JP4500043B2 - Manufacturing method of crystal plate for display device - Google Patents
Manufacturing method of crystal plate for display device Download PDFInfo
- Publication number
- JP4500043B2 JP4500043B2 JP2003430341A JP2003430341A JP4500043B2 JP 4500043 B2 JP4500043 B2 JP 4500043B2 JP 2003430341 A JP2003430341 A JP 2003430341A JP 2003430341 A JP2003430341 A JP 2003430341A JP 4500043 B2 JP4500043 B2 JP 4500043B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- plate
- quartz
- polishing
- cut
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
本発明は、液晶プロジェクタなどの表示装置に用いられる水晶板の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a quartz plate used in a display device such as a liquid crystal projector .
人工的に製造される水晶結晶は、主にZ軸方向に成長した部分が用いられる。その用途は電気的な応用例、例えば水晶発振子や表面弾性波素子等が主なものである。水晶結晶の成長方向は、Z軸方向に続いてX軸方向にも成長する。しかし、X軸方向に成長した結晶に付いては不純物、特にアルミの混入が多く、アルミ元素濃度が高い。水晶結晶中で金属原子濃度が高いと電気的特性に影響を及ぼす可能性があり、元素濃度の低いZ軸方向に成長した部分が一般的に用いられている。 Artificially produced quartz crystals mainly use a portion grown in the Z-axis direction. The main applications are electrical applications such as crystal oscillators and surface acoustic wave devices. The growth direction of the quartz crystal also grows in the X-axis direction following the Z-axis direction. However, the crystal grown in the X-axis direction contains a large amount of impurities, particularly aluminum, and has a high aluminum element concentration. If the metal atom concentration in the quartz crystal is high, the electrical characteristics may be affected, and a portion grown in the Z-axis direction having a low element concentration is generally used.
例えば、従来の人工水晶では、種子水晶の−X面側の端面からZ成長領域のサブバウンダリに沿ってディスロケーションが発生するのを防ぐため、−X面を面取りして人工水晶を育成させる(特許文献1参照。)。 For example, in a conventional artificial crystal, in order to prevent dislocation from occurring along the subboundary of the Z growth region from the end surface of the seed crystal on the −X plane side, the −X plane is chamfered to grow the artificial crystal ( (See Patent Document 1).
また、サファイヤの光透過特性としては光の波長で160nm〜6,000nmと広範囲であるが、透過率は通常の可視光で界面反射に起因する透過率低下を考慮に入れても88%程度と石英ガラス等の透過率98%以上と比較すると低い。従って、1枚のサファイヤ板を通過するだけで約10%もの光が減衰する事になる(特許文献2参照。)。
水晶結晶をランバートに加工する際、X軸方向に成長した部分は切り落とし、その後に種結晶を除いた状態に加工をする。水晶結晶はY軸方向には成長が極度に遅い為、Y軸方向の切断は必要としない。切り落とされたX軸方向に成長した水晶結晶は通常、ラスカと一緒に溶解され、新しい結晶を作る原料となる。しかし、水熱法を用いた水晶結晶成長は小さいものでも複数ヶ月を費やす為、一度製造された水晶結晶を再溶解する事は無駄が多く、不経済であり、特定の元素濃度の高い結晶を数度と無く再溶解する事でオートクレーブ内の特定元素濃度が上昇する懸念が発生する。 When a quartz crystal is processed into a Lambert, the portion grown in the X-axis direction is cut off, and then processed so that the seed crystal is removed. Since crystal growth is extremely slow in the Y-axis direction, cutting in the Y-axis direction is not necessary. The crystal crystal grown in the X-axis direction, which is cut off, is usually melted together with the laska and becomes a raw material for forming a new crystal. However, since crystal growth using the hydrothermal method spends several months even if it is small, it is wasteful and uneconomical to re-dissolve a crystal crystal once manufactured, and crystals with a high concentration of a specific element are required. There is a concern that the concentration of a specific element in the autoclave increases by re-dissolving several times.
また、水晶板を切り出す際に最終製品に近い形状と大きさに板サイズを切り出していたが、液晶プロジェクタの液晶サイズが小さくなる、例えば0.7インチから0.5インチ等、に連れて小さな板を多数加工する事になり、水晶板の取り扱い、例えば研磨機への装着や回収等、に時間が掛かり作業効率を落とす結果となっていた。 Also, when the crystal plate was cut out, the plate size was cut out to a shape and size close to the final product, but the liquid crystal size of the liquid crystal projector became smaller, for example 0.7 to 0.5 inch, etc. A large number of plates were processed, and it took time to handle the quartz plate, for example, mounting and collecting on a polishing machine, resulting in a decrease in work efficiency.
本発明の水晶板は、X軸方向に成長した水晶からZ軸を含む面を含むように前記X軸に対して垂直に切断するものである。 The quartz plate of the present invention is cut perpendicularly to the X axis so as to include a surface including the Z axis from a quartz crystal grown in the X axis direction.
本発明の表示装置は、画像を表示する液晶パネルと、前記液晶パネルの少なくとも一部が上記水晶板で構成する。 In the display device of the present invention, a liquid crystal panel for displaying an image, and at least a part of the liquid crystal panel are constituted by the crystal plate.
本発明の表示装置は、画像を表示する液晶パネルと、前記液晶パネルに対して少なくとも入射光側に上記水晶板を配置し、前記液晶パネルと前記水晶板の少なくとも一部を外壁で覆う。このとき、前記液晶パネルの少なくとも一部が上記水晶板で構成するようにしてもよい。 In the display device of the present invention, a liquid crystal panel for displaying an image, the crystal plate is disposed at least on the incident light side with respect to the liquid crystal panel, and at least a part of the liquid crystal panel and the crystal plate is covered with an outer wall. At this time, at least a part of the liquid crystal panel may be formed of the crystal plate.
本発明の表示装置は、画像を表示する液晶パネルと、上記水晶板と、前記水晶板の光が透過される面のいずれか一つの面に、直接又は間接的に光を偏光する偏光板を取り付けた偏光板付き水晶単体と、を有し、前記偏光板付き水晶単体を前記液晶パネルの入射光側か透過光側の少なくともいずれか一方に配置する。ここで、前記液晶パネルの少なくとも一部が上記水晶板で構成するようにしてもよい。 The display device according to the present invention includes a polarizing plate that directly or indirectly polarizes light on any one of a liquid crystal panel that displays an image, the crystal plate, and a surface of the crystal plate through which light is transmitted. And a single crystal with a polarizing plate attached, and the single crystal with a polarizing plate is disposed on at least one of the incident light side and the transmitted light side of the liquid crystal panel. Here, at least a part of the liquid crystal panel may be formed of the crystal plate.
