JP4497116B2 - 信号発生回路 - Google Patents

Description

本発明は、位相変調信号を合成することにより平均レベルに比べてピークレベルが大きい信号を発生する信号発生回路に関する。

位相変調信号を合成して、任意の信号を生成するものとして、例えば、次の特許文献１の振幅位相変調回路がある。次に、特許文献１の技術を簡単に説明する。
特許第３４２７９５２号公報

図７は、上記の特許文献１における回路のブロック構成を示したものであり、伝送したいデータを入力して、変調信号を出力するものである。100は入力データ列、101は直並列変換器、102はメモリ、103は入力データを位相情報に変換する変換回路、104は位相変調回路、105はキャリア発生回路、106は位相情報、107は合成回路、108は位相変調信号、109は振幅位相変調信号である。また、位相情報106の値の時間変化、位相変調信号108の実時間波形、振幅位相変調信号109の実時間波形を示す。

以下に基本動作について説明する。
変換回路103は、入力データを２個の位相変調信号の位相情報に変換する回路であって、直並列変換器101とメモリ102から構成される。メモリ102には予め任意のシンボルを含む前後数データに対する位相変調信号の位相情報の関係を記憶しておく。入力データ100は直並列変換器101に逐次入力され、直並列変換器101の出力がメモリ102のアドレスとして入力され、メモリ102は２個の位相情報106を出力する。２個の位相変調回路104によりキャリア発生回路105のキャリアをそれぞれの位相情報106で位相変調し、２個の位相変調信号108が生成される。生成された２個の位相変調信号108は合成回路107によりアナログ加算されて合成され、最終出力として振幅位相変調信号109が生成される。

図８は、合成回路107において２個の位相変調信号108が振幅位相変調信号109に変換される原理を示したもので、シグナルスペースダイアグラムで表している。シグナルスペースダイアグラムは、中心のまわりの角度が変調信号の位相、中心からの距離が変調信号の振幅、ベクトルが変調信号の振幅と位相を表している。角度201と角度202は２個の位相変調信号S1＝E・sin(ωt+θ1)、S2＝E・sin(ωt+θ2)の時刻tにおける位相情報θ1とθ2であり、それぞれ２つのベクトル108の角度である。角度200は、入力データに対応する最終的な出力信号である振幅位相変調信号R＝ A・sin(ωt+θ0) の時刻tにおける角度θ0であり、ベクトル109の角度である。

ここで、前記メモリ102において、例えばA、θ0に対応する入力に対して、θ1、θ2を出力するとき、次の式（１）が成り立つように、θ1、θ2が決められている。
θ0=(θ1+θ2)／2、A= cos（θ1-θ0）+ cos（θ0-θ2） ・・・式（１）
図８のシグナルスペースダイアグラムでは、式（１）は次のことを表している。すなわち、θ0はθ1とθ2の平均値であり、また、振幅Aは、２つのベクトル108をベクトル601に射影したそれぞれ２つの長さcos（θ1-θ0）、cos（θ0-θ2）の和である。したがって、ベクトル109は２つのベクトル108の合成ベクトルに等しい。この関係がそれぞれの時刻に成立するので、式（１）を満たすように生成する位相変調信号S1とS2の合成は、振幅位相変調信号Rとなる。

このような従来の例のように、位相変調信号を合成する回路は、位相変調信号に変換して処理するので、素子のばらつきや、消費電力の点で有利であるが、平均レベルに比べてピークレベルが大きい信号を発生する場合に課題があるので、これについて説明する。

平均レベルに対してピークレベルの値が大きい信号の例として、OFDM信号（Orthogonal Frequency Division Multiplexing）がある。各周波数チャンネルのレベルが一致すると、瞬時的に大きなピークレベルが存在する。例えば、平均レベルに対してピークレベルはおよそ10dBほど大きい。

図５にOFDM信号の実時間波形の例を示し、図６にOFDM信号のレベルの確率密度と、実効値を示す。図５、図６のように、OFDM信号は、平均レベルに対し、ピークレベルが高く、かつ高いレベルの確率密度が低いことが分かる。

一般に信号を発生して送信する回路は、ピークレベルの高さに応じて、消費電力が大きくなる傾向がある。特に、線形なA級アンプを使用する場合、電力利用効率が低く、出力信号レベルを大きくすると消費電力が大きくなる。実効値に対してピークレベルが高いにもかかわらずピークレベルの存在確率が低いOFDM信号波形のような信号を忠実に生成するためには、非常に小さなレベル変動を忠実に生成しなければならない欠点があり、また、大きな出力レベルを必要とするので、A級アンプを利用すると、信号発生回路全体の電力利用効率が低くなる欠点があった。OFDM信号のような信号を、電力利用効率を高くしながら、大電力で送信を行う信号発生回路が必要であり、例えば、消費電力に制約の多い携帯機器においてOFDM信号を発生し送信する場合は特に問題となる。

一方、OFDM信号を1つの振幅位相変調信号とみなすと、前述の従来技術の例のように、２個の位相変調信号に変換し合成することによりOFDM信号を生成することが可能である。
このように位相変調信号に変換すれば、位相変調信号は振幅が一定でピークレベルが平均レベルに概して近いので、位相変調信号を取り扱う回路は、電力を有効利用できるという利点があるが、位相変調信号の振幅を１とすると、２個の位相変調信号の合成できる信号のピークレベルは２以下であるので、前述の従来技術では、振幅２以下のOFDM信号しか生成することができないという問題があった。

本発明は、位相変調信号を合成し、しかも、電力を有効利用でき、ピークレベルの高い信号を発生する回路を提供することを目的とする。
また、本発明は、消費電力を大きくできない携帯機器において、例えばOFDM信号のようにピークレベルの高い信号を発生または送信できる信号発生回路を提供することを目的とする。

このような課題を解決するため、本発明は、入力信号のレベルに応じて、変換する位相変調信号数を増減して任意変調信号を合成する手段を有する。
入力信号を、２以上の整数をｎとして、ｎ個の位相情報に変換する位相変換手段と、前記ｎ個の位相情報によりｎ個の位相変調信号をそれぞれ生成する位相変調手段と、前記ｎ個の位相変調信号を加算する合成手段を有する。

前記位相変換手段と前記位相変調手段と前記合成手段において、出力したい信号のレベル範囲をｎ以下の所定の数のレベル区間に分け、ピークレベルを含む前記レベル区間に出力したい信号レベルがある場合は、ｎ個の位相変調信号に変換し合成して任意変調信号を生成し、ピークレベルを含む前記レベル区間に出力したい信号レベルがない場合は、前記レベル区間それぞれに対してｍ（ｎ以下の整数）を対応させ、ｍ個の位相変調信号に変換し合成して任意変調信号を生成する手段を有する。

例えば、OFDM信号をひとつの振幅位相変調信号とみなして、位相変調信号に変換し合成する回路であって、OFDM信号レベルが特定の値以下の期間は、２個の位相変調信号に変換して合成し、OFDM信号レベルが特定の値以上の期間は、４個の位相変調信号に変換して合成することにより、OFDM信号を生成する手段を有する。

本発明は、OFDM信号のようなピークレベルの高い信号を生成する回路において、複数の位相変調信号を用いるので、位相変調信号は振幅レベルがほぼ一定でありピークレベルが平均レベルに概して近いために、電力を有効に利用できる利点がある。

特に、出力したい信号のレベルが、ピークレベルに近い場合は、例えば４個の位相変調信号に変換して合成し、レベルが低い場合は、例えば２個の位相変調信号に変換して合成するので、前述のように２個の位相変調信号に変換して合成する従来技術に比べて、電力を有効利用して、例えばOFDM信号のようなピークレベルの高い信号を生成することができる。

さらに、本発明は、位相変調信号を合成する数を多くすることができるので、ピークレベルの高い信号を発生でき、しかも、位相変調信号を合成する数を増減するので、駆動回路数をコントロールできる。すなわち、位相変調信号を合成する数が少なくて済む場合は、不要な回路の消費電力は低減するように構成できるため、信号発生回路全体の消費電力を低減することができる。例えば回路をCMOS素子で構成する場合は、CMOS素子ではゲート駆動時の消費電力と停止時の消費電力では２桁の差があり、各素子の駆動を止めれば、大幅な消費電力を低減できる。

このようにして、本発明によれば、電力の有効利用をはかりながら、高いピークレベルの信号を生成することができる。
さらに、携帯機器では消費電力を大きくできないため、ピークレベルの高いOFDM信号を携帯機器で利用することが難しかったが、本発明によれば、電力の有効利用等がはかれることから、OFDM信号を用いる携帯機器に応用することができる。

