JP4480442B2 - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
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Description
表示部のTFTおよび周辺部の保護用TFTを、同一サイズ(外形寸法)のTFTにより形成する液晶表示装置の製造方法。
前記ガラス基板の他面のゲート電極上にゲート絶縁膜としてSiN膜およびチャネル活性層としてa−Si膜を形成する工程と、
ソース・ドレイン電極との接続のためのn+−a−Si膜を、CVD法を使用して連続成膜を行って形成する工程と、
前記n+−a−Si膜上に、スパッタ法を用いて、ソース・ドレイン電極を堆積する工程と、
レジストを塗布後に前記ソース・ドレイン電極を、グレイトーンマスクを用いて、完全に露光された領域(TFT領域およびソースのバスライン外)、一部露光された領域(ソース・ドレイン電極間のチャネル部領域CH)および完全に露光されない領域(ソース・ドレイン電極部およびソースのバスライン領域)を形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして、ゲート絶縁膜であるSiN膜をストッパとし、ドライエッチングにより、ソース・ドレイン電極膜、ソースのバスライン、n+−a−Si膜およびa−Si膜をエッチングし、チャネル部に露光マスクに限界解像力以上のスリットパターンを配した保護トランジスタで、レジストが完全に除去された部分のn+−a−Si膜およびa−Si膜までエッチングして、トランジスタの実効Wを小さくした後、前記チャネル部上のレジスト膜を除去するためのアッシングを行う工程と、
レジストパターンを用いてドライエッチングし、ソース・ドレイン電極およびn+−a−Si膜までエッチングを行い、チャンネル活性層をストッパとしてチャネル領域を形成する工程と、
レジストを剥離することにより、外形が同一で実効W/Lが異なるTFTを形成する工程と、
を備えて成る液晶表示装置の製造方法。
11 ゲート絶縁膜
14 レジスト
15 フォトマスク
G ゲート電極
S ソース電極
D ドレイン電極
Claims (5)
- マトリクス状に配置された複数の画素と、前記複数の画素のそれぞれに設けられた駆動用薄膜トランジスタとを有する表示部と、前記表示部の周辺に設けられ、保護用薄膜トランジスタを有する周辺部とを備える液晶表示装置の製造方法であって、
基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜及びチャネル活性層を形成し、
前記チャネル活性層上にソース・ドレイン電極となる導電層を形成し、
前記導電層上にレジストを形成し、
前記駆動用薄膜トランジスタのチャネル領域に対応する部分全体に形成された解像限界以下のスリットパターンと、前記保護用トランジスタのチャネル領域に対応する部分の一部が解像限界以上のスリットパターンとを有するグレートーンマスクを用いて前記第1レジストパターンを形成し、
前記第1レジストパターンを用いて、前記チャネル活性層及び前記導電層をエッチングし、
前記第1レジストパターンの前記駆動用薄膜トランジスタ及び前記保護用薄膜トランジスタのチャネル領域上のレジストを除去して、第2レジストパターンを形成し、
前記第2レジストパターンを用いて、前記導電層をエッチングして前記ソース・ドレイン電極を形成し、
前記第2レジストパターンを除去して、同一外形寸法で、異なる実効チャネル比を有する前記駆動用薄膜トランジスタ及び前記保護用薄膜トランジスタを形成する
液晶表示装置の製造方法。 - 前記第1レジストパターンは、前記保護用薄膜トランジスタのチャネル領域の一部に対応するレジストが除去されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第1レジストパターンは、前記駆動用薄膜トランジスタ及び前記保護用薄膜トランジスタのチャネル領域に対応する前記レジストの膜厚が前記ソース・ドレイン電極に対応する部分よりも薄いことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第1レジストパターンをマスクとして、前記ゲート絶縁膜をストッパとし、前記チャネル活性層及び前記導電層をエッチングすることにより、前記保護用トランジスタの実効チャネル幅を前記駆動用薄膜トランジスタよりも小さくすることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第2レジストパターンをマスクとして、前記チャネル活性層をストッパとして、前記導電層の一部を除去することにより、前記ソース・ドレイン電極を形成することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の液晶表示装置の製造方法。
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