JP4443968B2 - 水素製造装置 - Google Patents
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Description
(a)ケーシング内に、その下端を閉塞した反応管の複数個を間隔を置いて配置し、ケーシング内と各反応管との間及び相隣り合う反応管間の空隙を高純度水素の流路とすること、
(b)各反応管内に、順次小径の、第1の管、その下端を閉塞した第2の管及び第3の管を、それぞれ間隔を置いて配置し、且つ、第3の管の下端を第2の管の下端閉塞部に対して間隙を置いて配置すること、
(c)加熱用燃焼ガスをその導入管から第2の管と第3の管との間を下方向に流通させた後、第3の管の下端で折り返して第3の管中を上方向に流通させて燃焼ガス排出管から排出するようにすること、
(d)原料ガスをその導入管から各反応管と第1の管との間を下方向に流通させながら反応管の内側に通して接触させて改質ガスを生成し、生成改質ガス中の水素を水素透過膜により分離・精製して高純度水素を製造し、ケーシングに設けた水素導出管から導出するようにすること、
(e)残余の原料ガスを第1の管の下端で折り返して第1の管と第2の管との間を上方向に流通させた後、オフガス排出管から排出するようにすること、
(a)第1のケーシング内に、その下端を閉塞した反応管の複数個を間隔を置いて配置し、第1のケーシング内と各反応管との間及び相隣り合う反応管間の空隙を高純度水素の流路とすること、
(b)各反応管中に間隔を置いて小径の管を配置し、原料ガスを反応管の内側と小径管との間を下降させながら、反応管の内側に通して接触させて改質ガスを生成し、生成改質ガス中の水素を水素透過膜により分離・精製して高純度水素を製造して第1のケーシングに設けた水素導出管から導出すること、
(c)残余の原料ガスを小径管中を上昇させてオフガス排出管から排出するようにすること、
(d)第2のケーシング内に、第1のケーシングを配置し、第2のケーシングの下部壁と第1のケーシングの底部壁との間の空隙を加熱用燃焼ガスの流路とし、その空隙に燃焼ガスの分配部材を配置すること、
(e)加熱用燃焼ガスをその導入管から第2のケーシングの下部に導入して、第2のケーシングと第1のケーシングとの間の空隙を燃焼ガス分配部材を介して上昇させて各反応管での改質ガスの生成に必要な加熱源とし、第2のケーシングの上部壁に設けた排出管から排出するようにすること、
(a)ケーシング内に、反応管の複数個を間隔を置いて配置し、各反応管内に、その内径よりも小径の管を反応管内を貫通した状態に配置すること、
(b)各小径管は、その一端は加熱用燃焼ガス導入管に連なる上部ヘッダーから分岐され、他端は燃焼ガス排出管に連なる下部ヘッダーに連結されていること、
(c)加熱用燃焼ガスをその導入管、上部ヘッダーを経て各小径管の一端から他端に向けて通して反応管を加熱した後、下部ヘッダーを経てその排出管から排出するようにすること、
(d)原料ガスをその導入管、上部ヘッダーを経て各反応管と小径管との間を下降させながら、反応管の内側に通して接触させて改質ガスを生成し、生成改質ガス中から水素を水素透過膜により分離・精製して高純度水素を製造し、ケーシングに設けた水素導出管から導出すること、
(e)残余の原料ガスを各反応管と小径管との間から下部ヘッダーを経てオフガス排出管から排出するようにすること、
(a)第1のケーシング内に、反応管の複数個を間隔を置いて配置し、相隣接する反応管間を上下ジグザグ状に連結し、原料ガスの流れ方向に、最前部の反応管に原料ガス導入管を、最後部の反応管にオフガス排出管を連結すること、
(b)第2のケーシング内に、第1のケーシングを配置し、第2のケーシングの下部壁と第1のケーシングの底部壁との間の空隙を加熱用燃焼ガスの流路とし、その空隙に燃焼ガスの分配部材を配置すること、
(c)加熱用燃焼ガスをその導入管から第2のケーシングの下部に導入して、第2のケーシングと第1のケーシングとの間の空隙を燃焼ガス分配部材を介して上昇させて各反応管での改質ガスの生成に必要な加熱源とし、第2のケーシングの上部壁に設けた排出管から排出するようにすること、
(d)原料ガスを、その導入管から最前部の反応管に導入し、ジグザグ状に連結された反応管から最後部の反応管に向けて流通させながら、各反応管の内側に通して接触させて改質ガスを生成し、生成改質ガス中から水素を水素透過膜により分離・精製して高純度水素を製造して第1のケーシングに設けた水素導出管から導出するようにすること、
(e)残余の原料ガスを最後部の反応管に連なるオフガス排出管から排出するようにすること、
(a)第1のケーシング内に、反応管の複数個を間隔を置いて配置し、各反応管の下部に原料ガス導入管に連なる下部ヘッダーからの分岐管を連結し、各反応管の上部をオフガス排出管に連なる上部ヘッダーからの枝管に連結すること、
(b)第2のケーシング内に、第1のケーシングを配置し、第2のケーシング内の下部壁と第1のケーシングとの底部壁との間の空隙を加熱用燃焼ガスの流路とし、その空隙に燃焼ガスの分配部材を配置すること、
(c)加熱用燃焼ガスをその導入管から第2のケーシングの下部から導入し、第2のケーシングと第1のケーシングとの間の空隙を燃焼ガスの分配部材を介して上昇させて各反応管での改質ガスの生成に必要な加熱源とし、第2のケーシングの上部壁に設けた排出管から排出するようにすること、
(d)原料ガスを、その導入管からヘッダーを経て各反応管に導入し、各反応管の内側に通して接触させて改質ガスを生成し、生成改質ガス中から水素を水素透過膜により分離・精製して高純度水素を製造し、第1のケーシングに設けた水素導出管から導出するようにすること、
(e)各反応管からの残余の原料ガスを各枝管、上部ヘッダーを経てオフガス排出管から排出するようにすること、
(a)ケーシング内に、その下端を閉塞した反応管の複数個を配置し、各反応管内に、順次小径の第1の管及び第2の管をそれぞれ間隔を置いて配置すること、
(b)第1の管はその下端を閉塞し、第2の管はその下端を第1の管の下端閉塞部に対して間隙を置いて配置し、加熱用燃焼ガスをその導入管からヘッダーを経て第1の管と第2の管との間を下方向に流通させた後、第2の管の下端で折り返して第2の管中を上方向に流通させ反応管での改質ガスの生成に必要な加熱源とし、ヘッダーを経て燃焼ガス排出管から排出するようにすること、
(c)ケーシングの内壁とその中に配置された各反応管との間を原料ガス供給用空間とし、ケーシングの一方の側壁に原料ガス導入管を設け、該一方の側壁と相対する他方の側壁にオフガス排出管を設けること、
(d)原料ガスを、その導入管から導入し、各反応管の外側に通して接触させて改質ガスを生成し、生成改質ガス中の水素を水素透過膜により分離・精製して高純度水素として水素導出管から導出すること、
(e)残余の原料ガスをオフガス排出管から排出するようにすること、
(a)第1のケーシング内に、その下端を閉塞した反応管の複数個を間隔を置いて配置し、ケーシング内の各反応管は水素導出管に連なるヘッダーに連結されていること、
(b)第1のケーシングの底部壁に原料ガス導入管を臨ませ、該底部壁と各反応管の下端閉塞部との間の空間に原料ガスの分配部材が配置されていること、
(c)第2のケーシング内に、第1のケーシングを配置し、第1のケーシングが、その底部と第2のケーシングの下部壁との間に間隔を置いて配置され、その間隙に加熱用燃焼ガスの分配部材を配置すること、
(d)加熱用燃焼ガスを、その導入管から導入し、分配部材の下部から上方向に分配、供給して、第1のケーシングと第2のケーシングとの間を上方に流通させながら、第1のケーシング内の反応管を加熱して原料ガスの改質に必要な熱を付与した後、第2のケーシングの上部に設けた排出管から排出するようにすること、