本発明を実施するための一形態を次に説明する。
図１に、本発明の信号発生回路のブロック構成の一形態を示す。501は出力したい信号に対応するデータの入力であり、例えばOFDMの各周波数チャネルで同時に変調されるべきシンボルのデータである。または、図示しないがアナログ入力信号をAD変換器などのサンプル量子化により得られたディジタル信号を用いてもよい。

502は入力データから位相情報へ変換するメモリであり、位相変換手段に対応する。503は前記位相情報で図示しないキャリア発生回路のキャリアを位相変調する位相変調回路である。504は位相変調信号である。505は合成回路であり、アナログ加算を行う。506は出力であり、携帯機器などにおいて無線送信する場合はアンテナを用いるが、有線で出力することも容易にできる。

図１の回路の動作は次のようになる。
[１]第一に、出力したい信号に対応するデータ501が入力される。図１の例ではOFDMのサブキャリアごとの各周波数チャンネルで同時に変調されるべきシンボルデータを並列に入力する。

[２]データ501をメモリ502のアドレスとし、メモリ502には４個の位相変調回路503に供給する位相情報を予め記憶しており、４個の位相情報が出力される。
メモリ502の内容は、例えばデータ501に対応するOFDM信号を、ひとつのセンター周波数に関する任意変調信号すなわち振幅位相変調信号B・sin(ωt+θ0)と見なす。この振幅位相変調信号のピークレベルはAとする。４個の位相変調信号に分解するために、次に述べる条件を満たす位相情報θ1、θ2、θ3、θ4を予め記憶しておく。

ここで、ピークレベルとは、レベルのゼロに対して信号レベルの絶対値が最大となるレベルのことをいうことにする（いわゆるZero to Peak）。
メモリ502は位相情報を出力し、位相情報を位相変調回路503に入力する。位相変調回路503は前記位相情報により位相変調信号504を生成し、合成回路505で４個の位相変調信号504をアナログ加算する。

[３]メモリ502は、入力が表す振幅位相変調信号のレベルがA/2以下の場合は、
B≦A/2、θ0＝(θ1+θ2)／2、B＝(A/4)cos(θ1−θ0)＋(A/4)cos(θ0−θ2)
・・・式（２）
の関係が成り立つ２個の位相情報θ1とθ2を生成する。位相変調回路503はθ1とθ2により、２個の位相変調信号
S1＝(A/4)・sin(ωt+θ1)、S2＝(A/4)・sin(ωt+θ2)
に変換して、合成回路505に出力する（S1、S2）。

[４]メモリ502は、入力が表す振幅位相変調信号のレベルがA/2以上A以下の場合は、
θ0＝θ1＝θ2 ・・・式（３）
の関係が成り立つ２個の位相情報θ1とθ2を生成する。位相変調回路503はθ1とθ2により、２個の位相変調信号
S1＝(A/4)・sin(ωt+θ1)、S2＝(A/4)・sin(ωt+θ2)
に変換し、さらに、
B≦A、θ0＝(θ3+θ4)／2、B＝(A/2)＋(A/4)cos(θ3−θ0)＋(A/4)cos(θ0−θ4)
・・・式（４）
の関係が成り立つ２個の位相情報θ3とθ4を生成する。位相変調回路503はθ3とθ4により、２個の位相変調信号
S3＝(A/4)・sin(ωt+θ3)、S4＝(A/4)・sin(ωt+θ4)
にさらに変換し、合計4個の位相変調信号を合成回路505に出力する（S1、S2、S3、S4）。

[５]合成回路505において、[３]のとき２個の位相変調信号S1〜S2、または[４]のとき４個の位相変調信号S1〜S4をアナログ加算の結果、振幅位相変調信号506が生成される。
例えばOFDM信号のレベルが低い場合、S1、S2だけを用いて信号を生成し、OFDM信号のレベルが高い場合S1、S2、S3、S4の４個の位相変調を用いて信号生成することになる。

ここで、[３]のように２個の位相変調信号S1、S2に分解すれば済む場合、S3とS4を取り扱う回路の消費電力は、[４]のように４個の位相変調信号S1〜S4に変換する場合に比べて、少なくなるように構成することができるので、全体の回路の消費電力が低減できる。例えばCMOS素子で回路を構成すれば消費電力を低減することができる。

図３は、４個の位相変調信号602、603が出力の振幅位相変調信号601に変換される原理を示したもので、シグナルスペースダイアグラムで表している。２つのベクトル602は、それぞれ位相変調信号S1、S2に対応し、それぞれの角度がθ1、θ2である。２つのベクトル603は、それぞれ位相変調信号S3、S4に対応し、それぞれの角度がθ3、θ4である。ベクトル601は振幅位相変調信号である出力506であり、角度はθ0である。

S1〜S4で合成する場合は、まず式（３）のようにθ0＝θ1＝θ2となる２つのベクトル602を合成したベクトルは、ベクトル603と等しい角度をもつ。これはS1＋S2という合成信号に相当し、それぞれの振幅がA/4であるから、S1＋S2の振幅はA/2である。図示の都合上、ベクトル601とベクトル602をずらして表示しているが、ベクトル601とベクトル602の角度は等しい。

またθ0＝(θ3+θ4)／2となる２つのベクトル603を合成したベクトルは、S3+S4という合成信号に相当するが、２つのベクトル603のそれぞれの角度の平均の角度を持つ。破線で示すのは、２つのベクトル603の合成であって、２つのベクトル603をベクトル601に直交する方向に射影した成分の和はゼロであるから、ベクトル601と等しい角度を持つ。また、２つのベクトル603をベクトル601に射影した長さの和(A/4)cos(θ3−θ0)＋(A/4)cos(θ4−θ0)を持つ。これに、式（４）のように、角度の等しい２つのベクトル602の長さの和A/2を加えると、ベクトル601になる。したがって、S1+S2+S3+S4という合成信号のベクトルの和はベクトル601であり、出力したい振幅位相変調信号である。

S1とS2だけで合成する場合は、図８と同様であって、合成信号ベクトルは、θ0＝(θ1＋θ2)／2となる角度を持ち、合成ベクトルに射影した長さの和(A/4)cos(θ1−θ0)＋(A/4)cos(θ0−θ2)となる長さを持つ。したがってS1+S2という合成信号が出力したい振幅位相変調信号である。

このような関係がそれぞれの時刻に成立するので、位相変調信号S1とS2の合成、または位相変調信号S1〜S4の合成は、振幅位相変調信号B・sin(ωt+θ0)となる。
ここで説明するベクトルの分解と合成の具体的は方法は、唯一の方法ではなく、一例について説明した。

図４は、図１の回路において、４個の位相変調信号と、最終的に発生されるOFDM信号を実時間波形で同時に示したものである。上の実時間波形が出力のOFDM信号であり、S1〜S4と時刻が対応する。レベルが低い期間はS1、S2のみで出力が合成され、レベルが高い期間は、S3とS4が生成されて、S1〜S4で出力が合成される。破線は合成する位相変調信号の数が切り替わる時刻である。

次に本発明の他の実施の一形態について説明する。
これまでの実施の一形態では、レベルによって、２個または４個の位相変調信号に変換して合成して振幅位相変調信号を生成した。

本発明の実施の一形態として、ｎを２以上の整数として、ｎ個の位相変調信号に変換して合成する回路を構成することができる。図２にこの実施の一形態の回路構成のブロック図に一例を示す。501は出力したい信号に対応するデータの入力、502は入力データからｎ個の位相情報に位相変換を行うメモリ、503は位相変調回路、504は位相変調信号、505は合成回路、506は出力である。

メモリ502の内容は、例えばデータ501に対応する信号を、ｎ個の位相変調信号に分解するために、特定の条件を満たすｎ個の位相情報θ1、〜θｎを予め記憶しておく。ｎ個の位相情報は、ｎ個の位相変調回路503に入力され、ｎ個の位相変調信号S1＝(A/n)・sin(ωt+θ1)、S2＝(A/n)・sin(ωt+θ2)、・・・Sn＝(A/n)・sin(ωt+θn)が出力され、ｎ個の位相変調信号は合成回路505で加算により合成されて出力信号B・sin(ωt+θ0)が得られる。

出力したい信号のレベル範囲をｎ以下の所定の数のレベル区間に分け、出力したい信号のレベルに応じて、変換する位相変調信号数をｎ個以下の範囲で増減する。出力したい信号のピークレベルAを含むレベル区間では、ｎ個の位相情報θ1、θ2、・・・θｎにより、ｎ個の位相変調信号S1＝(A/n)・sin(ωt+θ1)、S2＝(A/n)・sin(ωt+θ2)、・・・Sn＝(A/n)・sin(ωt+θn)に変換し、ｎ個の位相変調信号を加算により合成して出力を得る。このとき、ｎ個の位相情報は、
B＝(A/n)・cos(θ1−θ0)+ (A/n)・cos(θ2−θ0)+ ・・+ (A/n)・cos(θn−θ0)、
0＝sin(θ1−θ0)+ sin(θ2−θ0) +・・+ sin(θn−θ0)
・・・式（５）
の関係を満たすように変換される。これは、シグナルスペースダイアグラムにおいて、合成信号ベクトル方向へ位相変調信号ベクトルを射影した成分の和が、合成信号ベクトルの長さであり、また、合成信号ベクトルに直交する方向へ位相変調信号ベクトルを射影した成分の和がゼロであることを意味することは前述と同様である。