本発明の表示装置は、前記偏光板付き水晶単体の少なくとも一部を保持する支持台を有するようにしてもよい。 The display device of the present invention may have a support base that holds at least a part of the single crystal with polarizing plate.
本発明は、サファイヤが有する可視光の透過率とほぼ同等であり、しかも、サファイヤに比べて熱伝導率の高い材料を使用することができる。摂氏20度におけるサファイヤの熱伝導率は、0.066cal/cm/sec/℃であり、摂氏20度における水晶の熱伝導率は0.029cal/cm/sec/℃である。熱伝導率の点では、水晶はサファイヤの2倍以上となっている。なお、水晶の熱容量は、摂氏0度に於いて0.166cal/g-℃であり、摂氏25度に於けるサファイヤの0.186cal/g-℃に近似している。 The present invention can use a material that is substantially equivalent to the visible light transmittance of sapphire and has a higher thermal conductivity than sapphire. The thermal conductivity of sapphire at 20 degrees Celsius is 0.066 cal / cm / sec / ° C., and the thermal conductivity of quartz at 20 degrees Celsius is 0.029 cal / cm / sec / ° C. In terms of thermal conductivity, quartz is more than twice that of sapphire. The heat capacity of quartz is 0.166 cal / g- ° C. at 0 degrees Celsius, which is close to 0.186 cal / g- ° C. of sapphire at 25 degrees Celsius.
元素的な不純物が混入し易いために特定の元素濃度が他の部分より高くなるなど、必要な電気特性を得られないとの理由から電気的応用の部品には用いられる事が一般的でないX軸方向に成長した水晶結晶を光学部品用原料として用いる事で、水晶原料の有効活用が図れる。 It is not generally used for parts for electrical applications because the necessary electrical characteristics cannot be obtained, for example, the concentration of a specific element is higher than other parts because elemental impurities are easily mixed. By using the crystal crystal grown in the axial direction as a raw material for optical parts, the crystal material can be effectively utilized.
また、水晶は、原料の市場価格がサファイヤと比べて安く、加工もサファイヤに比べて簡便に行うことができる。水晶の放熱効果を最大限に引き出す方法、つまり熱伝導率が最大となる様な加工をする事で、より安価な製品の実現に寄与する。 In addition, quartz has a lower raw material market price than sapphire and can be processed more easily than sapphire. A method that maximizes the heat dissipation effect of crystal, that is, processing that maximizes the thermal conductivity, contributes to the realization of a cheaper product.
これらの水晶板を表示装置に使用することで、サファイヤと同等の光学性能を有し、熱伝導率の優れた表示装置を安価に製造することができる。 By using these quartz plates in a display device, a display device having optical performance equivalent to that of sapphire and excellent in thermal conductivity can be manufactured at low cost.
本発明の実施例を図面を用いて説明する。 Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
図1は、水晶結晶に於けるX軸方向に成長した部分である。図1Aは水晶結晶の種結晶とX軸方向に成長した部分をZ軸に垂直な方向から側面図であり、図1BはZ軸に対して水平な面の側面図である。人工水晶100の結晶の成長には、Y軸に伸びた種結晶110を用いる。Y軸方向の結晶成長は著しく遅い為に、Z軸やX軸に対しする結晶成長と比較すると、Y軸方向には結晶成長は無視できるほど小さい。ここで、120は基準面(X面)である。通常、X面方向に成長した部分140の結晶は元素的に不純物を含んでおり、この不純物が水晶結晶の電気的な特性を変化させるので電気的な応用には不向きである。従って、電気的な応用に用いられる水晶ランバートを製造する場合にX軸方向に成長した部分を切り落とし、ラスカと共に再結晶させる目的に用いられる事が多い。しかし、これらの不純物は電気的には特性を変化させる場合も多いが、光学的には水晶結晶自体に着色をする元素は含まれていない場合、もしくは含まれていても透過光の着色や透過光量を変化させるに至るほど含有量が多くない場合には、光学的な目的には性能を充分満たすことが多い。 FIG. 1 shows a portion grown in the X-axis direction in a quartz crystal. 1A is a side view of a seed crystal of a crystal crystal and a portion grown in the X-axis direction from a direction perpendicular to the Z-axis, and FIG. 1B is a side view of a plane horizontal to the Z-axis. For the growth of the artificial quartz crystal 100, a seed crystal 110 extending in the Y-axis is used. Since the crystal growth in the Y-axis direction is extremely slow, the crystal growth in the Y-axis direction is negligibly small as compared with the crystal growth with respect to the Z-axis and the X-axis. Here, 120 is a reference plane (X plane). Usually, the crystal of the portion 140 grown in the X-plane direction contains an elemental impurity, and this impurity changes the electrical characteristics of the quartz crystal, and is not suitable for electrical applications. Therefore, when manufacturing a quartz Lambert used for electrical applications, it is often used for the purpose of cutting off the portion grown in the X-axis direction and recrystallizing it with Laska. However, these impurities often electrically change the characteristics, but optically, when the crystal crystal itself does not contain coloring elements, or even if they are contained, the transmitted light is colored or transmitted. If the content is not high enough to change the amount of light, the performance is often sufficient for optical purposes.
同様に、結晶は図1Bで示すZ軸方向に最大の成長率を持つ為、図1Bの上下に太くなる形状で結晶が成長する。つまり、人工水晶100の結晶として使用する部分は、Z軸方向に成長した結晶を使う事になる。また、熱伝導率を最大にするためには、Z軸に平行な面に切り出す必要がある。従って、種結晶110の板に垂直に長方形の水晶板を切り出す事で、材料効率と熱伝導率を最大にする事が出来る。 Similarly, since the crystal has the maximum growth rate in the Z-axis direction shown in FIG. 1B, the crystal grows in a shape that thickens up and down in FIG. 1B. That is, the portion used as the crystal of the artificial crystal 100 uses a crystal grown in the Z-axis direction. Further, in order to maximize the thermal conductivity, it is necessary to cut out a plane parallel to the Z axis. Therefore, by cutting a rectangular quartz crystal plate perpendicular to the seed crystal 110 plate, the material efficiency and the thermal conductivity can be maximized.
次に、水晶の具体的な加工方法に付いて説明する。図2は、水晶板の切り出す加工を示すフローチャートである。先ずは人工的に育成された水晶結晶100を用意する(工程101)。ここでは、水熱合成法が広く一般的に使用されていることから、この水熱合成法を使用する。なお、育成方法は水熱合成法に限らず、いずれの方法を使用しても構わない。 Next, a specific method for processing quartz will be described. FIG. 2 is a flowchart showing a process of cutting out the crystal plate. First, an artificially grown quartz crystal 100 is prepared (step 101). Here, the hydrothermal synthesis method is used because it is widely used. The growing method is not limited to the hydrothermal synthesis method, and any method may be used.
水晶結晶100の種結晶110に垂直な面(X軸方向端面)を探す(工程102)。通常、この面は未加工の水晶結晶でもほぼ平らな面を有しており、容易に判定出来る。 A plane (X-axis direction end face) perpendicular to the seed crystal 110 of the quartz crystal 100 is searched (step 102). Usually, this surface has a substantially flat surface even with an unprocessed quartz crystal and can be easily determined.
次に、この面を切削して平らな面にする(工程103)。図6は、X面を基準面とする基準面を作成する斜視図である。切削には平面研削盤を用いるのが一般的である。研削ホイール300のダイヤ砥石部310は、メタルボンド型またはレジンボンド型を用いる。人工水晶100は、接着面130を固定台310に接着等で固定する。ここで、研削ホイール300で研削された面が基準面120である。 Next, this surface is cut into a flat surface (step 103). FIG. 6 is a perspective view for creating a reference plane with the X plane as a reference plane. A surface grinder is generally used for cutting. The diamond grindstone portion 310 of the grinding wheel 300 uses a metal bond type or a resin bond type. The artificial crystal 100 fixes the bonding surface 130 to the fixing base 310 by bonding or the like. Here, the surface ground by the grinding wheel 300 is the reference surface 120.
次に、切削した面の結晶方位測定を行う(工程104)。図4は、X線結晶方位測定器を用いて基準面の結晶方位を測定する方法を示す模式図である。基準面120の結晶方位測定には、一般的にX線結晶方位測定器500を用いる。測定条件は陰極に銅を使用した場合は、38.91をオフセット角として用いる。測定の結果、正確な面が出ていない場合は、角度オフセットを修正する方向に更に切削する(工程105)。 Next, the crystal orientation of the cut surface is measured (step 104). FIG. 4 is a schematic diagram showing a method for measuring the crystal orientation of the reference plane using an X-ray crystal orientation measuring device. An X-ray crystal orientation measuring device 500 is generally used for measuring the crystal orientation of the reference plane 120. As the measurement conditions, when copper is used for the cathode, 38.91 is used as the offset angle. As a result of the measurement, if an accurate surface is not obtained, further cutting is performed in a direction to correct the angle offset (step 105).
X軸方向成長部分510を切り出すか否かについて判断する(工程106)。X軸方向成長部分510を切り出すと判断した場合、X軸方向成長部分510を切断面520で切り出す(工程107)。その状態を図5に示す。一方、X軸方向成長部分を切り出さないと判断する場合、種結晶を切断して除去する(工程108)。そして、切断した面の結晶方位測定を行う(工程109)。切断面の結晶方位が、例えばX面に対して±10度であることを確認する。 It is determined whether or not to cut out the X-axis direction growth portion 510 (step 106). When it is determined that the X-axis direction growth portion 510 is to be cut out, the X-axis direction growth portion 510 is cut out at the cut surface 520 (step 107). The state is shown in FIG. On the other hand, when it is determined that the X-axis direction growth portion is not cut out, the seed crystal is cut and removed (step 108). Then, the crystal orientation of the cut surface is measured (step 109). It is confirmed that the crystal orientation of the cut surface is, for example, ± 10 degrees with respect to the X plane.
切断面に接着剤を塗布し、貼り付けを行う(工程110)。接着剤の種類は、瞬間接着剤等の常温で接着効果を得られる物が好ましい。水晶は摂氏573.3度がキューリー温度で、これを境に結晶構造がα型とβ型に変化する為、融解型の接着剤はこれより低い温度で使用するのが好ましい。 An adhesive is applied to the cut surface and pasted (step 110). The type of the adhesive is preferably an instant adhesive or the like that can obtain an adhesive effect at room temperature. Since quartz has a Curie temperature of 573.3 degrees Celsius and the crystal structure changes to α type and β type at the boundary, it is preferable to use a melting type adhesive at a lower temperature.
次に種結晶板に平行、且つ種結晶板の両側を切断し(工程111)、種結晶110を除去する。図6は、人工水晶結晶100の切断箇所を示す模式図である。種結晶にはエッチチャンネルなどに代表される線状欠陥が多く含まれている為、光学材料としては不向きである上、種結晶110として再利用できる為、種結晶110を取り出す事は性能面とコスト面で利点がある。種結晶110を除去された水晶結晶100を更に寸足らず部分、つまり希望する水晶板の大きさに寸法が満たない部分の切断を行う。 Next, the seed crystal 110 is removed by cutting both sides of the seed crystal plate parallel to the seed crystal plate (step 111). FIG. 6 is a schematic diagram showing a cut portion of the artificial quartz crystal 100. Since the seed crystal contains many linear defects typified by etch channels, it is unsuitable as an optical material and can be reused as the seed crystal 110. There are advantages in terms of cost. The portion of the crystal crystal 100 from which the seed crystal 110 has been removed is further cut, that is, the portion whose size is less than the desired size of the crystal plate is cut.
図7は、Z面の結晶方位測定方法を示す模式図である。Z面の結晶方位がZ面から±0.5度の角度であれば、基準面に対して水晶板の切り出しを行う。切り出しには一般的にマルチワイヤーソーが用いられる。本実施例ではワイヤー径0.25mmを使用し、切削材は一般的にはGC80番からGC320番の砥粒を用いるが、本実施例ではGC160番を用いた。また、切断加工に付いては、事前にランバート800を外周研削してから切断する方法もある。もし、切断時のチッピングによってエッジが破損するようなときは、外周成形を切断後に行うことで回避することができる。 FIG. 7 is a schematic diagram showing a method for measuring the crystal orientation of the Z plane. If the crystal orientation of the Z plane at an angle of ± 0.5 degrees from the Z plane, cut out of the quartz plate against the reference surface. A multi-wire saw is generally used for cutting. In this embodiment, a wire diameter of 0.25 mm is used, and abrasive grains generally having a GC number from 80 to GC 320 are used as cutting materials. In this example, GC number 160 is used. As for the cutting process, there is also a method in which the Lambert 800 is ground in advance and then cut. If the edge is damaged by chipping at the time of cutting, it can be avoided by performing the outer periphery molding after cutting.
水晶結晶は3方晶である為、その結晶は直方体にならない。また斜面が形成される為、X面方向に切断された水晶板は大きさの異なるものが切り出されることから、次の工程としての研磨加工を考慮して予め大きさ毎に分類をする(工程112)。 Since the crystal crystal is a trigonal crystal, the crystal does not become a rectangular parallelepiped. In addition, since the inclined surface is formed, the quartz plates cut in the X plane direction are cut out in different sizes, and are classified according to the size in advance in consideration of the polishing process as the next step (steps). 112).
次に、板状に切り出された水晶結晶の研磨に付いて説明する。水晶板の研磨方法には、両面同時に加工する両面同時研磨法と各面を各1回研磨する片面2回研磨法がある。両面同時研磨法は、上面と下面を一度に研磨する事から研磨精度の高い研磨方法である。反面、片面、2回研磨は接着剤で加工物を研磨盤等に貼り付けるので、接着精度が悪いと研磨精度を落ち易いと言う特徴を有する。両面研磨法に付いては研磨材や加工条件等を変えて用いる。同様に、片面2回研磨法に付いては、例えば特許第3329593号記載の研磨方法に基に、研磨材と加工条件等を変えて用いる。本実施例では表面の平坦度を重視する目的から、両面同時研磨法を用いる。
次に、図9〜図14を用いて、実際の研磨工程に付いて説明する。図9は水晶板の外周を成形の方法を示す模式図であり、図10は斜面取り装置であり、図11は粗研摩用両面研磨機を用いてラッピングを行う模式図を示す。また、図12は鏡面研摩用両面研磨機を用いてラッピングを行う模式図で、図13は水晶板の指定サイズへの切断を示す模式図で、図14は研磨工程のフローチャートである。
Next, polishing of a crystal crystal cut into a plate shape will be described. As a method for polishing a quartz plate, there are a double-sided simultaneous polishing method in which both surfaces are processed simultaneously and a single-sided double polishing method in which each surface is polished once. The double-sided simultaneous polishing method is a polishing method with high polishing accuracy because the upper surface and the lower surface are polished at a time. On the other hand, the single-sided and double-polishing has a feature that the polishing accuracy tends to be lowered if the bonding accuracy is poor because the workpiece is attached to a polishing disk or the like with an adhesive. The double-side polishing method is used by changing the abrasive and processing conditions. Similarly, as for the single-sided double-polishing method, for example, based on the polishing method described in Japanese Patent No. 3329593, the abrasive and processing conditions are changed. In this embodiment, a double-sided simultaneous polishing method is used for the purpose of placing importance on the flatness of the surface.
Next, an actual polishing process will be described with reference to FIGS. FIG. 9 is a schematic diagram showing a method of forming the outer periphery of a quartz plate, FIG. 10 is a beveling device, and FIG. 11 is a schematic diagram of lapping using a rough polishing double-side polishing machine. FIG. 12 is a schematic diagram for lapping using a double-side polishing machine for mirror polishing, FIG. 13 is a schematic diagram showing cutting of a crystal plate to a specified size, and FIG. 14 is a flowchart of a polishing process.
先ず、切断された水晶板の外周成形を行う。外周成形には、一般的に平面研削盤やロータリ研削盤等を用いて行われることが多く、本実施例では平面研削盤1010を用いた。切断された水晶板1000を切断前の方向に並べて平面研削盤1010の上に固定する(工程201)。平面研削盤1010に固定された水晶板1000の外周を研削ホイール300で研削する(工程202)。研削の順番はZ面以外の部分から開始し、最後にZ面の研削を行う。Z面を最後に研削するのは、Z面は結晶方位測定した基準面である為、他の面をZ面基準で加工し終わった後の加工でないと他の面の角度精度に影響が出るからである。 First, the outer periphery of the cut quartz plate is formed. In general, the outer periphery molding is often performed using a surface grinder, a rotary grinder, or the like. In this embodiment, the surface grinder 1010 is used. The cut crystal plates 1000 are arranged in the direction before cutting and fixed on the surface grinding machine 1010 (step 201). The outer periphery of the quartz plate 1000 fixed to the surface grinding machine 1010 is ground by the grinding wheel 300 (step 202). The grinding order starts from a portion other than the Z plane, and finally the Z plane is ground. The Z plane is ground last because the Z plane is a reference plane whose crystal orientation has been measured. Therefore, the angle accuracy of the other planes will be affected unless machining is performed after the other planes have been processed based on the Z plane. Because.
次に、外周成形の終わった水晶板1000を粗研磨する(工程203)。図11に示す様に、水晶板1000を粗研磨用のキャリア1130に入れ、両面研磨機1010で粗研磨をする。粗研磨に用いられる両面研磨機用の研磨定盤1110、1120は鋳鉄製で溝切り定盤を用いる。粗研磨に用いられる研磨剤は一般的にGC80番からGC2000番までを使用するが、本実施例では第1の粗研磨加工でGC320番を、第2の粗研磨加工でGC1600番を用いた。研磨剤は、上定盤1110の上部に設けられた研摩剤戸井1113から研磨剤チューブ1115を通って、下定盤1120に流れる。キャリア1130の材質に付いてはブルースチール材が一般的に使われているが、水晶エッジのチッピングを押さえる目的から、本実施例ではグラスファイバー製のキャリアを用いた。研磨は、上定盤1110の回転方向と下定盤1120の回転方向が異なるように回転させて行う。 Next, the quartz plate 1000 that has been subjected to outer periphery molding is roughly polished (step 203). As shown in FIG. 11, the quartz plate 1000 is placed in a carrier 1130 for rough polishing, and rough polishing is performed by a double-side polishing machine 1010. The polishing surface plates 1110 and 1120 for a double-side polishing machine used for rough polishing are made of cast iron and a grooving surface plate is used. As the abrasive used for rough polishing, GC80 to GC2000 are generally used. In this example, GC320 was used for the first rough polishing and GC1600 was used for the second rough polishing. The abrasive flows from the abrasive toi 1113 provided on the upper surface plate 1110 through the abrasive tube 1115 to the lower surface plate 1120. As the material of the carrier 1130, a blue steel material is generally used. However, in order to suppress chipping of the crystal edge, a glass fiber carrier is used in this embodiment. Polishing is performed by rotating the upper surface plate 1110 and the lower surface plate 1120 so that the rotation direction is different.
粗研磨が終了した水晶板1000を洗浄する(工程204)。洗浄溶剤は市水(水道水)が一般的である。 The quartz plate 1000 after the rough polishing is cleaned (step 204). The cleaning solvent is generally city water (tap water).
次に水晶板1000の斜面取りを行う(工程205)。図10に示すように、面取りホイール1210は、一般的にダイヤ粒子が埋め込まれている。本実施例では、3ミクロン平均粒径のダイヤを埋め込んだメタルボンド型を使用した。斜面取りの角度は、角度治具1220を用いて、通常45度と35度で使用されることが多い。本実施例では45度で面取り加工を行った。面取り加工数は一枚の水晶板1000に於いて、4面上下で計16面の加工を行った。斜面取りの効果としては、次工程の鏡面研磨工程に於いて、水晶板1000の斜面が立っていると、研磨パッド1340に傷を付けてしまったり、水晶板1000の斜面粒子が脱落して研磨面に傷が付くことを防ぐ効果がある。 Next, the quartz plate 1000 is chamfered (step 205). As shown in FIG. 10, the chamfering wheel 1210 is generally embedded with diamond particles. In this example, a metal bond type in which a diamond having an average particle diameter of 3 microns was embedded was used. The angle of the bevel is usually 45 degrees and 35 degrees using the angle jig 1220 in many cases. In this example, chamfering was performed at 45 degrees. As for the number of chamfering processes, a total of 16 surfaces were processed on the upper and lower surfaces of one quartz plate 1000. As an effect of removing the slope, in the next mirror polishing process, if the slope of the crystal plate 1000 stands, the polishing pad 1340 may be damaged, or the slope particles of the crystal plate 1000 may fall off and be polished. There is an effect to prevent the surface from being scratched.
