JP4488693B2 - 半導体交流スイッチ装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、自己消弧型半導体素子を使用した半導体交流スイッチ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の半導体交流スイッチ装置においては、ダイオードが逆並列接続された自己消弧素子型半導体素子を交流母線の各相に同一方向に接続してなる半導体交流スイッチ装置において、前記各自己消弧素子型半導体素子のそれぞれに有極性のスナバ回路を設けるともに前記各自己消弧素子型半導体素子に共通のクランプスナバ回路を設けたものが示されている(例えば、特許文献1参照)。
【0003】
【特許文献1】
特開平5−15143号公報(第3頁、図4)
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
従来の半導体交流スイッチは以上のように構成されているので、半導体交流スイッチ装置をオフする場合に半導体交流スイッチ装置の電流が有極性のスナバ回路に転流して有極性のスナバ回路の電圧が0から上昇し、クランプスナバ回路の電圧に達するまで流れ続けるので半導体交流スイッチ装置の電流遮断時間は遮断電流が小さいほど長くなり、また交流母線の電圧が高電圧のために半導体交流スイッチが多数個の自己消弧素子型半導体素子を直列接続して構成されるような場合には、素子電圧の分担を均一化するために各自己消弧素子型半導体素子毎に有極性のスナバ回路を設けなければならず、さらに遮断電流が大きい場合には有極性のスナバ回路は大型になり、半導体交流スイッチ装置の寸法が大きくなるなどの問題点があった。
【0005】
この発明は、前記のような課題を解決するためになされたものであり、電流遮断時間を短縮して高速に遮断できるとともに、小型にできる半導体交流スイッチ装置を得ることを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る半導体交流スイッチ装置では、ダイオードとコンデンサとダイオードの直列体でなるクランプスナバを自己消弧素子型半導体素子の直列接続体に各相ごとに並列接続するとともに前記各相のクランプスナバのコンデンサを共通に並列接続し前記自己消弧素子型半導体素子毎に抵抗とコンデンサの直列体を並列接続し、前記自己消弧素子型半導体素子毎に接続されるゲート回路にターンオフ時のスイッチングサージを抑制するサージ抑制手段を備え、前記クランプスナバのコンデンサを前記交流母線の電圧ピーク値以上に充電する充電手段を設けて、前記抵抗とコンデンサの直列体の電流が前記自己消弧素子型半導体素子の漏れ電流値以上になるように前記抵抗とコンデンサの直列体の定数を設定したものである。
【0007】
【発明の実施の形態】
実施の形態1.
この発明による実施の形態1を図1に基づいて説明する。図1は実施の形態1における半導体交流スイッチ装置の主回路の構成を示す回路図である。
【0008】
図1において、直列接続構成の自己消弧素子型半導体素子11aと12a、11bと12b、11cと12cは、3相交流母線a、b、cに各々接続されている。
直列接続構成のダイオード21aと22a、21bと22b、21cと22cは、この自己消弧素子型半導体素子11aと12a、11bと12b、11cと12cに各々逆並列接続されている。
そして、自己消弧素子型半導体素子11a、12a、11b、12b、11c、12cのゲート回路31a、32a、31b、32b、31c、32cが設けられるとともに、自己消弧素子型半導体素子11a、12a、11b、12b、11c、12cの並列スナバ41aと51a、42aと52a、41bと51b、42bと52b、41cと51c、42cと52c、および、自己消弧素子型半導体素子11aと12a、11bと12b、11cと12cのクランプスナバ61aと7aと62b、61bと7bと62b、61cと7cと62cが設けられている。
充電回路8は、このクランプスナバコンデンサ7a、7b、7cの並列接続点PC、NC間に接続されている。
【0009】
次に、動作について説明する。
前記自己消弧素子型半導体素子11a、12a、11b、12b、11c、12cは電圧駆動型の自己消弧素子型半導体素子(例えばSiやSiC基板のIGBT、MOSFET)であり、ここではIGBTを使用した場合について図示している。前記自己消弧素子型半導体素子11a、12a、11b、12b、11c、12cの並列スナバ41aと51a、42aと52a、41bと51b、42bと52b、41cと51c、42cと52cは両極性スナバでコンデンサと抵抗の直列体であり、前記自己消弧素子型半導体素子11a、12a、11b、12b、11c、12cをオフした後に印加される交流電源電圧に対してそれぞれ直列接続構成の前記自己消弧素子型半導体素子11aと12a、11bと12b、11cと12cの電圧分担を均一化するように動作する。
すなわち、前記自己消弧素子型半導体素子11a、12a、11b、12b、11c、12cの漏れ電流特性値(一般に数mA)以上の電流が前記並列スナバに流れるようにスナバコンデンサ容量を設定すればよいので、小型にできる。
【0010】
前記クランプスナバコンデンサ7a、7b、7cはそれぞれ前記自己消弧素子型半導体素子11aと12a、11bと12b、11cと12cに近接して配置されように各相a、b、c毎に分散される。
すなわち、例えば前記自己消弧素子型半導体素子11aと12aをオフすると、前記自己消弧素子型半導体素子11aと12aの電流は前記クランプスナバコンデンサ7aに第1のクランプスナバダイオード61aと第2のクランプスナバダイオード62aを介して転流するが、この転流ループの配線インダクタンスを低減することにより、ターンオフ時に前記自己消弧素子型半導体素子11aと12aの両端に発生するスイッチングサージ電圧を抑制する。
【0011】
なお、前記クランプスナバコンデンサ7a、7b、7cは前記充電回路8の充電変圧器81と充電用整流器82により、交流電源電圧のピーク値以上の電圧レベルに充電され、前記自己消弧素子型半導体素子11aと12a、11bと12b、11cと12cがオフした後の前記クランプスナバコンデンサ7a、7b、7cの転流電流を速やかに減衰させるように動作する。前記ゲート回路31a、32a、31b、32b、31c、32cは同じ構成のものであり、ゲート信号GSに基いて前記自己消弧素子型半導体素子11a、12a、11b、12b、11c、12cをオン、オフする通常動作以外にターンオフ時に発生するの電圧分担を均一にする動作をする。
すなわち、例えば前記ゲート回路31aにおいて、第1のゲート増幅器310はゲート信号GSに基いて前記自己消弧素子型半導体素子11aをオン、オフする。
パルス発生器311はゲート信号GSがオンからオフに切り替わった時刻に所定時間幅のパルス信号を発生する。
前記自己消弧素子型半導体素子11aの過電圧検出器312は、スイッチングサージ電圧が発生したときに過電圧レベルを超えたことを判別する。
AND回路313は、この過電圧検出器312の過電圧レベル判別信号と前記パルス発生器311のパルス信号のAND動作を行う。
第2のゲート増幅器314は、このAND回路313の出力信号に基いて前記自己消弧素子型半導体素子11aのゲート電圧をスレッショルド電圧(IGBTがオフからオンに切り替わるゲート電圧)レベル付近まで高速に上昇させ、過大なスイッチングサージ電圧の印加を抑制して直列接続素子間の電圧分担を均一化する。
【0012】