また、ピークレベルを含まないレベル区間では、ｎ以下であるｍ個の位相情報θ1、θ2、・・・θmに変換し、ｍ個の位相情報をｍ個の位相変調信号S1＝(A/n)・sin(ωt+θ1)、S2＝(A/n)・sin(ωt+θ2)、・・・Sm＝(A/n)・sin(ωt+θm)に変換し、ｍ個の位相変調信号を加算により合成して出力を得る。このとき、ｍ個の位相情報は、
B＝(A/n)・cos(θ1−θ0)+ (A/n)・cos(θ2−θ0)+ ・・+ (A/n)・cos(θm−θ0)、
0＝sin(θ1−θ0)+ sin(θ2−θ0) +・・+ sin(θm−θ0)
・・・式（６）
の関係を満たすように変換される。シグナルスペースダイアグラムにおいて、前述と同様の理由による。

また、それぞれのレベル区間に対して位相変調信号を合成する数を対応させる。例えば、ｎ=10の場合、10個の位相情報に変換するメモリ、10個の位相変調回路、10個の位相変調信号を合成する合成回路を有し、出力したい信号のピークレベルがAであるとき、レベル区間を５個に分ける。それぞれの位相変調信号の振幅はA/10であるとする。このとき、位相変調信号を合成する数を次のように対応させる。

出力したい信号のレベルが0〜A/5であるとき２個の位相変調信号を合成し、A/5〜2A/5であるとき４個の位相変調信号を合成し、2A/5〜3A/5であるとき６個の位相変調信号を合成し、3A/5〜4A/5であるとき８個の位相変調信号を合成し、4A/5〜Aであるとき１０個の位相変調信号を合成する、というようにそれぞれのレベル区間に対して位相変調信号を合成する数を対応させる。

このとき、例えば、前述と同様にして、２個の位相変調信号は、位相の平均値が出力したい信号の位相と等しくなるようにし、前記２個以外の位相変調信号は、出力したい信号と位相が等しくなるようにして合成してもよい。

ただし、位相変調信号を合成する場合、合成できるレベルに限りがあることに基づいて、レベル区間を定めて位相変調信号を合成する数を対応付けることは言うまでもない。
ｍ個またはｎ個の位相変調信号に変換する場合、対応する出力信号のレベル範囲と、それぞれの位相情報が満たす条件については、前述と同様にシグナルスペースダイアグラムを利用するなどして、設計を行うことができる。

細かいレベル範囲を多数設け、それぞれ適当な数の位相変調信号に変換し合成するように設計することができるので、電力の有効利用について、さらに最適化することができる。出力したい信号レベルの確率密度やピークレベルに応じて、位相変調信号の数それぞれについて検討し、最適となるｎなどを決めればよい。

このようにして、この実施の一形態において、ｎ個の位相変調信号を合成するので、出力可能なピークレベルが高くなり、位相変調信号を合成する数を必要に応じて増減するので、電力を有効利用できる。

本発明の実施の一形態による回路構成を示すブロック図である。 本発明の他の実施の一形態による回路構成を示すブロック図である。 本発明の実施の一形態において位相変調信号を合成して出力信号を得る原理を示すシグナルスペースダイアグラムである。 本発明の実施の一形態において位相変調信号と出力信号の実時間波形の一例を示す図である。 OFDM信号の実時間波形の一例を示す図である。 OFDM信号のレベルの確率密度を示す図である。 従来技術の回路構成を示すブロック図と各信号の時間波形である。 従来技術において位相変調信号を合成して出力信号を得る原理を示すシグナルスペースダイアグラムである。

符号の説明

100 入力データ
101 直並列変換回路
102 メモリ
103 変換回路
104 位相変調回路
105 キャリア発生回路
106 位相情報
107 合成回路
108 位相変調信号
109 振幅位相変調信号
200 角度
201 角度
501 入力データ
502 メモリ
503 位相変調回路
504 位相変調信号
601 振幅位相変調信号ベクトル
602 位相変調信号ベクトル
603 位相変調信号ベクトル