(e)原料ガスを、その導入管から導入し、各反応管の外側に通して改質ガスを生成し、生成改質ガス中の水素を水素透過膜により分離・精製して高純度水素とし、ヘッダーを経て水素導出管から導出するようにすること、
(f)残余の原料ガスを第1のケーシングに設けたオフガス排出管から排出するようにすること、
(a)ケーシング内に、反応管の複数個を配置し、各反応管内に、その内径よりも小径の管を各反応管内を貫通した状態に配置すること、
(b)各小径管は、その一端は加熱用燃焼ガス導入管に連なる上部ヘッダーから分岐され、他端は燃焼ガス排出管に連なる下部ヘッダーに連結されていること、
(c)加熱用燃焼ガスを、その導入管、上部ヘッダーを経て、各小径管の一端から他端に向けて通して反応管を加熱した後、下部ヘッダーを経てその排出管から排出するようにすること、
(d)ケーシングの一方の側壁に原料ガス導入管を設け、該一方の側壁と相対する他方の側壁にオフガス排出管を設けること、
(e)原料ガスを、その導入管から導入し、各反応管の外側に通して改質ガスを生成し、生成改質ガス中の水素を水素透過膜により分離・精製して高純度水素とし、反応管と小径管との間の流路から、ヘッダーを経て水素導出管から導出するようにすること、
(f)残余の原料ガスをオフガス排出管から排出するようにすること、
(a)第1のケーシング内に、反応管の複数個を間隔を置いて配置し、それら反応管のうち一対の反応管毎に、その下部を連結管で連結し、各反応管の上部は水素導出管に連なるヘッダーに連結すること、
(b)第1のケーシングの下部壁と連結管の下端との間に間隔を置き、その間隙に原料ガス分配部材を配置し、第1のケーシングの下部壁及び上部壁にそれぞれ原料ガス導入管及びオフガス排出管を設けること
(c)第2のケーシング内に、第1のケーシングを配置し、第2のケーシング内の下部壁と第1のケーシングの底部との間の空隙を加熱用燃焼ガスの供給部とし、その空隙に燃焼ガスの分配部材を配置すること、
(d)加熱用燃焼ガスを、その導入管から導入し、分配部材の下部から上方向に分配、供給して、第1のケーシングと第2のケーシングとの間を上方に流通させながら、第1のケーシング内の反応管を加熱して原料ガスの改質に必要な熱を付与した後、第2のケーシングの上部に設けた排出管から排出するようにすること、
(e)原料ガスを、その導入管から導入し、各反応管の外側に通して改質ガスを生成し、生成改質ガス中の水素を水素透過膜により分離・精製して高純度水素とし、ヘッダーを経て水素導出管から導出するようにすること、
(f)残余の原料ガスをオフガス排出管から排出するようにすること、
本発明(1)は、図2に示すような外膜式円筒型反応管を用い、原料ガスをその反応管の内側に通して接触させて改質ガスを生成しながら水素透過膜により精製して高純度水素を製造する水素製造装置である。図4〜5は、本発明(1)の態様を示す図である。図4(b)は縦断面図、図4(a)は図4(b)中A−A線断面図である。また、図5(a)は図4(b)の左側面図、図5(b)は図4(b)の右側面図、図5(c)は図4(b)における複数の反応管のうちの1個を取り出し、拡大して示した図である。
本発明(2)は、外膜式円筒型反応管を用い、原料ガスをその反応管の内側に通して接触させて改質ガスを生成しながら、生成改質ガスを水素透過膜により精製して高純度水素を製造する水素製造装置である。図6〜8は、本発明(2)の態様を示す図である。図6(b)は縦断面図、図6(a)は図6(b)中A−A線縦断面図である。また、図7(a)は図6(b)の左側面図、図7(b)は図6(b)の右側面図、図7(c)は図6(b)における複数の反応管のうちの1個を取り出し、拡大して示した図である。
