JP4395922B2 - Fine ceramic structure and manufacturing method thereof - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、微細セラミックス構造体およびその製造方法ならびにそれを用いた複合圧電材料に関するものであり、特に、医療用超音波発振素子やソナーに必要な微細圧電セラミックス柱などの微細セラミックス構造体およびその製造方法ならびにそれを用いた複合圧電材料に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図１は、微細構造を有するセラミックス部品の一例として、複合圧電材料の構造を示す斜視図である。
【０００３】
図１を参照して、この複合圧電材料２１は、樹脂２３中に微細な圧電セラミックス柱２２が林立した構造を有している。この他、複合圧電材料には、微細圧電セラミックス柱の代わりに、微細圧電セラミックス板と樹脂とからなるものもある。
【０００４】
従来、このように構成される複合圧電材料の製造においては、切削や研削等の機械加工、レーザアブレーションによる加工等を用いる方法の他、特開平８−９７４８３号公報に開示されているように、樹脂に微細パターンを作り込んだものを型として用いる方法があった。
【０００５】
図２〜図８は、特開平８−９７４８３号公報に開示された、微細柱の林立したセラミックス部品の製造方法の一例を示す断面図である。
【０００６】
まず、図２を参照して、Ｘ線リソグラフィ用マスク３を介して、Ｘ線に感度のあるレジスト２が塗付された導電性基板１に、シンクロトロン放射光（ＳＲ）４０を照射して、ディープＸ線リソグラフィを行なう。
【０００７】
Ｘ線リソグラフィ用マスク３としては、たとえば支持膜３１として厚さが２μｍの窒化シリコンと、吸収体パターン３２として厚さが５μｍのタングステンから構成された、吸収体が比較的厚いマスクを用いることができる。マスクとしては、この他に、厚さ３０μｍ以上のニッケルメッシュを用いることもできる。
【０００８】
次に、図３を参照して、現像処理により、レジスト構造体４を作製する。
次に、図４を参照して、作製されたレジスト構造体４にニッケルめっきを施して、ニッケル金型５を作製する。その後、レジスト構造体４を除去する。
【０００９】
続いて、図５を参照して、作製されたニッケル金型５を用いて樹脂モールドを行ない、樹脂型６を作製する。この樹脂型６は、たとえば、２５μｍ角で深さ３００μｍの孔がピッチ５０μｍで２次元に並んだ構造とすることができる。
【００１０】
次に、図６を参照して、作製された樹脂型６にセラミックススラリー１７を注入した後、乾燥させる。
【００１１】
次に、図７を参照して、プラズマ５０により、樹脂型６を除去する。
続いて、図８を参照して、脱バインダおよび焼成を行ない、剣山状のセラミックス構造体９が得られる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した特開平８−９７４８３号公報に開示された従来技術においては、用いるセラミックスの種類により、製造した微細セラミックス構造体の特性が決まっていた。主特性として比誘電率を要求する微細セラミックス構造体、特に、圧電セラミックスを用いて製造した複合圧電材料においては、使用する構造体の寸法や接続する信号線の組合せにより電気的インピーダンスマッチングを良好にし、ＳＮ比を向上させるために微細セラミックス構造体の比誘電率を調整することが望まれている。
【００１３】
比誘電率を制御する方法としては、セラミックスの種類の変更、焼成条件の変更ならびにセラミックスの占積率の変更がある。
【００１４】
しかしながら、セラミックスの種類や焼成条件を変更すると、比誘電率だけでなく、セラミックスの収縮率等も変化してしまうため、これらの方法では、セラミックス構造体を、倒壊なく、かつ反りの発生なく形成することは極めて困難であり、形成する条件を探し出すために多大な時間を要していた。また、セラミックスの占積率を変更すると、たとえば複合圧電材料を超音波発振素子として使う場合の主要特性である音響インピーダンスが変化したり、電気機械結合係数が低下する等の問題があった。
【００１５】
この発明の目的は、上述した問題を解決し、微細セラミックス構造体の倒壊や反りを防ぐとともに、それを用いた複合圧電材料の音響インピーダンスや電気機械結合係数を変化させることなく、比誘電率を制御することができる、微細セラミックス構造体の製造方法を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
この発明による微細セラミックス構造体の製造方法は、樹脂型にセラミックススラリーまたはセラミックスはい土を充填して、乾燥固化させた後、樹脂型を除去し、焼成することにより、微細セラミックス構造体を製造する方法であって、プラズマエッチングを用いることにより、樹脂型を除去するとともに、微細セラミックス構造体の比誘電率を制御することを特徴としている。
【００１７】
また、この発明による微細セラミックス構造体の製造方法は、切削、研削、またはレーザアブレーションによって微細セラミックス構造体を製造する方法であって、加工後にプラズマエッチングすることにより、微細セラミックス構造体の比誘電率を制御することを特徴としている。
【００１８】
比誘電率の制御は、プラズマエッチング条件のうち、エッチング時間およびプラズマパワーの少なくともいずれかを変更することにより行なうことができる。
【００１９】
また、本発明は、微細セラミックス構造体が、幅５０μｍ以下、高さ１００μｍ以上、ピッチ間隔１００μｍ以下のセラミックスからなる柱列構造体である場合に、特に顕著な効果が得られる。
【００２０】
本発明による微細セラミックス構造体は、上述した微細セラミックス構造体の製造方法により製造されたものである。
【００２１】
本発明による複合圧電材料は、上述のように得られた微細セラミックス構造体と、樹脂とを複合化して製造されたものである。
【００２２】
微細セラミックス構造体としては、たとえばチタン酸ジルコン酸鉛からなる圧電セラミックス構造体が用いられる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
本願発明者は、前述の課題を解決するため鋭意検討した結果、微細セラミックス構造体の表面改質により、比誘電率を制御することができることを見出した。微細セラミックス構造体では、体積に対する表面積の割合が大きくなるため、表面改質によって比誘電率を自由に制御することが期待できる。一方、特開平８−９７４８３号公報に開示された従来の技術のうち、プラズマエッチングにより樹脂型を除去する方法では、微細セラミックス構造体の表面改質も同時に起こり得ると考えられる。
【００２４】
そこで、本願発明者らは、これらの点に着目し、プラズマエッチングを用いて比誘電率を制御する本発明の方法を見出した。特に、樹脂型の除去と比誘電率の制御とをプラズマエッチングにより同時に行なう場合には、作業の増加がなく、量産性を考慮すると極めて有望な比誘電率の制御方法である。
【００２５】
以下、本発明の方法をより詳細に説明する。
図９は、本発明に従い、プラズマエッチングを行なう装置の一例の構成を示す概略図である。
【００２６】
図９を参照して、この装置は、真空容器５３と、真空容器５３内を真空にひくためのポンプ５１と、真空容器５３内にエッチングガスを供給するためのエッチングガス供給源５２と、プラズマ５０を発生させるための電源５４とから構成される。
【００２７】
このように構成される装置内に、前述の図１〜図６に示す従来の方法と同様にして作製された、樹脂型６にセラミックススラリー１７が注入され、乾燥されたものを設置して、プラズマエッチングを行なう。
【００２８】
この時、本願発明によれば、プラズマエッチングにより、樹脂型６を除去すると同時に、作製されるセラミックス構造体の比誘電率を制御する。比誘電率の制御は、プラズマエッチング条件のうち、エッチング時間およびプラズマパワーの少なくともいずれかを変更することにより、自由に行なうことができる。
【００２９】
このようにして、比誘電率が任意の値になるように制御された微細セラミックス構造体が得られる。
【００３０】
続いて、このようにして得られた微細セラミックス構造体と樹脂とを複合化することにより、図１に示す複合圧電材料が得られる。
【００３１】
また、樹脂型を用いる代わりに、切削、研削またはレーザアブレーション等の加工により微細セラミックス構造体を作製した場合においても、加工後にプラズマエッチングすることにより、微細セラミックス構造体の比誘電率を任意の値に制御することができる。
【００３２】
【実施例】
実際に微細セラミックス構造体にプラズマエッチングを行ない、比誘電率を制御することができるかどうかを確認した。
【００３３】
樹脂型としては、アクリルからなるものを用いた。また、微細セラミックス構造体としては、比誘電率が１７００のチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）が主成分の圧電セラミックスからなるものを用いた。微細構造の体積率（占積率）が２５％の微細セラミックス構造体について、酸素とフレオンの混合比が１：２であり、ガス圧が０．３Ｔｏｒｒの混合ガスのプラズマを用いたプラズマエッチングを行なった。その結果を図１０に示す。
【００３４】
図１０を参照して、エッチング時間ならびにプラズマパワーを変更することにより、微細セラミックス構造体の比誘電率を自由に制御することができることがわかる。なお、ここでの比誘電率は、微細セラミックス構造体と樹脂とを複合化して作製した複合圧電材料について測定した値であるが、この値は、微細セラミックス構造体自体について測定した値とほぼ同様となることが経験的に知られている。
【００３５】
また、この実施例は、比誘電率が１７００のＰＺＴを占積率として２５％含む複合圧電材料について実施したものである。そのため、複合圧電材料の比誘電率は、上限で４２５であり、これにプラズマエッチングを行なうことにより、比誘電率が低下し、４２５〜２５０の範囲で比誘電率が制御可能となった。
【００３６】
複合圧電材料において、比誘電率を４２５以上に制御したい場合には、比誘電率がさらに高いＰＺＴを用い、同様にプラズマエッチングにより比誘電率を所定の値まで低下させ、任意の値となるように制御することができる。
【００３７】
また、この実施例においては、微細セラミックス構造体の倒壊ならびに反りは生じることがなく、さらにセラミックスの寸法も変化することがなかった。
