JP4406429B2 - 電子刺激脱離が少ないチャンバ - Google Patents
電子刺激脱離が少ないチャンバ Download PDFInfo
- Publication number
- JP4406429B2 JP4406429B2 JP2006525769A JP2006525769A JP4406429B2 JP 4406429 B2 JP4406429 B2 JP 4406429B2 JP 2006525769 A JP2006525769 A JP 2006525769A JP 2006525769 A JP2006525769 A JP 2006525769A JP 4406429 B2 JP4406429 B2 JP 4406429B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charged particle
- uhv
- diffusion barrier
- region
- residual gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/16—Vessels; Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J5/00—Details relating to vessels or to leading-in conductors common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J5/02—Vessels; Containers; Shields associated therewith; Vacuum locks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/18—Vacuum control means
- H01J2237/188—Differential pressure
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
Claims (18)
- 荷電粒子ビームを提供する荷電粒子放出コンポーネントであって、
第1のUHV領域(102)と、
第2のUHV領域(104)と、
前記第1のUHV領域に配置され、荷電粒子ビーム(17)を放出する放出器(16)と、
前記第1のUHV領域と前記第2のUHV領域を分離する残留ガス拡散障壁(106、206)とを備え、
前記第1のUHV領域は、前記荷電粒子ビームの一部を遮蔽する要素を備えず、
前記第1および前記第2のUHV領域(102、104)はそれぞれ、真空フランジ(102a、104a)を有し、
前記残留ガス拡散障壁(106、206)は、ビーム方向に前記放出器の直後にあり、前記放出された荷電粒子を抽出または調節するための電極として動作する、荷電粒子放出コンポーネント。 - 前記放出コンポーネントと荷電粒子ビームコラムの別のチャンバ(112)との間の差動排気用の開口ユニット(110)をさらに備える、請求項1に記載の荷電粒子放出コンポーネント。
- 前記残留ガス拡散障壁は、前記ビームの放出角に対応する直径よりも大きい、好ましくは、最小で10°のビーム放出角に対応する直径の開口(107)を有する、請求項1または2に記載の荷電粒子放出コンポーネント。
- 前記残留ガス拡散障壁(106、206)は、前記荷電粒子ビーム用の開口(107)を有し、前記開口のサイズは、少なくとも1mmであり、好ましくは少なくとも5mmよりも大きい、請求項1〜3のいずれか一項に記載の荷電粒子放出コンポーネント。
- 前記第2のUHV領域(104)内に少なくとも1つのビーム整形要素(109、18、108、402)をさらに備え、前記少なくとも1つのビーム整形要素は、前記荷電粒子ビーム用の開口を設けることによって、前記荷電粒子ビームの一部を遮蔽し、前記開口のサイズは、5°未満、好ましくは1°未満のビーム放出角に対応する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の荷電粒子放出コンポーネント。
- 前記第1および前記第2のUHV領域の動作時の圧力は、最大で10−8ミリバールである、請求項1〜5のいずれか一項に記載の荷電粒子放出コンポーネント。
- 前記第1のUHV領域内に位置する表面に衝突する荷電粒子の量は、前記放出コンポーネント内に位置する表面に衝突する荷電粒子の量の最大で20%である、請求項1〜6のいずれか一項に記載の荷電粒子放出コンポーネント。
- 前記第1のUHV領域(102)に対応する前記第1の真空フランジ(102a)および前記第2のUHV領域(104)に対応する前記第2の真空フランジ(104a)は、1つの真空ポンプ(502)に連結される、請求項1〜7のいずれか一項に記載の荷電粒子放出コンポーネント。
- 前記第1のUHV領域に対応する前記第1の真空フランジおよび前記第2のUHV領域に対応する前記第2の真空フランジは、別々の真空ポンプ(502a、502b)に連結される、請求項1〜8のいずれか一項に記載の荷電粒子放出コンポーネント。
- 前記残留ガス拡散障壁は分離開口であり、前記第1および前記第2のUHV領域はUHVチャンバである、請求項1〜9のいずれか一項に記載の荷電粒子放出コンポーネント。
- 荷電粒子ビームを提供する荷電粒子放出コンポーネントであって、
前記荷電粒子放出コンポーネントのハウジング(101)と、
あるビーム放出角の荷電粒子ビーム(17)を放出する放出器(16)と、
少なくとも1つのビーム整形要素(109、18、108、402)と、
ビーム方向に前記放出器の直後の残留ガス拡散障壁(106、206)とを備え、前記残留ガス拡散障壁は、前記荷電粒子放出コンポーネントを第1および第2のUHV領域に分離し、
前記残留ガス拡散障壁は、前記ビーム放出角に対応する直径よりも大きい直径の開口(107)を有し、
前記第1および前記第2のUHV領域(102、104)はそれぞれ、真空フランジ(102a、104a)を有し、
前記残留ガス拡散障壁(106、206)は、前記放出された荷電粒子を抽出または調節するための電極として動作する、荷電粒子放出コンポーネント。 - 前記第1のUHV領域は、前記荷電粒子ビームの一部を遮蔽する要素を備えない、請求項11に記載の荷電粒子放出コンポーネント。
- 前記荷電粒子放出コンポーネントのハウジング(101)と、
あるビーム放出角の荷電粒子ビーム(17)を放出する放出器(16)と、
少なくとも1つのビーム整形要素(109、18、108、402)と、
ビーム方向に前記放出器の直後の残留ガス拡散障壁(106、206)とを備え、前記残留ガス拡散障壁は、前記荷電粒子放出コンポーネントを第1および第2のUHV領域に分離し、
前記残留ガス拡散障壁は、前記ビーム放出角に対応する前記直径よりも大きい直径の開口(107)を有し、
前記第1および前記第2のUHV領域(102、104)はそれぞれ、真空フランジ(102a、104a)を有し、
前記残留ガス拡散障壁(106、206)は、前記放出された荷電粒子を抽出または調節するための電極として動作することを特徴とする請求項1〜10のいずれか一項に記載の荷電粒子放出コンポーネント。 - 前記第1のUHV領域の表面は、少なくとも、
前記放出器(16)と、
前記残留ガス拡散障壁と、
前記放出コンポーネントハウジング(101)の、前記第1のUHV領域に対応する部分のうちのコンポーネントの表面であり、
前記第2のUHV領域の表面は、少なくとも、
前記少なくとも1つのビーム整形要素(109、18、108、402)と、
前記差動排気開口と、
放出コンポーネントハウジングの、前記第2のUHV領域に対応する部分のうちのコンポーネントの表面である、請求項1〜13のいずれか一項に記載の荷電粒子放出コンポーネント。 - 請求項1〜14のいずれか一項に記載の荷電粒子放出コンポーネントを利用する荷電粒子ビーム装置。
