JP4440704B2 - 導波路型光センサ - Google Patents
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Description
「光学的決闘測定システムを応用した体内埋め込み型インスリン注入システム」中間評価報告書、新エネルギー・産業技術総合開発機構 技術評価委員会、「光学的決闘測定システムを応用した体内埋め込み型インスリン注入システム」中間評価平成14年8月
皮膚を透過する光を利用しようとした場合、皮膚を透過する波長帯域が狭いため、この波長帯域に吸収の現象がある物質でないと、計測できないという問題がある。また、透過した光を計測するため、入射光と透過光を計測する光学系が必要であり、装置自体が大きくなるため、常時装着することが難しいという問題がある。
単結晶や薄膜に代わって、光を導波する導波路にして光路を折りたたむことで、導波距離を増やす方法も考えられるが、現在一般的に近赤外域で使用されている石英材の場合、導波路を曲げる半径が数cmと大きいため、小さな領域に長い導波路を詰め込むことはできないため、センサの感度を上げることは困難であるという問題があった。
個人が生体情報を常時計測するためには、個人が使用できる低価格なセンサが必要であり、現状開発されているセンサはこれらの要件を満たしていない。
このように、導波方向を変更して往復するコアから検出領域を構成し、前記コアの一部でスラブ型分光部を構成したので、より小さな検出領域に、より長いコアが配置されるようになる。
また、上記光導波路型センサにおいて、コアは、シリコンから構成されたものである。
また、上記光導波路型センサにおいて、光源の動作及び光検出手段の動作の少なくとも1つを制御する制御回路を備えるようにしてもよく、基板の裏面に配置されて光源及び制御回路に電源を供給する電池を備えるようにしてもよい。
図1は、本発明の実施の形態における導波路型光センサの構成例を示す平面図である。また、図2は、図1に示す導波路型光センサの一部を模式的に示す断面図(a),斜視図(b)である。本導波路型光センサは、例えばシリコンから構成された基板101の上に、酸化シリコンからなる下部クラッド層102を備え、下部クラッド層102の上に、シリコンからなるコア103及びコア層104を備えている。
コア103は、図2(a)に示すように、断面の形状が、幅0.4μm,高さ0.2μmの長方形である。コア103は、これより構成される導波路が、シングルモードとなる寸法に形成されていればよい。
Claims (4)
- 基板の上に形成された下部クラッド層と、
この下部クラッド層の上に形成されて少なくとも一部の面が検出領域で露出したコアと、
このコアから構成された導波路の光入射端と、
前記導波路の光出射端と、
前記下部クラッド層の上に形成されて前記光入射端に光源光を入射する光源と、
前記下部クラッド層の上に形成されて前記光出射端より出射された光を分光するスラブ型分光部と、
このスラブ型分光部により分光された光を検出する光検出手段と
を少なくとも備え、
前記コアはシリコンから構成され、
前記検出領域で、前記コアは導波方向を変更して往復して配置され、
前記スラブ型分光部は、前記コアの一部で構成され、
前記検出領域で前記コアの露出した面に分析対象物が接触する
ことを特徴とする光導波路型センサ。 - 請求項1記載の光導波路型センサにおいて、
前記コアの露出した面に接触して配置された機能膜を備え、
前記機能膜は、特定物質を選択的に吸着する
ことを特徴とする光導波路型センサ。 - 請求項1または2記載の光導波路型センサにおいて、
前記光源の動作及び前記光検出手段の動作の少なくとも1つを制御する制御回路を備える
ことを特徴とする光導波路型センサ。 - 請求項3記載の光導波路型センサにおいて、
前記基板の裏面に配置されて前記光源及び前記制御回路に電源を供給する電池を備える
ことを特徴とする光導波路型センサ。
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