本発明(3)は、外膜式円筒型反応管を用い、原料ガスをその反応管の内側に通して接触させて改質ガスを生成し、生成改質ガス中から水素を水素透過膜により分離・精製して高純度の水素を製造する水素製造装置である。図9〜10は、本発明(3)の態様を示す図である。図9(b)は縦断面図、図9(a)は図9(b)中A−A線縦断面図である。また、図10(a)は図9(b)の左側面図、図10(b)は図9(b)の右側面図、図10(c)は図9(b)における複数の反応管のうちの1個を取り出し、拡大して示した図である。
本発明(4)は、外膜式円筒型反応管を用い、原料ガスを反応管の内側に通して接触させて改質ガスを生成しながら水素透過膜により精製して高純度水素を製造する水素製造装置である。図11〜13は、本発明(4)の態様を示す図である。図11(b)は縦断面図、図11(a)は図11(b)中A−A線縦断面図である。また、図12(a)は図11(b)の左側面図、図12(b)は図11(b)の右側面図、図12(c)は図11(b)における複数の反応管のうちの1個を取り出し、拡大して示した図である。
本発明(5)は、外膜式円筒型反応管を用い、原料ガスをその反応管の内側に通して接触させて改質ガスを生成し、生成改質ガス中から水素を水素透過膜により分離・精製して高純度の水素を製造する水素製造装置である。図14〜16は、本発明(5)の態様を示す図である。図14(b)は縦断面図、図14(a)は図14(b)中A−A線縦断面図である。また、図15(a)は図14(b)の左側面図、図15(b)は図14(b)の右側面図、図15(c)は図14(b)における複数の反応管のうちの左端の1個を取り出し、拡大して示した図である。
本発明(6)は、図3に示すような内膜式円筒型反応管を用い、原料ガスをその反応管の外側に通して接触させて改質ガスを生成しながら水素透過膜により精製して高純度水素を製造する水素製造装置である。図17〜18は、本発明(6)の態様を示す図である。図17(b)は縦断面図、図17(a)は図17(b)中A−A線縦断面図である。また、図18(a)は図17(b)の左側面図、図18(b)は図17(b)の右側面図、図18(c)は図17(b)における複数の反応管のうちの1個を取り出し、拡大して示した図である。
本発明(7)は、内膜式円筒型反応管を用い、原料ガスをその反応管の外側に通して接触させて改質ガスを生成しながら水素透過膜により精製して高純度水素を製造する水素製造装置である。図19〜21は、本発明(7)の態様を示す図である。図19(b)は縦断面図、図19(a)は図19(b)中A−A線縦断面図である。また、図20(a)は図19(b)の左側面図、図20(b)は図19(b)の右側面図、図20(c)は図19(b)における複数の反応管のうちの1個を取り出し、拡大して示した図である。
本発明(8)は、内膜式円筒型反応管を用い、原料ガスをその反応管の外側に通して接触させて改質ガスを生成しながら水素透過膜により精製して高純度水素を製造する水素製造装置である。図22〜23は、本発明(8)の態様を示す図である。図22(b)は縦断面図、図22(a)は図22(b)中A−A線縦断面図である。また、図23(a)は図22(b)の左側面図、図23(b)は図22(b)の右側面図、図23(c)は図22(b)における複数の反応管のうちの1個を取り出し、拡大して示した図である。
本発明(9)は、内膜式円筒型反応管を用い、原料ガスをその反応管の外側に通して接触させて改質ガスを生成しながら水素透過膜により精製して高純度水素を製造する水素製造装置である。図24〜26は、本発明(9)の態様を示す図である。図24(b)は縦断面図、図24(a)は図24(b)中A−A線縦断面図である。また、図25(a)は図24(b)の左側面図、図25(b)は図24(b)の右側面図、図25(c)は図24(b)における複数の反応管のうちの1個を取り出し、拡大して示した図である。
2、23、42、63、83 外膜式円筒状反応管
3 反応管2の下端の閉塞部
3 第1の管
5 第2の管
6 第3の管
7 第2の管5の閉塞部