- 請求項1〜14のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム装置を動作させる方法であって、
第1のUHV領域を最大で10−8ミリバールの圧力に排気するステップと、
第2のUHV領域を最大で10−8ミリバールの圧力に排気するステップと、
少なくとも別のチャンバを最大で10−5ミリバールの圧力に排気するステップと、
荷電粒子ビームの一部が前記第1のUHV領域内で遮蔽されないように荷電粒子ビームを放出するステップとを含む、方法。 - 前記荷電粒子は、前記第1のUHV領域内に位置する表面に衝突する荷電粒子の量が、前記第1および前記第2のUHV領域内に位置する表面に衝突する荷電粒子の量の最大で20%になる放出角で放出される、請求項16に記載の荷電粒子ビーム装置を動作させる方法。
- 前記ビームの一部は、前記第2のUHV領域内で遮蔽され、それによって前記ビームが整形される請求項16または17に記載の荷電粒子ビーム装置を動作させる方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP03020774A EP1515359A1 (en) | 2003-09-12 | 2003-09-12 | Chamber with low electron stimulated desorption |
PCT/EP2004/010078 WO2005027175A1 (en) | 2003-09-12 | 2004-09-09 | Chamber with low electron stimulated desorption |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007505457A JP2007505457A (ja) | 2007-03-08 |
JP4406429B2 true JP4406429B2 (ja) | 2010-01-27 |
Family
ID=34130205
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006525769A Expired - Fee Related JP4406429B2 (ja) | 2003-09-12 | 2004-09-09 | 電子刺激脱離が少ないチャンバ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070138404A1 (ja) |
EP (1) | EP1515359A1 (ja) |
JP (1) | JP4406429B2 (ja) |
WO (1) | WO2005027175A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4751635B2 (ja) * | 2005-04-13 | 2011-08-17 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 磁界重畳型電子銃 |
EP1798751A1 (en) | 2005-12-13 | 2007-06-20 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Protecting aperture for charged particle emitter |
US8106358B2 (en) * | 2009-03-04 | 2012-01-31 | Agilent Technologies, Inc. | Layered scanning charged particle microscope with differential pumping aperture |
US8115168B2 (en) * | 2009-03-04 | 2012-02-14 | Agilent Technologies, Inc. | Layered scanning charged particle apparatus package having an embedded heater |
US8110801B2 (en) * | 2009-03-05 | 2012-02-07 | Agilent Technologies, Inc. | Layered scanning charged particle microscope package for a charged particle and radiation detector |
JP5178926B2 (ja) * | 2010-02-08 | 2013-04-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子顕微鏡及びイオン顕微鏡 |
EP2444990B1 (en) | 2010-10-19 | 2014-06-25 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Simplified particle emitter and method of operating thereof |
US9105438B2 (en) * | 2012-05-31 | 2015-08-11 | Fei Company | Imaging and processing for plasma ion source |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2516704A (en) * | 1949-06-11 | 1950-07-25 | Collins Radio Co | Vacuum gauge of the ionization producing type |
CH394629A (de) * | 1961-03-20 | 1965-06-30 | Trueb Taeuber & Co Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Aufnahme und Eichung von Elektronenbeugungsdiagrammen |
US3930155A (en) * | 1973-01-19 | 1975-12-30 | Hitachi Ltd | Ion microprobe analyser |
DE2514266C2 (de) * | 1975-03-27 | 1977-04-28 | Siemens Ag | Korpuskularstrahloptisches geraet mit zwei in strahlrichtung aufeinanderfolgenden teilraeumen unterschiedlicher druecke |
US4139773A (en) * | 1977-11-04 | 1979-02-13 | Oregon Graduate Center | Method and apparatus for producing bright high resolution ion beams |
JPS5566846A (en) * | 1978-11-13 | 1980-05-20 | Hitachi Ltd | Field-radiation type electron gun |
JPS5938701B2 (ja) * | 1979-04-10 | 1984-09-18 | 株式会社国際精工 | 二段試料台を備えた走査型電子顕微鏡 |
JPS5669750A (en) * | 1979-11-08 | 1981-06-11 | Jeol Ltd | Field emission type electron gun |
WO1988001099A1 (en) * | 1986-08-01 | 1988-02-11 | Electro-Scan Corporation | Multipurpose gaseous detector device for electron microscopes |