なお、前記実施の形態1では交流電源電圧のピーク値以上に充電されたクランプスナバを各相に分散して各相の自己消弧素子型半導体素子に近接配置することによりスイッチングサージ電圧を抑制するとともに転流電流を高速に減衰することができ、またゲート回路に過大なスイッチングサージ電圧の印加を抑制する手段を設けることにより直列接続構成の自己消弧素子型半導体素子間のスイッチングサージ電圧分担を均一化することができ、また小容量の並列スナバを設けることによりオフ状態での直列接続構成の自己消弧素子型半導体素子間の交流電源電圧分担を均一化することができ、小型で信頼性が高く、高速動作の半導体交流スイノッチ装置を得ることができる。
なお、自己消弧素子型半導体素子が2個直列接続されたものを簡単のために示したが、3個以上の直列接続されたものであってもよい。
【0013】
この発明による実施の形態1によれば、ダイオード21a,22a、21b,22b、21c,22cが逆並列接続された自己消弧素子型半導体素子11a,12a、11b,12b、11c,12cの直列接続体が交流母線の各相に同一方向に接続してなる半導体交流スイッチ装置において、ダイオード61a,61b,61cとコンデンサ7a,7b,7cとダイオード62a,62b,62cの直列体で構成されるクランプスナバ6a1,7a,62a、61b,7b,62b、61c,7c,62cを自己消弧素子型半導体素子11a,12a、11b,12b、11c,12cの直列接続体に各相ごとに並列接続するとともに前記各相のクランプスナバのコンデンサ7a,7b,7cを共通に並列接続し前記自己消弧素子型半導体素子毎に抵抗51a〜c,52a〜cとコンデンサ41a〜c,42a〜cの直列体を並列接続し、前記自己消弧素子型半導体素子毎に接続されるゲート回路31a〜c,32a〜cにターンオフ時のスイッチングサージを抑制する過電圧検出器312、AND回路313およびゲート増幅器314からなるサージ抑制手段を備え、前記クランプスナバのコンデンサ7a,7b,7cを前記交流母線の電圧ピーク値以上に充電する充電回路8からなる充電手段を設けて、前記抵抗51a〜c,52a〜cとコンデンサ41a〜c,42a〜cの直列体の電流が前記自己消弧素子型半導体素子の漏れ電流値以上になるように前記抵抗51a〜c,52a〜cとコンデンサ41a〜c,42a〜cの直列体の定数を設定したので、電流遮断時間を短縮して高速に遮断できるとともに、小型にできる半導体交流スイッチ装置を得ることができる。
【0014】
実施の形態2.
この発明による実施の形態2を図2に基づいて説明する。図2は実施の形態2における半導体交流スイッチ装置の主回路の構成を示す回路図である。
この実施の形態2において、ここで説明する特有の構成以外の構成については、先に説明した実施の形態1と同様の構成内容を具備し、同様の作用を奏するものである。図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
【0015】
前記実施の形態1では、直列接続された半導体素子の過電圧印加を抑制して電圧分担を均一化する手段等について述べたが、高電圧の交流半導体スイッチ装置を小型化する場合に前記ゲート回路31a、32a、31b、32b、31c、32cへゲート電力を供給する手段の小型も必要である。
【0016】
図2において、a〜c相の絶縁トランス9a〜9cであって、低圧回路の高周波電源9の出力に共通に接続される。
ゲートトランス91a〜94a、91b〜94b、91c〜94cは、それぞれa〜c相の4個直列接続された自己消弧素子型半導体素子11a〜14a、11b〜14b、11c〜14cにゲート回路31a〜34a、31b〜34b、31c〜34cを介してゲート電力を給電する。
このゲートトランス92aと93aは前記絶縁トランス9aに共通に接続され、ゲートトランス91aと94aはそれぞれゲートトランス92aと93aの出力に直列接続される。
b相およびc相のゲートトランス91b〜94bおよび91c〜94cもそれぞれ前記絶縁トランス9bおよび9cにa相と同様に接続される。
【0017】
低圧回路と高圧回路間の絶縁を前記絶縁トランス9a〜9cに持たせることにより、前記ゲートトランス91a〜94a、91b〜94b、91c〜94cは前記自己消弧素子型半導体素子11a〜14a、11b〜14b、11c〜14cの1素子分の絶縁耐圧を持たせるだけでよい。
【0018】
また、前記ゲートトランス92aおよび93aはそれぞれ前記自己消弧素子型半導体素子11aと12a、13aと14aのゲート電力を供給するので、素子2個分の容量が必要になるが、電圧型駆動の自己消弧素子型半導体素子はゲート電力が小さいことが特長であるので容量は小さくてよく、高電圧の絶縁を必要としないことから、前記ゲートトランス91a〜94a、91b〜94b、91c〜94cを小型化できる。
【0019】
なお、図2では偶数個の直列接続構成例として、4個直列接続された自己消弧素子型半導体素子の2個直列素子毎の2群に分割して、ゲートトランスを接続構成したものを示したが、自己消弧素子型半導体素子の直列接続数が奇数個であってもよく、例えば5個直列接続された自己消弧素子型半導体素子の場合には2個直列素子と3個直列素子の2群に分割対応させてゲートトランスを接続構成すればよい。
【0020】
この発明による実施の形態2によれば、前述した実施の形態1における構成にいて、前記自己消弧素子型半導体素子11a〜14a、11b〜14b、11c〜14cの直列接続体を2分割し、その中間素子側から順番にゲートトランス9a〜9c、91a,92a,93a,94a、91b,92b,93b,94b、91c,92c,93c,94cを直列接続して前記自己消弧素子型半導体素子の前記ゲート回路にゲート9a〜9cから92a〜c,93a〜c、91a〜c,94a〜cへと展開してゲート電力を供給するようにしたので、電流遮断時間を短縮して高速に遮断できるとともに、ゲートトランスを含め全体を小型にできる半導体交流スイッチ装置を得ることができる。
【0021】
実施の形態3.
この発明による実施の形態3を図3に基づいて説明する。図3は実施の形態3における半導体交流スイッチ装置の主回路の構成を示す回路図である。
この実施の形態3において、ここで説明する特有の構成以外の構成については、先に説明した実施の形態1または実施の形態2と同様の構成内容を具備し、同様の作用を奏するものである。図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
【0022】
前記実施の形態1では、直列接続された半導体素子の過電圧印加を抑制して電圧分担を均一化する手段等について述べたが、この実施の形態3では、外雷サージなどによる大地絶縁保護手段を図3に示す。
【0023】
図において、クランプコンデサ71a、72a、71b,72b,71c,72cは、図1のクランプスナバコンデンサ7a、7b、7cをそれぞれ2群に分割して直列接続され、各中間接続点CCは共通に接続される。
アレスタ100は、前記クランプコンデサ71a、72a、71b,72b,71c,72cの中間接続点CCと大地(アース)間に接続される。
【0024】
各母線a〜cと大地間に発生した外雷サージは前記クランプコンデサ71a、72a、71b,72b,71c,72cを介して前記アレスタ100に流れるように構成したので、構造を簡略化でき、経済的に優れた装置を得ることができる。
【0025】
この発明による実施の形態3によれば、実施の形態1または実施の形態2においける構成において、前記クランプスナバのコンデンサを2分割に直列接続してその中間接続点CCと大地間にアレスタ100を接続したので、電流遮断時間を短縮して高速に遮断できるとともに、構造を簡略化できる半導体交流スイッチ装置を得ることができる。
【0026】
実施の形態4.
