JP4434627B2 - 同軸型半導体レーザモジュール - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信に利用され、小型でギガビット帯の高周波を利用した光通信に用いる同軸型半導体レーザモジュールに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の同軸型半導体レーザモジュールは例えば特許文献1に開示されており、その内部構造を図4で説明する。
【0003】
図4は同軸型半導体レーザモジュールの中央横断面図である。簡単のため、モニタ用フォトダイオード及びフォトダイオードへの配線用リード線は省略する。
【0004】
同軸型半導体レーザモジュールは、半導体レーザ1、金属ステム3、金属ステム3に予め銀ろう材などにより接合した支持台4、先端にレンズ11が取り付けられたレンズキャップ12、レンズキャップ12を収納し、一方側が金属ステム3に接合されるスリーブ13、スリーブ13の他方側に接合されるフェルールホルダ16とから構成されている。
【0005】
半導体レーザ4は、支持台4上に、誘電体で、かつ放熱性の高い窒化アルミニウム材から成るヒートシンク200上の表面200aに半田等により搭載固定されている。表面200aには、半導体レーザ1の電極ワイヤをボンディングできるようメタライズが施されており、表面積は2mm2程度の大きさを有している。なお、ヒートシンク200は支持台4上に搭載固定されている。
【0006】
金属ステム3は貫通孔5を有し、貫通孔5には外部から半導体レーザ1へ通電するための信号入力用のリード線7が挿通されて絶縁用の低融点ガラス6により気密封止固定されている。また、金属ステム3の外部には、グランド接続用のリード線8が銀ろう材などにより設置固定されている。リード線7及びリード線8は一般に直径0.45mmの鉄材又はFe/Ni/Co材などの金属から形成されている。
【0007】
半導体レーザ1が設置されているヒートシンク200上の表面200aとリード線7は第1のAuワイヤ9により接続され、半導体レーザ1の上面は、支持台4に第2のAuワイヤ10により接続されている。リード線7から入力されたRF信号は、第1のAuワイヤ9とヒートシンク200上の表面200aを介して半導体レーザ1に至り、第2のAuワイヤ10を介してケースグランドに接地される。
【0008】
光ファイバ14を保持したフェルール15は、光ファイバ14がレンズ11の集光位置に光軸調芯されており、フェルールホルダ16に挿入固定されている。
【0009】
【特許文献1】
特開平10−96839号公報参照
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図4に示す従来の同軸型半導体レーザモジュールでは、RF(Radio-Frequency )入力信号が入力から半導体レーザ1に至るまでに介しているリード線7、第1のAuワイヤ9及びヒートシンク200上の表面200aは、特にRF入力信号とのインピーダンス整合が成されておらず、寄生リアクタンスを有している為、変調帯域が制限される。
【0011】
更にヒートシンク200は半導体レーザ1のDC駆動用の配線パターン形成と放熱が主目的であるため必要最小限の大きさから成り、表面200aの表面積が2mm2程度であり、0.5mm2の半導体レーザ1を搭載した際、コプレーナ線路の形成やインピーダンス整合用抵抗の搭載などが不可能なため10ギガビット以上での高速変調駆動が困難であるという課題があった。
【0012】
即ち、従来の同軸型半導体レーザモジュールは外径及び長さ寸法の標準化による制限があり大型化は不可能であった。
【0013】
本発明の目的は、上述の課題に鑑みて案出されたものであり、制限により小型であっても入力から半導体レーザに至るまでの寄生リアクタンスを排除し、外部から入力されるRF入力信号とのインピーダンスを整合して10ギガビットでの高速変調駆動も可能とした同軸型半導体レーザモジュールを提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】