JP2607572B2 (ja) * | 1987-12-23 | 1997-05-07 | 株式会社日立製作所 | 荷電粒子を用いる分析装置および方法 |
JP3023246B2 (ja) * | 1992-07-28 | 2000-03-21 | 株式会社日立製作所 | 超高真空用シール材ならびにこれを用いた超高真空装置および電子顕微鏡 |
US5828064A (en) * | 1995-08-11 | 1998-10-27 | Philips Electronics North America Corporation | Field emission environmental scanning electron microscope |
US5854490A (en) * | 1995-10-03 | 1998-12-29 | Fujitsu Limited | Charged-particle-beam exposure device and charged-particle-beam exposure method |
DE10032607B4 (de) * | 2000-07-07 | 2004-08-12 | Leo Elektronenmikroskopie Gmbh | Teilchenstrahlgerät mit einer im Ultrahochvakuum zu betreibenden Teilchenquelle und kaskadenförmige Pumpanordnung für ein solches Teilchenstrahlgerät |
GB2374723B (en) * | 2001-04-20 | 2005-04-20 | Leo Electron Microscopy Ltd | Scanning electron microscope |
CN101414128B (zh) * | 2002-10-30 | 2012-04-04 | 迈普尔平版印刷Ip有限公司 | 电子束曝光*** |
EP1983548A1 (en) * | 2007-04-20 | 2008-10-22 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Emitter chamber, charged particle apparatus and method for operating same |
-
2003
- 2003-09-12 EP EP03020774A patent/EP1515359A1/en not_active Withdrawn
-
2004
- 2004-09-09 US US10/571,519 patent/US20070138404A1/en not_active Abandoned
- 2004-09-09 JP JP2006525769A patent/JP4406429B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-09-09 WO PCT/EP2004/010078 patent/WO2005027175A1/en active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007505457A (ja) | 2007-03-08 |
WO2005027175A1 (en) | 2005-03-24 |
US20070138404A1 (en) | 2007-06-21 |
EP1515359A1 (en) | 2005-03-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8957390B2 (en) | Electron gun arrangement | |
US8232712B2 (en) | Small electron gun | |
JP7181305B2 (ja) | 信号電子検出性能を向上させたマルチビーム検査装置 | |
US20070145303A1 (en) | Protecting Aperture for Charged Particle Emitter | |
JP4406429B2 (ja) | 電子刺激脱離が少ないチャンバ | |
JP5774269B2 (ja) | マルチステージ・ガス・カスケード増幅器 | |
JP6238570B2 (ja) | プラズマ・イオン源に対する改良された画像化および処理 | |
JP4357530B2 (ja) | 荷電粒子ビーム系用の2段式荷電粒子ビームエネルギー幅低減系 | |
TWI773081B (zh) | 用於操作帶電粒子槍的方法、帶電粒子槍,及帶電粒子束裝置 | |
US8101911B2 (en) | Method and device for improved alignment of a high brightness charged particle gun | |
US20060231772A1 (en) | Charged particle beam device with cleaning unit and method of operation thereof | |
US11469072B2 (en) | Charged particle beam apparatus, scanning electron microscope, and method of operating a charged particle beam apparatus | |
JP6377920B2 (ja) | 高輝度電子銃、高輝度電子銃を用いるシステム及び高輝度電子銃の動作方法 | |
US20230197399A1 (en) | Electron microscope, electron source for electron microscope, and methods of operating an electron microscope | |
WO2018011837A1 (ja) | モノクロメータを備えた荷電粒子線装置 | |
EP2182543B1 (en) | Method and device for improved alignment of a high brightness charged particle gun | |
JP2000268757A (ja) | 基板検査装置および基板検査システム並びに基板検査装置の制御方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090203 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090406 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20090406 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090526 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090707 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090914 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091013 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091106 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121113 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121113 Year of fee payment: 3 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |