JP4409459B2 - プラズマ処理装置およびその部品と部品の寿命検出方法 - Google Patents
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Description
W 基板
1 プラズマ処理装置
10 処理容器
11 絶縁板
12 サセプタ支持台
13 サセプタ
14 静電チャック
15 電極
16 直流電源
17 フォーカスリング
18 インシュレータ部材
20,21 識別標識
20a,20b,20c,21a,21b,21c 記号
22 ドット穴
23 レーザ加工装置
24 レーザ発振器
25 スキャニング機構
26 レンズ
27 エッチング液滴
28 冷媒室
29a29b 配管
29c ガス供給ライン
30 上部電極
31 外側上部電極
32 内側上部電極
33 誘電体
34 絶縁性遮蔽部材
40 整合器
41 上部給電棒
42 コネクタ
43 給電筒
44 1の高周波電源
45 絶縁部材
50 電極板
50a ガス噴出孔
52 電極支持体
53 バッファ室
54 環状隔壁部材
53a 第1のバッファ室
53b 第2のバッファ室
60 下部給電筒
61 可変コンデンサ
70 排気口
71 排気管
72 排気装置
80 整合器
81 第2の高周波電源
82 ローパスフィルタ
83 ハイパスフィルタ
90 装置制御部
100,101 ガスボックス
102 第1のガス供給管
104 マスフローコントローラ
105 流量調節弁
110 第2のガス供給管
112 マスフローコントローラ
113 流量調節弁
120 ガス設定装置
Claims (10)
- 基板を収納した処理容器内にてプラズマを生成して,基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において,前記処理容器内に配置される部品であって,
前記部品の表面には,平面視で略円形状を有し,縦断面形状が略U字形状のドット穴を複数並べることにより示された記号を1または2以上組合わせてなる識別標識が付され,
前記ドット穴の直径Dが,0.1mm以下でありプラズマ処理時のシース厚よりも狭く,
前記ドット穴の中心軸同士の最短距離Lが前記直径Dの3倍以上であることを特徴とする,プラズマ処理装置の部品。 - 前記記号を示すにあたり,複数のドット穴を線状に並べて配置されたドット列と,複数のドット穴を線状に並べて配置された他のドット列とが接する場合,当該接する位置において,それらドット列同士のなす角が,25°未満とならないことを特徴とする,請求項1に記載のプラズマ処理装置の部品。
- 前記部品の処理容器内に露出する表面に,2以上の記号を組合わせた識別標識が付されており,前記2以上の記号において,各記号ごとに,ドット穴の深さが異なることを特徴とする,請求項1または2に記載のプラズマ処理装置の部品。
- 前記部品の処理容器内に露出しない表面に,前記識別標識が付されていることを特徴とする,請求項1〜3のいずれかに記載のプラズマ処理装置の部品。
- 前記部品は,Si,石英,アルミナセラミックス,イットリアセラミックス,SiCのいずれかからなることを特徴とする,請求項1〜4のいずれかに記載のプラズマ処理装置の部品。
- 前記ドット穴がレーザ加工で形成されることを特徴とする,請求項1〜5のいずれかに記載のプラズマ処理装置の部品。
- 前記ドット穴がウェットエッチングで形成されることを特徴とする,請求項1〜6のいずれかに記載のプラズマ処理装置の部品。
- 基板を収納した処理容器内にてプラズマを発生させ,基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって,
前記処理容器内に,請求項1〜7のいずれかに記載された部品を配置したことを特徴とする,プラズマ処理装置。 - 基板を収納した処理容器内にてプラズマを発生させ,基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において,前記処理容器内に配置される部品の寿命を検出する方法であって,
前記部品の,前記処理容器内に露出する表面に,平面視で略円形状を有し,縦断面形状が略U字形状のドット穴を複数並べることにより示された記号を1または2以上組合わせてなる識別標識を付しておき,
前記ドット穴の直径Dが,0.1mm以下でありプラズマ処理時のシース厚よりも狭く,前記ドット穴の中心軸同士の最短距離Lが前記直径Dの3倍以上であり,
前記識別標識の状態により,前記部品の寿命を検出することを特徴とする,プラズマ処理装置における部品の寿命検出方法。 - 前記部品に,各記号ごとにドット穴の深さが異なる2以上の記号を組合わせた識別標識を付しておき,深さが浅い記号から段階的に消滅することにより,前記部品の寿命を検出することを特徴とする,請求項9に記載のプラズマ処理装置における部品の寿命検出方法。
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