JP4439004B2 - アクティブマトリクス基板およびその製造方法 - Google Patents
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Description
2 引き出し配線
2A 信号線引き出し配線
2B 走査線引き出し配線
3 第1の層間絶縁膜
4 第2の層間絶縁膜
5 ITO膜
6 導電性樹脂
7 ドライバーIC
8 シール材
9 CF基板
10,10A,10B,10C,10D コンタクトホール
11 TFT基板
12,121,122 半導体膜
12A a−Si膜
12B n型a−Si膜
13 走査線用ドライバーIC
14 信号線用ドライバーIC
15 ドレイン配線
16 ボイド
17 ゲート配線
18 ゲート電圧
19 ドレイン電圧
20A,20B 端子
30 TFT
31 ソース電極
40 液晶層
100,200 液晶表示パネル
151 ドレイン電極
171 ゲート電極
Claims (11)
- 透明絶縁基板と、
前記透明基板上に形成されたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子の走査線引き出し配線または信号線引き出し配線であって、その先端に端子部を備える引き出し配線と、
前記引き出し配線を含む前記透明基板上を覆う第1の層間絶縁膜と、
前記第1の層間絶縁膜を貫通して前記端子部上に設けられたコンタクトホールと、
前記コンタクトホールを覆って配置された導電性樹脂膜と、
前記第1の絶縁膜上に、前記引き出し配線に対向し前記引き出し配線側端部から2μm以上突出して前記引き出し配線を覆う領域であって、かつ、少なくとも前記導電性樹脂膜の端部を含む領域に配置された半導体膜パターンと、を備えることを特徴とするアクティブマトリクス基板。 - 前記引き出し配線が少なくとも2以上存在し、
前記半導体膜パターンが少なくとも2以上存在し、
前記半導体膜パターンは前記引き出し配線ごとにそれぞれ対向し、互いに離間して配置していることを特徴とする請求項1に記載のアクティブマトリクス基板。 - 前記引き出し配線が少なくとも2以上存在し、
前記半導体膜パターンは、2以上の前記引き出し配線と交差する線状パターンであることを特徴とする請求項1に記載のアクティブマトリクス基板。 - 前記半導体膜パターンは、前記スイッチング素子の半導体層を構成する材料からなることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板。
- 前記半導体膜パターンは、アモルファスシリコンであることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板。
- 前記スイッチング素子はチャネルエッチ型プロセスで形成されたものであることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板。
- 前記コンタクトホールは透明導電性酸化膜を備えることを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板。
- 前記第1の層間絶縁膜および前記半導体膜パターンを覆う第2の層間絶縁膜をさらに備え、前記コンタクトホールは、前記第1の層間絶縁膜および前記第2の層間絶縁膜を貫通することを特徴とする請求項1から7のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板。
- 透明絶縁基板上に第1の導電膜を形成する工程と、
前記第1の導電膜をパターニングして、スイッチング素子のゲート配線と、前記スイッチング素子の走査線引き出し配線または信号線引き出し配線であって、その先端に端子部を有する引き出し配線と、を形成する工程と、
前記透明絶縁基板上に第1の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の層間絶縁膜上に半導体膜を形成する工程と、
前記半導体膜をパターニングして、前記スイッチング素子の半導体層と、前記引き出し配線に対向した半導体膜パターンとを形成する工程と、
前記第1の層間絶縁膜上と、前記透明絶縁基板上の全面に第2の導電膜を形成する工程と、
前記第2の導電膜をパターニングして前記スイッチング素子のドレイン配線、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程と、
第2の層間絶縁膜を前記透明絶縁基板上の全面に形成した後、前記端子部上の前記第2の層間絶縁膜表面に前記端子部に達する開口を形成し、前記開口に透明導電性酸化膜を被覆しコンタクトホールを形成する工程と、
前記コンタクトホールを覆う導電性樹脂膜を設ける工程と、を有し、
前記半導体膜パターンは、前記引き出し配線に対向し前記引き出し配線側端部から2μm以上突出して前記引き出し配線を覆う領域であって、かつ、少なくとも前記導電性樹脂膜の端部を含む領域に形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。 - 前記半導体膜を形成する工程が、アモルファスシリコン膜とn型アモルファスシリコン膜を連続して成膜する工程を含むことを特徴とする請求項9に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。
- 前記ドレイン配線、前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成する工程の後に、前記n型アモルファスシリコン膜をエッチング除去する工程を含むことを特徴とする請求項10に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。
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