JP4408399B2 - 切削ブレードの製造方法 - Google Patents
切削ブレードの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4408399B2 JP4408399B2 JP2004202012A JP2004202012A JP4408399B2 JP 4408399 B2 JP4408399 B2 JP 4408399B2 JP 2004202012 A JP2004202012 A JP 2004202012A JP 2004202012 A JP2004202012 A JP 2004202012A JP 4408399 B2 JP4408399 B2 JP 4408399B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circular base
- cutting
- cutting blade
- semiconductor wafer
- outer peripheral
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 title claims description 91
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 21
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims description 17
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 44
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 42
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 12
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 7
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000002173 cutting fluid Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- -1 gallium nitride compound Chemical class 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
- Dicing (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Description
該円形基台の一側面外周部に同心円状に複数の溝を形成する溝形成工程と、
該円形基台の一側面外周部に砥粒をメッキで固定した電鋳砥粒層を形成する電着砥粒層形成工程と、
該電着砥粒層が形成された該円形基台の外周部をエッチングして除去し、該円形基台の外周縁より該電鋳砥粒層からなる切れ刃を突出せしめるエッチング工程と、を含む、
ことを特徴とする切削ブレードの製造方法が提供される。
カセット載置テーブル8上に載置されたカセット9の所定位置に収容されている半導体ウエーハ10は、図示しない昇降手段によってカセット載置テーブル8が上下動することにより搬出位置に位置付けられる。次に、搬出手段15が進退作動して搬出位置に位置付けられた半導体ウエーハ10を仮置きテーブル14上に搬出する。仮置きテーブル14に搬出された半導体ウエーハ10は、搬送手段16の旋回動作によって上記チャックテーブル3上に搬送される。チャックテーブル3上に半導体ウエーハ10が載置されたならば、図示しない吸引手段が作動して半導体ウエーハ10をチャックテーブル3上に吸引保持する。また、半導体ウエーハ10を保護テープ12を介して支持する支持フレーム11は、上記クランプ機構33によって固定される。このようにして半導体ウエーハ10を保持したチャックテーブル3は、アライメント手段6の直下まで移動せしめられる。チャックテーブル3がアライメント手段6の直下に位置付けられると、アライメント手段6によって半導体ウエーハ10に形成されているストリートが検出され、スピンドルユニット4を割り出し方向である矢印Y方向に移動調節してストリートと切削ブレード43との精密位置合わせ作業が行われる。
図示の実施形態における切削ブレード43は、円形基台431と、該円形基台431の一側面(図2において右側面)の外周部に装着された環状の切れ刃432とからなっている。環状の切れ刃432は、粒径が0.5〜6μmのダイヤモンド砥粒をメッキで固定して形成した電鋳砥粒層によって形成されており、円形基台431の外周縁より突出して構成されている。なお、環状の切れ刃432の厚さ(t)は30〜50μm、円形基台431の外周縁からの突出量(h)は760〜1200μmに設定されている。 このように構成された環状の切れ刃432の両側面には、それぞれ同心円状に複数の溝432aが形成されている。環状の切れ刃432の一方の側面に形成される複数の溝432aと他方の側面に形成される複数の溝432aは、互いに交互に形成されている。なお、複数の溝432aは、幅(b)が80〜120μm、深さ(c)が3〜10μm程度が適当である。
切削ブレードを構成する円形基台431は、図3に示すようにアルミニウムによって円形状に形成されている。円形基台431の一方の面431a(図3において上側の面)は平面に形成され、他方の面431b(図3において下側に面)はテーパー状に形成されている。このように形成された円形基台431の一方の面431aの外周部には、同心円状に複数の溝431cを切削加工によって形成する(溝形成工程)。この複数の溝431cを形成する円形基台431の外周部の幅(h0)は、760〜1200μmに設定されている。また、複数の溝431cの幅(b0)は80〜120μm、深さ(c0)は3〜10μmに設定されている。なお、図においては溝431cを誇張して示している。
3:チャックテーブ
4:スピンドルユニット
6:アライメント手段
7:表示手段
8:カセット載置テーブル
9:カセット
10:半導体ウエーハ
11:環状の支持フレーム
12:保護テープ
14:仮置きテーブル
15:搬出手段
16:搬送手段
17:洗浄手段
18:洗浄搬送手段
43:切削ブレード
431:円形基台
432:切れ刃
432a:溝
433:マスキング用粘着樹脂
Claims (1)
- 円形基台と該円形基台の一側面に装着され砥粒をメッキで固定した電鋳砥粒層からなる環状の切れ刃とを具備し、該環状の切れ刃が該円形基台の外周縁から突出して構成された切削ブレード製造方法であって、
該円形基台の一側面外周部に同心円状に複数の溝を形成する溝形成工程と、
該円形基台の一側面外周部に砥粒をメッキで固定した電鋳砥粒層を形成する電着砥粒層形成工程と、
該電着砥粒層が形成された該円形基台の外周部をエッチングして除去し、該円形基台の外周縁より該電鋳砥粒層からなる切れ刃を突出せしめるエッチング工程と、を含む、
ことを特徴とする切削ブレードの製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004202012A JP4408399B2 (ja) | 2004-07-08 | 2004-07-08 | 切削ブレードの製造方法 |
CNB2005100818887A CN100509223C (zh) | 2004-07-08 | 2005-07-06 | 切削刀片及切削刀片的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004202012A JP4408399B2 (ja) | 2004-07-08 | 2004-07-08 | 切削ブレードの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006021285A JP2006021285A (ja) | 2006-01-26 |
JP4408399B2 true JP4408399B2 (ja) | 2010-02-03 |
Family
ID=35794930
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004202012A Expired - Lifetime JP4408399B2 (ja) | 2004-07-08 | 2004-07-08 | 切削ブレードの製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4408399B2 (ja) |
CN (1) | CN100509223C (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4825622B2 (ja) * | 2006-08-22 | 2011-11-30 | 株式会社リード | 多層構造薄刃ブレード及びその製造方法 |
JP2009269158A (ja) * | 2008-05-12 | 2009-11-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削ブレード |
JP5214324B2 (ja) * | 2008-05-14 | 2013-06-19 | 株式会社ディスコ | 切削装置 |
JP5723740B2 (ja) * | 2011-10-11 | 2015-05-27 | 株式会社東京精密 | ダイシング装置のブレード潤滑機構及びブレード潤滑方法 |
TWI508803B (zh) * | 2013-01-30 | 2015-11-21 | Mgi Zhou Co Ltd | 切削刀具的製造方法 |
JP2017087353A (ja) * | 2015-11-10 | 2017-05-25 | 株式会社ディスコ | 電着砥石の製造方法 |
JP2018181908A (ja) * | 2017-04-04 | 2018-11-15 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
CN111347061B (zh) * | 2018-12-24 | 2021-03-30 | 有研半导体材料有限公司 | 一种硅环加工的工艺方法 |
CN110473807B (zh) * | 2019-07-16 | 2021-12-28 | 江苏籽硕科技有限公司 | 半导体单片集成电路的蚀刻设备 |
-
2004
- 2004-07-08 JP JP2004202012A patent/JP4408399B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-07-06 CN CNB2005100818887A patent/CN100509223C/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1718333A (zh) | 2006-01-11 |
CN100509223C (zh) | 2009-07-08 |
JP2006021285A (ja) | 2006-01-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008053341A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2007214201A (ja) | 切削装置 | |
KR100815005B1 (ko) | 절삭 블레이드 | |
JP2009083072A (ja) | 切削装置の切削ブレード検出機構 | |
CN100509223C (zh) | 切削刀片及切削刀片的制造方法 | |
KR20160092489A (ko) | 절삭 블레이드 및 절삭 장치 및 웨이퍼의 가공 방법 | |
JP4373736B2 (ja) | 加工装置のチャックテーブル | |
JP4903445B2 (ja) | 切削ブレードの切り込み確認方法 | |
JP4456421B2 (ja) | 加工装置 | |
JP2005109155A (ja) | 半導体ウェーハの加工方法 | |
JP2010050295A (ja) | 被加工物の切削方法 | |
JP5442979B2 (ja) | 切削装置 | |
JP2009083010A (ja) | 切削装置の切削ブレード検出機構 | |
JP4373711B2 (ja) | 切削方法 | |
JP6013934B2 (ja) | マーキング治具およびマーキング方法 | |
JP5117772B2 (ja) | 切削装置 | |
JP5518587B2 (ja) | 切削工具の製造方法 | |
JP5096052B2 (ja) | 切削装置 | |
JP2009059749A (ja) | ウエーハの切削方法 | |
TWI778094B (zh) | 金屬露出之基板的加工方法 | |
JP6935131B2 (ja) | 板状の被加工物の切断方法 | |
JP2006344630A (ja) | 切削装置 | |
JP2005066675A (ja) | レーザー加工方法 | |
JP7286233B2 (ja) | チップの製造方法 | |
JP2015050406A (ja) | 切削装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060825 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090417 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090421 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090618 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091104 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091109 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4408399 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121120 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121120 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121120 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131120 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |