JP4499178B2 - シリコン融液の汚染防止装置 - Google Patents
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Description
単結晶引き上げ装置10の炉体1の内部には、炉体1の内壁面の内側に配置され炉体内外の熱伝達を遮断する断熱材2と、多結晶シリコンのようなシリコン材料を保持しこのシリコン原料溶解後のシリコン融液を貯留するルツボ3と、ルツボ3を囲繞するように配置されルツボ3を介してシリコン材料を熱するヒータ4と、単結晶シリコン8の引き上げ経路を囲繞するようにルツボ3の上方に配置される熱遮蔽体5と、が設けられる。
また炉体1の上部に付着する塵が落下する場合もある。塵は熱遮蔽体5に落下し、熱遮蔽体5に沿って落ち、シリコン融液に落下する。
単結晶シリコンの引き上げ経路を囲繞する熱遮蔽体からシリコン融液への塵の落下を防止するシリコン融液の汚染防止装置において、
熱遮蔽体は、下方の開口よりも上方の開口が大きく、上方の開口と下方の開口の間にあって単結晶シリコンの引き上げ経路側に向く斜面を有し、この斜面に高低差が0.5〜10.0mm程度の凹凸を有すること
を特徴とする。
実施例1は冷却コイルの下端と熱遮蔽体の間隙を通過するガス流の制御に関し、実施例2、3は熱遮蔽体の形状に関する。
本実施形態では単結晶シリコン8の引き上げ経路と冷却コイル6と熱遮蔽体5の相対的な位置の調整を面積S1、S2という要素に基づいて行う。
単結晶シリコン引き上げ装置の炉体内上方からArガスを供給すると、Arガスは単結晶シリコン8の引き上げ経路に沿って下降する。図3で示されるように、面積比S2/S1が適当な値であると、冷却コイル6の下端6aと熱遮蔽体5の間隙を通過するガスの流速が小さくなる。冷却コイル6の下端6aと熱遮蔽体5の間隙を通過するArガスの流速が小さければArガスの進行方向の変化があっても流速の変化量は小さい。したがってArガスの進行方向の変化に起因する熱遮蔽体5からの塵の落下が抑制される。
熱遮蔽体55において、単結晶シリコン58側の表面55aは凹凸状である。凹凸の高低差は熱遮蔽体55の表面55aに沿って落ちる塵を留められる程度である。具体的には、0.5〜10.0mm程度である。
5、45、55 熱遮蔽体
6 冷却コイル
8 単結晶シリコン
10 単結晶引き上げ装置
60 コイル体
61 コイル補完部材
Claims (1)
- 単結晶シリコンの引き上げ経路を囲繞する熱遮蔽体からシリコン融液への塵の落下を防止するシリコン融液の汚染防止装置において、
熱遮蔽体は、下方の開口よりも上方の開口が大きく、上方の開口と下方の開口の間にあって単結晶シリコンの引き上げ経路側に向く斜面を有し、この斜面に高低差が0.5〜10.0mm程度の凹凸を有すること
を特徴とするシリコン融液の汚染防止装置。
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