JP4400406B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
10 マスクパターン
11 マスクパターン間の領域
20 電界
30 磁界
40 誘導電流
100 半導体製造装置
111 半導体基板
112 被エッチング膜
113 導電膜
114 マスク
200 プラズマ処理部
201 試料台
202,308 回転機構
301 光源
302,303 反射板
304 偏光フィルタ
305 分光器
306 測定器
306a 測定結果
307 終点検出部
307a 制御信号
401 検査光
402 反射光
403 偏光波
500 半導体ウエハ
501 シリコン基板
502 溝
503,512 シリコン酸化膜
504 P型チャネル領域
505 N型チャネル領域
506 ゲート酸化膜
507 N型ポリシリコン
508 P型ポリシリコン
509 窒化タングステン膜
510 タングステン膜
511,515 シリコン窒化膜
513 レジストパターン
514,516 マスクパターン
A メモリセル領域
B,C 周辺回路領域
Claims (13)
- 下層膜と前記下層膜上に形成され一方向に延在する金属及び導電性金属化合物の少なくとも一方を含む複数のマスクパターンとを備える半導体ウエハの前記複数のマスクパターン間に対応する位置の前記下層膜をエッチングする半導体装置の製造方法であって、
前記半導体ウエハに検査光を照射するステップと、前記半導体ウエハ上で反射した前記検査光の反射光に含まれる偏光成分のうち、前記マスクパターンの延在する方向に対して垂直な偏光成分の強度に基づいて前記エッチングの終点を判断するステップとを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記半導体ウエハは前記下層膜の下にゲート絶縁膜をさらに備え、
前記エッチングは、前記マスクパターンをマスクとして第1のエッチングガスを用いたプラズマエッチングにより前記下層膜をエッチングし、前記エッチングの終点の判断に基づき、所定の膜厚の前記下層膜を前記ゲート絶縁膜上に残存させる第1のエッチング工程と、
前記第1のエッチングガスとは異なる第2のエッチングガスを用いたプラズマエッチングにより前記残存した下層膜をエッチング除去し、前記ゲート絶縁膜の表面を露出させる第2のエッチング工程とを含むことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1のエッチングガスはフロロカーボンを含んでおり、前記第2のエッチングガスはフロロカーボンを含んでいないことを特徴とする請求項2記載の半導体装置の製造方法。
- 前記マスクパターンがタングステン(W)を含むことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記下層膜がポリシリコン膜であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ポリシリコン膜は、N型部分とP型部分とを備えていることを特徴とする請求項5記載の半導体装置の製造方法。
- 前記N型部分はメモリセル領域および周辺回路領域に形成されるゲート電極であり、前記P型部分は周辺回路領域に形成されるゲート電極であることを特徴とする請求項6記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板上にポリシリコン膜を形成する第1の工程と、
前記ポリシリコン膜上に金属及び導電性金属化合物の少なくとも一方を含む導電膜を形成する第2の工程と、
前記導電膜上に一方向に延在する複数のマスクパターンを形成する第3の工程と、
前記マスクパターンを用いて前記導電膜をパターニングする第4の工程と、
前記マスクパターンを用い、第1のエッチングガスを用いたプラズマエッチングにより前記ポリシリコン膜をエッチングし、所定の膜厚のポリシリコン膜を残存させる第5の工程と、
前記マスクパターンを用い、前記第1のエッチングガスとは異なる第2のエッチングガスを用いたプラズマエッチングにより前記残存したポリシリコン膜をエッチング除去する第6の工程とを備え、
前記第5の工程では、前記半導体基板の主面に検査光を照射し、前記半導体基板の前記主面より得られる前記検査光の反射光に含まれる偏光成分のうち、前記マスクパターンの延在する方向に対して垂直な偏光成分の強度に基づいて前記第1のエッチングガスを用いたプラズマエッチングの終点を判断することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記導電膜がタングステン(W)を含むことを特徴とする請求項8記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の工程の前に、前記半導体基板上にシリコン酸化膜を形成する工程をさらに含み、前記第6の工程により前記シリコン酸化膜の表面を露出させることを特徴とする請求項8又は9に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1のエッチングガスはフロロカーボンを含んでおり、前記第2のエッチングガスはフロロカーボンを含んでいないことを特徴とする請求項8乃至10のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ポリシリコン膜は、N型部分とP型部分とを備えていることを特徴とする請求項11記載の半導体装置の製造方法。
- 前記反射光の前記マスクパターンの延在する方向に対して垂直な偏光成分の強度は、前記マスクパターンの延在する方向に対して平行な偏光成分の強度よりも前記下層膜の残膜厚に応じた変化が大きいことを特徴とする請求項1乃至12のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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