JP4442600B2 - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents
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Description
<1−1:電気光学装置の全体構成>
先ず、図1及び図2を参照しながら本実施形態に係る電気光学装置を説明する。図1は、TFTアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た電気光学装置の平面図であり、図2は、図1のII−II´断面図である。本実施形態では、電気光学装置の一例として、駆動回路内蔵型のTFTアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例に挙げる。
次に、図3を参照しながら、液晶装置1の画素部の電気的な接続構成を詳細に説明する。図3は、液晶装置1の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。
次に、図4乃至図7を参照しながら、上述の動作が実現される液晶装置1の具体的な構成を説明する。
第1層は、走査線11aで構成される。走査線11aは、図4のX方向に沿って延びる本線部と、データ線6a或いは容量配線400が延在する図4のY方向に延びる突出部とからなる形状にパターニングされている。このような走査線11aは、例えば導電性ポリシリコンからなり、その他にもTi、Cr、W、Ta、Mo等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド又はこれらの積層体等により形成することができる。
第2層は、TFT30及び中継電極719で構成されている。TFT30は、例えばLDD(Lightly Doped Drain)構造とされ、ゲート電極3a、半導体層1a、ゲート電極3aと半導体層1aを絶縁するゲート絶縁膜を含んだ絶縁膜2を備えている。ゲート電極3aは、例えば導電性ポリシリコンで形成される。半導体層1aは、チャネル領域1a´、低濃度ソース領域1b及び低濃度ドレイン領域1c、並びに高濃度ソース領域1d及び高濃度ドレイン領域1eからなる。尚、TFT30は、LDD構造を有することが好ましいが、低濃度ソース領域1b、低濃度ドレイン領域1cに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよいし、ゲート電極3aをマスクとして不純物を高濃度に打ち込んで高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成する自己整合型であってもよい。また、中継電極719は、例えばゲート電極3aと同一膜として形成される。
第3層は、蓄積容量70で構成されている。蓄積容量70は、容量電極300と下部電極71とが誘電体層を介して対向配置された構成となっている。容量電極300は、容量配線400に電気的に接続されている。下部電極71は、TFT30の高濃度ドレイン領域1e及び画素電極9aの夫々に電気的に接続されている。
第4層は、データ線6aで構成されている。データ線6aは、下から順にアルミニウム、窒化チタン、窒化シリコンの三層膜として形成されている。窒化シリコン層は、その下層のアルミニウム層と窒化チタン層を覆うように少し大きなサイズにパターニングされている。また、第4層には、データ線6aと同一膜として、容量配線用中継層6a1及び第2中継電極6a2が形成されている。これらは、図5に示すように互いに分断されるように形成されている。
第5層は、容量配線400及び第3中継電極402により構成されている。容量配線400は、表示パネルの画像表示領域の周囲にまで延設され、定電位源と電気的に接続されることで、固定電位とされている。図5に示すように、容量配線400は、図中X方向及びY方向の夫々に沿って延在する格子状に形成され、X方向に延在する部分には、第3中継電極402の形成領域を確保するために切り欠きが設けられている。また、容量配線400は、その下層のデータ線6a、走査線11a、TFT30等を覆うように、これら回路要素の構造よりも幅広に形成されている。これにより、各回路要素は遮光され、入射光を反射させて投射画像における画素の輪郭がぼやける等の悪影響が防止されている。
次に、図5及び図7を参照しながら、互いに隣接する画素電極9aの間に形成された導電膜92について説明しつつ、液晶装置1の駆動時において、互いに隣接する画素電極9a間に生じる横電界が低減される効果を説明する。図7は、図5のVII−VII´断面図である。尚、本実施形態では説明を簡便にするため、画素電極9aのうち相隣接して配設された4つの画素電極を例に挙げている。
次に、図8を参照しながら、液晶装置1の駆動方法の一例を説明する。ここで、本実施形態では液晶装置1の駆動方式として一例として1S反転駆動方式が採用している。図8は、本実施形態における電気光学装置の1S反転駆動方式における動作状態を説明するための図である。尚、図8では、説明の便宜上、画素電極の平面形状を矩形としている。
次に、以上詳細に説明した電気光学装置を電子機器に適用する場合について説明する。
Claims (3)
- 一対の基板と、
前記一対の基板間に挟持された電気光学物質と、
前記一対の基板の一方の基板上に、間隔を隔てて相隣合う第1画素電極及び第2画素電極と、
前記一方の基板上において前記第1画素電極及び前記第2画素電極と同層に、前記第1画素電極及び前記第2画素電極間の領域に重なるように島状に形成された導電膜と、
前記一方の基板上において、前記第1画素電極及び前記第2画素電極の下層側に形成されており、前記第1画素電極及び前記第2画素電極の夫々に画像信号を供給する画像信号線と、
前記画像信号線及び前記導電膜を電気的に接続する接続部と、
前記一対の基板の他方の基板上に、前記第1画素電極及び前記第2画素電極に対向する対向電極とを備え、
前記第1画素電極及び前記第2画素電極には、前記対向電極に供給される共通電位を基準としてそれぞれ異なる電位が供給され、
前記導電膜には、前記第1画素電極又は前記第2画素電極に供給される電位が供給される
ことを特徴とする電気光学装置。 - 前記同層において、前記間隔を部分的に広げるように前記第1画素電極及び前記第2画素電極が形成されていることによって前記領域の一部の幅が広げられていること
を特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。 - 請求項1又は2に記載の電気光学装置を具備してなること
を特徴とする電子機器。
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