Claims (2)

1. 入力信号を位相変調信号に変換して合成することによりピークレベルAを持つ任意変調信号を生成する回路であって、
   ２以上の整数をｎとして、前記入力信号をｎ個の位相情報θ1、θ2、・・・θnに変換する位相変換手段と、前記ｎ個の位相情報によりｎ個の前記位相変調信号S1＝(A/n)・sin(ωt+θ1)、S2＝(A/n)・sin(ωt+θ2)、・・・Sn＝(A/n)・sin(ωt+θn)をそれぞれ生成する位相変調手段と、前記ｎ個の位相変調信号を加算する合成手段を有し、
   前記任意変調信号はB・sin(ωt+θ0)であって、前記任意変調信号のレベルの範囲をｎ以下の所定の数のレベル区間に分け、
   前記レベル区間のうち前記ピークレベルAを含むレベル区間に前記任意変調信号のレベルがある場合は、前記位相変換手段のｎ個の位相情報θ1、θ2、・・・θnは、
   B＝(A/n)・cos(θ1−θ0)+ (A/n)・cos(θ2−θ0)+ ・・+ (A/n)・cos(θn−θ0)、
   0＝sin(θ1−θ0)+ sin(θ2−θ0) +・・+ sin(θn−θ0)
   の関係を満たすように変換され、前記位相変調手段は前記ｎ個の位相情報によりｎ個の位相変調信号を生成し、前記合成手段は前記ｎ個の位相変調信号を加算して前記任意変調信号を生成し、
   前記任意変調信号のレベルが前記ピークレベルAを含むレベル区間にない場合は、ｎ以下である整数をｍとして、前記位相変換手段はｍ個の位相情報θ1、θ2、・・・θmに変換し、前記ｍ個の位相情報は、
   B＝(A/n)・cos(θ1−θ0)+ (A/n)・cos(θ2−θ0)+ ・・+ (A/n)・cos(θm−θ0)、
   0＝sin(θ1−θ0)+ sin(θ2−θ0) +・・+ sin(θm−θ0)
   の関係を満たすように変換され、前記位相変調手段は前記ｍ個の位相情報によりｍ個の位相変調信号を生成し、前記合成手段は前記ｍ個の位相変調信号を加算して前記任意変調信号を生成し、
   前記レベル区間それぞれに対して前記位相変調信号を合成する数が対応するようにして前記任意変調信号を生成することを特徴とする信号発生回路。
2. 前記ｎは４であり、前記任意変調信号はB・sin(ωt+θ0)であって、前記任意変調信号のレベルの範囲を２個のレベル区間に分け、
   第１のレベル区間は、ピークレベルAを含むA/2以上A以下のレベル区間とし、前記任意変調信号のレベルが前記第１のレベル区間にある場合は、
   θ0＝θ1＝θ2
   の関係を満たす２個の位相情報θ1とθ2を前記位相変換手段は生成し、前記位相変調手段は位相変調信号S1＝(A/4)・sin(ωt+θ1)、S2＝(A/4)・sin(ωt+θ2)を生成し、さらに、前記位相変換手段は、
   B≦A、θ0＝(θ3+θ4)／2、B＝(A/2)＋(A/4)cos(θ3−θ0)＋(A/4)cos(θ0−θ4)
   の関係を満たす２個の位相情報θ3とθ4を生成し、前記位相変調手段は位相変調信号S3＝(A/4)・sin(ωt+θ3)、S4＝(A/4)・sin(ωt+θ4) を生成し、前記4個の前記位相変調信号S1、S2、S3、S4を前記合成手段でアナログ加算することにより前記任意変調信号を生成し、
   第２のレベル区間は、前記ピークレベルAを含まないA/2以下のレベル区間とし、前記任意変調信号のレベルが前記第２のレベル区間にある場合は、
   B≦A/2、θ0＝(θ1+θ2)／2、B＝(A/4)cos(θ1−θ0)＋(A/4)cos(θ0−θ2)
   の関係を満たす２個の位相情報θ1とθ2を前記位相変換手段は生成し、前記位相変調手段は位相変調信号S1＝(A/4)・sin(ωt+θ1)、S2＝(A/4)・sin(ωt+θ2)を生成し、前記合成手段でS1とS2をアナログ加算することにより前記任意変調信号を生成する
   ことを特徴とする請求項１記載の信号発生回路。