この発明による実施の形態4を図4に基づいて説明する。図4は実施の形態4における半導体交流スイッチ装置の主回路の構成を示す回路図である。
この実施の形態4において、ここで説明する特有の構成以外の構成については、先に説明した実施の形態1ないし実施の形態3のいずれかと同様の構成内容を具備し、同様の作用を奏するものである。図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
【0027】
前記実施の形態1では、直列接続された半導体素子の過電圧印加を抑制して電圧分担を均一化する手段等について述べたが、この実施の形態4では、装置内部で地絡した場合の検出手段を図4に示す。
図において、抵抗器101は、クランプコンデサ71a、72a、71b、72b、71c、72cの中間接続点CCと大地(アース)間に接続される。
電圧検出器102P、102Nは、それぞれ前記クランプコンデサ71a、72a、71b、72b、71c、72cの並列接続点PCと中間接続点CC、並列接続点NCと中間接続点CC間に接続される。
過電圧検出器103P、103Nは、それぞれこの電圧検出器102P、102Nに接続される。
【0028】
例えば、a相の自己消弧型半導体素子12aと13aの中間接続点a”で地絡が発生した場合には、図示破線で示すように前記抵抗器101を通る経路で地終電流が流れて、前記並列接続点PCと中間接続点CC間の電圧が上昇し、前記過電圧検出器103Pにより地絡が検出される。
以上のように地絡検出手段を構成したので、地絡検出の精度を向上でき、また経済的に優れた装置を得ることができる。
【0029】
この発明による実施の形態4によれば、実施の形態1ないし実施の形態3のいずれかの構成において、前記クランプスナバのコンデンサを2分割して直列接続し、その中間接続点CCと大地間に抵抗器101を接続し、前記2分割された前記クランプスナバのコンデンサの両端電圧を検出する電圧検出器102P,102Nおよび過電圧検出器103P,103Nからなる電圧検出手段を備え、前記電圧検出器102P,102Nおよび過電圧検出器103P,103Nからなる電圧検出手段により地絡事故を検出するようにしたので、電流遮断時間を短縮して高速に遮断できるとともに、小型にでき、しかも、地絡検出の精度を向上できる半導体交流スイッチ装置を得ることができる。
【0030】
実施の形態5.
この発明による実施の形態5を図5に基づいて説明する。図5は実施の形態5における半導体交流スイッチ装置の構造を示す正面図である。
この実施の形態5において、ここで説明する特有の構成以外の構成については、先に説明した実施の形態1ないし実施の形態4のいずれかと同様の構成内容を具備し、同様の作用を奏するものである。図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
【0031】
前記実施の形態1〜4では、交流半導体スイッチ装置の主回路構成について述べたが、この実施の形態5では、交流半導体スイッチ装置の構造の正面図を図5に示す。
【0032】
図において、自己消弧素子型半導体モジュール111a〜114a、111b〜114b、111c〜114cは、図3に示すような主回路構成の自己消弧素子型半導体素子と逆並列ダイオード(例えば11aと21a)の各チップが同じパッケージに収納されている。
交流半導体ユニット121a、122a、121b、122b、121c、122cは、この自己消弧素子型半導体素子モジュールとクランプスナバダイオード(例えば111a、112a、61a)で構成される。
【0033】
前記実施の形態1で述べたように、自己消弧素子型半導体素子とクランプスナバの転流ループのインダクタンスを低減できる構造を実現するために、例えばa相の交流半導体ユニット121aにおいて自己消弧素子型半導体モジュール111aと112aは横並びに配置され、母線aから順番に直列接続されて中間点a”に至る。一方、第1のクランプスナバダイオード61aは前記自己消弧素子型半導体モジュール111aと112aに近接配置され、この交流半導体ユニット121aの横に近接して分散配置されたクランプスナバコンデンサ71aと母線a間に接続される。a相のもう片方の交流半導体ユニット122aにおいて自己消弧素子型半導体モジュール113aと114aは横並びに配置され、中間点a”から順番に直列接続されて母線a’に至る。
【0034】
一方、第2のクランプスナバダイオード62aは前記自己消弧素子型半導体モジュール113aと114aに近接配置され、この交流半導体ユニット122aの横に分散して近接配置されたクランプスナバコンデンサ72aと母線a,間に接続されて、各クランプスナバコンデンサ71aと72aの中間接続点CCが共通に接続される。b相およびc相も同様に接続構成され、a、b、c相の各交流半導体ユニットおよびクランプスナバコンデンサを上下方向に6段に積み上げて構成する。
【0035】
以上のように、交流半導体ユニットとクランプスナバコンデンサを各相2分割して配置したので、転流インダクタンスを低減できるとともに構造を簡略化でき、経済的に優れた装置を得ることができる。
【0036】
なお、自己消弧素子型半導体モジュールが4個直列接続されたものを示したが、2個以上の直列接続されたものであってもよく、また奇数個の直列接続の場合には、例えば5個直列接続の場合には前記クランプスナバのコンデンサを2分割にトをそれぞれ自己消弧素子型半導体モジユールが3個および2個の直列体の2群で構成したものであってもよい。
【0037】
この発明による実施の形態5によれば、実施の形態1から実施の形態4までのいずれかの構成において、2分割された前記自己消弧素子型半導体素子の直列接続体の片方と、前記第1および第2のクランプスナバグイオードの片方を交流半導体ユニットとして構成し、この交流半導体ユニットを前記自己消弧素子型半導体素子とその逆並列ダイオードと一体化されてなる自己消弧素子型半導体モジュールを横方向に配置して順番に直列接続するとともに前記前記第1および第2のクランプスナバダイオードの片方をこの自己消弧素子型半導体モジユールに近接配置した構造とし、2分割された前記クランプスナバのコンデンサの片方を前記交流半導体ユニットの横に近接配置し、もう片方の前記交流半導体ユニットと前記前記クランプスナバのコンデンサを上下方向の位置に配置して1相分を構成し、前記交流半導体ユニットと前記前記クランプスナバのコンデンサを上下方向に全体で6段に積み上げた構造で3相分を構成したので、電流遮断時間を短縮して高速に遮断できるとともに、小型にでき、しかも、転流インダクタンスを低減できる半導体交流スイッチ装置を得ることができる。
【0038】
実施の形態6.
