JP4463633B2 - 基板処理装置及び基板の製造方法 - Google Patents
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Description
また、本発明に係る基板の処理方法は、加熱手段が処理室内に収容された基板を設定温度にて加熱し、ガス供給手段が前記処理室内に供給するガス流量を変化させ、各ガス流量ごと、前記温度検出手段が検出する温度と前記基板の温度との温度差をそれぞれ求め、少なくとも前記各ガス流量とそれぞれの前記温度差とから前記各ガス流量に対する前記設定温度の各温度補正値をそれぞれ求めて加熱制御手段が記憶する工程と、前記加熱制御手段が前記ガス供給手段から供給する処理時ガス流量が前記記憶された各ガス流量の間の値の場合には、前記各ガス流量に対する前記各温度補正値を補間して、該補間後の温度補正値を前記設定温度に加算し、該加算後の設定温度にて前記加熱手段を制御し、基板を処理する工程と、を有することを特徴とする。
また、実際のプロセスを行う場合は、温度とガス流量にしたがって求めた温度補正値で内部TC7の温度の補正を行う。これによってガス流量が変化してもウェハ3の温度は目的温度で処理することができる。
1a ヒータ素線
2 ボート
3 ウェハ
4 反応管
5 ガス排気口
6 ガス導入口
7 内部TC(内部熱電対)
8 外部TC(内部熱電対)
11 装置操作部
12 温度コントローラ
13 ヒータコントローラ
Claims (2)
- 設定温度にて制御され処理室内に収容された基板を加熱する加熱手段と、
前記処理室内の温度を検出する温度検出手段と、
前記処理室内にガスを供給するガス供給手段と、
前記設定温度における前記ガス供給手段が供給するガス流量を変化させ、各ガス流量ごとに、前記温度検出手段が検出する温度と前記基板の温度との温度差をそれぞれ求め、少なくとも前記各ガス流量とそれぞれの前記温度差とから前記各ガス流量に対する前記設定温度の各温度補正値をそれぞれ求めて記憶しておき、
前記設定温度にて基板を処理する際に、前記ガス供給手段から供給する処理時ガス流量が前記記憶された各ガス流量の値の場合には、該記憶されたガス流量に対する前記温度補正値を前記設定温度に加算し、前記ガス供給手段から供給する処理時ガス流量が前記記憶された各ガス流量の間の値の場合には、前記各ガス流量に対する前記各温度補正値を補間して、該補間後の温度補正値を前記設定温度に加算するように制御する加熱制御手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 加熱手段が処理室内に収容された基板を設定温度にて加熱し、ガス供給手段が前記処理室内に供給するガス流量を変化させ、各ガス流量ごとに、前記温度検出手段が検出する温度と前記基板の温度との温度差をそれぞれ求め、少なくとも前記各ガス流量とそれぞれの前記温度差とから前記各ガス流量に対する前記設定温度の各温度補正値をそれぞれ求めて加熱制御手段が記憶する工程と、
前記加熱制御手段が前記ガス供給手段から供給する処理時ガス流量が前記記憶された各ガス流量の値の場合には、該記憶されたガス流量に対する前記温度補正値を前記設定温度に加算し、前記ガス供給手段から供給する処理時ガス流量が前記記憶された各ガス流量の間の値の場合には、前記各ガス流量に対する前記各温度補正値を補間して、該補間後の温度補正値を前記設定温度に加算し、該加算後の設定温度にて前記加熱手段を制御し、基板を処理する工程と、
を有することを特徴とする基板の製造方法。
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