上記課題に鑑みて本発明は、半導体レーザと、誘電体基板の表面に上記半導体レーザを搭載する第1の領域と線路又は回路の複数の導体膜が形成された第2の領域とを有したヒートシンク板と、複数のリード線が貫通固定された円形状の金属ステムと、該金属ステムに固定され上記ヒートシンク板を搭載する支持台とから構成され、上記リード線と上記導体膜とを直接接合してなる同軸型半導体レーザモジュールであって、上記線路は、入力信号用線路を有し、該入力信号用線路の両側にグランド用線路を配列させてコプレーナ線路を形成してなり、上記入力信号用線路とグランド用線路が上記各リード線に接合され、このリード線の幅および間隔が上記線路の幅および間隔と同じコプレーナ線路を形成していることを特徴とする同軸型半導体レーザモジュールである。
【0015】
この場合、前記リード線の信号伝送線路は入力信号を伝送させるとともに、当該リード線に接続した導体膜にインピーダンス整合用の薄膜抵抗を形成したことを特徴とする。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図によって説明する。
【0017】
なお、従来技術と同じものについては同じ符号を用いるものとする。
【0018】
図1は、本発明の同軸型半導体レーザモジュールの中央横断面図である。
【0019】
本発明の同軸型半導体レーザモジュールは、半導体レーザ1と、ヒートシンク板2と、複数のリード線7、8が貫通固定された金属ステム3と、金属ステム3に固定され上記ヒートシンク板2を搭載する支持台4とからなる。また、金属ステム3には先端にレンズ11が取り付けられたレンズキャップ12、レンズキャップ12を収納し、一方側が金属ステム3に抵抗溶接により接合されるスリーブ13、スリーブ13の他方側に接合されるフェルールホルダ16とから構成されている。
【0020】
ヒートシンク板2は、放熱性の高い窒化アルミニウムなどの誘電体基板からなり、半導体レーザ1を搭載するとともに、その半導体レーザ1と接続する複数の線路17a〜17cが形成されている。この線路17a〜17cは誘電体基板の表面に導体膜からなるメタライズを施すことにより形成される。この導体膜としてはNi及びAu等が用いられる。また、線路17a〜17cは後述するリード線7、8と直接、半田により接合されている。
【0021】
線路17aは、図1に示すように入力信号用の伝搬線路として用いられ、途中に半導体レーザ1とのインピーダンス整合を行う薄膜抵抗18が形成されている。なお、本発明では薄膜抵抗18を形成することに限定したが、これに限定されるものではない。
【0022】
また、線路17aの先端には半導体レーザ1が搭載されており、線路17aと半導体レーザ1は半田によって接続されている。また、線路17aの後端には金属ステム3に挿入固定したリード線7が半田により直接接合されている。線路17bはグランド用の線路として用いられ、線路17aの両端に並列に形成している。
【0023】
この線路17aとその両端に配列した線路17bとによりコープレーナ線路17を形成しており、半導体レーザ1の上面から線路17bにAuワイヤ9、10により接続して半導体レーザ回路を形成し、この回路における入力信号のインピーダンスマッチングを行うように構成されている。このように、線路17a〜17cで構成するコープレーナ線路17に直接リード線7、8が接合されているので、チップコンデンサやチップインダクタを搭載するなどのインピーダンスを調整する構造をとるようなことがなく小型化が可能であり、逆に、小型であったとしても、充分な特性を得ることが可能となる。
【0024】
このようにコプレーナ線路17は、中心に形成した入力信号用の線路17aの幅Wと両側のグランド用の線路17bとの間隔Gの比、並びにヒートシンク板2の比誘電率εrによってインピーダンスが決定される。外部への電気的接続の為の信号入力用のリード線7及びグランド接続用のリード線8の幅はヒートシンク板2上のコプレーナ線路17の幅と同じく設定してある。金属ステム3の外部へ取り出されたリード線7及びリード線8は、図示しない外部基板へ接続される。
【0025】
金属ステム3は円形状に形成されており、このほぼ中心に貫通孔5が設けられ、貫通孔5のほぼ中心にリード7が挿入されて低融点ガラス6により気密封止固定されている。また、リード線7の両側にはグランドに接続されたリード線8が金属ステム3の厚み方向に挿入固定され、ヒートシンク板2の線路17bに銀ろう材などにより電気的な導通と気密的に封止固定が成されている。金属ステム3及び支持台4の材質は、ヒートシンク板2の材質とほぼ同等の熱膨張係数を有するFe/Ni/Co材や高熱伝導な銅タングステン材などが好ましい。
【0026】
図2は、金属ステム3及び支持台4に半導体レーザ1が搭載されたヒートシンク板2を示した斜視図である。
【0027】
支持台4は予め銀ろう材などにより金属ステム3に固定されており、ヒートシンク板2は支持台4上にはんだ等により搭載固定されている。
【0028】
一般に使用される金属ステム3の外径はφ5.6mmであり、半導体レーザ1が搭載されるヒートシンク板2は、その表面2aの表面積が支持台4の表面積とほぼ同等になるよう幅2.5mm×長さ2.5mm×高さ0.2mmに設定されている(表面2aの表面積で6.25mm2)。このような広いヒートシンク板2に表面積が各々0.5mm2程度の半導体レーザ1やインピーダンス整合用の薄膜抵抗18などを形成するため、ヒートシンク板2の表面2aに充分搭載でき、コプレーナ線路17などのパターンも充分形成できる。
【0029】
フェルールホルダ16は中央に貫通孔16aが形成されており、この貫通孔16aに光ファイバ14が中央に接着固定されたフェルール15を接合材とともに圧入固定させている。そして、フェルールホルダ16はレンズ11の集光位置に光ファイバ14の光軸調芯された後、スリーブ13にYAGレーザ溶接固定されている。光ファイバ14を固定するフェルール15部は、光レセプタクルであっても良い。また、レンズ11と光ファイバ14間に半導体レーザ1への反射戻り光を抑止する光アイソレータを設置しても良い。
【0030】
本発明の半導体レーザモジュールは、外部からリード線7へ入力されたRF信号を、ヒートシンク板2上の線路17a及びインピーダンス整合用の薄膜抵抗18を介して半導体レーザ1に至り、Auワイヤ9、10を介してケースグランドに接地される。
【0031】
このようにして金属ステム3のリード線7、8を直接コプレーナ線路17に接続することで、半導体レーザ1に至るまでの寄生リアクタンスを排除してRF入力信号とのインピーダンスを整合することができる。さらに、インピーダンス整合用の薄膜抵抗18も形成すると10ギガビットでの高速変調駆動を可能とできる。
【0032】
【実施例】
以下、本発明実施例として図1及び図2に示す同軸型半導体レーザモジュールを作製した。
【0033】
図1において、Fe/Ni/Co材から成る円形の金属ステム3のほぼ中心に貫通孔5を設け、貫通孔5のほぼ中心にリード線7を挿通して低融点ガラス6により気密封止固定した。リード線7の両側にはリード線8を挿通し、銀ろう材により固定した。リード線7は、金属ステム3と電気的に絶縁され、リード線8は導通されている。
【0034】
ヒートシンク板2上には、インピーダンスが50Ωとなるように線路17aの幅Wや線路17bとの間隔Gを設定したコプレーナ線路17を形成し、線路17aの途中に半導体レーザ1とのインピーダンスを整合するため、45Ωのインピーダンス薄膜抵抗18を形成した。半導体レーザ1はAu/Sn半田により線路17a上のパターンに搭載固定した。半導体レーザ1の上面とコプレーナ線路17の両側の線路17bをAuワイヤ9、10により接続した。
【0035】
半導体レーザ1の出射光を集光するレンズ11は予め低融点ガラスによりステンレス材から成るレンズキャップ12に固定されており、レンズキャップ12は、金属ステム3に抵抗溶接固定した。レンズキャップ12の外側にはステンレス材から成るスリーブ13を金属ステム3に抵抗溶接固定した。
【0036】
光ファイバ14はステンレス材から成るフェルール15に接着固定されており、レンズ11の集光位置に光軸調芯した後、フェルールホルダ16と共にスリーブ13にYAGレーザ溶接固定した。
【0037】
図2において、Fe/Ni/Co材から成る支持台4の形状を半円柱型に形成し、金属ステム3に銀ろう材により固定した。幅1mm×長さ0.5mm×高さ0.2mmの半導体レーザ1を搭載するヒートシンク板2は、表面2aの表面積が支持台4の面積とほぼ同等になるよう幅2.5mm×長さ2.5mm×高さ0.2mmに設定した(表面2aの表面積で6.25mm2)。ヒートシンク板2は、支持台4上にAu/Sn半田により搭載固定した。
【0038】
金属ステム3に取り付けたリード線7の幅はヒートシンク板2上の線路17aと同じ幅Wに設定し、リード線8との間隔はヒートシンク板2上の線路17bとの間隔Gと同じに設定し、リード線7及びリード線8は、ヒートシンク板2上のコプレーナ線路17へ半田により接続した。
【0039】
図3に従来の同軸型半導体レーザモジュールと本実施例による同軸型半導体レーザモジュールの小信号周波数応答特性を比較して示す。
【0040】
従来の同軸型半導体レーザモジュールでは、RF入力信号が半導体レーザ1に至るまでに介しているリード線7、Auワイヤ9及びヒートシンク板2上の表面2aが、特にRF入力信号とのインピーダンス整合が成されておらず、寄生リアクタンスを有している為、3dB帯域幅が3GHz程度に制限されていたが、本実施例による場合は、リード線7から半導体レーザ1に至るまでRF入力信号のインピーダンス整合が成されているため、電気的な反射や洩れなどの寄生リアクタンスの影響が少なく、3dB帯域幅は11GHzを達成した。
【0041】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、金属ステム3の複数のリード線が半導体レーザが搭載されるヒートシンク板の表面に形成したコプレーナ線路に直接接合することで、別段の整合回路を取り付けなくてもよく小型化が可能であるとともに、入力から半導体レーザに至るまでの寄生リアクタンスを容易に排除してRF入力信号とのインピーダンスを整合させることができる。これにより、特性が向上した小型化の同軸型半導体レーザモジュールを提供することが可能である。
【0042】
また、入力信号用の線路にインピーダンス整合用の薄膜抵抗を形成することで、さらに特性が向上した10ギガビットでの高速変調駆動を可能とする同軸型半導体レーザモジュールを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の同軸型半導体レーザモジュールを示す横断面図である。
【図2】本発明の同軸型半導体レーザモジュールにおける金属ステム及び半導体レーザが搭載されたヒートシンク部の斜視図である。
【図3】従来の同軸型半導体レーザモジュールと本発明実施例の同軸型半導体レーザモジュールの小信号周波数応答特性図である。
【図4】従来の同軸型半導体レーザモジュールを示す横断面図である。
【符号の説明】
1…半導体レーザ
2…ヒートシンク板
2a…表面
3…金属ステム
4…支持台
5…貫通孔
6…低融点ガラス
7…リード線
8…リード線
9…Auワイヤ
10…Auワイヤ
11…レンズ
12…レンズキャップ
13…スリーブ
14…光ファイバ
15…フェルール
16…フェルールホルダ
17…コプレーナ線路
17a…線路(入力信号用)
17b…線路(グランド用)
18…薄膜抵抗
Claims (2)
- 半導体レーザと、
誘電体基板の表面に上記半導体レーザを搭載するとともに、該半導体レーザと接続する導体膜からなる複数の線路を被着したヒートシンク板と、
複数のリード線が貫通固定された円形状の金属ステムと、
該金属ステムに固定され上記ヒートシンク板を搭載する支持台とから構成された同軸型半導体レーザモジュールであって、
上記線路は、入力信号用線路を有し、該入力信号用線路の両側にグランド用線路を配列させてコプレーナ線路を形成してなり、上記入力信号用線路とグランド用線路に上記各リード線が接合され、該リード線の幅および間隔が上記線路の幅および間隔と同じコプレーナ線路を形成していることを特徴とする同軸型半導体レーザモジュール。 - 前記リード線の信号伝送線路は入力信号を伝送させるとともに、当該リード線に接続した導体膜にインピーダンス整合用の薄膜抵抗を形成したことを特徴とする請求項1記載の同軸型半導体レーザモジュール。
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