この発明による実施の形態6を図6に基づいて説明する。図6は実施の形態6における半導体交流スイッチ装置の構造を示すものであって、図6(a)は平面図を示し、図6(b)は正面図を示し、図6(c)は裏面図を示している。
この実施の形態6において、ここで説明する特有の構成以外の構成については、先に説明した実施の形態5と同様の構成内容を具備し、同様の作用を奏するものである。図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
【0039】
前記実施の形態5ではa、b、c相の各交流半導体ユニットおよびクランプスナバコンデンサを上下方向に6段に積み上げて構成する場合について示したが、図6に示すようにa、b、c相の各交流半導体ユニットを前面と裏面に配置して3段積み上げで構成したものであってもよく、前記実施の形態5と同様に転流インダクタンスの低減効果を示す。
【0040】
図において、母線a、b、cに接続される交流半導体ユニット121a、121b、121cを裏面側に上下方向に3段積み上げで構成し、母線a’、b’、c’に接続される交流半導体ユニット122a、122b、122cを正面側に上下方向に3段積み上げで構成する。
【0041】
以上のように構成したので、自己消弧素子型半導体モジュールとクランプスナバダイオードに流れる電流の向きが同じになり、交流半導体ユニットを1種類にすることができるので、構造を簡略化でき、経済的に優れた装置を得ることができる。
【0042】
この発明による実施の形態6によれば、実施の形態1から実施の形態4までのいずれかの構成において、1相分の前記交流半導体ユニットを前面と裏面に背中合わせして配置し、1相分の2分割された前記クランプスナバのコンデンサを前面と裏面に背中合わせして前記各交流半導体ユニットの横に配置してこの交流半導体ユニットとクランプスナバのコンデンサを上下方向に3段に積み上げた構造で3相分を構成したので、電流遮断時間を短縮して高速に遮断できるとともに、構造を簡略化できる半導体交流スイッチ装置を得ることができる。
【0043】
実施の形態7.
この発明による実施の形態7を図7に基づいて説明する。図7は実施の形態7における半導体交流スイッチ装置の構造を示す正面図である。
この実施の形態7において、ここで説明する特有の構成以外の構成については、先に説明した実施の形態5または実施の形態6と同様の構成内容を具備し、同様の作用を奏するものである。図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
【0044】
前記実施の形態5および6では各交流半導体ユニットが1並列接続されたものを示したが、図7に示すように各交流半導体ユニットが2個並列接続構成されたものであってもよく、前記実施の形態5および6と同様に転流インダクタンスの低減効果を示す。
【0045】
図において、交流半導体ユニット122a’、122b’、122c’は、それぞれ交流半導体ユニット122a、122b、122cと並列接続されて6段に積み上げで構成される。
図示していないが、裏面側は図6から類推されるようにもう片方の各交流半導体ユニット121a、121b、121cと並列接続される交流半導体ユニット121a’、121b’,121c’が6段に積み上げで構成される。
なお、2並列接続の交流半導体ユニット間の分流を均一化するために各相の交流半導体ユニットの中間接続点は例えば、a相では交流半導体ユニット121aと122aの中間接続点a”と並列接続される交流半導体ユニット121a’と122a’の中間接続点a''' は接続しない。
【0046】
以上のように構成したので、自己消弧素子型半導体モジュールとクランプスナバダイオードに流れる電流の向きが同じになり、交流半導体ユニットを1種類にすることができるので、構造を簡略化でき、経済的に優れた装置を得ることができる。
【0047】
この発明による実施の形態7によれば、前記交流半導体素子スイッチが2セット並列接続される半導体交流スイッチ装置において、1セット1相分の前記交流半導体ユニットを前面と裏面に背中合わせして配置し、1セット1相分の2分割された前記クランプスナバのコンデンサを前面と裏面に背中合わせして前記各交流半導体ユニットの横に配置し、その下側にもう1セット1相分の前記交流半導体ユニットと1セット1相分の2分割された前記クランプスナバのコンデンサを配置して、前記交流半導体ユニットと前記前記クランプスナバのコンデンサを上下方向に全体で6段に積み上げた構造で2セット3相分を構成したので、電流遮断時間を短縮して高速に遮断できるとともに、構造を簡略化できる半導体交流スイッチ装置を得ることができる。
【0048】
実施の形態8.
この発明による実施の形態8を図8に基づいて説明する。図8は実施の形態8における半導体交流スイッチ装置の構造を示すものであって、図8(a)は平面図を示し、図8(b)は正面図を示している。
この実施の形態8において、ここで説明する特有の構成以外の構成については、先に説明した実施の形態7と同様の構成内容を具備し、同様の作用を奏するものである。図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
【0049】
前記実施の形態7では各交流半導体ユニットが2並列接続され、正面側と裏面側にそれぞれ6段に積み上げで構成されたものを示したが、図8に示すように各交流半導体ユニットが正面側と裏面側に3段に積み上げたものを横並びに配置して2並列接続構成されたものであってよく、前記実施の形態5〜7と同様に転流インダクタンスの低減効果を示す。
【0050】
図において、正面側と裏面側に分離して2並列接続構成された各交流半導体ユニットを配置するとともにクランプスナバコンデンサを中央部に集中配置している。すなわち、正面側配置の各交流半導体ユニット121a、122a、121b、122b、121c、122cは各相毎に3段に積み上げられ、クランプスナバコンデンサ71a、72a、71b、72b、71c、72cを挟んで左右に分離して配置される。
図示していないが、裏面側には並列接続される各交流半導体ユニット121a’、122a’、121b’、122b’、121c’、122c’は各相毎に3段に積み上げられ、クランプスナバコンデンサ71a’、72a’、71b’、72b’、71c’、72c’を挟んで左右に分離して配置される。
104および104’はこの装置を左右に2分割した構造であって、正面側と裏面側を反対にして組み合わせた構造であり、交流半導体スイッチの構造を1種類にすることができるので、経済的に優れた装置を得ることができる。
また、2並列接続の交流半導体スイッチ装置の入出力母線a、a’間、b、b’間、c、c’間の距離は同じになるので分流をよくするこができる。
【0051】
この発明による実施の形態8によれば、実施の形態1から実施の形態4までのいずれかの構成において、実施の形態6における前記半導体交流スイッチ装置を2台備え、お互いに前記クランプスナバのコンデンサの配置が隣り合わせになるように片方の前記半導体交流スイッチ装置を前面と裏面を逆にして列盤構成にしたので、電流遮断時間を短縮して高速に遮断できるとともに、小型にでき、しかも、転流インダクタンスを低減できる半導体交流スイッチ装置を得ることができる。
【0052】
実施の形態9.
この発明による実施の形態9を図9に基づいて説明する。図9は実施の形態9における半導体交流スイッチ装置の保護回路の構成を示す回路図である。
この実施の形態9において、ここで説明する特有の構成以外の構成については、先に説明した実施の形態1から実施の形態8までの何れかと同様の構成内容を具備し、同様の作用を奏するものである。図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
【0053】
前記実施の形態1〜8では交流半導体スイッチ装置の主回路および構造について述べたが、図9はこの交流半導体スイッチ装置を交流電源に連系する際の保護手段を示す。
【0054】
図において、交流半導体スイッチ装置400に負荷401が接続され、第1の機械スイッチ402は、前記交流半導体スイッチ装置400に並列に接続される。
前記負荷401を交流電源に投入する場合に、負荷401に変圧器やモータで構成されていると磁気蝕和のために過大な突入電流が流れることがあり、前記交流半導体スイッチ装置400を破壊する危険がある。
まず、前記第1の機械スイッチ402をオンして前記負荷401の突入電流を通電し、突入電流が減衰した後に前記交流半導体スイッチ装置400をオンするとともに前記第1の機械スイッチ402をオフする。
【0055】
以上のように、負荷を交流電源に投入する際の過大な突入電流が交流半導体スイッチ装置に流れるのを防止できるので、小型、かつ安価な装置を得ることができる。
【0056】
この発明による実施の形態9によれば、実施の形態1から実施の形態8までのいずれかの構成において、交流電源と負荷401との間に前記半導体交流スイッチ装置400が接続され、この半導体交流スイッチ装置400に並列に接続された第1の機械スイッチ402を備え、前記半導体交流スイッチ装置400をオンする際に、先にこの第1の機械スイッチ402をオンして、前記負荷401の突入電流が前記半導体交流スイッチ装置400に流れるのを防止したので、電流遮断時間を短縮して高速に遮断できるとともに、より一層小型にできる半導体交流スイッチ装置を得ることができる。
【0057】
実施の形態10.