8 燃焼ガス導入管
9 燃焼ガス供給用ヘッダー(管寄せ)
10 各第3の管6の開口が臨むヘッダー
11 燃焼ガス排出管
12 原料ガス導入管
13 水素導出管
14 ヘッダー
15 オフガス排出管
21、61、81 第1のケーシング
22、62、82 第2のケーシング
101、141 ケーシング
102、123、142、163 内膜式円筒状反応管
103 反応管102の下端閉塞部
104 第1の管
105 第1の管104の下端閉塞部
106 第2の管
107 燃焼ガス導入管
108、112 ヘッダー(管寄せ)
109 燃焼ガス排出管
110 原料ガス導入管
111 オフガス排出管
113 水素導出管
121、161 第1のケーシング
122、162 第2のケーシング
Claims (17)
- 多孔質円筒状の改質触媒兼支持体の外周面に水素透過膜を配置した外膜式円筒型反応管を用い、原料ガスを反応管の内側に通して接触させて改質ガスを生成しながら水素透過膜により精製して高純度水素を製造する水素製造装置であって、下記(a)〜(e)の構成を備えてなることを特徴とする水素製造装置。
(a)ケーシング内に、その下端を閉塞した反応管の複数個を間隔を置いて配置し、ケーシング内と各反応管との間及び相隣り合う反応管間の空隙を高純度水素の流路とすること、
(b)各反応管内に、順次小径の、第1の管、その下端を閉塞した第2の管及び第3の管を、それぞれ間隔を置いて配置し、且つ、第3の管の下端を第2の管の下端閉塞部に対して間隙を置いて配置すること、
(c)加熱用燃焼ガスをその導入管から第2の管と第3の管との間を下方向に流通させた後、第3の管の下端で折り返して第3の管中を上方向に流通させて燃焼ガス排出管から排出するようにすること、
(d)原料ガスをその導入管から各反応管と第1の管との間を下方向に流通させながら反応管の内側に通して接触させて改質ガスを生成し、生成改質ガス中の水素を水素透過膜により分離・精製して高純度水素を製造し、ケーシングに設けた水素導出管から導出するようにすること、
(e)残余の原料ガスを第1の管の下端で折り返して第1の管と第2の管との間を上方向に流通させた後、オフガス排出管から排出するようにすること、 - 多孔質円筒状の改質触媒兼支持体の外周面に水素透過膜を配置した外膜式円筒型反応管を用い、原料ガスを反応管の内側に通して接触させて改質ガスを生成しながら水素透過膜により精製して高純度水素を製造する水素製造装置であって、下記(a)〜(e)の構成を備えてなることを特徴とする水素製造装置。
(a)第1のケーシング内に、その下端を閉塞した反応管の複数個を間隔を置いて配置し、第1のケーシング内と各反応管との間及び相隣り合う反応管間の空隙を高純度水素の流路とすること、
(b)各反応管中に間隔を置いて小径の管を配置し、原料ガスを反応管の内側と小径管との間を下降させながら、反応管の内側に通して接触させて改質ガスを生成し、生成改質ガス中の水素を水素透過膜により分離・精製して高純度水素を製造して第1のケーシングに設けた水素導出管から導出すること、
(c)残余の原料ガスを小径管中を上昇させてオフガス排出管から排出するようにすること、
(d)第2のケーシング内に、第1のケーシングを配置し、第2のケーシングの下部壁と第1のケーシングの底部壁との間の空隙を加熱用燃焼ガスの流路とし、その空隙に燃焼ガスの分配部材を配置すること、
(e)加熱用燃焼ガスをその導入管から第2のケーシングの下部に導入して、第2のケーシングと第1のケーシングとの間の空隙を燃焼ガス分配部材を介して上昇させて各反応管での改質ガスの生成に必要な加熱源とし、第2のケーシングの上部壁に設けた排出管から排出するようにすること、 - 請求項2に記載の水素製造装置において、第2のケーシング内に、複数個の前記第1のケーシングを間隔を置いて並列に配置してなることを特徴とする水素製造装置。
