JP4409275B2

JP4409275B2 - Data rewrite device

Info

Publication number: JP4409275B2
Application number: JP2003416790A
Authority: JP
Inventors: 洋一郎奥村
Original assignee: Olympus Corp
Current assignee: Olympus Corp
Priority date: 2003-12-15
Filing date: 2003-12-15
Publication date: 2010-02-03
Anticipated expiration: 2023-12-15
Also published as: JP2005174232A

Description

本発明は、不揮発性メモリ等のデータを書き換えるデータ書き換え装置に関する。 The present invention relates to a data rewriting device for rewriting data in a nonvolatile memory or the like.

特許文献１では、ファームウェアを情報処理装置によって書き換えた後、全ての書き込んだデータを加算してチェックサムを計算し、このチェックサムが正しいか否かを判断して書き換えが正常に行われたかどうかをユーザに通知する情報処理装置に関する技術が記載されている。
特開２００１−１３４４４５号公報 In Patent Document 1, after the firmware is rewritten by the information processing apparatus, all the written data is added to calculate the checksum, and it is determined whether or not the checksum is correct, and whether or not the rewriting has been performed normally. Describes a technology relating to an information processing apparatus that notifies a user of the above.
JP 2001-134445 A

ところで、書き換えが正常に行われない場合の原因としては、最後まで書き換え動作を行ったにも係わらず書き込みエラーが発生する場合と、書き換え途中で停電や内蔵電源の消耗により電源供給が遮断し、最後まで書き換え動作が実行されずに書き込みエラーが発生する場合がある。 By the way, as a cause when rewriting is not performed normally, there is a writing error despite rewriting operation to the end, and power supply is cut off due to power failure or internal power consumption during rewriting, A rewrite operation is not executed until the end, and a write error may occur .

本発明の目的とするところは、不揮発性メモリの書き換えの途中における停電や内蔵電源の消耗等によらず、ファームウェア及びこのファームウェアの書き換えを制御するためのプログラムの書き換えを確実に行なうことにある。 It is an object of the present invention is to regardless by the depletion or the like of a power failure or internal power in the course of rewriting the nonvolatile memory, surely rewriting program for controlling the rewriting firmware and the firmware .

上記目的を達成するために、本発明の第１の態様では、内蔵電源からの電源供給又は外部電源からの電源供給により不揮発性メモリの書き換え動作を実行するデータ書き換え装置であって、所定のファームウェアを格納する第１メモリ領域と、上記ファームウェアの書き換えを制御するためのプログラムを格納するための第２メモリ領域と、所定のフラグを設定するフラグ設定用メモリを有する不揮発性メモリと、上記第２メモリ領域に格納されたプログラムに基づいて、上記第１メモリ領域の書き換えの場合は上記内蔵電源に基づく書き換え動作を許容し、上記第２メモリ領域のデータの書き換えのときは上記外部電源に基づく書き換えを許容するとともに上記内蔵電源に基づく書き換え動作を禁止する書き換え制御手段と、上記不揮発性メモリの第１メモリ領域又は上記第２メモリ領域の書き換えに先立って、上記フラグ設定用メモリを読み出すフラグ読み出し手段と、上記不揮発性メモリの書き換え開始時に上記フラグを所定の値に設定し、上記不揮発性メモリの書き換え完了後に上記フラグを上記書き換え開始時とは異なる値に設定するフラグ設定手段と、上記フラグ読み出し手段により読み出したフラグの値が上記不揮発性メモリの書き換え開始時に設定した値と同じ値のとき所定のメッセージを表示する表示手段とを備えたことを特徴とするデータ書き換え装置が提供される。 In order to achieve the above object, according to a first aspect of the present invention, there is provided a data rewriting device for executing a rewriting operation of a nonvolatile memory by power supply from a built-in power supply or power supply from an external power supply. a first memory area for storing a second memory area for storing a program for controlling the rewriting of the firmware, the nonvolatile memory having a memory flag setting for setting a predetermined flag, the second Based on the program stored in the memory area, when rewriting the first memory area, rewriting operation based on the built-in power supply is allowed, and when rewriting data in the second memory area, rewriting based on the external power supply. Rewrite control means for prohibiting rewrite operation based on the built-in power supply and the non-volatile Prior to rewriting the first memory area or the second memory area of memory, flag reading means for reading the flag setting memory, and the flag is set to a predetermined value at the start of rewriting of the nonvolatile memory, and the nonvolatile memory Flag setting means for setting the flag to a value different from that at the start of rewriting after rewriting of the nonvolatile memory, and the value of the flag read by the flag reading means is the same as the value set at the start of rewriting of the nonvolatile memory In this case, a data rewriting apparatus is provided, which includes display means for displaying a predetermined message.

本発明の第２の態様では、内蔵電源からの電源供給、または外部電源からの電源供給により不揮発性メモリの書き換え動作を実行するデータ書き換え装置であって、外部電源電圧を検出する電源電圧検出手段と、所定のファームウェアを格納する第１メモリ領域と、上記ファームウェアの書き換えを制御するためのプログラムを格納する第２メモリ領域と、所定のフラグを設定するフラグ設定用メモリを有する不揮発性メモリと、上記第２メモリ領域に記憶されたプログラムに基づいて、上記第１メモリ領域のデータの書き換えの場合は上記外部電源電圧が第１の所定電圧では書き換えを許可し、上記第２メモリ領域のデータの書き換えの場合は上記外部電源電圧が上記第１の所定電圧では書き換えを禁止し、上記外部電源電圧が第２の所定電圧では書き換えを許可する書き換え制御手段と、上記不揮発性メモリの第１メモリ領域又は上記第２メモリ領域の書き換えに先立って、上記フラグ設定用メモリを読み出すフラグ読み出し手段と、上記不揮発性メモリの書き換え開始時に上記フラグを所定の値に設定し、上記不揮発性メモリの書き換え完了後に上記フラグを上記書き換え開始時とは異なる値に設定するフラグ設定手段と、上記フラグ読み出し手段により読み出したフラグの値が上記不揮発性メモリの書き換え開始時に設定した値と同じ値のとき所定のメッセージを表示する表示手段とを備えたことを特徴とするデータ書き換え装置が提供される。 According to a second aspect of the present invention, there is provided a data rewrite device for executing a rewrite operation of a nonvolatile memory by power supply from a built-in power supply or power supply from an external power supply, and a power supply voltage detection means for detecting an external power supply voltage When a first memory area for storing a predetermined firmware, and a second memory area for storing a program for controlling the rewriting of the firmware, the nonvolatile that have a memory flag set for setting a predetermined flag a memory, based on the program stored in the second memory area, in case of rewriting data in the first memory area permits the rewriting in the external power supply voltage is a first predetermined voltage, said second main When rewriting data in the memory area, rewriting is prohibited when the external power supply voltage is the first predetermined voltage, and the external power supply voltage is the second predetermined voltage. Rewrite control means for permitting rewriting under pressure, flag reading means for reading the flag setting memory prior to rewriting of the first memory area or the second memory area of the non-volatile memory, and rewriting of the non-volatile memory Flag setting means for setting the flag to a predetermined value at the start, and setting the flag to a value different from that at the start of the rewrite after completion of rewriting of the nonvolatile memory, and a flag value read by the flag reading means There is provided a data rewriting apparatus comprising display means for displaying a predetermined message when the value is the same as the value set at the start of rewriting of the nonvolatile memory.

本発明の第３の態様では、上記第２の態様において、上記第１の所定電圧は、外部電源が接続されていないことを示す電圧であることを特徴とするデータ書き換え装置が提供される。 According to a third aspect of the present invention, there is provided the data rewriting device according to the second aspect, wherein the first predetermined voltage is a voltage indicating that an external power source is not connected.

本発明の第４の態様では、上記第２の態様において、上記第２の所定電圧は、外部電源が接続されたことを示す電圧であることを特徴とするデータ書き換え装置が提供される。 According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the data rewriting device according to the second aspect, wherein the second predetermined voltage is a voltage indicating that an external power source is connected.

本発明の第５の態様では、第１電圧レベル又は上記第１電圧レベルより高い第２電圧レベルを基準に電源電圧のレベルを判定する電源電圧判定手段と、所定のファームウェアを格納する第１メモリ領域と、上記ファームウェアの書き換えを制御するためのプログラムを格納するための第２メモリ領域と、所定のフラグを設定するフラグ設定用メモリを有する不揮発性メモリと、上記第２メモリ領域に記憶されたプログラムに基づいて、上記第１メモリ領域のデータの書き換えのときは電源電圧が上記第１電圧レベルより低いときはデータの書き換えを禁止し、上記第２メモリ領域のデータの書き換えのときは電源電圧が上記第２電圧レベルより低いときは書き換えを禁止する書き換え制御手段と、上記不揮発性メモリの第１メモリ領域又は上記第２メモリ領域の書き換えに先立って、上記フラグ設定用メモリを読み出すフラグ読み出し手段と、上記不揮発性メモリの書き換え開始時に上記フラグを所定の値に設定し、上記不揮発性メモリの書き換え完了後に上記フラグを上記書き換え開始時とは異なる値に設定するフラグ設定手段と、上記フラグ読み出し手段により読み出したフラグの値が上記不揮発性メモリの書き換え開始時に設定した値と同じ値のとき所定のメッセージを表示する表示手段とを備えたことを特徴とするデータ書き換え装置が提供される。 In a fifth aspect of the present invention, a power supply voltage determination means for determining a power supply voltage level based on a first voltage level or a second voltage level higher than the first voltage level, and a first memory storing predetermined firmware An area, a second memory area for storing a program for controlling rewriting of the firmware, a non-volatile memory having a flag setting memory for setting a predetermined flag, and the second memory area. Based on the program, when rewriting data in the first memory area, data rewriting is prohibited when the power supply voltage is lower than the first voltage level, and when rewriting data in the second memory area, Rewrite control means for prohibiting rewrite when the voltage is lower than the second voltage level, and the first memory area or the upper side of the non-volatile memory Prior to rewriting the second memory area, flag reading means for reading the flag setting memory, the flag is set to a predetermined value at the start of rewriting of the nonvolatile memory, and the flag is set after rewriting of the nonvolatile memory is completed. Flag setting means for setting the value to a value different from that at the start of rewriting, and a predetermined message is displayed when the value of the flag read by the flag reading means is the same as the value set at the start of rewriting of the nonvolatile memory There is provided a data rewriting device comprising a display means.