この発明による実施の形態10を図10に基づいて説明する。図10は実施の形態10における半導体交流スイッチ装置の保護回路の構成を示す回路図である。
この実施の形態10において、ここで説明する特有の構成以外の構成については、先に説明した実施の形態9と同様の構成内容を具備し、同様の作用を奏するものである。図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
【0058】
前記実施の形態9ではこの交流半導体スイッチ装置を交流電源に連系する際の保護手段として第1の機械スイッチを併用する場合について示したが、図10に示すようにこの交流半導体スイッチ装置の高速なオフ動作機能を利用して交流電源に連系してもよい。
【0059】
図において、電流検出器403は、前記負荷401の突入電流を検出する。突入電流保護回路404は、この電流検出器403の突入電流検出信号にもとづき、前記交流半導体スイッチ装置400を過電流破壊から保護する。
この突入電流保護回路404は突入電流が過電流保護レベルに到達する毎に、直ちに前記交流半導体スイッチ装置400をオフして交流電源の半周期後に再びオンするように前記交流半導体スイッチ装置400へゲート信号GSを与え、前記負荷401内の変圧器やモータの偏磁を抑制しつつ突入電流を早く減衰できる。
【0060】
以上のように、負荷を交流電源に投入する際の過大な突入電流が交流半導体スイッチ装置に流れるのを防止できるので、小型、かつ安価な装置を得ることができる。
【0061】
この発明による実施の形態10によれば、実施の形態1から実施の形態4までのいずれかの構成において、交流電源と負荷401との間に前記半導体交流スイッチ装置400が接続され、前記半導体交流スイッチ装置400をオンした際に、前記負荷401の突入電流を検出して前記半導体交流スイッチ装置401を直ちにオフし、前記交流電源の周波数の半周期後に再度オンするように作動する突入電流保護回路404を設けて、前記負荷401の突入電流が前記半導体交流スイッチ装置400に流れ続けるのを防止したので、電流遮断時間を短縮して高速に遮断できるとともに、更に小型にできる半導体交流スイッチ装置を得ることができる。
【0062】
実施の形態11.
この発明による実施の形態11を図11に基づいて説明する。図11は実施の形態11における半導体交流スイッチ装置の保護回路の構成を示す回路図である。
この実施の形態11において、ここで説明する特有の構成以外の構成については、先に説明した実施の形態9または実施の形態10と同様の構成内容を具備し、同様の作用を奏するものである。図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
【0063】
前記実施の形態9および10ではこの交流半導体スイッチ装置を交流電源に連系する際の保護手段を示したが、図11は無停電電源装置(以下、UPSという)と併用して使用される場合の過電圧保護手段を示す。
【0064】
図において、前記交流半導体スイッチ装置400に直列接続される第2の機械スイッチ405、および、前記交流半導体スイッチ装置400と前記負荷401との中間接続点に接続されるUPS406が設けられている。
交流電源の電圧を検出する電圧検出器407の出力に接続された停電検出回路408の出力信号は前記交流半導体スイッチ装置400および前記UPS406に与えられる。
前記電圧検出器407の出力に接続された同期制御回路409の出力信号は前記UPS406に与えられる。
前記UPS406は常時、この同期制御回路409により、交流電源に同期した周波数で待機運転しており、交流電源系統の事故で交流電源が停電した場合に前記停電検出回路408により前記負荷401に電力を供給するように制御され、それと同時に前記交流半導体スイッチ装置400はオフされる。
【0065】
交流電源電圧が大きく低下して停電時間が長くなると、前記同期制御回路409に基いて前記UPS406の出力周波数および位相を交流電源に同期させることが困難になり、最悪、交流電源が復電した際に交流電源と前記UPS406の出力電圧の位相が180°ずれることが起こる。
この場合には、前記交流半導体スイッチ装置400の両端には交流電源電圧と前記UPS406の出力電圧の和電圧が印加されるために、前記交流半導体スイッチ装置400を過電圧で破壊する恐れがある。
前記第2の機械スイッチ405を停電が発生すると前記停電検出回路408によりオフすることにより、交流電源と前記UPS406の出力電圧の位相が180°ずれた場合には前記第2の機械スイッチ405に交流電源電圧と前記UPS406の出力電圧の和電圧が印加されるために、前記交流半導体スイッチ装置400の両端には電圧が印加されず、過電圧が発生することがない。
【0066】
以上のように構成したので、過電圧破壊を防止でき、信頼性が高く、小型、かつ安価な装置を得ることができる。
【0067】
この発明による実施の形態11によれば、実施の形態1から実施の形態4までのいずれかの構成において、交流電源と負荷401との間に第2の機械スイッチ405と前記半導体交流スイッチ装置400が直列に接続され、前記半導体交流スイッチ装置400と負荷401との接続点に無停電電源装置406が接続され、前記交流電源が停電した際に前記半導体交流スイッチ装置400と第2の機械スイッチ405をオフするとともに前記無停電電源装置406から前記負荷401に給電するようにして、前記半導体交流スイッチ装置400に過電圧が印加されるのを防止したので、電流遮断時間を短縮して高速に遮断できるとともに、小型にでき、しかも、過電圧破壊を防止できて、信頼性を向上できる半導体交流スイッチ装置を得ることができる。
【0068】
実施の形態12.
この発明による実施の形態12を図12に基づいて説明する。図12は実施の形態12における半導体交流スイッチ装置の保護回路の構成を示す回路図である。
この実施の形態12において、ここで説明する特有の構成以外の構成については、先に説明した実施の形態11と同様の構成内容を具備し、同様の作用を奏するものである。図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
【0069】
前記実施の形態11ではこの交流半導体スイッチ装置をUPSと併用して使用される場合の過電圧保護手段を示したが、図12にこのUPSと併用して使用される場合の過電流保護手段を示す。
【0070】
図において、過電流保護回路410は、負荷401の電流を検出する前記電流検出器403を介して接続され、前記交流半導体スイッチ装置400の過電流保護レベルに達すると、前記UPS406に電流指令を与える。
【0071】
このように、前記負荷401に過電流が発生した場合には前記交流半導体スイッチ装置400および前記UPS406から負荷電流を供給することにより、前記交流半導体スイッチ装置400が過電流で破壊するのを防止でき、信頼性が高く、小型、かつ安価な装置を得ることができる。
【0072】
この発明による実施の形態12によれば、実施の形態1から実施の形態4のいずれかの構成において、交流電源と負荷401との間に前記半導体交流スイッチ装置400が接続され、前記半導体交流スイッチ装置400と負荷401との接続点に無停電電源装置406が接続され、前記半導体交流スイッチ装置400をオンして前記交流電源から前記負荷401に給電中に、前記負荷401に過電流が発生した際に前記無停電電源装置406からも前記負荷401に給電するようにして前記半導体交流スイッチ装置400に過電流が流れ続けるのを防止したので、電流遮断時間を短縮して高速に遮断できるとともに、小型にでき、しかも、過電流で破壊するのを防止できて、信頼性を向上できる半導体交流スイッチ装置を得ることができる。
【0073】
実施の形態13.