粗研磨工程同様、斜面取りが終わった水晶板1000をキャリア1330に入れ鏡面研磨する(工程206)。研磨定盤1310、1320にはコルク状の研磨パッド1340を貼り付けたものを用いる。コルク状の研磨パットを使用するのは、コルクパッドが弾力性に富んでいる上にアクリル製の研磨パッドと比較して価格が安いからである。その上、多孔質である為、研磨剤の保持が容易でもある。研磨剤は酸化セリウムの乳化溶液を用いる。酸化セリウムは、研磨剤の硬さや粒子径に於いてビッカース硬度400〜800程度の材料、例で言えば無機ガラス、水晶、硬質ガラス等の鏡面研磨剤として最適である。硬過ぎると鏡面に成らずミクロの傷が出来るので、適当に研磨剤の表面が丸まる事が好ましい。酸化セリウムは価格的にも安価で、一般的に広く使われている。キャリアの材質は粗研磨同様グラスファイバーを用いた。 As in the rough polishing step, the quartz plate 1000 whose slope has been removed is placed in a carrier 1330 and mirror-polished (step 206). As the polishing surface plates 1310 and 1320, those having a cork-like polishing pad 1340 attached thereto are used. The reason why the cork-like polishing pad is used is that the cork pad is rich in elasticity and is cheaper than the acrylic polishing pad. In addition, since it is porous, it is easy to hold the abrasive. As the abrasive, an emulsified solution of cerium oxide is used. Cerium oxide is most suitable as a mirror polishing agent for materials having a Vickers hardness of about 400 to 800 in the hardness and particle diameter of the polishing agent, for example, inorganic glass, quartz, hard glass and the like. If it is too hard, it will not be mirror-finished and micro scratches can be formed. Therefore, it is preferable that the surface of the abrasive is appropriately rounded. Cerium oxide is inexpensive and is widely used in general. As the material of the carrier, glass fiber was used as in rough polishing.
次に鏡面研磨を終えた水晶板1000を洗浄する(工程207)。洗浄剤は水洗い後、ガラス磨き洗剤やアルコールを用いる。研磨液は一般的に滑りを良くする目的や、加工面の温度を上げて研磨効率を高める目的で、油脂分を添加して作る。この油脂が加工物の表面に付着してしまうので、その油脂分を除去する目的でアルコールや油脂が解け安い強アルカリ性のガラス磨きを使うのである。 Next, the quartz plate 1000 that has been subjected to mirror polishing is washed (step 207). Use a glass cleaner or alcohol after washing with water. The polishing liquid is generally prepared by adding oils and fats for the purpose of improving slipping and increasing the temperature of the processed surface to increase the polishing efficiency. Since this fat and oil adheres to the surface of the processed product, a strong alkaline glass polish that dissolves alcohol and fat is used for the purpose of removing the fat and oil.
最後に洗浄を終えた水晶板1000を検査する(工程208)。検査内容は一般的に傷等を検査する外観検査と、外形寸法等を測定する寸法検査である。 Finally, the quartz plate 1000 that has been cleaned is inspected (step 208). The inspection contents are generally an external inspection for inspecting scratches and the like, and a dimensional inspection for measuring external dimensions and the like.
液晶プロジェクタに用いられる水晶板は、偏光板を水晶板に貼って用いるため、水晶板の熱伝導率が重要となる。偏光板は、光変調する画像によって遮光する場所と遮光量が異なる為、遮光に依って発生した熱をいち早く分散させる必要がある。部分的な熱の蓄積があると、この熱による温度上昇が発生する。偏光板は有機化合物で構成されているので、この温度上昇により偏光板が劣化してしまう。水晶は、この部分的な熱の蓄積を分散させて、偏光板が熱によって劣化してしまうことを防止する。 Since the quartz plate used in the liquid crystal projector is used by attaching a polarizing plate to the quartz plate, the thermal conductivity of the quartz plate is important. Since the polarizing plate has a different light-shielding location and light-shielding amount depending on the light-modulated image, it is necessary to quickly dissipate the heat generated by the light-shielding. If there is a partial accumulation of heat, the temperature rises due to this heat. Since the polarizing plate is composed of an organic compound, the polarizing plate is deteriorated by this temperature rise. Quartz disperses this partial heat accumulation and prevents the polarizing plate from being deteriorated by heat.
水晶結晶は、Z軸に平行な面がZ軸に垂直な面に対して約2.3倍の熱伝導率を持つ。水晶結晶の熱伝導率は、Z軸に平行な面に於いて0.029cal/cm/sec/℃であるが、Z軸に垂直な面では0.016cal/cm/sec/℃となる。従って、熱伝導率の高いZ軸に平行な面を使用する。また、水晶結晶の熱伝導率は、Z軸と成す角度にほぼ比例すると考えられることから、水晶板の熱伝導率が高ければ高いほど、高い性能を維持出来ることになる。このとき、熱伝導率が最大となる値を最大熱伝導率とすると、性能をある程度維持しながら価格を抑えようとする場合、熱伝導率の許容値である最大熱伝導率に対して±25%が妥当である。この範囲で熱伝導率を維持しようとすると、水晶板表面に対する軸精度は±10度となる。なお、この値は分単位や秒単位の軸精度を要求される電気的な応用に用いられる水晶板の結晶軸精度と比較する非常にラフな値である。 Quartz crystal has a thermal conductivity of about 2.3 times the plane parallel to the Z-axis and the plane perpendicular to the Z-axis. The thermal conductivity of the quartz crystal is 0.029 cal / cm / sec / ° C. in the plane parallel to the Z axis, but 0.016 cal / cm / sec / ° C. in the plane perpendicular to the Z axis. Therefore, a plane parallel to the Z axis having high thermal conductivity is used. Further, since the thermal conductivity of the quartz crystal is considered to be substantially proportional to the angle formed with the Z-axis, the higher the thermal conductivity of the quartz plate, the higher the performance that can be maintained. At this time, assuming that the value having the maximum thermal conductivity is the maximum thermal conductivity, when trying to suppress the price while maintaining the performance to some extent, ± 25 with respect to the maximum thermal conductivity which is the allowable value of the thermal conductivity. % Is reasonable. If the thermal conductivity is to be maintained within this range, the axial accuracy with respect to the quartz plate surface becomes ± 10 degrees. This value is a very rough value compared with the crystal axis accuracy of a quartz plate used for electrical applications requiring axial accuracy in minutes or seconds.
また、本実施例では、Z面をX線結晶方位測定器で切り出し面とZ面の角度を測定する事でこの面を基準に加工し、水晶板のZ軸方位を保証する方法を取っている。軸精度が比較的ラフな値でも十分である為、加工毎の結晶方位測定を行って製品の軸精度を確認する必要性が低くなる。そこで、水晶板の一面とZ軸が成す角度が±10度以下の水晶板としておくことで、軸精度確認作業を少なくすることができ、作業の迅速性と製造コストを低減する効果がある。 Further, in this embodiment, the Z plane is cut out with an X-ray crystal orientation measuring device and the angle between the plane and the Z plane is measured, and this Z plane is processed as a reference, and the Z axis direction of the crystal plate is guaranteed. Yes. Since a relatively rough value of the axial accuracy is sufficient, it is less necessary to confirm the axial accuracy of the product by measuring the crystal orientation for each process. Therefore, by setting the crystal plate having an angle formed between one surface of the crystal plate and the Z axis to be ± 10 degrees or less, it is possible to reduce the axial accuracy confirmation work, and there is an effect of reducing work speed and manufacturing cost.
研磨した表面に無反射コーティングを施し(工程209)、水晶を指定寸法に切断する(工程210)。水晶板100無反射コーティング1310を施した面に対して、指定サイズが直方体の場合、たとえば、図13に示すように切断しようとする切断線1320、1330が直角に交わるようにして切段する。 A non-reflective coating is applied to the polished surface (step 209), and the crystal is cut to a specified dimension (step 210). When the specified size is a rectangular parallelepiped with respect to the surface on which the quartz plate 100 antireflection coating 1310 is applied, for example, the cutting lines 1320 and 1330 to be cut are cut at right angles as shown in FIG.
次に、実施例1の水晶板が、液晶パネルの一部に用いられる場合に付いて説明する。図15は、水晶板1540を使用した液晶パネルの斜視図である。光源からの光によって、偏光板の周囲は高温となる。例えば、液晶プロジェクタに使用される液晶パネルは、偏光板と液晶パネルが近接していることが多く、液晶パネルは偏光板から出される熱で影響を受け易い。通常の液晶パネル1500の耐熱温度保証値は、摂氏70度前後である。液晶パネル内にXドライバー1510とYドライバ電極1530などを形成している面と対抗する面に、水晶板1540を貼り付ける。液晶パネル1500に用いられる水晶板1540は、水晶板1540面内の蓄熱を分散させ、温度を全体的に下げる目的で使われる。なお、液晶パネル1500を構成するガラスを全てあるいはその一部を、水晶板1540に置き換えて使用することも可能である。 Next, the case where the crystal plate of Example 1 is used for a part of a liquid crystal panel will be described. FIG. 15 is a perspective view of a liquid crystal panel using a crystal plate 1540. The periphery of the polarizing plate is heated by light from the light source. For example, in a liquid crystal panel used for a liquid crystal projector, a polarizing plate and a liquid crystal panel are often close to each other, and the liquid crystal panel is easily affected by heat emitted from the polarizing plate. A normal liquid crystal panel 1500 has a guaranteed heat resistant temperature of around 70 degrees Celsius. A crystal plate 1540 is attached to a surface opposite to the surface on which the X driver 1510 and the Y driver electrode 1530 are formed in the liquid crystal panel. The crystal plate 1540 used in the liquid crystal panel 1500 is used for the purpose of dispersing heat storage in the surface of the crystal plate 1540 and lowering the temperature as a whole. Note that it is possible to replace all or part of the glass constituting the liquid crystal panel 1500 with the crystal plate 1540 for use.
次に、実施例1の水晶板を液晶パネル外装に使用した実施例を説明する。図16は水晶板を液晶パネル外装に使用した斜視図と断面図を示す。液晶パネル本体1620の光透過面の前後にそれぞれ無機ガラス1610、1615を配置する。更に光が入射される側の無機ガラス1610の前方に水晶板1600を配置する。そして、液晶パネル本体1620、無機ガラス1610、1615と水晶板1600の上下と両側面を外壁1630で覆う。また、水晶板1600と無機ガラス1610との間をグリス等で満たす。ここで使用するグリス等は、熱の伝導を抑えるために入れるので、熱伝導性が低いほうが好ましい。液晶パネル本体1620の前に無機ガラス1610を介して、水晶板1600を配置した場合、水晶板1600の熱分布を均一にして温度を下げる効果と無機ガラス1610は熱伝導率が低い為に、水晶板1600の熱が液晶パネル本体1610に伝わりにくく、液晶パネル本体1620に於ける温度上昇を抑える効果がある。 Next, an example in which the crystal plate of Example 1 is used for a liquid crystal panel exterior will be described. FIG. 16 shows a perspective view and a sectional view in which a crystal plate is used for a liquid crystal panel exterior. Inorganic glasses 1610 and 1615 are respectively arranged before and after the light transmission surface of the liquid crystal panel main body 1620. Further, a crystal plate 1600 is disposed in front of the inorganic glass 1610 on the side on which light is incident. Then, the upper and lower sides and both side surfaces of the liquid crystal panel main body 1620, the inorganic glasses 1610 and 1615, and the crystal plate 1600 are covered with the outer wall 1630. Further, the space between the quartz plate 1600 and the inorganic glass 1610 is filled with grease or the like. The grease or the like used here is added in order to suppress heat conduction, so that it is preferable that the thermal conductivity is low. When the crystal plate 1600 is disposed in front of the liquid crystal panel main body 1620 through the inorganic glass 1610, the crystal glass 1600 has a uniform heat distribution and lowers the temperature and the inorganic glass 1610 has a low thermal conductivity. The heat of the plate 1600 is not easily transmitted to the liquid crystal panel body 1610, and there is an effect of suppressing the temperature rise in the liquid crystal panel body 1620.
なお、全てあるいはその一部の無機ガラス1610、1615を、水晶板に置き換えても構わない。また、外壁1630に水晶板1600を使用しても構わない。 Note that all or some of the inorganic glasses 1610 and 1615 may be replaced with quartz plates. Further, a crystal plate 1600 may be used for the outer wall 1630.
