JP4466563B2 - Mems型共振器及びその製造方法、並びに通信装置 - Google Patents
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Description
また、本発明は、このようなMEMS型共振器によるフィルタを備えた通信装置を提供するものである。
支柱を設置することにより、ビームが長くなったときにも、ビームの強度を維持することができる。また、ビームと下部電極との間の空隙間隔をより小さくすることが可能になり、大きな信号量を得ることができる。
支柱の上下両端のいずれか一方がビーム又は基板と一体化されてなくとも、不要な次数の振動モードを抑制し、所望次数の振動モードのみを選択することができる。
振動電極17には所要のDCバイアス電圧V1が印加される。入力端子t1を通じて高周波信号S1が入力電極14に入力される。目的周波数の高周波信号が入力されると、振動電極17と入力電極14間に生じる静電力で図3に示すように、2次の振動モードで振動電極17が共振する。この振動電極17の共振で出力電極15から出力端子t2を通じて目的周波数の高周波信号が出力される。
このように、所望の周波数のみの信号が透過することができ、共振器としての性能が向上する。
本実施の形態のMEMS型共振器28においても、基板12上に入力電極14及び出力電極15が形成され、入出力電極14、15に対向して振動電極17が配置されて成る。そして、本実施の形態においては、特に、2つの支柱24〔24A,24B〕を3次の振動モード26の2つの節に対応した位置に夫々設置して構成される。その他の構成は、図1と同様であるので対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
先ず、図7Aに示すように、基板12上に電極となるべき導電膜41を形成する。本例ではシリコン基板21上に絶縁膜であるシリコン酸化膜22及びシリコン窒化膜23を積層した基板12を用いる。導電膜41としては、後の犠牲層とエッチング比がとれる材料で形成する必要があり、本例では、多結晶シリコン膜で形成する。
本実施の形態に係るMEMS型共振器31は、前述と同様に、基板12の同一平面上に互いに所要の間隔を置いて配置された下部電極、即ち本例では高周波信号を入力する入力電極14と高周波信号を出力する出力電極15と、これら入出力電極14、15に対向して空隙16を挟んで配置されたビーム、すなわち振動電極17と、基板12と振動電極17との間に設けた支柱24とを有して成る。振動電極17は、入出力電極14、15をブリッジ状に跨ぎ、入出力電極14、15の外側に配置した配線18に接続されるように、両端を支持部(いわゆるアンカー部)19〔19A,19B〕で一体に支持される。支柱24は、振動電極17の所望の次数の振動モードに応じて1つ又は複数、本例では2次の振動モードに応じてその振動の節に対応した位置である入力電極14と出力電極15との間に1つ設けられる。
その他の構成は、前述の図1と同様であるので、図1と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
先ず、図9A〜図9Dの工程は、前述の図7A〜図7Dの工程と同じである。即ち、図9Aに示すように、基板12上に電極となるべき導電膜41を形成する。本例ではシリコン基板21上に絶縁膜であるシリコン酸化膜22及びシリコン窒化膜23を積層した基板12上に多結晶シリコン膜による導電膜41を形成する。
本実施の形態に係るMEMS型共振器32は、前述と同様に、基板12の同一平面上に互いに所要の間隔を置いて配置された下部電極、即ち本例では高周波信号を入力する入力電極14と高周波信号を出力する出力電極15と、これら入出力電極14、15に対向して空隙16を挟んで配置されたビーム、すなわち振動電極17と、基板12と振動電極17間に設けた支柱24とを有して成る。振動電極17は、入出力電極14、15をブリッジ状に跨ぎ、入出力電極14、15の外側に配置した配線18に接続されるように、両端を支持部(いわゆるアンカー部)19〔19A,19B〕で一体に支持される。支柱24は、振動電極17の所望の次数の振動モードに応じて1つ又は複数、本例では2次の振動モードに応じてその振動の節に対応した位置である入力電極14と出力電極15との間に1つ設けられる。
その他の構成は、前述の図1と同様であるので、図1と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
図11Aに示すように、前述の図7Aと同様に基板12上に電極となるべき導電膜41を形成する。本例ではシリコン基板21上に絶縁膜であるシリコン酸化膜22及びシリコン窒化膜23を積層した基板12上に導電膜41である多結晶シリコン膜で形成する。
まず送信系の構成について説明すると、Iチャンネルの送信データとQチャンネルの送信データを、それぞれデジタル/アナログ変換器(DAC)201I及び201Qに供給してアナログ信号に変換する。変換された各チャンネルの信号は、バンド・パス・フィルタ202I及び202Qに供給して、送信信号の帯域以外の信号成分を除去し、バンド・パス・フィルタ202I及び202Qの出力を、変調器210に供給する。
2・・半導体基板
3・・絶縁膜
4・・入力側配線層
11、27,28,31,32・・MEMS型共振器
12・・基板
14・・入力電極
5,15・・出力電極
6,16・・空隙
7,17・・振動電極
18・・配線層
8[8A,8B],19[19A,19B]・・支持部
21・・シリコン基板
22・・シリコン酸化膜
23・・シリコン窒化膜
24[24A,24B]・・支柱
25・・2次の振動モード
26・・3次の振動モード
41・・導電膜
42・・犠牲層
43・・コンタクト孔
44・・導電膜
45,47・・開口
34・・シリコン基板
S1・・高周波信号
t1・・入力端子
t2・・出力端子
V1・・DCバイアス電圧
201I、201Q・・デジタル/アナログ変換器
202I、202Q、211I、211Q・・バンド・パス・フィルタ
210・・変調器
212I、212Q・・ミキサ
203・・PLL回路
213・・移相器
214・・加算器
215・・バッファアンプ
204・・電力増幅器
205・・送受信切換器
206・・高周波フィルタ
207・・アンテナ
220・・高周波部
221・・低ノイズアンプ
244I、244Q・・バッファアンプ
222、232・・・バンド・パス・フィルタ
223、225、231、234・・バッファアンプ
224・・ミキサ
251・・チャンネル選択用PLL回路
233・・AGC回路
240・・復調器
252・・中間周波用PLL回路
242I・・ミキサ
243・・移相器
253I、253Q・・バンド・パス・フィルタ
254I、254Q・・アナログ/デジタル変換器
Claims (9)
- 入力電極と出力電極からなる下部電極が形成された基板と、
前記下部電極を跨ぎ、前記基板に両端が支持されたビームと、
前記入力電極と前記出力電極との間に在って、かつ前記基板と前記ビームの間に配置された少なくとも1つの支柱とを有し、
前記支柱は、前記ビームの所望の振動モードの節に対応した位置に形成されて成る
ことを特徴とするMEMS型共振器。 - 前記支柱の上下両端が、前記基板及び前記ビームと一体化されて成る
ことを特徴とする請求項1記載のMEMS型共振器。 - 前記支柱は、一端が前記基板又は前記ビームと一体化され、
他端が前記ビーム又は前記基板と接触しないように形成されて成る
ことを特徴とする請求項1記載のMEMS型共振器。 - 基板上に入力電極と出力電極からなる下部電極を形成する工程と、
前記下部電極を含む前記基板上に犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層の、支柱を形成すべき部分となる前記入力電極と出力電極の間に在って、かつビームの所望の振動モードの節に対応した位置に前記基板に達する開孔を形成し、ビーム両端の支持部を形成すべき部分に開孔を形成する工程と、
前記犠牲層上にビームを形成すると共に、前記開孔内に前記ビームと前記基板に一体化した支柱及び前記ビームを支持する支持部とを形成する工程と、
前記犠牲層を除去する工程とを有する
ことを特徴とするMEMS型共振器の製造方法。 - 基板上に入力電極と出力電極からなる下部電極と、該入力電極と出力電極間に在って、かつビームの所望の振動モードの節に対応した位置の支柱とを形成する工程と、
前記下部電極と前記支柱を含む前記基板上に犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層上に両端が前記基板に支持されたビームを形成する工程と、
前記犠牲層を除去する工程とを有する
ことを特徴とするMEMS型共振器の製造方法。 - 基板上に入力電極と出力電極からなる下部電極を形成する工程と、
前記下部電極を含む前記基板上に犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層の、支柱を形成すべき部分となる前記入力電極と出力電極の間に在って、かつビームの所望の振動モードの節に対応した位置に前記基板に達しない深さの開孔を形成し、ビーム両端の支持部を形成すべき部分に開孔を形成する工程と、
前記犠牲層上にビームを形成すると共に、前記開孔内にビームと一体化した支柱と支持部を形成する工程と、
前記犠牲層を除去する工程とを有する
ことを特徴とするMEMS型共振器の製造方法。 - 送信信号及び/又は受信信号の帯域制限を行うフィルタを備えた通信装置において、
前記フィルタとして、入力電極と出力電極からなる下部電極が形成された基板と、
前記下部電極を跨ぎ、前記基板に両端が支持されたビームと、前記入力電極と前記出力電極との間に在って、かつ前記基板と前記ビームの間に配置された少なくとも1つの支柱とを有し、前記支柱が前記ビームの所望の振動モードの節に対応した位置に形成されてなるMEMS共振器によるフィルタが用いられて成る
ことを特徴とする通信装置。 - 前記フィルタにおける前記支柱の上下両端が、前記基板及び前記ビームと一体化されて成る
ことを特徴とする請求項7記載の通信装置。 - 前記フィルタにおける前記支柱は、一端が前記基板又は前記ビームと一体化され、他端が前記ビーム又は前記基板と接触しないように形成されて成る
ことを特徴とする請求項7記載の通信装置。
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