この発明による実施の形態13を図13に基づいて説明する。図13は実施の形態13における半導体交流スイッチ装置の保護回路の構成を示す回路図である。
この実施の形態13において、ここで説明する特有の構成以外の構成については、先に説明した実施の形態12と同様の構成内容を具備し、同様の作用を奏するものである。図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
【0074】
前記実施の形態12ではこの交流半導体スイッチ装置をUPSと併用して使用される場合の過電流保護手段を示したが、図13に無効電流による過電流保護手段を示す。
【0075】
図において、無効電流保護回路411は、負荷401の電流を検出する前記電流検出器403に接続され、前記交流半導体スイッチ装置400の過電流保護レベルに達すると、負荷電流成分の内、無効電流成分を検出して前記UPS406に無効電流指令を与える。
【0076】
このように、前記負荷401に過電流が発生した場合には前記交流半導体スイッチ装置400から主に負荷の有効電流成分を供給し、前記UPS406から無効電流成分を供給することにより、前記UPSのバッテリなどの蓄積エネルギを消費することがなく、前記交流半導体スイッチ装置400が過電流で破壊するのを防止でき、信頼性が高く、小型、かつ安価な装置を得ることができる。
【0077】
この発明による実施の形態13によれば、実施の形態1から実施の形態4までおよび実施の形態12のいずれかの構成において、交流電源と負荷401との間に前記半導体交流スイッチ装置400が接続され、前記半導体交流スイッチ装置400と負荷401との接続点に無停電電源装置406が接続され、前記半導体交流スイッチ装置400をオンして前記交流電源から前記負荷401に給電中に、前記負荷401に過電流が発生した際にその過電流の無効電流基本波成分を無効電流保護回路411により前記無停電電源装置406からも前記負荷401に給電するようにして前記半導体交流スイッチ装置400に過電流が流れ続けるのを防止したので、電流遮断時間を短縮して高速に遮断できるとともに、小型にでき、しかも、過電流で破壊されるのを防止できて、信頼性を向上できる半導体交流スイッチ装置を得ることができる。
【0078】
実施の形態14.
この発明による実施の形態14を図14に基づいて説明する。図14は実施の形態14における半導体交流スイッチ装置の保護回路の構成を示す回路図である。
この実施の形態14において、ここで説明する特有の構成以外の構成については、先に説明した実施の形態11ないし実施の形態13のいずれかと同様の構成内容を具備し、同様の作用を奏するものである。図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
【0079】
前記実施の形態11〜13ではこの交流半導体スイッチ装置をUPSと併用して使用される場合の過電圧および過電流保護手段を示したが、図14に過電流保護手段ならび無瞬断切り替え手段を示す。
【0080】
図において、リアクトルなどの限流手段412は、前記交流半導体スイッチ装置400に直列に接続される。
前記負荷401に過電流が発生する際にはこの限流手段412により、過電流が抑制される。
また、交流電源系統で停電が発生した瞬間には前記限流手段412により前記負荷401の電圧は前記UPS406で維持されるので、前記交流半導体スイッチ装置400を高速にオフすることにより、前記負荷401の電圧の低下を防止できる。
【0081】
以上のように、停電発生時に無瞬断でUPS運転に切り替えることができ、また負荷の過電流も抑制できるので、信頼性が高く、小型、かつ安価な装置を得ることができる。
なお、前記限流手段412としてリアクトルの場合を図示したが、変圧器などのリアクタンスを有するものであっても、同様の効果を奏する。
【0082】
この発明による実施の形態14によれば、実施の形態1から実施の形態4までおよび実施の形態11から実施の形態13までのいずれかの構成において、交流電源と負荷401との間にリアクタンスなどの限流手段412と前記半導体交流スイッチ装置400が直列に接続され、前記半導体交流スイッチ装置400と負荷401との接続点に無停電電源装置406が接続され、前記交流電源が停電した際に前記半導体交流スイッチ装置400を高速にオフして前記無停電電源装置406から前記負荷401に無瞬断で給電するようにしたので、電流遮断時間を短縮して高速に遮断できるとともに、小型にでき、しかも、負荷の過電流を抑制して、信頼性を向上できる半導体交流スイッチ装置を得ることができる。
【0083】
実施の形態15.
この発明による実施の形態15を図15に基づいて説明する。図15は実施の形態15における半導体交流スイッチ装置の保護回路の構成を示す回路図である。
この実施の形態15において、ここで説明する特有の構成以外の構成については、先に説明した実施の形態11ないし実施の形態14のいずれかと同様の構成内容を具備し、同様の作用を奏するものである。図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
【0084】
前記実施の形態11〜14ではこの交流半導体スイッチ装置をUPSと併用して1セットの構成で使用される場合の過電圧および過電流保護手段を示したが、図15に複数セットの構成例を示す。
UPSシステムとして、第1および第2のUPSシステム500aと500bがそれぞれ設けられ、2群に分割された負荷401に対して交流半導体スイッチ装置400およびUPS406も分割して構成される。
【0085】
電源系統で停電が発生した場合には、この第1および第2のUPSシステム500aおよび500bはともに交流半導体スイッチ装置400と第2の機械スイッチ405はオフされ、各UPS406から各負荷401に電力が供給される。
【0086】
このUPS406が運転中に、片方の負荷401で過電流が発生した場合にその負荷401のUPS406が過負荷のために運転停止になる危険が生じる。第3の機械スイッチ501は、前記第1および第2のUPSシステム500aおよび500b内の第2の機械スイッチ405と前記交流半導体スイッチ装置400との中間接続点間に接続され、停電中はオン状態で待機して、片方の負荷401で過電流が発生した場合には前記第1および第2のUPSシステム500aおよび500b内の前記交流半導体スイッチ装置400をオンしてもう一方のUPS406からも給電する。
【0087】
以上のようにUPSシステムを構成したので、過負荷による運転停止を防止でき、信頼性が高く、小型、かつ安価なシステムを得ることができる。
【0088】
この発明による実施の形態15によれば、実施の形態1から実施の形態4までおよび実施の形態11から実施の形態14までのいずれかの構成において、交流電源と負荷401との間に第2の機械スイッチ405と前記半導体交流スイッチ装置400が直列に接続され、前記半導体交流スイッチ装置400と負荷401との接続点に無停電電源装置406が接続されてなる無停電電源装置システムを複数セット備え、各無停電電源装置システム内の前記第2の機械スイッチ405と前記半導体交流スイッチ装置400の接続点間に第3に機械スイッチ501を接続して、前記交流電源が停電して前記半導体交流スイッチ装置400と第2の機械スイッチ405をオフするとともに前記無停電電源装置406から前記負荷401に給電している場合に、前記第3の機械スイッチ501をオンにして待機させ、どれかの無停電電源装置システム内の負荷401で過電流が発生した際に各無停電電源装置システム内の前記半導体交流スイッチ装置400をオンして延長給電を行うようにしたので、電流遮断時間を短縮して高速に遮断できるとともに、小型にでき、しかも、過負荷による運転休止を防止できて、信頼性を向上できる半導体交流スイッチ装置を得ることができる。
【0089】
【発明の効果】
この発明によれば、電流遮断時間を短縮して高速に遮断できるとともに、小型にできる半導体交流スイッチ装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明による実施の形態1における半導体交流スイッチ装置の主回路の構成を示す回路図である。
【図2】 この発明による実施の形態2における半導体交流スイッチ装置の主回路の構成を示す回路図である。
【図3】 この発明による実施の形態3における半導体交流スイッチ装置の主回路の構成を示す回路図である。
【図4】 この発明による実施の形態4における半導体交流スイッチ装置の主回路の構成を示す回路図である。