次に、実施例1の水晶板を液晶プロジェクタに使用する場合について説明する。図17は、水晶板の斜視図及び側面図である。図18は、水晶板を支持台に取り付けた斜視図及び断面図である。図19は、水晶板を使用した液晶プロジェクタの光変調機の斜視図及び断面図である。 Next, the case where the crystal plate of Example 1 is used for a liquid crystal projector will be described. FIG. 17 is a perspective view and a side view of the quartz plate. FIG. 18 is a perspective view and a cross-sectional view of a crystal plate attached to a support base. FIG. 19 is a perspective view and a cross-sectional view of a light modulator of a liquid crystal projector using a crystal plate.
図17において、偏光板付き水晶単体1800は、水晶板1840の光透過面に一方に反射防止膜1830を形成する。さらに、反射防止膜1830の水晶板1840とは反対面に偏光板1810を取り付ける。また、水晶板1840の反射防止膜1830を形成した面と反対の面に、無反射コーティングを施すか或いは広角フィルム1820を貼り付ける。無反射コーティングを施したり或いは広角フィルム1820を貼るのは、迷光を防ぐためである。なお、無反射コーティング又は広角フィルム1820の代わりに、金属膜等で光学的遮蔽を行ってもよい。 In FIG. 17, a single crystal with polarization plate 1800 has an antireflection film 1830 formed on one side of a light transmission surface of a crystal plate 1840. Further, a polarizing plate 1810 is attached to the surface of the antireflection film 1830 opposite to the crystal plate 1840. Further, a non-reflective coating is applied or a wide-angle film 1820 is attached to the surface of the quartz plate 1840 opposite to the surface on which the antireflection film 1830 is formed. The reason for applying an antireflection coating or attaching a wide-angle film 1820 is to prevent stray light. Note that optical shielding may be performed with a metal film or the like instead of the non-reflective coating or the wide-angle film 1820.
次に、偏光板付き水晶単体1800を支持台1720、1725に取り付けて、偏光板付き水晶1700とする。偏光板付き水晶単体1800の4つの端面を支持台1720、1725で固定する。偏光板付き水晶単体1800の左右の端面を取り付ける支持台1720は、偏光板1810が取り付けられていない水晶板1840の部分を保持するための溝1722が設けられている。偏光板付き水晶単体1800は、溝1722された後、有機系の接着剤で固めて固定する。なお、有機系接着剤を使用するときは、有機系接着剤が一般的に熱伝導性に乏しい為、水晶板面内に分散した熱はファンによる送風で発散させるのが好ましい。ここで使用される水晶板1840は、高光透過性と高熱分散性、つまり高熱伝導率を有する面が偏光板を貼る面となるようにするのが好ましい。 Next, the crystal unit 1800 with a polarizing plate is attached to the support bases 1720 and 1725 to obtain a crystal 1700 with a polarizing plate. The four end faces of the crystal unit 1800 with a polarizing plate are fixed by support bases 1720 and 1725. The support base 1720 for attaching the left and right end faces of the crystal unit 1800 with a polarizing plate is provided with a groove 1722 for holding a portion of the crystal plate 1840 to which the polarizing plate 1810 is not attached. The crystal unit 1800 with a polarizing plate is grooved 1722 and then fixed and fixed with an organic adhesive. When using an organic adhesive, since the organic adhesive generally has poor thermal conductivity, it is preferable to dissipate the heat dispersed in the quartz plate surface by blowing with a fan. The quartz plate 1840 used here preferably has a surface having high light transmittance and high heat dispersibility, that is, a surface having high thermal conductivity, to be a surface on which a polarizing plate is attached.
また、偏光板付き水晶単体1800の上下の端面を保持する支持台1725は、偏光板付き水晶単体1800を保持する溝を設けていない。偏光板付き水晶単体1800と支持台1725は、有機系接着剤で接着される。このようにして、偏光板付き水晶単体1800の上下左右の端面が、支持台1720、1725に固定される。なお、支持台1720、1725に設ける溝は、支持台1720あるいは支持台1725のどちらに設けても構わないし、両方に設けてもかまない。更に、偏光板付き水晶単体1800と支持台1720、1725がきちんと固定されるならば、溝を設けなくても構わない。 Further, the support base 1725 that holds the upper and lower end faces of the crystal unit with polarization plate 1800 is not provided with a groove that holds the crystal unit with polarization plate 1800. The single crystal 1800 with a polarizing plate and the support base 1725 are bonded with an organic adhesive. In this way, the top, bottom, left, and right end surfaces of the single crystal with polarization plate 1800 are fixed to the support bases 1720 and 1725. In addition, the groove | channel provided in the support stands 1720 and 1725 may be provided in either the support stand 1720 or the support stand 1725, and may be provided in both. Further, if the quartz crystal with a polarizing plate 1800 and the support bases 1720 and 1725 are securely fixed, the groove may not be provided.
液晶プロジェクタの光変調機は、2つの偏光板付き水晶1700を使用する。2つの偏光板付き水晶1700は、液晶パネル1920の透過光側と透過光側にそれぞれ配置する。液晶パネル1920の透過光側に配置される偏光板付き水晶1700は、偏光板1810を透過光側に向ける。液晶パネル1920の透過光側に配置される偏光板付き水晶1700は、偏光板1810を透過光側に向ける。 The light modulator of the liquid crystal projector uses two crystal plates 1700 with polarizing plates. Two crystal plates 1700 with polarizing plates are arranged on the transmitted light side and transmitted light side of the liquid crystal panel 1920, respectively. The crystal 1700 with a polarizing plate disposed on the transmitted light side of the liquid crystal panel 1920 directs the polarizing plate 1810 to the transmitted light side. The crystal 1700 with a polarizing plate disposed on the transmitted light side of the liquid crystal panel 1920 directs the polarizing plate 1810 to the transmitted light side.
透過光が透過光側の偏光板付き水晶1700に入射されると、透過光が偏光板に均一に当たるので、均一的な発熱になる。また、液晶パネル1920を透過した光は、液晶パネル1920で光変調されるので、液晶パネル1920面内の画像情報に因って液晶パネル1920面内の偏光角度が変わる。この偏光角度により、透過光側の偏光板付き水晶1700で光が透過されないで遮蔽されると、この光が熱となる。つまり、透過光側の偏光板付き水晶1700における発熱は、光変調する画像に依って決まり、その発熱は面内で不均一である。 When the transmitted light is incident on the crystal 1700 with a polarizing plate on the transmitted light side, the transmitted light uniformly strikes the polarizing plate, so that uniform heat is generated. Further, since the light transmitted through the liquid crystal panel 1920 is optically modulated by the liquid crystal panel 1920, the polarization angle in the liquid crystal panel 1920 changes depending on the image information in the liquid crystal panel 1920. When light is blocked by this polarization angle without being transmitted by the polarizing crystal 1700 on the transmitted light side, this light becomes heat. In other words, the heat generation in the crystal 1700 with a polarizing plate on the transmitted light side is determined by the image to be light-modulated, and the heat generation is non-uniform in the plane.