- 多孔質円筒状の改質触媒兼支持体の外周面に水素透過膜を配置した外膜式円筒型反応管を用い、原料ガスを反応管の内側に通して接触させて改質ガスを生成しながら水素透過膜により精製して高純度水素を製造する水素製造装置であって、下記(a)〜(e)の構成を備えてなることを特徴とする水素製造装置。
(a)ケーシング内に、反応管の複数個を間隔を置いて配置し、各反応管内に、その内径よりも小径の管を反応管内を貫通した状態に配置すること、
(b)各小径管は、その一端は加熱用燃焼ガス導入管に連なる上部ヘッダーから分岐され、他端は燃焼ガス排出管に連なる下部ヘッダーに連結されていること、
(c)加熱用燃焼ガスをその導入管、上部ヘッダーを経て各小径管の一端から他端に向けて通して反応管を加熱した後、下部ヘッダーを経てその排出管から排出するようにすること、
(d)原料ガスをその導入管、上部ヘッダーを経て各反応管と小径管との間を下降させながら、反応管の内側に通して接触させて改質ガスを生成し、生成改質ガス中から水素を水素透過膜により分離・精製して高純度水素を製造し、ケーシングに設けた水素導出管から導出すること、
(e)残余の原料ガスを各反応管と小径管との間から下部ヘッダーを経てオフガス排出管から排出するようにすること、 - 多孔質円筒状の改質触媒兼支持体の外周面に水素透過膜を配置した外膜式円筒型反応管を用い、原料ガスを反応管の内側に通して接触させて改質ガスを生成しながら水素透過膜により精製して高純度水素を製造する水素製造装置であって、下記(a)〜(e)の構成を備えてなることを特徴とする水素製造装置。
(a)第1のケーシング内に、反応管の複数個を間隔を置いて配置し、相隣接する反応管間を上下ジグザグ状に連結し、原料ガスの流れ方向に、最前部の反応管に原料ガス導入管を、最後部の反応管にオフガス排出管を連結すること、
(b)第2のケーシング内に、第1のケーシングを配置し、第2のケーシングの下部壁と第1のケーシングの底部壁との間の空隙を加熱用燃焼ガスの流路とし、その空隙に燃焼ガスの分配部材を配置すること、
(c)加熱用燃焼ガスをその導入管から第2のケーシングの下部に導入して、第2のケーシングと第1のケーシングとの間の空隙を燃焼ガス分配部材を介して上昇させて各反応管での改質ガスの生成に必要な加熱源とし、第2のケーシングの上部壁に設けた排出管から排出するようにすること、
(d)原料ガスを、その導入管から最前部の反応管に導入し、ジグザグ状に連結された反応管から最後部の反応管に向けて流通させながら、各反応管の内側に通して接触させて改質ガスを生成し、生成改質ガス中から水素を水素透過膜により分離・精製して高純度水素を製造して第1のケーシングに設けた水素導出管から導出するようにすること、
(e)残余の原料ガスを最後部の反応管に連なるオフガス排出管から排出するようにすること、 - 請求項5に記載の水素製造装置において、第2のケーシング内に、複数個の前記第1のケーシングを間隔を置いて並列に配置してなることを特徴とする水素製造装置。
- 多孔質円筒状の改質触媒兼支持体の外周面に水素透過膜を配置した外膜式円筒型反応管を用い、原料ガスを反応管の内側に通して接触させて改質ガスを生成しながら水素透過膜により精製して高純度水素を製造する水素製造装置であって、下記(a)〜(e)の構成を備えてなることを特徴とする水素製造装置。
(a)第1のケーシング内に、反応管の複数個を間隔を置いて配置し、各反応管の下部に原料ガス導入管に連なる下部ヘッダーからの分岐管を連結し、各反応管の上部をオフガス排出管に連なる上部ヘッダーからの枝管に連結すること、
(b)第2のケーシング内に、第1のケーシングを配置し、第2のケーシング内の下部壁と第1のケーシングとの底部壁との間の空隙を加熱用燃焼ガスの流路とし、その空隙に燃焼ガスの分配部材を配置すること、
(c)加熱用燃焼ガスをその導入管から第2のケーシングの下部から導入し、第2のケーシングと第1のケーシングとの間の空隙を燃焼ガスの分配部材を介して上昇させて各反応管での改質ガスの生成に必要な加熱源とし、第2のケーシングの上部壁に設けた排出管から排出するようにすること、
(d)原料ガスを、その導入管からヘッダーを経て各反応管に導入し、各反応管の内側に通して接触させて改質ガスを生成し、生成改質ガス中から水素を水素透過膜により分離・精製して高純度水素を製造し、第1のケーシングに設けた水素導出管から導出するようにすること、
(e)各反応管からの残余の原料ガスを各枝管、上部ヘッダーを経てオフガス排出管から排出するようにすること、 - 請求項7に記載の水素製造装置において、第2のケーシング内に、複数個の前記第1のケーシングを間隔を置いて並列に配置してなることを特徴とする水素製造装置。
- 多孔質円筒状の改質触媒兼支持体の内周面に水素透過膜を配置した内膜式円筒型反応管を用い、原料ガスを反応管の外側に通して接触させて改質ガスを生成しながら水素透過膜により精製して高純度水素を製造する水素製造装置であって、下記(a)〜(e)の構成を備えてなることを特徴とする水素製造装置。
(a)ケーシング内に、その下端を閉塞した反応管の複数個を配置し、各反応管内に、順次小径の第1の管及び第2の管をそれぞれ間隔を置いて配置すること、
(b)第1の管はその下端を閉塞し、第2の管はその下端を第1の管の下端閉塞部に対して間隙を置いて配置し、加熱用燃焼ガスをその導入管からヘッダーを経て第1の管と第2の管との間を下方向に流通させた後、第2の管の下端で折り返して第2の管中を上方向に流通させ反応管での改質ガスの生成に必要な加熱源とし、ヘッダーを経て燃焼ガス排出管から排出するようにすること、
(c)ケーシングの内壁とその中に配置された各反応管との間を原料ガス供給用空間とし、ケーシングの一方の側壁に原料ガス導入管を設け、該一方の側壁と相対する他方の側壁にオフガス排出管を設けること、
(d)原料ガスを、その導入管から導入し、各反応管の外側に通して接触させて改質ガスを生成し、生成改質ガス中の水素を水素透過膜により分離・精製して高純度水素として水素導出管から導出すること、
(e)残余の原料ガスをオフガス排出管から排出するようにすること、 - 多孔質円筒状の改質触媒兼支持体の内周面に水素透過膜を配置した内膜式円筒型反応管を用い、原料ガスを反応管の外側に通して接触させて改質ガスを生成しながら水素透過膜により精製して高純度水素を製造する水素製造装置であって、下記(a)〜(f)の構成を備えてなることを特徴とする水素製造装置。
(a)第1のケーシング内に、その下端を閉塞した反応管の複数個を間隔を置いて配置し、ケーシング内の各反応管は水素導出管に連なるヘッダーに連結されていること、
(b)第1のケーシングの底部壁に原料ガス導入管を臨ませ、該底部壁と各反応管の下端閉塞部との間の空間に原料ガスの分配部材が配置されていること、
(c)第2のケーシング内に、第1のケーシングを配置し、第1のケーシングが、その底部と第2のケーシングの下部壁との間に間隔を置いて配置され、その間隙に加熱用燃焼ガスの分配部材を配置すること、
(d)加熱用燃焼ガスを、その導入管から導入し、分配部材の下部から上方向に分配、供給して、第1のケーシングと第2のケーシングとの間を上方に流通させながら、第1のケーシング内の反応管を加熱して原料ガスの改質に必要な熱を付与した後、第2のケーシングの上部に設けた排出管から排出するようにすること、
(e)原料ガスを、その導入管から導入し、各反応管の外側に通して改質ガスを生成し、生成改質ガス中の水素を水素透過膜により分離・精製して高純度水素とし、ヘッダーを経て水素導出管から導出するようにすること、
(f)残余の原料ガスを第1のケーシングに設けたオフガス排出管から排出するようにすること、 - 請求項10に記載の水素製造装置において、第2のケーシング内に、複数個の前記第1のケーシングを間隔を置いて並列に配置してなることを特徴とする水素製造装置。