【図5】 この発明による実施の形態5における半導体交流スイッチ装置の構成を示す構造図である。
【図6】 この発明による実施の形態6における半導体交流スイッチ装置の構成を示す構造図である。
【図7】 この発明による実施の形態7における半導体交流スイッチ装置の構成を示す構造図である。
【図8】 この発明による実施の形態8における半導体交流スイッチ装置の構成を示す構造図である。
【図9】 この発明による実施の形態9における半導体交流スイッチ装置の保護回路の構成を示す回路図である。
【図10】 この発明による実施の形態10における半導体交流スイッチ装置の保護回路の構成を示す回路図である。
【図11】 この発明による実施の形態11における半導体交流スイッチ装置の保護回路の構成を示す回路図である。
【図12】 この発明による実施の形態12における半導体交流スイッチ装置の保護回路の構成を示す回路図である。
【図13】 この発明による実施の形態13における半導体交流スイッチ装置の保護回路の構成を示す回路図である。
【図14】 この発明による実施の形態14における半導体交流スイッチ装置の保護回路の構成を示す回路図である。
【図15】 この発明による実施の形態15における半導体交流スイッチ装置の保護回路の構成を示す回路図である。
【符号の説明】
11a,12a,11b,12b,11c,12c 自己消弧素子型半導体素子、21,22a,21b,22b,21,22c ダイオード、31a,32a,31b,32b,31c,32c ゲート回路、41a,51a,42a 並列スナバ、61a,7a,62b、61b,7b,62b、61c,7c,62c クランプスナバ、8 充電回路。
Claims (15)
- ダイオードが逆並列接続された自己消弧素子型半導体素子の直列接続体が交流母線の各相に同一方向に接続してなる半導体交流スイッチ装置において、ダイオードとコンデンサとダイオードの直列体で構成されるクランプスナバを自己消弧素子型半導体素子の直列接続体に各相ごとに並列接続するとともに前記各相のクランプスナバのコンデンサを共通に並列接続し前記自己消弧素子型半導体素子毎に抵抗とコンデンサの直列体を並列接続し、前記自己消弧素子型半導体素子毎に接続されるゲート回路にターンオフ時のスイッチングサージを抑制するサージ抑制手段を備え、前記クランプスナバのコンデンサを前記交流母線の電圧ピーク値以上に充電する充電手段を設けて、前記抵抗とコンデンサの直列体の電流が前記自己消弧素子型半導体素子の漏れ電流値以上になるように前記抵抗とコンデンサの直列体の定数を設定したことを特徴とする半導体交流スイッチ装置。
- 前記自己消弧素子型半導体素子の直列接続体を2分割し、その中間素子側から順番にゲートトランスを直列接続して前記自己消弧素子型半導体素子の前記ゲート回路にゲート電力を供給するようにしたことを特徴とする請求項1に記載の半導体交流スイッチ装置。
- 前記クランプスナバのコンデンサを2分割に直列接続してその中間接続点と大地間にアレスタを接続したことを特徴とする前記特許請求項1に記載の半導体交流スイッチ装置。
- 前記クランプスナバのコンデンサを2分割して直列接続し、その中間接続点を大地間に抵抗器を接続し、前記2分割された前記クランプスナバのコンデンサの両端電圧を検出する電圧検出手段を備え、前記電圧検出手段により地絡事故を検出するようにしたことを特徴とする請求項1に記載の半導体交流スイッチ装置。
- 2分割された前記自己消弧素子型半導体素子の直列接続体の片方と、ダイオードとコンデンサとダイオードの直列体で構成される前記クランプスナバにおけるダイオードの片方を交流半導体ユニットとして構成し、この交流半導体ユニットを前記自己消弧素子型半導体素子とその逆並列ダイオードと一体化されてなる自己消弧素子型半導体モジュールを横方向に配置して順番に直列接続するとともにダイオードとコンデンサとダイオードの直列体で構成される前記クランプスナバにおけるダイオードの片方をこの自己消弧素子型半導体モジユールに近接配置した構造とし、2分割された前記クランプスナバのコンデンサの片方を前記交流半導体ユニットの横に近接配置し、もう片方の前記交流半導体ユニットと前記前記クランプスナバのコンデンサを上下方向の位置に配置して1相分を構成し、前記交流半導体ユニットと前記前記クランプスナバのコンデンサを上下方向に全体で6段に積み上げた構造で3相分を構成したことを特徴とする請求項1から請求項4までのいずれかに記載の半導体交流スイッチ装置。
- 2分割された前記自己消弧素子型半導体素子の直列接続体の片方と、ダイオードとコンデンサとダイオードの直列体で構成される前記クランプスナバにおけるダイオードの片方を交流半導体ユニットとして構成し、1相分の前記交流半導体ユニットを前面と裏面に背中合わせして配置し、1相分の2分割された前記クランプスナバのコンデンサを前面と裏面に背中合わせして前記各交流半導体ユニットの横に配置してこの交流半導体ユニットとクランプスナバのコンデンサを上下方向に3段に積み上げた構造で3相分を構成したことを特徴とする請求項1から請求項4までのいずれかに記載の半導体交流スイッチ装置。
- 2分割された前記自己消弧素子型半導体素子の直列接続体の片方と、ダイオードとコンデンサとダイオードの直列体で構成される前記クランプスナバにおけるダイオードの片方を交流半導体ユニットとして構成し、前記交流半導体ユニットが2セット並列接続される半導体交流スイッチ装置において、1セット1相分の前記交流半導体ユニットを前面と裏面に背中合わせして配置し、1セット1相分の2分割された前記クランプスナバのコンデンサを前面と裏面に背中合わせして前記各交流半導体ユニットの横に配置し、その下側にもう1セット1相分の前記交流半導体ユニットと1セット1相分の2分割された前記クランプスナバのコンデンサを配置して、前記交流半導体ユニットと前記クランプスナバのコンデンサを上下方向に全体で6段に積み上げた構造で2セット3相分を構成したことを特徴とする請求項1から請求項4までのいずれかに記載の半導体交流スイッチ装置。
- 2分割された前記自己消弧素子型半導体素子の直列接続体の片方と、ダイオードとコンデンサとダイオードの直列体で構成される前記クランプスナバにおけるダイオードの片方を交流半導体ユニットとして構成し、1相分の前記交流半導体ユニットを前面と裏面に背中合わせして配置し、1相分の2分割された前記クランプスナバのコンデンサを前面と裏面に背中合わせして前記各交流半導体ユニットの横に配置してこの交流半導体ユニットとクランプスナバのコンデンサを上下方向に3段に積み上げた構造で3相分を構成した半導体交流スイッチ装置を2台備え、お互いに前記クランプスナバのコンデンサの配置が隣り合わせになるように片方の前記半導体交流スイッチ装置を前面と裏面を逆にして列盤構成にしたことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載の半導体交流スイッチ装置。
- 交流電源と負荷との間に前記半導体交流スイッチ装置が接続され、この半導体交流スイッチ装置に並列に接続された第1の機械スイッチを備え、前記半導体交流スイッチ装置をオンする際に、先にこの第1の機械スイッチをオンして、前記負荷の突入電流が前記半導体交流スイッチ装置に流れるのを防止したことを特徴とする請求項1から請求項4までのいずれかに記載の半導体交流スイッチ装置。
- 交流電源と負荷との間に前記半導体交流スイッチ装置が接続され、前記半導体交流スイッチ装置をオンした際に、前記負荷の突入電流を検出して前記半導体交流スイッチ装置を直ちにオフし、前記交流電源の周波数の半周期後に再度オンするようにして、前記負荷の突入電流が前記半導体交流スイッチ装置に流れ続けるのを防止したことを特徴とする前記特許請求項1から請求項4までのいずれかに記載の半導体交流スイッチ装置。
- 交流電源と負荷との間に第2の機械スイッチと前記半導体交流スイッチ装置が直列に接続され、前記半導体交流スイッチ装置と負荷との接続点に無停電電源装置が接続され、前記交流電源が停電した際に前記半導体交流スイッチ装置と第2の機械スイッチをオフするとともに前記無停電電源装置から前記負荷に給電するようにして、前記半導体交流スイッチ装置に過電圧が印加されるのを防止したことを特徴とする請求項1から請求項4までのいずれかに記載の半導体交流スイッチ装置。
- 交流電源と負荷との間に前記半導体交流スイッチ装置が接続され、前記半導体交流スイッチ装置と負荷との接続点に無停電電源装置が接続され、前記半導体交流スイッチ装置をオンして前記交流電源から前記負荷に給電中に、前記負荷に過電流が発生した際に前記無停電電源装置からも前記負荷に給電するようにして前記半導体交流スイッチ装置に過電流が流れ続けるのを防止したことを特徴とする前記特許請求項1から請求項4までのいずれかに記載の半導体交流スイッチ装置。
- 交流電源と負荷との間に前記半導体交流スイッチ装置が接続され、前記半導体交流スイッチ装置と負荷との接続点に無停電電源装置が接続され、前記半導体交流スイッチ装置をオンして前記交流電源から前記負荷に給電中に、前記負荷に過電流が発生した際にその過電流の無効電流基本波成分を前記無停電電源装置からも前記負荷に給電するようにして前記半導体交流スイッチ装置に過電流が流れ続けるのを防止したことを特徴とする請求項1から請求項4までおよび請求項12のいずれかに記載の半導体交流スイッチ装置。
- 交流電源と負荷との間に限流手段と前記半導体交流スイッチ装置が直列に接続され、前記半導体交流スイッチ装置と負荷との接続点に無停電電源装置が接続され、前記交流電源が停電した際に前記半導体交流スイッチ装置を高速にオフして前記無停電電源装置から前記負荷に無瞬断で給電するようにしたことを特徴とする請求項1から請求項4および請求項11から請求項13までのいずれかに記載の半導体交流スイッチ装置。
- 交流電源と負荷との間に第2の機械スイッチと前記半導体交流スイッチ装置が直列に接続され、前記半導体交流スイッチ装置と負荷との接続点に無停電電源装置が接続されてなる無停電電源装置システムを複数セット備え、各無停電電源装置システム内の前記第2の機械スイッチと前記半導体交流スイッチ装置の接続点間に第3に機械スイッチを接続して、前記交流電源が停電して前記半導体交流スイッチ装置と第2の機械スイッチをオフするとともに前記無停電電源装置から前記負荷に給電している場合に、前記第3の機械スイッチをオンにして待機させ、どれかの無停電電源装置システム内の負荷で過電流が発生した際に各無停電電源装置システム内の前記半導体交流スイッチ装置をオンして延長給電を行うようにしたことを特徴とする請求項1から請求項4までおよび請求項11から請求項14までのいずれかに記載の半導体交流スイッチ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003175640A JP4488693B2 (ja) | 2003-06-20 | 2003-06-20 | 半導体交流スイッチ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003175640A JP4488693B2 (ja) | 2003-06-20 | 2003-06-20 | 半導体交流スイッチ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005012950A JP2005012950A (ja) | 2005-01-13 |
JP4488693B2 true JP4488693B2 (ja) | 2010-06-23 |
Family
ID=34098724
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003175640A Expired - Lifetime JP4488693B2 (ja) | 2003-06-20 | 2003-06-20 | 半導体交流スイッチ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4488693B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4696554B2 (ja) * | 2004-09-07 | 2011-06-08 | 富士電機ホールディングス株式会社 | ゲート駆動回路への信号伝送方式 |
JP2006271041A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 電圧駆動型半導体素子のゲート駆動装置 |
EP1720195B1 (de) | 2005-05-06 | 2012-12-12 | HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG | Arcunterdrückungsanordnung |
JP5571013B2 (ja) | 2011-02-15 | 2014-08-13 | 株式会社東芝 | 半導体スイッチ、及び電力変換装置 |
JP5820970B2 (ja) * | 2011-06-23 | 2015-11-24 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 配電システム |
US9935630B2 (en) * | 2015-09-18 | 2018-04-03 | Monolithic Power Systems, Inc. | AC switch circuit and associated control method |
JP6926438B2 (ja) | 2016-10-14 | 2021-08-25 | 富士電機株式会社 | マルチセルコンバータ装置 |
US10615598B2 (en) * | 2017-03-30 | 2020-04-07 | Chengdu Monolithic Power Systems Co., Ltd. | AC switch with DC voltage generation |
JP6825707B2 (ja) * | 2017-07-10 | 2021-02-03 | 株式会社村田製作所 | 高周波電源装置 |
WO2020179004A1 (ja) * | 2019-03-06 | 2020-09-10 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 制御装置 |
JP7230280B2 (ja) * | 2019-10-15 | 2023-02-28 | ヒタチ・エナジー・スウィツァーランド・アクチェンゲゼルシャフト | スナバ構成要素を有するスイッチング回路 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000262068A (ja) * | 1998-06-26 | 2000-09-22 | Fuji Electric Co Ltd | 電圧駆動型半導体素子のゲート駆動回路 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0515143A (ja) * | 1991-07-01 | 1993-01-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体交流スイツチ |
JPH05153766A (ja) * | 1991-11-26 | 1993-06-18 | Hitachi Ltd | 電力変換器の低損失スナバ方式 |
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JP3122312B2 (ja) * | 1994-07-22 | 2001-01-09 | 株式会社東芝 | 電力変換装置 |
JP3221270B2 (ja) * | 1995-03-10 | 2001-10-22 | 株式会社日立製作所 | 電力変換装置及びスナバ装置 |
-
2003
- 2003-06-20 JP JP2003175640A patent/JP4488693B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000262068A (ja) * | 1998-06-26 | 2000-09-22 | Fuji Electric Co Ltd | 電圧駆動型半導体素子のゲート駆動回路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005012950A (ja) | 2005-01-13 |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100125 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130409 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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