本発明の第６の態様では、上記第１、２、５の態様において、上記不揮発性メモリの上記第１メモリ領域にはカメラ又はそのアクセサリを制御するファームウェア又はデータが格納されることを特徴とするデータ書き換え装置が提供される。 According to a sixth aspect of the present invention, in the first, second, and fifth aspects, the first memory area of the nonvolatile memory stores firmware or data for controlling the camera or its accessory. A data rewriting device is provided.

本発明によれば、不揮発性メモリの書き換えの途中における停電や内蔵電源の消耗等によらず、ファームウェア及びこのファームウェアの書き換えを制御するためのプログラムの書き換えを確実に行なうことができる。 According to the present invention can be carried out regardless by the power failure or the internal power source depletion or the like in the course of rewriting the nonvolatile memory, the rewriting of the program for controlling the rewriting firmware and the firmware reliably.

以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

先ず、図１には本発明の第１及び第２の実施の形態に共通するデータ書き換え装置の基本構成、及びそれを採用したカメラシステムの構成例を示し説明する。 First, FIG. 1 shows a basic configuration of a data rewriting apparatus common to the first and second embodiments of the present invention and a configuration example of a camera system employing the same.

この図１に示されるように、このデータ書き換え装置を採用したカメラシステムは、レンズユニット１２、ストロボユニット８０、ボディユニット１００等からなる。 As shown in FIG. 1, a camera system employing this data rewriting device includes a lens unit 12, a strobe unit 80, a body unit 100, and the like.

先ず、レンズユニット１２の構成について説明する。 First, the configuration of the lens unit 12 will be described.

レンズユニット１２には、当該レンズユニット１２全体の制御を司るレンズ制御用マイクロコンピュータ（以下、Ｌｕｃｏｍと称する）５が配設されている。そして、このＬｕｃｏｍ５は、ＤＣモータ等からなるレンズ駆動機構２やステッピングモータ等からなる絞り駆動機構４と電気的に接続されている。このレンズ駆動機構２は、撮影レンズ１２ａを駆動するための機構であり、絞り駆動機構４は、絞り３を駆動するための機構である。Ｌｕｃｏｍ５は、通信コネクタ６を介してボディユニット１００のボディ制御用マイクロコンピュータ（以下、Ｂｕｃｏｍと称する）５０と通信自在に接続され、Ｂｕｃｏｍ５０の指令に従って各機構を駆動制御する。レンズユニット１２は、ボディユニット１００の前面に設けられた不図示のレンズマウントを介して着脱自在に構成されている。 The lens unit 12 is provided with a lens control microcomputer (hereinafter referred to as “Lucom”) 5 that controls the entire lens unit 12. The Lucom 5 is electrically connected to a lens driving mechanism 2 composed of a DC motor or the like and a diaphragm driving mechanism 4 composed of a stepping motor or the like. The lens driving mechanism 2 is a mechanism for driving the photographing lens 12 a, and the diaphragm driving mechanism 4 is a mechanism for driving the diaphragm 3. The Lucom 5 is communicatively connected to a body control microcomputer (hereinafter referred to as Bucom) 50 of the body unit 100 via the communication connector 6, and drives and controls each mechanism in accordance with commands from the Bucom 50. The lens unit 12 is configured to be detachable via a lens mount (not shown) provided on the front surface of the body unit 100.

次に、ボディユニット１００の光学系の構成について説明する。 Next, the configuration of the optical system of the body unit 100 will be described.

ボディユニット１００には、レンズユニット１２の撮影レンズ１２ａ、絞り３を介して入射された光の光路上にクイックリターンミラー１３ｂが配設されており、当該クイックリターンミラー１３ｂの後方には、当該クイックリターンミラー１３ｂを透過した光を反射するためのサブミラー１３ｄが配設されている。そして、このサブミラー１３ｄの反射光の光路上には、その反射光を受けて自動測距する為のＡＦセンサユニット３０ａが配設されている。一方、上記クイックリターンミラー１３ｂで反射された光の光路上には、ペンタプリズム１３ａ、接眼レンズ１３ｃ、測光回路３２が配設されている。クリックリターンミラー１３ｂの後方には、その平面が光軸と垂直となるように、シャッタ１４、防塵フィルタ２１、ＣＣＤユニット２７等が撮像ユニットとして配設されている。 The body unit 100 is provided with a quick return mirror 13b on the optical path of light incident through the photographing lens 12a and the diaphragm 3 of the lens unit 12, and behind the quick return mirror 13b, the quick return mirror 13b. A sub-mirror 13d for reflecting the light transmitted through the return mirror 13b is provided. An AF sensor unit 30a for receiving the reflected light and automatically measuring the distance is disposed on the optical path of the reflected light of the sub mirror 13d. On the other hand, a pentaprism 13a, an eyepiece lens 13c, and a photometric circuit 32 are disposed on the optical path of the light reflected by the quick return mirror 13b. Behind the click return mirror 13b, a shutter 14, a dustproof filter 21, a CCD unit 27, etc. are arranged as an imaging unit so that the plane is perpendicular to the optical axis.

次に、ボディユニット１００の制御系の構成について説明する。 Next, the configuration of the control system of the body unit 100 will be described.

ボディユニット１００には、全体の制御を司るＢｕｃｏｍ５０が配設されている。このＢｕｃｏｍ５０は、ＡＦセンサユニット３０ａを駆動制御する為のＡＦセンサ駆動回路３０ｂ、クリックリターンミラー１３ｂを駆動制御する為のミラー駆動機構１８、シャッタ１４をチャージする為のシャッタチャージ機構１９、シャッタ１４を駆動制御する為のシャッタ制御回路３１、防塵フィルタ２１を駆動制御する為の防塵フィルタ駆動回路４８と接続されている。さらに、このＢｕｃｏｍ５０は、後述するような各種情報を記憶する為のフラッシュメモリ等の不揮発性メモリ２９、ＣＣＤユニット２７の周辺の温度を測定する為の温度測定回路３３、画像処理コントローラ４０、ペンタプリズム１３ａからの光束に基づいて測光処理をする為の測光回路３２、各部に好適となるように電池５４等の電圧を変換する為の電源回路５３ａ、内部電源としての電池５４の電圧を検出する為の電圧検出回路５３ｂ、カメラの動作状態等をユーザに告知する為の動作表示用ＬＣＤ５７、カメラ操作ＳＷ５２、ＵＳＢ通信コネクタ６０、ストロボ通信コネクタ８５、リセットＩＣ６１等と、制御バスを介して通信自在に接続されている。 The body unit 100 is provided with a Bucom 50 that performs overall control. The Bucom 50 includes an AF sensor driving circuit 30b for driving and controlling the AF sensor unit 30a, a mirror driving mechanism 18 for driving and controlling the click return mirror 13b, a shutter charging mechanism 19 for charging the shutter 14, and a shutter 14. A shutter control circuit 31 for drive control and a dust filter drive circuit 48 for drive control of the dust filter 21 are connected. Further, the Bucom 50 includes a non-volatile memory 29 such as a flash memory for storing various information as described later, a temperature measuring circuit 33 for measuring the temperature around the CCD unit 27, an image processing controller 40, a pentaprism. A photometric circuit 32 for performing photometric processing based on the luminous flux from 13a, a power supply circuit 53a for converting the voltage of the battery 54 and the like so as to be suitable for each part, and for detecting the voltage of the battery 54 as an internal power source The voltage detection circuit 53b, the operation display LCD 57 for notifying the user of the operation state of the camera, the camera operation SW 52, the USB communication connector 60, the strobe communication connector 85, the reset IC 61, and the like can be communicated via the control bus. It is connected.

カメラ操作ＳＷ５２は、例えばレリーズＳＷ（１ｓｔレリーズＳＷ、２ｎｄレリーズＳＷ）やモード変更ＳＷ、パワーＳＷ等といった各種操作釦を含むスイッチ群である。画像処理コントローラ４０は、液晶モニタ３６、ＳＤＲＡＭ３８ａと通信自在に接続され、更には通信コネクタ３５を介して各種のメモリカードや外付けのＨＤＤ等の外部記録媒体である記録メディア３９とも接続されている。電源回路５３ａは、電池５４や外部電源７０と接続される。外部電源７０は、ＡＣ／ＤＣコンバータ機能を内蔵しており、付属するコネクタ７１を介して家庭用電源等からの電力供給を可能とするものである。 The camera operation SW 52 is a switch group including various operation buttons such as a release SW (1st release SW, 2nd release SW), a mode change SW, a power SW, and the like. The image processing controller 40 is communicably connected to the liquid crystal monitor 36 and the SDRAM 38a, and is further connected to a recording medium 39 which is an external recording medium such as various memory cards and an external HDD via the communication connector 35. . The power supply circuit 53 a is connected to the battery 54 and the external power supply 70. The external power supply 70 has a built-in AC / DC converter function, and enables power supply from a household power supply or the like via an attached connector 71.

次に、ストロボユニット８０の構成について説明する。 Next, the configuration of the strobe unit 80 will be described.

ストロボユニット８０は、閃光電球８１、ＤＣ／ＤＣコンバータ８２、ストロボ制御マイクロコンピュータ８３、及びストロボ用電池８４からなり、ストロボ通信コネクタ８５を介してボディユニット１００と通信可能となっている。 The strobe unit 80 includes a flash bulb 81, a DC / DC converter 82, a strobe control microcomputer 83, and a strobe battery 84, and can communicate with the body unit 100 via a strobe communication connector 85.

以下、上記構成による作用のうち特徴的なものを詳細に説明する。 Hereinafter, characteristic features of the above-described operation will be described in detail.

このデータ書き換え装置の不揮発性メモリ２９は、第１の領域に所定のファームウェアを格納し、第２のメモリ領域に当該ファームウェアの書き換えを制御するためのプログラムを格納し、フラグ設定用領域に所定のフラグが設定される。 The nonvolatile memory 29 of this data rewriting device stores predetermined firmware in the first area, stores a program for controlling rewriting of the firmware in the second memory area, and stores predetermined firmware in the flag setting area. A flag is set.

そして、Ｂｕｃｏｍ５０が第１メモリ領域又は第２メモリ領域のデータを書き換える際には、以下の特徴的な動作がなされる。即ち、Ｂｕｃｏｍ５０は、第１メモリ領域の書き換えの場合は内蔵電源である電池５４に基づく書き換え動作を許容し、第２メモリ領域のデータの書き換えのときは外部電源７０に基づく書き換えを許容するとともに上記内蔵電源である電池５４に基づく書き換え動作を禁止する。更に、Ｂｕｃｏｍ５０は、不揮発性メモリ２９の書き換え開始時にフラグを所定の値に設定し、不揮発性メモリ２９の書き換え完了後に上記フラグを上記書き換え開始時とは異なる値に設定する。 When the Bucom 50 rewrites data in the first memory area or the second memory area, the following characteristic operation is performed. That is, the Bucom 50 allows a rewrite operation based on the battery 54 that is a built-in power supply when rewriting the first memory area, and allows a rewrite based on the external power supply 70 when rewriting data in the second memory area. Rewriting operation based on the battery 54 which is a built-in power supply is prohibited. Further, the Bucom 50 sets a flag to a predetermined value at the start of rewriting of the nonvolatile memory 29, and sets the flag to a value different from that at the start of rewriting after the rewriting of the nonvolatile memory 29 is completed.

そして、Ｂｕｃｏｍ５０は、不揮発性メモリ２９の第１メモリ領域又は第２メモリ領域の書き換えに先立って、フラグ設定用領域の内容を読み出す、当該フラグの値が不揮発性メモリ２９の書き換え開始時に設定した値と同じ値のときには動作表示用ＬＣＤ５７に所定のメッセージを表示する。従って、ファームウェアの書き換えの場合は内蔵電源である電池５４により簡単に書き換えができるとともに、ブートプログラムの書き換え中に電源が消耗して書き換えを失敗して書き換えが不可能になるということがないので、ファームウェアの書き換えを制御するためのプログラムの書き換えを確実に行うことができると共に、正常に書き換えが終了したかどうかを簡単に確認できる。 The Bucom 50 reads the contents of the flag setting area before rewriting the first memory area or the second memory area of the non-volatile memory 29. The value of the flag is set when the rewriting of the non-volatile memory 29 is started. When the value is the same, a predetermined message is displayed on the operation display LCD 57. Therefore, in the case of firmware rewriting, it can be easily rewritten by the battery 54 that is a built-in power supply, and there is no case where the power is consumed during rewriting of the boot program and rewriting fails and rewriting becomes impossible. It is possible to reliably rewrite the program for controlling the rewriting of the firmware and to easily check whether the rewriting has been completed normally.

また、内蔵電源としての電池５４からの電源供給又は外部電源７０からの電源供給により不揮発性メモリ（不揮発性半導体メモリ）２９の書き換え動作を実行する場合に、電源検出回路５３ｂが外部電源電圧を検出する。不揮発性メモリ２９は、所定のファームウェアを格納する第１メモリ領域と、上記ファームウェアの書き換えを制御するためのプログラムを格納する第２メモリ領域とを有する。Ｂｕｃｏｍ５０は、第１のメモリ領域のデータの書き換えの場合は外部電源電圧が第１の所定電圧では書き換えを許可し、第２のメモリ領域のデータの書き換えの場合は外部電源電圧が上記第１の所定電圧では書き換えを禁止し、外部電源電圧が第２の所定電圧では書き換えを許可するよう制御する。さらに、Ｂｕｃｏｍ５０は、不揮発性メモリ２９の第１メモリ領域又は上記第２メモリ領域の書き換えに先立って、フラグ設定用メモリを読み出し、不揮発性メモリ２９の書き換え開始時に上記フラグを所定の値に設定し、上記不揮発性メモリ２９の書き換え完了後に上記フラグを上記書き換え開始時とは異なる値に設定し、この読み出したフラグの値が不揮発性メモリ２９の書き換え開始時に設定した値と同じ値のとき動作表示用ＬＣＤ５７に所定のメッセージを表示する。上記第１の所定電圧は、例えば外部電源が接続されていないことを示す電圧等であり、上記第２の所定電圧は、例えば外部電源が接続されたことを示す電圧等である。 Further, when the rewrite operation of the nonvolatile memory (nonvolatile semiconductor memory) 29 is executed by the power supply from the battery 54 as the built-in power supply or the power supply from the external power supply 70, the power supply detection circuit 53b detects the external power supply voltage. To do. The nonvolatile memory 29 has a first memory area for storing predetermined firmware and a second memory area for storing a program for controlling rewriting of the firmware. The Bucom 50 permits the rewriting when the external power supply voltage is the first predetermined voltage when rewriting the data in the first memory area, and the external power supply voltage is the above-described first power when rewriting the data in the second memory area. Rewriting is prohibited at a predetermined voltage, and rewriting is permitted at an external power supply voltage of the second predetermined voltage. Further, the Bucom 50 reads the flag setting memory prior to rewriting the first memory area or the second memory area of the nonvolatile memory 29, and sets the flag to a predetermined value at the start of rewriting of the nonvolatile memory 29. After the rewriting of the nonvolatile memory 29 is completed, the flag is set to a value different from that at the start of the rewriting, and when the value of the read flag is the same as the value set at the start of the rewriting of the nonvolatile memory 29, the operation display A predetermined message is displayed on the LCD 57. The first predetermined voltage is, for example, a voltage indicating that an external power source is not connected, and the second predetermined voltage is, for example, a voltage indicating that an external power source is connected.

また、このデータ書き換え装置では、電圧検出回路５３ｂが、電源電圧を検出し、Ｂｕｃｏｍ５０が、第１電圧レベル又は当該第１電圧レベルより高い第２電圧レベルを基準に電源電圧のレベルを判定する。更に、Ｂｕｃｏｍ５０は、不揮発性メモリ５０の第１メモリ領域のデータの書き換えのときには電源電圧が第１電圧レベルより低い場合にはデータの書き換えを禁止し、第２メモリ領域のデータの書き換えのときには電源電圧が第２電圧レベルより低い場合には書き換えを禁止する。この場合でも、Ｂｕｃｏｍ５０は、不揮発性メモリ２９の書き換え開始時にフラグを所定の値に設定し、不揮発性メモリ２９の書き換え完了後に上記フラグを上記書き換え開始時とは異なる値に設定する。 In this data rewriting device, the voltage detection circuit 53b detects the power supply voltage, and the Bucom 50 determines the power supply voltage level based on the first voltage level or the second voltage level higher than the first voltage level. Further, the Bucom 50 prohibits rewriting of data when the power supply voltage is lower than the first voltage level when rewriting data in the first memory area of the nonvolatile memory 50, and supplies power when rewriting data in the second memory area. Rewriting is prohibited when the voltage is lower than the second voltage level. Even in this case, the Bucom 50 sets the flag to a predetermined value at the start of rewriting of the nonvolatile memory 29, and sets the flag to a value different from that at the start of rewriting after the rewriting of the nonvolatile memory 29 is completed.

そして、Ｂｕｃｏｍ５０は、不揮発性メモリ２９の第１メモリ領域又は上記第２メモリ領域の書き換えに先立ってフラグ設定用領域のフラグの値を読み出し、当該フラグの値が不揮発性メモリ２９の書き換え開始時に設定した値と同じ値のときは、書き換えが正常に終了していないものと判断し、動作表示用ＬＣＤ５７に所定のメッセージを表示する。従って、ファームウェアの書き換えもブートプログラムの書き換えもその性質に応じて電源容量を最大限活用しながら確実に行うことができると共に、正常に書き換えが終了したかどうかを簡単に確認することができる。尚、不揮発性メモリ２９の第１メモリ領域にはカメラ又はそのアクセサリを制御するファームウェア又はデータが格納されてもよい。 The Bucom 50 reads the flag value in the flag setting area prior to rewriting the first memory area or the second memory area of the nonvolatile memory 29, and the flag value is set when the nonvolatile memory 29 starts to be rewritten. When the value is the same as the above value, it is determined that the rewriting has not ended normally, and a predetermined message is displayed on the operation display LCD 57. Accordingly, both firmware rewriting and boot program rewriting can be reliably performed while making maximum use of the power supply capacity according to the property, and it can be easily confirmed whether rewriting has been completed normally. Note that firmware or data for controlling the camera or its accessories may be stored in the first memory area of the nonvolatile memory 29.

また、所定のファームウェアが不揮発性メモリ２９の書き換えの対象であるとき、上記動作表示用ＬＣＤ５７に表示されるメッセージは再度書き換え動作を促すものとすることができる。更に、所定のファームウェアの書き換えを制御するプログラムが書き換えの対象であるとき、上記動作表示用ＬＣＤ５７に表示されるメッセージは、書き換えができない旨又はサービスに書き換えを依頼する必要がある旨の表示としてもよい。 Further, when the predetermined firmware is a target for rewriting the nonvolatile memory 29, the message displayed on the operation display LCD 57 can prompt the rewriting operation again. Further, when a program for controlling rewriting of predetermined firmware is a rewriting target, the message displayed on the operation display LCD 57 may be an indication that rewriting is not possible or that the service needs to be rewritten. Good.

また、書き換え完了後にＢｕｃｏｍ５０が読み出したフラグの値が不揮発性メモリ２９の書き換え開始時に設定した値と同じ値のとき、書き換えの対象となるメモリ領域が上記第１メモリ領域の場合と上記第２メモリ領域の場合とで異なったメッセージを動作表示用ＬＣＤ５７に表示することもできる。 Further, when the value of the flag read by Bucom 50 after completion of rewriting is the same as the value set at the start of rewriting of the nonvolatile memory 29, the memory area to be rewritten is the first memory area and the second memory. A message different from that in the case of the area can be displayed on the operation display LCD 57.

以下、上記説明をふまえて、第１及び第２の実施の形態について詳述する。 Hereinafter, the first and second embodiments will be described in detail based on the above description.

（第１の実施の形態）
図２を参照して、第１の実施の形態に係るデータ書き換え装置の構成例を示し説明する。 (First embodiment)
Referring to FIG. 2, will be described illustrates a configuration example of a data rewriting apparatus according to the first embodiment.

この図２に示されるように、電池１０５のプラス（＋）端子は、逆流防止の為のダイオードＤ１０１を介して電源回路１０１の第１入力ポートに接続されており、マイナス（−）端子は、電源回路１０１の第２入力ポートに接続されている。そして、図２では不図示の外部電源（図１の符号７０に相当）からの電源供給を受けるＡＣアダプタコネクタ１０６のプラス（＋）端子は、逆流防止の為のダイオードＤ１０２を介して電源回路１０１の第１入力ポートに接続されており、マイナス（−）端子は、電源回路１０１の第２入力ポートに接続されている。ＡＣアダプタコネクタ１０６のプラス（＋）端子は、更に抵抗Ｒ１０１，Ｒ１０２を介して接地され、当該抵抗Ｒ１０１，Ｒ１０２の接続点は、マイクロコンピュータ（以下、マイコンと称する）１０２のＡ／Ｄポートに接続されている。 As shown in FIG. 2, the positive (+) terminal of the battery 105 is connected to the first input port of the power supply circuit 101 via a diode D101 for preventing backflow, and the negative (−) terminal is The power supply circuit 101 is connected to the second input port. The positive (+) terminal of the AC adapter connector 106 that receives power from an external power supply (not shown in FIG. 2) (corresponding to reference numeral 70 in FIG. 1) is connected to the power supply circuit 101 via a diode D102 for preventing backflow. The negative (−) terminal is connected to the second input port of the power supply circuit 101. The positive (+) terminal of the AC adapter connector 106 is further grounded via resistors R101 and R102, and the connection point of the resistors R101 and R102 is connected to an A / D port of a microcomputer 102 (hereinafter referred to as a microcomputer). Has been.

さらに、電源回路１０１の出力ポートは、マイコン１０２のＶｃｃポートに接続されている。電源回路１０１の出力ポートは、リセットＩＣ１０４にも接続されており、当該リセットＩＣ１０４の出力ポートはマイコン１０２のＲＥＳＥＴポートに接続されている。このマイコン１０２は、ＵＳＢ通信ポートを有しており、当該ＵＳＢ通信ポートは不図示のＵＳＢ通信コネクタ（図１の符号６０に相当）に接続されている。以上のほか、マイコン１０２はＲＡＭ１０２ａを内容しており、更には不揮発性メモリとしてのフラッシュメモリ１０３、動作表示用ＬＣＤ１０７と接続されている。 Further, the output port of the power supply circuit 101 is connected to the Vcc port of the microcomputer 102. The output port of the power supply circuit 101 is also connected to the reset IC 104, and the output port of the reset IC 104 is connected to the RESET port of the microcomputer 102. The microcomputer 102 has a USB communication port, and the USB communication port is connected to a USB communication connector (not shown) (corresponding to reference numeral 60 in FIG. 1). In addition to the above, the microcomputer 102 includes a RAM 102a, and is further connected to a flash memory 103 as a nonvolatile memory and an operation display LCD 107.

このような構成において、外部電源の電圧を抵抗Ｒ１０１，Ｒ１０２により分圧してマイコン１０２に好適な電圧としてＡ／Ｄポートに与える。即ち、図２の構成では、マイコン１０２は、外部電源の電圧を検出できることとなる。 In such a configuration, the voltage of the external power source is divided by the resistors R101 and R102 and applied to the A / D port as a voltage suitable for the microcomputer 102. That is, in the configuration of FIG. 2, the microcomputer 102 can detect the voltage of the external power supply.

このデータ書き換え装置がカメラシステムに適用される場合、図２の構成と図１の構成との関係は以下のようになる。抵抗Ｒ１０１，Ｒ１０２は図１の電圧検出回路５３ｂに相当し、電源回路１０１は図１の電源回路５３ａに相当し、マイコン１０２は図１のＢｕｃｏｍ５０に相当し、フラッシュメモリ１０３は図１の不揮発性メモリ２９に相当し、電池１０５は図１の電池５４に相当し、ＡＣアダプタコネクタ１０６は図１のジャック３７等に相当し、リセットＩＣ１０４は図１のリセットＩＣ６１に相当する。 When this data rewriting device is applied to a camera system, the relationship between the configuration of FIG. 2 and the configuration of FIG. 1 is as follows. The resistors R101 and R102 correspond to the voltage detection circuit 53b in FIG. 1, the power supply circuit 101 corresponds to the power supply circuit 53a in FIG. 1, the microcomputer 102 corresponds to the Bucom 50 in FIG. 1, and the flash memory 103 in FIG. 1 corresponds to the memory 29, the battery 105 corresponds to the battery 54 in FIG. 1, the AC adapter connector 106 corresponds to the jack 37 and the like in FIG. 1, and the reset IC 104 corresponds to the reset IC 61 in FIG.

ここで、上記構成による作用を説明する前に、図３を参照して、フラッシュメモリ１０３のメモリアドレス空間について更に具体的に説明する。 Here, before describing the operation of the above configuration, the memory address space of the flash memory 103 will be described more specifically with reference to FIG.

この図３に示されるように、フラッシュメモリ１０３は、複数のメモリ領域に分けられている。即ち、本例では、３つのブロックＡ，Ｂ，Ｃに分けられている。 As shown in FIG. 3, the flash memory 103 is divided into a plurality of memory areas. That is, in this example, the block is divided into three blocks A, B, and C.

先ず、ブロックＡは、ファーム書き換え検出や電池装填時にマイコン１０２内部の不図示のＲＡＭに読み込んで実行するためのブートプログラム等が格納されている。このブロックＡには、ファームアップ正常フラグの領域が割り当てられている。ブロックＢは、例えばデータ書き込み装置がカメラに適用される場合には、当該カメラの基本動作を行うために必要なプログラム（ファームウェア）等が格納されている。このブロックＢにも、ファームアップ正常フラグの領域が割り当てられている。ブロックＣは、例えばデータ書き込み装置がカメラに適用される場合には、当該カメラの基本動作を行うために必要なデータや、カメラ固有のデータ、工場出荷時のデータが格納される。このブロックＣにも、ファームアップ正常フラグの領域が割り当てられている。 First, the block A stores a boot program and the like for reading into a RAM (not shown) inside the microcomputer 102 and executing it when firmware rewriting is detected or when a battery is loaded. In this block A, a firmware up normal flag area is allocated. For example, when the data writing apparatus is applied to a camera, the block B stores a program (firmware) necessary for performing a basic operation of the camera. This block B is also assigned a firmware up normal flag area. For example, when the data writing device is applied to a camera, the block C stores data necessary for performing a basic operation of the camera, data unique to the camera, and factory default data. This block C is also assigned a firmware up normal flag area.

尚、上記ファームアップ正常フラグの領域には、ファームアップ開始前に“０”が書き込まれ、ファームアップの正常終了時に“１”が書き込まれる。この書き込みのタイミング等の詳細については、後に詳述する。 It should be noted that “0” is written before the start of the firmware upgrade and “1” is written when the firmware upgrade is completed normally in the firmware upgrade normal flag area. Details of the write timing and the like will be described later.

以下、図４乃至図８のフローチャートを参照して、上記構成による作用、即ち各種プログラムに基づくシーケンシャルな制御動作について詳細に説明する。 Hereinafter, the operation of the above configuration, that is, the sequential control operation based on various programs will be described in detail with reference to the flowcharts of FIGS.

先ず、図４に示されるように、データ書き込み装置に電池１０５が装填されると、リセットＩＣ１０４が作動し、マイコン１０２をパワーオンリセットし、フラッシュメモリ１０３のブロックＡに格納されているプログラムをマイコン１０２のＲＡＭ１０２ａの領域ａに読み込み（ステップＳ１）、プログラムＡを実行する（ステップＳ２）。 First, as shown in FIG. 4, when the battery 105 is loaded into the data writing device, the reset IC 104 operates to reset the microcomputer 102 to power-on, and the program stored in the block A of the flash memory 103 is loaded into the microcomputer. The data is read into the area a of the RAM 102a 102 (step S1), and the program A is executed (step S2).

以下、図５のフローチャートを参照して、プログラムＡに基づく処理を説明する。 Hereinafter, processing based on the program A will be described with reference to the flowchart of FIG.

マイコン１０２は、先ずフラッシュメモリ１０３のブロックＡのファームアップ正常フラグの状態を判断する（ステップＳ３）。このステップＳ３にて、ファームアップ正常フラグが“０”であれば、マイコン１０２は、サービス対応メッセージ警告表示を動作表示用ＬＣＤ１０７にて行う（ステップＳ４）。このように警告表示を行うのは、ファームアップ正常フラグには、ファームアップ開始前には“０”が書き込まれ、ファームアップの正常終了時には“１”が書き込まれるようになっているので、このタイミングで当該フラグが“０”であるという事は、前回のプログラムの書き換え等が正常に終了していないことを意味し、その旨をユーザに示唆する必要があるからである。このような警告表示の後にデータ書き換え装置の動作をロックする（ステップＳ５）。例えば、データ書き換え装置がカメラシステムに適用される場合、通常のカメラ動作への移行が禁止される。 The microcomputer 102 first determines the state of the firmware up normal flag of the block A of the flash memory 103 (step S3). If the firmware up normal flag is “0” in step S3, the microcomputer 102 performs a service corresponding message warning display on the operation display LCD 107 (step S4). The warning is displayed in this way because the firmware up normal flag is written with “0” before the start of the firmware upgrade and “1” when the firmware upgrade ends normally. The fact that the flag is “0” at the timing means that the previous program rewriting or the like has not ended normally, and it is necessary to indicate to the user accordingly. After such a warning display, the operation of the data rewriting device is locked (step S5). For example, when the data rewriting device is applied to a camera system, the shift to normal camera operation is prohibited.

一方、上記ステップＳ３にて、ファームアップ正常フラグが“１”であれば、ブロックＡのプログラムに異常はないので、マイコン１０２は、フラッシュメモリ１０３のブロックＢのプログラム（ファームウェア）をＲＡＭ１０２ａ上の領域ｂに読み込み（ステップＳ６）、これに続いてフラッシュメモリ１０３のブロックＣのデータをＲＡＭ１０２ａ上の領域ｃに読み込む（ステップＳ７）。そして、マイコン１０２は、ＵＳＢ通信ポートを介してＵＳＢ接続がなされているか否かを検出し判断する（ステップＳ８）。この検出の手法としては公知の種々の手法を採用し得るので、詳細な説明は省略する。 On the other hand, if the firmware up normal flag is “1” in step S3, there is no abnormality in the program of the block A, so the microcomputer 102 stores the program (firmware) of the block B of the flash memory 103 in the area on the RAM 102a. Then, the data in block C of the flash memory 103 is read into the area c on the RAM 102a (step S7). Then, the microcomputer 102 detects and determines whether or not the USB connection is made through the USB communication port (step S8). Since various known methods can be adopted as this detection method, detailed description is omitted.

この例では、ブロックＢのプログラム（ファームウェア）の書き換えを所望とする場合には、図２では不図示のボタンＡ（例えば、図１のカメラ操作ＳＷ５２に含まれる）を所定時間（この例では５秒）以内に所定回数（この例では５回）押下するような仕様になっている。そこで、マイコン１０２は、ＵＳＢ接続されていると判断した場合は、ボタンＡが５秒以内に５回押下されたか否かを判断する（ステップＳ９，Ｓ１０）。押下された場合には、ファームアップに係るステップＳ１１以降の処理に進む。一方、５秒以内に５回押下されていない場合であって、５秒経過した場合（ステップＳ１０）、及びステップＳ８にてＵＳＢ接続されていないと判断した場合は、ステップＳ３に戻る。 In this example, when it is desired to rewrite the program (firmware) of the block B, a button A (not shown in FIG. 2) (for example, included in the camera operation SW 52 in FIG. 1) is set for a predetermined time (in this example, 5). (Seconds) within a predetermined number of times (in this example, 5 times). Therefore, when determining that the USB connection is established, the microcomputer 102 determines whether or not the button A is pressed five times within 5 seconds (steps S9 and S10). If the button has been pressed, the process proceeds to the processing after step S11 related to the firmware upgrade. On the other hand, if it is not pressed five times within 5 seconds and 5 seconds have passed (step S10), and if it is determined that the USB connection is not established in step S8, the process returns to step S3.

ステップＳ１１では、マイコン１０２は、ＵＳＢ通信により外部機器、例えばパーソナルコンピュータ等からのデータを受信し（ステップＳ１１）、当該データに基づいてファームアップ要求がなされているか否かを判断する（ステップＳ１２）。 In step S11, the microcomputer 102 receives data from an external device such as a personal computer by USB communication (step S11), and determines whether a firmware upgrade request is made based on the data (step S12). .

このステップＳ１２において、ファームアップの要求でないと判断した場合には、図６の処理に進む。そして、フラッシュメモリ１０３のブロックＢのファームアップ正常フラグの状態を判断する（ステップＳ３０）。ここで、当該フラグが“０”である場合には、前回のファームアップが正常に終了していないものと判断し、ブロックＢのプログラム（ファームウェア）の再度のファームアップを要求すべく動作表示用ＬＣＤ１０７に警告表示を行い（ステップＳ３１）、動作をロックする（ステップＳ３２）。 If it is determined in step S12 that the request is not a firmware upgrade, the process proceeds to the process of FIG. Then, the state of the firmware up normal flag of the block B of the flash memory 103 is determined (step S30). If the flag is “0”, it is determined that the previous firmware update has not been completed normally, and the operation display is performed to request the firmware update of the block B program (firmware) again. A warning is displayed on the LCD 107 (step S31), and the operation is locked (step S32).

ステップＳ３０において、ブロックＢのファームアップ正常フラグが“１”である場合には、フラッシュメモリ１０３のブロックＣのファームアップ正常フラグの状態を判断する（ステップＳ３３）。ここで、当該フラグが“０”である場合には、前回のファームアップが正常に終了していないものと判断し、ブロックＣの再度のファームアップを要求すべく動作表示用ＬＣＤ１０７に警告表示を行い（ステップＳ３４）、動作をロックする（ステップＳ３５）。ステップＳ３３において、ブロックＣのファームアップ正常フラグが“１”である場合には、プログラムＢを実行する（ステップＳ３６）。 If the firmware up normal flag of block B is “1” in step S30, the status of the firmware up normal flag of block C in the flash memory 103 is determined (step S33). If the flag is “0”, it is determined that the previous firmware update has not been completed normally, and a warning is displayed on the operation display LCD 107 to request the firmware update of the block C again. Perform (step S34) and lock the operation (step S35). In step S33, if the firmware update normal flag of block C is “1”, program B is executed (step S36).

このプログラムＢに基づく処理については、図９を参照しつつ後述する。 The processing based on this program B will be described later with reference to FIG.

図５の説明に戻り、ステップＳ１２において、ファームアップの要求であると判断した場合には、マイコン１０２は、ブロックＡのプログラム（ブートプログラム）の書き換えか否かを判断する（ステップＳ１３）。ここで、ブロックＡのプログラム（ブートプログラム）の書き換えでないと判断した場合には、図７の処理に移行する。 Returning to the description of FIG. 5, if it is determined in step S12 that the request is for a firmware upgrade, the microcomputer 102 determines whether or not the program (boot program) in the block A is to be rewritten (step S13). If it is determined that the program of the block A (boot program) is not rewritten, the process proceeds to FIG.

この図７では、先ず、フラッシュメモリ１０３のブロックＢのプログラム（ファームウェア）の書き換えか否かを判断し（ステップＳ４０）、当該ブロックＢのプログラム（ファームウェア）の書き換えである場合には、ＵＳＢ通信を行い、ブロックＢのプログラム（ファームウェア）等の書き換え用のデータを受信し（ステップＳ４３）、ブロックＢのファームアップ正常フラグを“０”とし（ステップＳ４４）、ブロックＢの内容を上記ＵＳＢ通信で得たデータに書き換えた後（ステップＳ４５）、ブロックＢのファームアップ正常フラグを“１”とし（ステップＳ４６）、動作表示用ＬＣＤ１０７に書き換え完了表示を行い（ステップＳ４７）、図６の処理に移行する。この図６の処理の詳細については、前述した通りであるが、フラッシュメモリ１０３のブロックＢのファームアップ正常フラグが“０”である場合、上記したファームアップ（ステップＳ４５）が正常に終了していないので、ブロックＢのプログラム（ファームウェア）の再度のファームアップを要求すべく動作表示用ＬＣＤ１０７に警告表示を行い、動作をロックする（ステップＳ３０乃至Ｓ３２）。 In FIG. 7, first, it is determined whether or not the program (firmware) of the block B in the flash memory 103 is to be rewritten (step S40). If the program (firmware) of the block B is to be rewritten, USB communication is performed. The data for rewriting such as the program (firmware) of the block B is received (step S43), the firmware up normal flag of the block B is set to “0” (step S44), and the contents of the block B are obtained by the USB communication. After the data is rewritten (step S45), the firmware up normal flag of block B is set to “1” (step S46), the rewriting completion display is displayed on the operation display LCD 107 (step S47), and the process proceeds to FIG. . The details of the processing in FIG. 6 are as described above. However, when the firmware up normal flag of the block B of the flash memory 103 is “0”, the above firmware up (step S45) has been completed normally. Therefore, a warning is displayed on the operation display LCD 107 to request the firmware update of the block B program (firmware) again, and the operation is locked (steps S30 to S32).

一方、上記ステップＳ４０で、ブロックＢのプログラム（ファームウェア）の書き換えでないと判断した場合には（ステップＳ４０）、フラッシュメモリ１０３のブロックＣのプログラムの書き換えか否かを判断する（ステップＳ４１）。当該ブロックＣの書き換えである場合には、ＵＳＢ通信を行い、ブロックＣの書き換え用のデータをを受信し（ステップＳ４８）、ブロックＣのファームアップ正常フラグを“０”とし（ステップＳ４９）、ブロックＣの内容を上記ＵＳＢ通信で得たデータに書き換えた後（ステップＳ５０）、ブロックＣのファームアップ正常フラグを“１”とし（ステップＳ５１）、動作表示用ＬＣＤ１０７に書き換え完了表示を行い（ステップＳ５２）、図６の処理に移行する。 On the other hand, if it is determined in step S40 that the program (firmware) in the block B is not rewritten (step S40), it is determined whether or not the program in the block C in the flash memory 103 is rewritten (step S41). If the block C is to be rewritten, USB communication is performed, data for rewriting the block C is received (step S48), the firmware update normal flag of the block C is set to “0” (step S49), and the block C After rewriting the contents of C to the data obtained by the USB communication (step S50), the firmware update normal flag of block C is set to “1” (step S51), and the rewriting completion display is performed on the operation display LCD 107 (step S52). ), The process proceeds to FIG.

この図６の処理の詳細については、前述したとおりであるが、フラッシュメモリ１０３のブロックＣのファームアップ正常フラグが“０”である場合には、上記したファームアップ（ステップＳ５０）が正常に終了していないので、ブロックＣのデータの再度のファームアップを要求すべく動作表示用ＬＣＤ１０７に警告表示を行い、動作をロックする（ステップＳ３３乃至Ｓ３５）。 The details of the processing of FIG. 6 are as described above. However, when the firmware up normal flag of the block C of the flash memory 103 is “0”, the above firmware up (step S50) is normally completed. Therefore, a warning is displayed on the operation display LCD 107 to request the firmware update of the data in the block C again, and the operation is locked (steps S33 to S35).

再び図５の説明に戻る。ステップＳ１３にて、マイコン１０２がブロックＡのプログラムの書き換えであると判断した場合には、電源電圧を検出する（ステップＳ１４）。図２で前述したように、外部電源（図１の符号７０）の電圧は抵抗Ｒ１０１,Ｒ１０２により分圧され、マイコン１０２に好適な電圧とされた後にＡ／Ｄポートに与えられるので、マイコン１０２は当該電圧を検出することになる。続いて、マイコン１０２は、検出した電源電圧が所定電圧以上であるか否かを判断し（ステップＳ１５）、所定電圧以上でない場合にはフラッシュメモリ１０３のブロックＡのプログラム（ブートプログラム）の書き換えを正常に終了できない可能性があるので、動作表示用ＬＣＤ１０７に所定の警告表示を行い（ステップＳ１６）、動作をロックする（ステップＳ１７）。 Returning to the description of FIG. In step S13, when the microcomputer 102 determines that the program of the block A is rewritten, the power supply voltage is detected (step S14). As described above with reference to FIG. 2, the voltage of the external power supply (reference numeral 70 in FIG. 1) is divided by the resistors R101 and R102 and is applied to the A / D port after being set to a voltage suitable for the microcomputer 102. Will detect the voltage. Subsequently, the microcomputer 102 determines whether or not the detected power supply voltage is equal to or higher than a predetermined voltage (step S15). If not, the microcomputer 102 rewrites the program (boot program) of the block A in the flash memory 103. Since there is a possibility that the operation cannot be completed normally, a predetermined warning is displayed on the operation display LCD 107 (step S16), and the operation is locked (step S17).

尚、図５のステップＳ１５においては電源電圧が所定電圧以上であるかどうかを検出しているが、通常は外部電源が接続されており電源が供給されていることを確認できれば電圧は保証されるので、上記ステップＳ１５においては外部電源からの電源供給があるかどうかを判定してもよい。また、外部電源の電圧は必ずしも内蔵電源の電圧よりも高い必要はなく、ファームウェアの書き換えを保証する所定の電圧（例えば７．５Ｖ）以上であればよい。 In step S15 in FIG. 5, it is detected whether or not the power supply voltage is equal to or higher than a predetermined voltage, but normally the voltage is guaranteed if it can be confirmed that the external power supply is connected and the power supply is supplied. Therefore, in step S15, it may be determined whether there is a power supply from an external power source. Further, the voltage of the external power supply does not necessarily have to be higher than the voltage of the built-in power supply, and may be a predetermined voltage (for example, 7.5 V) or more that guarantees rewriting of firmware.

一方、マイコン１０２は、上記ステップＳ１５で電源電圧が上記所定電圧以上であると判断した場合には、ＵＳＢ通信を行い、ブロックＡの書き換え用のデータを受信し（ステップＳ１８）、ブロックＡのファームアップ正常フラグを“０”とし（ステップＳ１９）、ブロックＡの内容を上記ＵＳＢ通信で得たデータに書き換え（ステップＳ２０）、ブロックＡのファームアップ正常フラグを“１”とし（ステップＳ２１）、動作表示用ＬＣＤ１０７に書き換え完了表示を行い（ステップＳ２２）、図８の処理に移行する。 On the other hand, if the microcomputer 102 determines in step S15 that the power supply voltage is equal to or higher than the predetermined voltage, the microcomputer 102 performs USB communication, receives the data for rewriting block A (step S18), and performs the firmware for block A. The up normal flag is set to “0” (step S19), the contents of block A are rewritten with the data obtained by the USB communication (step S20), and the firmware up normal flag of block A is set to “1” (step S21). Rewriting completion display is performed on the display LCD 107 (step S22), and the process proceeds to the process of FIG.

この図８の処理に移行すると、フラッシュメモリ１０３のブロックＡのファームアップ正常フラグが“０”であるか否かを判断し（ステップＳ５３）、当該フラグが“０”である場合には、上記したファームアップ（ステップＳ２０）が正常に終了していないので、業者によるメンテナンスの必要性を示唆する警告表示を行い（ステップＳ５４）、動作をロックする（ステップＳ５５）。一方、当該フラグが“１”である場合には、プログラムＢを実行することになる（ステップＳ５６）。 When the process proceeds to the processing of FIG. 8, it is determined whether or not the firmware up normal flag of the block A of the flash memory 103 is “0” (step S53), and when the flag is “0”, Since the firmware upgrade (step S20) that has been completed is not completed normally, a warning indicating the necessity of maintenance by the supplier is displayed (step S54), and the operation is locked (step S55). On the other hand, when the flag is “1”, the program B is executed (step S56).

次に図９のフローチャートを参照して、プログラムＢに基づく処理について説明する。 Next, processing based on the program B will be described with reference to the flowchart of FIG.

ここでは、データ書き換え装置をカメラシステムに適用した例を説明する。 Here, an example in which the data rewriting device is applied to a camera system will be described.

マイコン１０２は、プログラムＢを実行すると、先ず各種変数を初期化し（ステップＳ６０）、図２では不図示のパワースイッチ（図１のカメラ操作ＳＷ５２に含まれる）の状態を検出し（ステップＳ６１）、当該パワースイッチがオンされると、ボディユニット（図１の符号１００）のダイヤル（図１のカメラ操作ＳＷ５２に含まれる）が操作されたか否かを判断する（ステップＳ６２）。ここで、ダイヤルが操作された場合には、マイコン１０２は、当該ダイヤル操作に基づく各処理を行った後（ステップＳ６３）、ステップＳ６４に進む。一方、ダイヤル操作がされていない場合には、ステップＳ６４に進む。続いて、マイコン１０２は、ボディユニット（図１の符号１００）のレリーズボタン（図１のカメラ操作ＳＷ５２に含まれる）が操作されたか否かを判断する（ステップＳ６４）。 When executing the program B, the microcomputer 102 first initializes various variables (step S60), detects the state of a power switch (not shown in FIG. 2) (included in the camera operation SW 52 in FIG. 1) (step S61), When the power switch is turned on, it is determined whether or not the dial (included in the camera operation SW 52 in FIG. 1) of the body unit (reference numeral 100 in FIG. 1) has been operated (step S62). Here, when the dial is operated, the microcomputer 102 performs each process based on the dial operation (step S63), and then proceeds to step S64. On the other hand, if the dial operation has not been performed, the process proceeds to step S64. Subsequently, the microcomputer 102 determines whether or not the release button (included in the camera operation SW 52 in FIG. 1) of the body unit (reference numeral 100 in FIG. 1) has been operated (step S64).

このステップＳ６４で、当該レリーズボタンが操作されていなければ、上記ステップＳ６１に戻り、上記動作を繰り返す。一方、レリーズボタンが半押し（１ｓｔレリーズのオン）されたか否かを判断し（ステップＳ６５）、当該レリーズボタンが半押しされていなければ、上記ステップＳ６１に戻り、上記動作を繰り返すことになる。 If it is determined in step S64 that the release button has not been operated, the process returns to step S61 to repeat the above operation. On the other hand, it is determined whether or not the release button is half-pressed (1st release is on) (step S65). If the release button is not half-pressed, the process returns to step S61 and the above operation is repeated.

レリーズボタンが半押し（１ｓｔレリーズのオン）されている場合には、露出演算を行い（ステップＳ６６）合焦動作を行い（ステップＳ６７）、合焦した場合には（ステップＳ６８）、レリーズボタンが全押し（２ｎｄレリーズのオン）されたか否かを判断し（ステップＳ６９）、当該レリーズボタンが全押しされていなければ、上記ステップＳ６５に戻り上記動作を繰り返す。一方、レリーズボタンが全押し（２ｎｄレリーズのオン）された場合には（ステップＳ６９）、露出動作を行い（ステップＳ７０）、記録メディア（図１の符号３９）に画像を記録し（ステップＳ７１）、上記ステップＳ６１に戻ることになる。 When the release button is half-pressed (1st release is on), exposure calculation is performed (step S66) and a focusing operation is performed (step S67). When the release button is in focus (step S68), the release button is It is determined whether or not the release button is fully pressed (2nd release is turned on) (step S69). If the release button is not fully pressed, the process returns to step S65 and the above operation is repeated. On the other hand, when the release button is fully pressed (2nd release is turned on) (step S69), an exposure operation is performed (step S70), and an image is recorded on the recording medium (reference numeral 39 in FIG. 1) (step S71). Then, the process returns to step S61.

以上説明したように、本発明の第１の実施の形態によれば、ファームウェアの書き換えの場合は内蔵電源である電池５４により簡単に書き換えができると共に、ブートプログラムの書き換え中に電源が消耗して書き換えを失敗して書き換えが不可能になるということがないので、ファームウェアの書き換えを制御するためのプログラムの書き換えを確実に行うことができると共に、正常に書き換えが終了したかどうかを簡単に確認できる。 As described above, according to the first embodiment of the present invention, when the firmware is rewritten, the battery 54 as the built-in power supply can be easily rewritten, and the power is consumed during the rewriting of the boot program. Since rewriting does not fail and rewriting is not impossible, it is possible to reliably rewrite the program for controlling firmware rewriting and easily check whether rewriting has been completed normally. .

（第２の実施の形態）
図１０を参照して、第２の実施の形態に係るデータ書き換え装置の構成例を示し説明する。 (Second Embodiment)
With reference to FIG. 10 , a configuration example of the data rewriting apparatus according to the second embodiment will be described and described.

この図１０に示されるように、電池１０５のプラス（＋）端子は、逆流防止の為のダイオードＤ１０１を介して電源回路１０１の第１入力ポートに接続され、マイナス（−）端子は、電源回路１０１の第２入力ポートに接続されている。図２では不図示の外部電源（図１の符号７０に相当）からの電源供給を受けるＡＣアダプタコネクタ１０６のプラス（＋）端子は、逆流防止の為のダイオードＤ１０２を介して電源回路１０１の第１入力ポートに接続されており、マイナス（−）端子は、電源回路１０１の第２入力ポートに接続されている。電池１０５のプラス（＋）端子は、抵抗Ｒ１０１，Ｒ１０２を介して接地され、当該抵抗Ｒ１０１，Ｒ１０２の接続点は、マイクロコンピュータ（以下、マイコンと称する）１０２のＡ／Ｄポートに接続されている。電源回路１０１の出力ポートは、マイコン１０２のＶｃｃポートに接続されている。そして、電源回路１０１の出力ポートは、リセットＩＣ１０４にも接続されており、当該リセットＩＣ１０４の出力ポートはマイコン１０２のＲＥＳＥＴポートに接続されている。このマイコン１０２は、ＵＳＢ通信ポートを有しており、当該ＵＳＢ通信ポートは不図示のＵＳＢ通信コネクタ（図１の符号６０に相当する）に接続される。以上のほか、マイコン１０２は、不揮発性メモリとしてのフラッシュメモリ１０３、動作表示用ＬＣＤ１０７に接続されている。 As shown in FIG. 10, the positive (+) terminal of the battery 105 is connected to the first input port of the power supply circuit 101 via a diode D101 for preventing backflow, and the negative (−) terminal is connected to the power supply circuit. 101 is connected to the second input port. In FIG. 2, the positive (+) terminal of the AC adapter connector 106 that receives power supply from an external power supply (not shown) (corresponding to reference numeral 70 in FIG. 1) is connected to the first power supply circuit 101 via a diode D102 for preventing backflow. The minus (−) terminal is connected to the second input port of the power supply circuit 101. A positive (+) terminal of the battery 105 is grounded via resistors R101 and R102, and a connection point of the resistors R101 and R102 is connected to an A / D port of a microcomputer (hereinafter referred to as a microcomputer) 102. . The output port of the power supply circuit 101 is connected to the Vcc port of the microcomputer 102. The output port of the power supply circuit 101 is also connected to the reset IC 104, and the output port of the reset IC 104 is connected to the RESET port of the microcomputer 102. The microcomputer 102 has a USB communication port, and the USB communication port is connected to a USB communication connector (not shown) (corresponding to reference numeral 60 in FIG. 1). In addition to the above, the microcomputer 102 is connected to a flash memory 103 as a nonvolatile memory and an operation display LCD 107.

尚、このデータ書き換え装置をカメラシステムに適用する場合、図１０の上記構成と図１の構成との関係は以下のようになる。即ち、抵抗Ｒ１０１，Ｒ１０２は図１の電圧検出回路５３ｂに相当し、電源回路１０１は図１の電源回路５３ａに相当し、マイコン１０２は図１のＢｕｃｏｍ５０に相当し、フラッシュメモリ１０３は図１の不揮発性メモリ２９に相当し、電池１０５は図１の電池５４に相当し、ＡＣアダプタコネクタ１０６は図１のジャック３７に相当し、リセットＩＣ１０４は図１のリセットＩＣ６１に相当し、動作表示用ＬＣＤ１０７は図１の動作表示用ＬＣＤ５７する。 When this data rewriting device is applied to a camera system, the relationship between the above configuration in FIG. 10 and the configuration in FIG. 1 is as follows. That is, the resistors R101 and R102 correspond to the voltage detection circuit 53b in FIG. 1, the power supply circuit 101 corresponds to the power supply circuit 53a in FIG. 1, the microcomputer 102 corresponds to the Bucom 50 in FIG. 1, and the flash memory 103 in FIG. 1 corresponds to the nonvolatile memory 29, the battery 105 corresponds to the battery 54 of FIG. 1, the AC adapter connector 106 corresponds to the jack 37 of FIG. 1, the reset IC 104 corresponds to the reset IC 61 of FIG. Is the operation display LCD 57 of FIG.

この図１０の構成は、電池１０５の電圧或いは外部電源の電圧を抵抗Ｒ１０１，Ｒ１０２により分圧してマイコン１０２に好適な電圧としてＡ／Ｄポートに与える点で図２と構成上相違する。即ち、図１０の構成では、マイコン１０２は、電池１０５の電圧或いは外部電源の電圧を検出できる。また、外部電源の電圧は７．５Ｖであり、電池１０５として採用し得るリチウム電池は図１１の降電特性を示しているものとする。フラッシュメモリ１０３のメモリアドレス空間については第１の実施の形態に関する図３と同様であるので、ここでは重複した説明を省略する。 The configuration of FIG. 10 differs in configuration from FIG. 2 in that the voltage of the battery 105 or the voltage of the external power supply is divided by resistors R101 and R102 and applied to the A / D port as a suitable voltage for the microcomputer 102. That is, in the configuration of FIG. 10, the microcomputer 102 can detect the voltage of the battery 105 or the voltage of the external power supply. The voltage of the external power supply is 7.5 V, and a lithium battery that can be used as the battery 105 has the power-falling characteristics shown in FIG. Since the memory address space of the flash memory 103 is the same as that in FIG. 3 relating to the first embodiment, a duplicate description is omitted here.

以下、図１２のフローチャートを参照して、上記構成による作用、即ち各種プログラムに基づくシーケンシャルな制御動作について詳細に説明する。 Hereinafter, with reference to the flowchart of FIG. 12, the operation by the above configuration, that is, the sequential control operation based on various programs will be described in detail.

尚、制御動作は、基本的部分は第１の実施の形態（図４乃至図９）と同様であるが、図５の上記ステップＳ１５では電源電圧が所定電圧以上であるか否かを確認していたところが、この第２の実施の形態では電源電圧が９Ｖ以上であるか否かを確認している。 The basic operation of the control operation is the same as that of the first embodiment (FIGS. 4 to 9). In step S15 of FIG. 5, it is confirmed whether the power supply voltage is equal to or higher than a predetermined voltage. However, in the second embodiment, it is confirmed whether or not the power supply voltage is 9 V or higher.

以下では、図１２を参照して、更に異なる部分を中心に説明する。 Below, with reference to FIG. 12, it demonstrates centering on a further different part.

この第２の実施の形態に係るデータ書き換え装置では、マイコン１０２は、ブロックＢ又はＣのファームアップの前に電池１０５の電源電圧を検出する（ステップＳ１２０）。そして、電池１０５の電源電圧が７．５Ｖ以上でない場合には、マイコン１０２は、ファームアップを正常に終了できない可能性があるものと判断し、警告表示を動作表示用ＬＣＤ１０７にて行い、動作をロックする（ステップＳ１２３）。これにより、例えばデータ書き換え装置がカメラシステムに適用される場合においては、通常のカメラ動作への移行が禁止される。 In the data rewriting apparatus according to the second embodiment, the microcomputer 102 detects the power supply voltage of the battery 105 before the firmware upgrade of the block B or C (step S120). If the power supply voltage of the battery 105 is not 7.5 V or higher, the microcomputer 102 determines that there is a possibility that the firmware update may not be completed normally, performs a warning display on the operation display LCD 107, and performs the operation. Lock (step S123). Thereby, for example, when the data rewriting device is applied to the camera system, the shift to the normal camera operation is prohibited.

以上説明したように、本発明の第２の実施の形態に係るデータ書き換え装置によれば、ファームウェアの書き換えもブートプログラムの書き換えもその性質に応じて電源容量を最大限活用しながら確実に行うことができると共に、正常に書き換えが終了したかどうかを簡単に確認することができる。 As described above, according to the data rewriting apparatus of the second embodiment of the present invention, firmware rewriting and boot program rewriting can be reliably performed while making maximum use of the power supply capacity in accordance with the properties. It is possible to easily check whether rewriting has been completed normally.

以上説明したように、本発明の実施の形態よれば、不揮発性メモリの書き換えの途中で停電や内蔵電源の消耗等により電源供給が遮断する等の原因で、最後まで書き換え動作が実行されずに書き込みエラーが発生したことを検出することができる。 As described above, according to the embodiment of the present invention, the rewrite operation is not executed until the end due to the power supply being cut off due to a power failure or exhaustion of the built-in power supply during the rewrite of the nonvolatile memory. It can be detected that a write error has occurred.

以上、本発明の第1及び第２の実施の形態について説明したが、本発明は、これに限定されることなく、その趣旨を逸脱しない範囲で種々の改良、変更が可能であることは勿論である。例えば、上記実施の形態では、データ書き換え装置をカメラシステムに適用する場合を適宜説明したが、これに限定されず、種々の技術に適用可能である。 The first and second embodiments of the present invention have been described above. However, the present invention is not limited to this, and various modifications and changes can be made without departing from the spirit of the present invention. It is. For example, in the above-described embodiment, the case where the data rewriting device is applied to the camera system has been described as appropriate. However, the present invention is not limited to this and can be applied to various technologies.

本発明の第１及び第２の実施の形態に共通するデータ書き換え装置の基本構成、及びそれを採用したカメラシステムの構成例を示す図。FIG. 2 is a diagram illustrating a basic configuration of a data rewriting apparatus common to the first and second embodiments of the present invention and a configuration example of a camera system employing the same. 第１の実施の形態に係るデータ書き換え装置の構成例を示す図。The figure which shows the structural example of the data rewriting apparatus which concerns on 1st Embodiment. フラッシュメモリ１０３のメモリアドレス空間を説明する図。FIG. 3 is a diagram for explaining a memory address space of a flash memory 103. 電池装填時の動作を説明するフローチャート。The flowchart explaining the operation | movement at the time of battery loading. 第１の実施の形態に係るデータ書き換え装置によるプログラムＡに基づく処理を説明するためのフローチャート。The flowchart for demonstrating the process based on the program A by the data rewriting apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施の形態に係るデータ書き換え装置によるプログラムＡに基づく処理を説明するためのフローチャート。The flowchart for demonstrating the process based on the program A by the data rewriting apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施の形態に係るデータ書き換え装置によるプログラムＡに基づく処理を説明するためのフローチャート。The flowchart for demonstrating the process based on the program A by the data rewriting apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施の形態に係るデータ書き換え装置によるプログラムＡに基づく処理を説明するためのフローチャート。The flowchart for demonstrating the process based on the program A by the data rewriting apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施の形態に係るデータ書き換え装置によるプログラムＢに基づく処理を説明するためのフローチャート。The flowchart for demonstrating the process based on the program B by the data rewriting apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施の形態に係るデータ書き換え装置の構成例を示す図。The figure which shows the structural example of the data rewriting apparatus which concerns on 1st Embodiment. リチウム電池の降圧特性を示す図。The figure which shows the pressure | voltage fall characteristic of a lithium battery. 第１の実施の形態に係るデータ書き換え装置によるプログラムＡに基づく処理を説明するためのフローチャート。The flowchart for demonstrating the process based on the program A by the data rewriting apparatus which concerns on 1st Embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

２９…不揮発性メモリ、５０…Ｂｕｃｏｍ、５３ａ…電源回路、５３ｂ…電圧検出回路、５４…電池、５７…動作表示用ＬＣＤ、５２…カメラ操作ＳＷ、６０…ＵＳＢ通信コネクタ、６１…リセットＩＣ、７０…外部電源、１０１・・・電源回路、１０２・・・マイコン、１０３・・・フラッシュメモリ、１０４・・・リセットＩＣ、１０５・・・電池、１０６・・・ＡＣアダプタコネクタ、１０７・・・動作表示用ＬＣＤ。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 29 ... Nonvolatile memory, 50 ... Bucom, 53a ... Power supply circuit, 53b ... Voltage detection circuit, 54 ... Battery, 57 ... LCD for operation display, 52 ... Camera operation SW, 60 ... USB communication connector, 61 ... Reset IC, 70 ... External power supply, 101 ... Power supply circuit, 102 ... Microcomputer, 103 ... Flash memory, 104 ... Reset IC, 105 ... Battery, 106 ... AC adapter connector, 107 ... Operation LCD for display.

Claims

内蔵電源からの電源供給又は外部電源からの電源供給により不揮発性メモリの書き換え動作を実行するデータ書き換え装置であって、
所定のファームウェアを格納する第１メモリ領域と、上記ファームウェアの書き換えを制御するためのプログラムを格納するための第２メモリ領域と、所定のフラグを設定するフラグ設定用メモリを有する不揮発性メモリと、
上記第２メモリ領域に格納されたプログラムに基づいて、上記第１メモリ領域の書き換えの場合は上記内蔵電源に基づく書き換え動作を許容し、上記第２メモリ領域のデータの書き換えのときは上記外部電源に基づく書き換えを許容するとともに上記内蔵電源に基づく書き換え動作を禁止する書き換え制御手段と、
上記不揮発性メモリの第１メモリ領域又は上記第２メモリ領域の書き換えに先立って、上記フラグ設定用メモリを読み出すフラグ読み出し手段と、
上記不揮発性メモリの書き換え開始時に上記フラグを所定の値に設定し、上記不揮発性メモリの書き換え完了後に上記フラグを上記書き換え開始時とは異なる値に設定するフラグ設定手段と、
上記フラグ読み出し手段により読み出したフラグの値が上記不揮発性メモリの書き換え開始時に設定した値と同じ値のとき所定のメッセージを表示する表示手段と、
を備えたことを特徴とするデータ書き換え装置。 A data rewrite device that executes a rewrite operation of a nonvolatile memory by power supply from a built-in power supply or power supply from an external power supply,
A non-volatile memory having a first memory area for storing predetermined firmware, a second memory area for storing a program for controlling rewriting of the firmware, and a flag setting memory for setting a predetermined flag;
Based on a program stored in the second memory area, a rewrite operation based on the built-in power supply is allowed in the case of rewriting the first memory area, and the external power supply is rewritten in the case of rewriting data in the second memory area. Rewriting control means for allowing rewriting based on the above and prohibiting rewriting operation based on the built-in power supply,
Prior to rewriting the first memory area or the second memory area of the non-volatile memory, flag reading means for reading the flag setting memory;
Flag setting means for setting the flag to a predetermined value at the start of rewriting of the nonvolatile memory, and setting the flag to a value different from that at the start of rewriting after completion of rewriting of the nonvolatile memory;
Display means for displaying a predetermined message when the value of the flag read by the flag reading means is the same as the value set at the start of rewriting of the nonvolatile memory;
A data rewriting device comprising:

内蔵電源からの電源供給、または外部電源からの電源供給により不揮発性メモリの書き換え動作を実行するデータ書き換え装置であって、
外部電源電圧を検出する電源電圧検出手段と、
所定のファームウェアを格納する第１メモリ領域と、上記ファームウェアの書き換えを制御するためのプログラムを格納する第２メモリ領域と、所定のフラグを設定するフラグ設定用メモリを有する不揮発性メモリと、
上記第２メモリ領域に記憶されたプログラムに基づいて、上記第１メモリ領域のデータの書き換えの場合は上記外部電源電圧が第１の所定電圧では書き換えを許可し、上記第２メモリ領域のデータの書き換えの場合は上記外部電源電圧が上記第１の所定電圧では書き換えを禁止し、上記外部電源電圧が第２の所定電圧では書き換えを許可する書き換え制御手段と、
上記不揮発性メモリの第１メモリ領域又は上記第２メモリ領域の書き換えに先立って、上記フラグ設定用メモリを読み出すフラグ読み出し手段と、
上記不揮発性メモリの書き換え開始時に上記フラグを所定の値に設定し、上記不揮発性メモリの書き換え完了後に上記フラグを上記書き換え開始時とは異なる値に設定するフラグ設定手段と、
上記フラグ読み出し手段により読み出したフラグの値が上記不揮発性メモリの書き換え開始時に設定した値と同じ値のとき所定のメッセージを表示する表示手段と、
を備えたことを特徴とするデータ書き換え装置。 A data rewrite device that executes a rewrite operation of a nonvolatile memory by power supply from a built-in power supply or power supply from an external power supply,
Power supply voltage detection means for detecting an external power supply voltage;
A first memory area for storing a predetermined firmware, and a second memory area for storing a program for controlling the rewriting of the firmware, the nonvolatile memory that have a memory flag set for setting a predetermined flag ,
Based on the program stored in the second memory area, in case of rewriting data in the first memory area permits the rewriting in the external power supply voltage is a first predetermined voltage, the second memory region In the case of data rewriting, rewriting control means for prohibiting rewriting when the external power supply voltage is the first predetermined voltage and rewriting when the external power supply voltage is the second predetermined voltage;
Prior to rewriting the first memory area or the second memory area of the non-volatile memory, flag reading means for reading the flag setting memory;
Flag setting means for setting the flag to a predetermined value at the start of rewriting of the nonvolatile memory, and setting the flag to a value different from that at the start of rewriting after completion of rewriting of the nonvolatile memory;
Display means for displaying a predetermined message when the value of the flag read by the flag reading means is the same as the value set at the start of rewriting of the nonvolatile memory;
A data rewriting device comprising:

上記第１の所定電圧は、外部電源が接続されていないことを示す電圧であることを特徴とする請求項２に記載のデータ書き換え装置。 3. The data rewriting apparatus according to claim 2, wherein the first predetermined voltage is a voltage indicating that an external power source is not connected.

上記第２の所定電圧は、外部電源が接続されたことを示す電圧であることを特徴とする請求項２に記載のデータ書き換え装置。 3. The data rewriting apparatus according to claim 2, wherein the second predetermined voltage is a voltage indicating that an external power source is connected.

第１電圧レベル又は上記第１電圧レベルより高い第２電圧レベルを基準に電源電圧のレベルを判定する電源電圧判定手段と、
所定のファームウェアを格納する第１メモリ領域と、上記ファームウェアの書き換えを制御するためのプログラムを格納するための第２メモリ領域と、所定のフラグを設定するフラグ設定用メモリを有する不揮発性メモリと、
上記第２メモリ領域に記憶されたプログラムに基づいて、上記第１メモリ領域のデータの書き換えのときは電源電圧が上記第１電圧レベルより低いときはデータの書き換えを禁止し、上記第２メモリ領域のデータの書き換えのときは電源電圧が上記第２電圧レベルより低いときは書き換えを禁止する書き換え制御手段と、
上記不揮発性メモリの第１メモリ領域又は上記第２メモリ領域の書き換えに先立って、上記フラグ設定用メモリを読み出すフラグ読み出し手段と、
上記不揮発性メモリの書き換え開始時に上記フラグを所定の値に設定し、上記不揮発性メモリの書き換え完了後に上記フラグを上記書き換え開始時とは異なる値に設定するフラグ設定手段と、
上記フラグ読み出し手段により読み出したフラグの値が上記不揮発性メモリの書き換え開始時に設定した値と同じ値のとき所定のメッセージを表示する表示手段と、
を備えたことを特徴とするデータ書き換え装置。 Power supply voltage determination means for determining a power supply voltage level based on a first voltage level or a second voltage level higher than the first voltage level;
A non-volatile memory having a first memory area for storing predetermined firmware, a second memory area for storing a program for controlling rewriting of the firmware, and a flag setting memory for setting a predetermined flag;
Based on a program stored in the second memory area, when rewriting data in the first memory area, data rewrite is prohibited when the power supply voltage is lower than the first voltage level, and the second memory area Rewriting control means for prohibiting rewriting when the power supply voltage is lower than the second voltage level when rewriting the data;
Prior to rewriting the first memory area or the second memory area of the non-volatile memory, flag reading means for reading the flag setting memory;
Flag setting means for setting the flag to a predetermined value at the start of rewriting of the nonvolatile memory, and setting the flag to a value different from that at the start of rewriting after completion of rewriting of the nonvolatile memory;
Display means for displaying a predetermined message when the value of the flag read by the flag reading means is the same as the value set at the start of rewriting of the nonvolatile memory;
A data rewriting device comprising:

上記不揮発性メモリの上記第１メモリ領域にはカメラ又はそのアクセサリを制御するファームウェア又はデータが格納されることを特徴とする請求項１、２、５のいずれかに記載のデータ書き換え装置。 6. The data rewriting apparatus according to claim 1, wherein firmware or data for controlling the camera or its accessory is stored in the first memory area of the nonvolatile memory.