偏光板1810は、有機フィルムの上に有機高分子化合物の鎖を長く伸ばした構造を持つ為、熱に弱い。発熱に因って偏光板1810全体または部分的に温度が上がると、偏光板が発熱に耐え切れずに性能が劣化してしまう。何れの場合も、偏光板付き水晶1700には、蓄熱した部分の熱を分散させ、蓄熱した部分の温度を下げる性能が求められる。 Since the polarizing plate 1810 has a structure in which an organic polymer compound chain is elongated on an organic film, it is vulnerable to heat. When the temperature of the polarizing plate 1810 rises entirely or partially due to heat generation, the polarizing plate cannot withstand heat generation and the performance deteriorates. In any case, the crystal 1700 with a polarizing plate is required to have a performance of dispersing the heat of the heat storage portion and lowering the temperature of the heat storage portion.
なお、透過光側の偏光板付き水晶1700で熱が遮蔽されるようであれば、透過光側には偏光板付き水晶1700を使用せずに、無機ガラスに偏光板1810を貼り付けたものを用いても構わないし、液晶パネル1920に直接偏光板1810を貼り付けても構わない。 If heat is shielded by the crystal 1700 with a polarizing plate on the transmitted light side, the polarizing plate 1810 is attached to inorganic glass without using the crystal 1700 with a polarizing plate on the transmitted light side. The polarizing plate 1810 may be attached directly to the liquid crystal panel 1920.
100 人工水晶
110 種結晶
1600、1840 水晶板
1810 偏光板
1500、1620、1920液晶パネル
100 Artificial crystal 110 Seed crystal 1600, 1840 Crystal plate 1810 Polarizing plate 1500, 1620, 1920 Liquid crystal panel
Claims (2)
前記水晶結晶の種結晶に垂直なX軸方向端面を探す工程と、
前記X軸方向端面を切削して平らにする工程と、
前記切削により平らになった面の結晶方位測定を行う工程と、
X軸方向成長部分を切り落とすか否かを判断し、切り落とすと判断した場合に前記X軸方向成長部分を切り落とす工程と、
前記種結晶の両側を切断し、前記種結晶を除去する工程と、
前記X軸方向成長部分を切り落とす工程により得られる、切り落とされた水晶結晶からZ軸を含む面となるように前記X軸に対して垂直に切断して水晶板を得る工程と、
を有する表示装置用水晶板の製造方法。 Preparing an artificially grown quartz crystal;
Searching for an end face in the X-axis direction perpendicular to the seed crystal of the quartz crystal;
Cutting and flattening the end surface in the X-axis direction;
Measuring the crystal orientation of the surface flattened by the cutting;
Determining whether to cut off the X-axis direction growth part, and cutting off the X-axis direction growth part when it is determined to cut off;
Cutting both sides of the seed crystal and removing the seed crystal;
A step of cutting the growth portion in the X-axis direction to obtain a crystal plate by cutting the cut crystal crystal perpendicularly to the X-axis so as to be a plane including the Z-axis from the cut crystal crystal;
A method for producing a crystal plate for a display device.
切断された水晶板を研磨する工程と、
前記研磨された水晶板に無反射コーティングを施す工程と、
を有する表示装置用水晶板の製造方法。 In addition to the method for manufacturing a crystal plate for a display device according to claim 1,
Polishing the cut quartz plate;
Applying an anti-reflective coating to the polished quartz plate;
A method for producing a crystal plate for a display device.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003430341A JP4500043B2 (en) | 2003-12-25 | 2003-12-25 | Manufacturing method of crystal plate for display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003430341A JP4500043B2 (en) | 2003-12-25 | 2003-12-25 | Manufacturing method of crystal plate for display device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005187258A JP2005187258A (en) | 2005-07-14 |
JP4500043B2 true JP4500043B2 (en) | 2010-07-14 |
Family
ID=34788744
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003430341A Expired - Fee Related JP4500043B2 (en) | 2003-12-25 | 2003-12-25 | Manufacturing method of crystal plate for display device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4500043B2 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5458545B2 (en) * | 2008-10-22 | 2014-04-02 | セイコーエプソン株式会社 | Method for manufacturing optical article |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000327492A (en) * | 1999-05-14 | 2000-11-28 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | Method for growing artificial quartz crystal and quartz crystal plate |
JP2002014419A (en) * | 2000-06-28 | 2002-01-18 | Seiko Epson Corp | Projector |
-
2003
- 2003-12-25 JP JP2003430341A patent/JP4500043B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000327492A (en) * | 1999-05-14 | 2000-11-28 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | Method for growing artificial quartz crystal and quartz crystal plate |
JP2002014419A (en) * | 2000-06-28 | 2002-01-18 | Seiko Epson Corp | Projector |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005187258A (en) | 2005-07-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6120974B2 (en) | Modified micro grinding process | |
JP4192482B2 (en) | Silicon wafer manufacturing method | |
CN103506910B (en) | Optical low-pass filter substrate processing technology | |
JP4748968B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor wafer | |
JP2010168262A (en) | Tabular optical glass and method for processing end face of tabular optical glass | |
JP3580311B1 (en) | Rectangular nitride semiconductor substrate with front and back identification | |
KR20010092732A (en) | Method of processing semiconductor wafers to build in back surface damage | |
JP5585269B2 (en) | Method for manufacturing glass substrate for magnetic recording medium | |
JP5911750B2 (en) | Wafer support and manufacturing method thereof | |
JP4500043B2 (en) | Manufacturing method of crystal plate for display device | |
JP3575601B2 (en) | Manufacturing method of glass for electronic optical parts | |
JP2010079948A (en) | Method of manufacturing glass substrate for magnetic disk | |
JPH10212134A (en) | Glass for electronic optical parts and its production | |
JP4858622B2 (en) | Method for manufacturing glass substrate for magnetic recording medium | |
JP2005099779A (en) | Quartz crystal plate and display device using it | |
JP5074845B2 (en) | Semiconductor wafer grinding method and semiconductor wafer processing method | |
JP3931332B2 (en) | Manufacturing method of optical filter and optical filter by the manufacturing method | |
JP7271875B2 (en) | Method for manufacturing oxide single crystal substrate | |
JP2004006997A (en) | Manufacturing method of silicon wafer | |
JP4578939B2 (en) | Manufacturing method of small glass products | |
JPH11333703A (en) | Polishing machine | |
US6443817B1 (en) | Method of finishing a silicon part | |
JP2004356657A (en) | Method of processing silicon wafer | |
JP2002022901A (en) | Thermal shield element and method for manufacturing the same | |
JP5792932B2 (en) | Glass substrate polishing method and glass substrate manufacturing method using the glass substrate polishing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060710 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081024 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081028 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081219 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20091105 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20091112 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091222 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100216 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100413 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100416 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130423 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140423 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |