JP4456412B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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なお、エッチング装置については、例えば特許文献1に開示されている。
Claims (4)
- 真空排気手段によって真空排気されている真空容器と、
前記真空容器内に原料ガスを導入するためのガス導入手段と、
前記真空容器内において被加工試料を載置する下部電極と、
高周波電磁波を導入して、前記導入された原料ガスをプラズマ化する手段とを備えたプラズマ処理装置において、
前記下部電極の前記被加工試料が載置される位置の外周側に円環状部材を配置し、
前記被加工試料に高周波バイアス電力を印加するための高周波バイアス電源を付設し、
前記高周波バイアス電力を分割し、該分割された高周波バイアス電力を前記被加工試料と共に前記円環状部材へも印加すると共に、該円環状部材へ印加される高周波バイアス電力は、予め把握された前記被加工試料の処理条件及び前記円環状部材の材料に関する情報に応じたものとすることにより、前記プラズマ中で生成される活性種の前記円環状部材及び前記被加工試料の周辺における濃度を制御する手段を付設してなり、
前記円環状部材が、シリコン、炭化シリコン、カーボン、シリコン窒化膜、アルミニウム、ステンレス、酸化シリコン、もしくは酸化アルミニウムを主体とした材料から成っていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1記載のプラズマ処理装置において、
前記高周波バイアス電力を分割する手段がコンデンサを用いて、該コンデンサの容量比率によって前記高周波バイアス電力を分割するものであることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項2記載のプラズマ処理装置において、
前記電力分割用のコンデンサを可変容量のものとすることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1に記載のプラズマ処理装置において、
前記プラズマ中の活性種の分布状態をモニターし、その変動量に応じて上記円環状部材に印加する高周波バイアス電力を調整する手段をさらに付設してなることを特徴とするプラズマ処理装置。
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