- 多孔質円筒状の改質触媒兼支持体の内周面に水素透過膜を配置した内膜式円筒型反応管を用い、原料ガスを反応管の外側に通して接触させて改質ガスを生成しながら水素透過膜により精製して高純度水素を製造する水素製造装置であって、下記(a)〜(f)の構成を備えてなることを特徴とする水素製造装置。
(a)ケーシング内に、反応管の複数個を配置し、各反応管内に、その内径よりも小径の管を各反応管内を貫通した状態に配置すること、
(b)各小径管は、その一端は加熱用燃焼ガス導入管に連なる上部ヘッダーから分岐され、他端は燃焼ガス排出管に連なる下部ヘッダーに連結されていること、
(c)加熱用燃焼ガスを、その導入管、上部ヘッダーを経て、各小径管の一端から他端に向けて通して反応管を加熱した後、下部ヘッダーを経てその排出管から排出するようにすること、
(d)ケーシングの一方の側壁に原料ガス導入管を設け、該一方の側壁と相対する他方の側壁にオフガス排出管を設けること、
(e)原料ガスを、その導入管から導入し、各反応管の外側に通して改質ガスを生成し、生成改質ガス中の水素を水素透過膜により分離・精製して高純度水素とし、反応管と小径管との間の流路から、ヘッダーを経て水素導出管から導出するようにすること、
(f)残余の原料ガスをオフガス排出管から排出するようにすること、 - 多孔質円筒状の改質触媒兼支持体の内周面に水素透過膜を配置した内膜式円筒型反応管を用い、原料ガスを反応管の外側に通して接触させて改質ガスを生成しながら水素透過膜により精製して高純度水素を製造する水素製造装置であって、下記(a)〜(f)の構成を備えてなることを特徴とする水素製造装置。
(a)第1のケーシング内に、反応管の複数個を間隔を置いて配置し、それら反応管のうち一対の反応管毎に、その下部を連結管で連結し、各反応管の上部は水素導出管に連なるヘッダーに連結すること、
(b)第1のケーシングの下部壁と連結管の下端との間に間隔を置き、その間隙に原料ガス分配部材を配置し、第1のケーシングの下部壁及び上部壁にそれぞれ原料ガス導入管及びオフガス排出管を設けること
(c)第2のケーシング内に、第1のケーシングを配置し、第2のケーシング内の下部壁と第1のケーシングの底部との間の空隙を加熱用燃焼ガスの供給部とし、その空隙に燃焼ガスの分配部材を配置すること、
(d)加熱用燃焼ガスを、その導入管から導入し、分配部材の下部から上方向に分配、供給して、第1のケーシングと第2のケーシングとの間を上方に流通させながら、第1のケーシング内の反応管を加熱して原料ガスの改質に必要な熱を付与した後、第2のケーシングの上部に設けた排出管から排出するようにすること、
(e)原料ガスを、その導入管から導入し、各反応管の外側に通して改質ガスを生成し、生成改質ガス中の水素を水素透過膜により分離・精製して高純度水素とし、ヘッダーを経て水素導出管から導出するようにすること、
(f)残余の原料ガスをオフガス排出管から排出するようにすること、 - 請求項13に記載の水素製造装置において、第2のケーシング内に、複数個の前記第1のケーシングを間隔を置いて並列に配置してなることを特徴とする水素製造装置。
- 請求項1乃至14のいずれか1項に記載の水素製造装置において、前記多孔質円筒状の改質触媒兼支持体がニッケルとイットリア安定化ジルコニアの混合物の焼結体からなることを特徴とする水素製造装置。
- 請求項1乃至14のいずれか1項に記載の水素製造装置において、前記水素透過膜がPd膜またはPd合金の膜であることを特徴とする水素製造装置。
- 請求項1乃至14のいずれか1項に記載の水素製造装置において、前記加熱用燃焼ガスが都市ガス等の燃料ガスまたは前記オフガス排出管からのオフガスの燃焼ガスであることを特徴とする水素製造装置。
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