more types of phosphors are used, a long wavelength phosphor is disposed in the recess 11 and a short wavelength phosphor is disposed in the recess 3. As a result, the phosphor on the long wavelength side is arranged closer to the optical path length of the LED chip 6, and therefore the light of the phosphor on the short wavelength side is less likely to be absorbed by the phosphor on the long wavelength side. Therefore, it is possible to provide a light-emitting device with high brightness.

蛍光体は、有機材料である樹脂や無機材料であるガラスなど種々のコーティング部材（バインダー）を用いて、付着させることができる。コーティング部材は、蛍光体をＬＥＤチップ６に固着させるためのバインダーとしての役割を有することもある。コーティング部材（バインダー）として有機物を使用する場合、具体的材料として、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーンなどの耐候性に優れた透明樹脂が好適に用いられる。特に、シリコーンを用いると、信頼性に優れ、且つ蛍光体の分散性を向上させることができ好ましい。
また、無機物である結着剤をコーティング部材（バインダー）として用いることもできる。結着剤とは、いわゆる低融点ガラスであり、微細な粒子であり、且つ紫外から可視領域の輻射線に対して吸収が少なく、コーティング部材（バインダー）中にて極めて安定であることが好ましい。
また、粒径の大きな蛍光体をコーティング部材（バインダー）に付着させる場合、融点が高くても粒子が超微粉体である結着剤、例えば、シリカ、アルミナ、あるいは沈殿法で得られる細かい粒度のアルカリ土類金属のピロリン酸塩、正りん酸塩などを使用することが好ましい。これらの結着剤は、単独、若しくは互いに混合して用いることができる。
ここで、上記結着剤の塗布方法について述べる。結着剤は、結着効果を十分に高めるため、ビヒクル中に湿式粉砕して、スラリー状にして、結着剤スラリーとして用いることが好ましい。前記ビヒクルとは、有機溶媒あるいは脱イオン水に少量の粘結剤を溶解して得られる高粘度溶液である。例えば、有機溶媒である酢酸ブチルに対して粘結剤であるニトロセルロースを１ｗｔ％含有させることにより、有機系ビヒクルが得られる。
このようにして得られた結着剤スラリーに、蛍光体を含有させて塗布液を作製する。塗布液中のスラリーの添加量は、塗布液中の蛍光体量に対してスラリー中の結着剤の総量が、１〜３ｗｔ％程度とすることができる。光束維持率の低下を抑制するため、結着剤の添加量が少ない方が好ましい。 The phosphor can be attached using various coating members (binders) such as a resin that is an organic material and glass that is an inorganic material. The coating member may have a role as a binder for fixing the phosphor to the LED chip 6. When an organic material is used as the coating member (binder), a transparent resin having excellent weather resistance such as an epoxy resin, an acrylic resin, or silicone is preferably used as a specific material. In particular, it is preferable to use silicone because it is excellent in reliability and can improve the dispersibility of the phosphor.
Moreover, the binder which is an inorganic substance can also be used as a coating member (binder). The binder is so-called low-melting glass, is a fine particle, has little absorption with respect to radiation in the ultraviolet to visible region, and is preferably extremely stable in the coating member (binder).
In addition, when attaching a phosphor having a large particle size to a coating member (binder), a fine particle size obtained by a binder, for example, silica, alumina, or a precipitation method, even if the melting point is high, the particle is an ultrafine powder. The alkaline earth metal pyrophosphates and orthophosphates are preferably used. These binders can be used alone or mixed with each other.
Here, a method for applying the binder will be described. In order to sufficiently enhance the binding effect, the binder is preferably wet pulverized in a vehicle to form a slurry and used as a binder slurry. The vehicle is a high viscosity solution obtained by dissolving a small amount of a binder in an organic solvent or deionized water. For example, an organic vehicle can be obtained by adding 1 wt% of nitrocellulose as a binder to butyl acetate as an organic solvent.
A phosphor is contained in the binder slurry thus obtained to prepare a coating solution. As for the amount of slurry added in the coating solution, the total amount of the binder in the slurry can be about 1 to 3 wt% with respect to the amount of phosphor in the coating solution. In order to suppress a decrease in the luminous flux maintenance factor, it is preferable that the amount of the binder added is small.

本発明の発光装置の第一実施形態を示した平面図。The top view which showed 1st embodiment of the light-emitting device of this invention. 図１における２−２線断面図。FIG. 2 is a sectional view taken along line 2-2 in FIG. 1. 図１における３−３線断面図。FIG. 3 is a sectional view taken along line 3-3 in FIG. 1. 第一実施形態において、スルーホールを設けた状態を示した断面図。Sectional drawing which showed the state which provided the through hole in 1st embodiment. 本発明の発光装置の第二実施形態を示した平面図。The top view which showed 2nd embodiment of the light-emitting device of this invention. 図５における６−６線断面図。6-6 sectional drawing in FIG. 図５における７−７線断面図。FIG. 7 is a sectional view taken along line 7-7 in FIG. 参考例としての発光装置の第三形態を示した平面図。Plan view showing a third embodiment of the light-emitting device as a reference example. 図８における９−９線断面図。FIG. 9 is a sectional view taken along line 9-9 in FIG. 8. 図８における１０−１０線断面図。FIG. 10 is a cross-sectional view taken along line 10-10 in FIG. 第三形態において、導電体層をより広範囲に設けた状態を示した平面図。 The top view which showed the state which provided the conductor layer in the 3rd form in the wider range. 参考例としての発光装置の第四形態を示した平面図。 The top view which showed the 4th form of the light-emitting device as a reference example . 図１２における１３−１３線断面図。FIG. 13 is a sectional view taken along line 13-13 in FIG. 図１２における１４−１４線断面図。FIG. 14 is a sectional view taken along line 14-14 in FIG. 従来の発光装置を示した断面図。Sectional drawing which showed the conventional light-emitting device.

符号の説明Explanation of symbols

１ 発光装置
２ セラミックス基板
３ 窪み
３ａ 下端側基底面
３ｂ 側面
３ｃ 第２基底面
４ 反射層
４ａ 第１の反射層
４ｂ 第２の反射層
５ 導電体層
６ 発光素子（ＬＥＤチップ）
７ ボンディングワイヤ
１０ 凸部
１１ 凹部
１５ 穴埋めスルーホール DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Light-emitting device 2 Ceramic substrate 3 Dimple 3a Lower end side base face 3b Side face 3c Second base face 4 Reflective layer 4a First reflective layer 4b Second reflective layer 5 Conductor layer 6 Light emitting element (LED chip)
7 Bonding wire 10 Convex part 11 Concave part 15 Filling through hole

Claims (7)

セラミックス基板に形成された窪み内に発光素子が載置されてなる発光装置であって、
該窪みの上端側開口部に対向する下端側基底面に形成された導電体層と、
該下端側基底面に接しないように少なくとも前記窪みの側面に形成された第１の反射層とを備え、
前記発光素子が前記第１の反射層と前記導電体層との隙間よりも上方側に位置するように該発光素子が前記下端側基底面よりも上方に備えられた第２基底面上に載置され、且つ、該発光素子が、前記第２基底面上に形成された導電体層又は導電体層と離間した第２の反射層の上に載置されてなることを特徴とする発光装置。 A light-emitting device in which a light-emitting element is placed in a recess formed in a ceramic substrate,
A conductor layer formed on the bottom side bottom surface facing the top side opening of the depression;
A first reflective layer formed on at least the side surface of the recess so as not to contact the bottom-end-side base surface;
The light-emitting element is mounted on a second base surface provided above the bottom-side base surface so that the light-emitting element is positioned above the gap between the first reflective layer and the conductor layer. And the light emitting element is placed on a conductive layer formed on the second base surface or a second reflective layer spaced apart from the conductive layer. . 前記下端側基底面に形成された導電体層が、該下端側基底面の両端から形成されてなるカソード及びアノードであることを特徴とする請求項１記載の発光装置。  2. The light emitting device according to claim 1, wherein the conductor layer formed on the bottom side basal plane is a cathode and an anode formed from both ends of the bottom side basal plane. 前記第１の反射層は、前記側面の全周にわたって形成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の発光装置。  The light emitting device according to claim 1, wherein the first reflective layer is formed over the entire circumference of the side surface. 前記発光素子が、前記第２基底面上に形成された導電体層の上に載置され、該導電体層が前記第１の反射層と接合されていることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の発光装置。The light emitting element is mounted on a conductor layer formed on the second base surface, and the conductor layer is bonded to the first reflective layer. 4. The light emitting device according to any one of 3. 前記第２の反射層が、前記窪みの底面全体の１／５〜１／４の範囲にわたって形成されていることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の発光装置。  The light emitting device according to any one of claims 1 to 3, wherein the second reflective layer is formed over a range of 1/5 to 1/4 of the entire bottom surface of the recess. 前記導電体層がカソードおよびアノードを有しており、該カソードおよびアノードは、それぞれ、前記窪み底面全体の１／５〜１／４の範囲にわたって形成されていることを特徴とする請求項１〜３又は５の何れかに記載の発光装置。  The said conductor layer has a cathode and an anode, and this cathode and anode are each formed over the range of 1/5-1/4 of the whole said hollow bottom face, respectively. The light emitting device according to any one of 3 and 5. 前記反射層は、金、銀、又はニッケルの何れかの金属材料を有することを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載の発光装置。  The light emitting device according to claim 1, wherein the reflective layer includes a metal material of gold, silver, or nickel.
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