JP4407199B2 - 結晶化無鉛ガラス、ガラスセラミックス組成物、グリーンシートおよび電子回路基板 - Google Patents
結晶化無鉛ガラス、ガラスセラミックス組成物、グリーンシートおよび電子回路基板 Download PDFInfo
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Description
このような基板の製造に好適な材料として、特許文献1は、1000℃以下の低温で焼成でき、焼成収縮開始温度が620〜720℃という低温であり、基板の変形が少なく、さらに2.4GHzにおける誘電損失が低い基板を提供できるガラス材料を開示している。
SiO2 28〜45%、
ZnO 19〜40%、
Al2O3 5〜15%、
BaO 3〜19%、
MgO 2〜10%、
SrO 0〜10%、
CaO 0.2〜2%、
TiO2+SnO2 0〜4%、
からなり、B2O3を含有しない、または、B2O3を10%以下含有することを特徴とする無鉛ガラス。
〔ガラス転移温度、軟化温度、および第一結晶化温度〕
示差熱分析装置(DTA)で昇温速度10℃/分で室温から1000℃までの範囲で測定した。アルミナを標準物質とした。
〔焼成収縮開始温度〕
厚さ200μmのグリーンシートをTMA測定装置で5.5kPaの圧力を印加した状態で、100℃/hの昇温速度で測定して得られる収縮曲線を使い、厚さ方向に3%縮んだときの温度を焼成収縮開始温度とした。
〔誘電率および誘電損失〕
空洞共振法で測定し、測定周波数は30または31GHzである。
〔線膨張係数〕
直径2mm、長さ20mmの円柱状に加工したものを試料とした。試料は前記グリーンシートを250℃で30分間加熱したものを乳鉢で粉砕し、10MPaの圧力でプレス成形したものを標準プロファイルで焼成して作製した。示差熱膨張計により室温から400℃まで10℃/分で昇温させて50〜250℃における平均線膨張係数を測定した。石英ガラスを標準物質とした。
〔析出結晶〕
析出結晶は、標準プロファイルで焼成された低温焼成基板を乳鉢で粉砕したものについてX線回折法により同定した。表1のWはウィレマイト、BはBaAl2Si2O8系結晶、Eはその他の結晶を表し、左からピーク強度の大きい順番に示している。例えばW、B、Eならばピーク強度はW>B>Eである。
〔基板の変形〕
基板の変形はグリーンシート積層体の表面に銀電極をペーストで印刷して同時焼成したときの外観から評価した。全く変形のないものを◎、ほとんど変形のないものを○、わずかに変形しているものを△、変形の著しいものを×とした。
Claims (6)
- 下記酸化物基準のモル%表示で、本質的に、
SiO2 28〜45%、
ZnO 19〜40%、
Al2O3 5〜15%、
BaO 3〜19%、
MgO 2〜10%、
SrO 0〜10%、
CaO 0.2〜2%、
TiO2+SnO2 0〜4%、
からなり、B2O3を含有しない、または、B2O3を10%以下含有することを特徴とする結晶化無鉛ガラス。 - CaO含有量が0.2〜1.5%である請求項1に記載の結晶化無鉛ガラス。
- 請求項1または2に記載の結晶化無鉛ガラスの粉末およびセラミックスフィラーから本質的になるガラスセラミックス組成物。
- セラミックスフィラーがアルミナ、ジルコニア、ジルコン、チタニア、マグネシア、ムライト、クリストバライト、フォルステライト、コージエライト、エンスタタイト、ガーナイトおよびα−石英からなる群から選ばれる1種以上のセラミックスの粉末である請求項3に記載のガラスセラミックス組成物。
- 請求項1または2に記載の結晶化無鉛ガラスの粉末または請求項3または4に記載のガラスセラミックス組成物を含有し焼成収縮開始温度が620〜720℃であることを特徴とするグリーンシート。
- 請求項5に記載のグリーンシートを焼成して得られる電子回路基板であって、29〜31GHzのいずれかの周波数における誘電損失が20×10−4以下であることを特徴とする電子回路基板。
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