【００３８】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明を用いれば、エッチング時間またはプラズマパワー等のプラズマエッチング条件を変更することにより、微細セラミックス構造体の比誘電率を、倒壊ならびに反りを生じさせることなく、自由に制御することができる。
【００３９】
特に、微細セラミックス構造体として圧電セラミックスを用いた場合、比誘電率を制御した微細セラミックス構造体と樹脂とを複合化することにより、音響インピーダンスや電気機械結合係数を変化させずに、比誘電率を制御した複合圧電材料を製造することができる。その結果、電気的インピーダンスマッチング構造が容易になり、ＳＮ比の向上に寄与する。
【図面の簡単な説明】
【図１】微細構造を有するセラミックス部品の一例として、複合圧電材料の構造を示す斜視図である。
【図２】微細柱の林立したセラミックス部品の製造方法の一例を示す断面図である。
【図３】微細柱の林立したセラミックス部品の製造方法の一例を示す断面図である。
【図４】微細柱の林立したセラミックス部品の製造方法の一例を示す断面図である。
【図５】微細柱の林立したセラミックス部品の製造方法の一例を示す断面図である。
【図６】微細柱の林立したセラミックス部品の製造方法の一例を示す断面図である。
【図７】微細柱の林立したセラミックス部品の製造方法の一例を示す断面図である。
【図８】微細柱の林立したセラミックス部品の製造方法の一例を示す断面図である。
【図９】本発明に従いプラズマエッチングを行なう装置の一例を示す概略図である。
【図１０】各プラズマパワーに対するエッチング時間と微細セラミックス構造体の比誘電率の関係を示す図である。
【符号の説明】
１ 基板
２ レジスト
３ Ｘ線マスク
４ レジスト構造体
５ ニッケル金型
６ 樹脂型
９ セラミックス構造体
１７ セラミックススラリー
２１ 複合圧電素子
２２ 圧電セラミックス柱
２３ 樹脂
３１ 支持膜
３２ 吸収パターン
４０ シンクロトロン放射光
５０ プラズマ[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a fine ceramic structure, a method for producing the same, and a composite piezoelectric material using the same, and more particularly, a fine ceramic structure such as a fine piezoelectric ceramic column necessary for a medical ultrasonic oscillator or sonar and the like. The present invention relates to a manufacturing method and a composite piezoelectric material using the same.
[0002]
[Prior art]
FIG. 1 is a perspective view showing the structure of a composite piezoelectric material as an example of a ceramic component having a fine structure.
[0003]
Referring to FIG. 1, this composite piezoelectric material 21 has a structure in which fine piezoelectric ceramic columns 22 are forested in a resin 23. In addition, some composite piezoelectric materials include a fine piezoelectric ceramic plate and a resin instead of the fine piezoelectric ceramic column.
[0004]
Conventionally, in the production of a composite piezoelectric material configured in this way, as disclosed in JP-A-8-97483, in addition to methods using machining such as cutting and grinding, processing by laser ablation, and the like, There has been a method of using a resin in which a fine pattern is formed as a mold.
[0005]
2 to 8 are cross-sectional views showing an example of a method for manufacturing a ceramic part with a fine pillar, which is disclosed in JP-A-8-97483.
[0006]
First, referring to FIG. 2, synchrotron radiation (SR) 40 is irradiated onto conductive substrate 1 coated with resist 2 sensitive to X-rays through X-ray lithography mask 3. Deep X-ray lithography is performed.
[0007]
As the X-ray lithography mask 3, for example, a mask having a relatively thick absorber made of silicon nitride having a thickness of 2 μm as the support film 31 and tungsten having a thickness of 5 μm as the absorber pattern 32 is used. it can. In addition to this, a nickel mesh having a thickness of 30 μm or more can also be used.
[0008]
Next, referring to FIG. 3, a resist structure 4 is produced by development processing.
Next, referring to FIG. 4, the produced resist structure 4 is plated with nickel to produce a nickel mold 5. Thereafter, the resist structure 4 is removed.
[0009]
Subsequently, referring to FIG. 5, resin mold is performed using the produced nickel mold 5 to produce resin mold 6. For example, the resin mold 6 may have a structure in which holes of 25 μm square and 300 μm depth are two-dimensionally arranged at a pitch of 50 μm.
[0010]
Next, referring to FIG. 6, ceramic slurry 17 is injected into the produced resin mold 6 and then dried.
[0011]
Next, referring to FIG. 7, resin mold 6 is removed by plasma 50.
Subsequently, referring to FIG. 8, binder removal and firing are performed, and a sword mountain-like ceramic structure 9 is obtained.
[0012]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the prior art disclosed in the above-mentioned JP-A-8-97483, the characteristics of the manufactured fine ceramic structure are determined depending on the type of ceramic used. For fine ceramic structures that require relative permittivity as a main characteristic, especially composite piezoelectric materials manufactured using piezoelectric ceramics, electrical impedance matching is improved by combining the dimensions of the structures used and the signal lines to be connected. In order to improve the SN ratio, it is desired to adjust the relative dielectric constant of the fine ceramic structure.
[0013]
Methods for controlling the relative permittivity include changing the type of ceramic, changing firing conditions, and changing the space factor of ceramic.
[0014]
However, if the ceramic type and firing conditions are changed, not only the dielectric constant but also the shrinkage of the ceramic will change. With these methods, the ceramic structure can be formed without collapse and without warping. It was extremely difficult to do so, and it took a lot of time to find out the conditions to be formed. Further, when the space factor of the ceramic is changed, for example, there is a problem that an acoustic impedance which is a main characteristic when a composite piezoelectric material is used as an ultrasonic oscillation element is changed, or an electromechanical coupling coefficient is lowered.
[0015]
The object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, prevent collapse and warpage of the fine ceramic structure, and increase the relative dielectric constant without changing the acoustic impedance and electromechanical coupling coefficient of the composite piezoelectric material using the structure. An object of the present invention is to provide a method for producing a fine ceramic structure which can be controlled.
[0016]
[Means for Solving the Problems]
The method for producing a fine ceramic structure according to the present invention is to produce a fine ceramic structure by filling a resin mold with ceramic slurry or ceramic earth, drying and solidifying, then removing the resin mold and firing. This method is characterized in that the resin mold is removed and the relative dielectric constant of the fine ceramic structure is controlled by using plasma etching.
[0017]
The method for producing a fine ceramic structure according to the present invention is a method for producing a fine ceramic structure by cutting, grinding, or laser ablation, and plasma etching is performed after the processing, whereby the relative dielectric constant of the fine ceramic structure is obtained. It is characterized by controlling.
[0018]
The relative permittivity can be controlled by changing at least one of the etching time and the plasma power among the plasma etching conditions.
[0019]
The present invention is particularly effective when the fine ceramic structure is a columnar structure made of ceramics having a width of 50 μm or less, a height of 100 μm or more, and a pitch interval of 100 μm or less.
[0020]
The fine ceramic structure according to the present invention is manufactured by the above-described method for manufacturing a fine ceramic structure.
[0021]
The composite piezoelectric material according to the present invention is manufactured by combining the fine ceramic structure obtained as described above and a resin.
[0022]
As the fine ceramic structure, for example, a piezoelectric ceramic structure made of lead zirconate titanate is used.
[0023]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
As a result of intensive studies to solve the above-mentioned problems, the present inventor has found that the relative dielectric constant can be controlled by surface modification of the fine ceramic structure. In the fine ceramic structure, since the ratio of the surface area to the volume becomes large, it can be expected that the relative dielectric constant can be freely controlled by surface modification. On the other hand, among the conventional techniques disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-97483, it is considered that the surface modification of the fine ceramic structure can occur at the same time in the method of removing the resin mold by plasma etching.
[0024]
Therefore, the inventors of the present application have focused on these points and found the method of the present invention in which the relative dielectric constant is controlled using plasma etching. In particular, when the removal of the resin mold and the control of the relative permittivity are simultaneously performed by plasma etching, there is no increase in work, and this is a very promising method for controlling the relative permittivity in view of mass productivity.
[0025]
Hereinafter, the method of the present invention will be described in more detail.
FIG. 9 is a schematic diagram showing the configuration of an example of an apparatus for performing plasma etching according to the present invention.
[0026]
Referring to FIG. 9, this apparatus includes a vacuum vessel 53, a pump 51 for evacuating the vacuum vessel 53, an etching gas supply source 52 for supplying an etching gas into the vacuum vessel 53, a plasma And a power source 54 for generating 50.
[0027]
In the apparatus configured as described above, a ceramic slurry 17 was injected into the resin mold 6, which was produced in the same manner as the conventional method shown in FIGS. Plasma etching is performed.
[0028]
At this time, according to the present invention, the dielectric constant of the ceramic structure to be manufactured is controlled simultaneously with the removal of the resin mold 6 by plasma etching. The relative dielectric constant can be freely controlled by changing at least one of the etching time and the plasma power among the plasma etching conditions.
[0029]
In this way, a fine ceramic structure in which the relative dielectric constant is controlled to an arbitrary value is obtained.
[0030]
Subsequently, a composite piezoelectric material shown in FIG. 1 is obtained by combining the fine ceramic structure thus obtained and a resin.
[0031]
In addition, even when a fine ceramic structure is produced by machining such as cutting, grinding, or laser ablation instead of using a resin mold, plasma etching is performed after the processing, so that the relative dielectric constant of the fine ceramic structure can be set to an arbitrary value. Can be controlled.
[0032]
【Example】
Actually, plasma etching was performed on the fine ceramic structure, and it was confirmed whether the relative dielectric constant could be controlled.
[0033]
As the resin mold, one made of acrylic was used. Further, as the fine ceramic structure, a ceramic ceramic body made of a piezoelectric ceramic mainly composed of lead zirconate titanate (PZT) having a relative dielectric constant of 1700 was used. Plasma etching using plasma of a mixed gas having a volume ratio (space factor) of a fine structure of 25% and a mixing ratio of oxygen and freon of 1: 2 and a gas pressure of 0.3 Torr is performed. I did it. The result is shown in FIG.
[0034]
Referring to FIG. 10, it can be seen that the relative dielectric constant of the fine ceramic structure can be freely controlled by changing the etching time and the plasma power. The relative dielectric constant here is a value measured for a composite piezoelectric material prepared by combining a fine ceramic structure and a resin, but this value is almost the same as the value measured for the fine ceramic structure itself. It is empirically known to be.
[0035]
Further, this example was carried out for a composite piezoelectric material containing 25% of PZT having a relative dielectric constant of 1700 as a space factor. Therefore, the relative dielectric constant of the composite piezoelectric material is 425 at the upper limit, and by performing plasma etching on this, the relative dielectric constant is lowered and the relative dielectric constant can be controlled in the range of 425 to 250.
[0036]
In a composite piezoelectric material, when it is desired to control the relative dielectric constant to 425 or more, PZT having a higher relative dielectric constant is used, and similarly, the relative dielectric constant is lowered to a predetermined value by plasma etching so as to be an arbitrary value. Can be controlled.
[0037]
In this example, the fine ceramic structure did not collapse and warp, and the ceramic dimensions did not change.
[0038]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the relative permittivity of the fine ceramic structure can be freely controlled without causing collapse and warping by changing the plasma etching conditions such as etching time or plasma power. can do.
[0039]
In particular, when piezoelectric ceramics are used as the fine ceramic structure, the relative dielectric constant can be obtained by combining the fine ceramic structure with controlled relative dielectric constant and the resin without changing the acoustic impedance or electromechanical coupling coefficient. It is possible to manufacture a composite piezoelectric material in which control is performed. As a result, the electrical impedance matching structure becomes easy and contributes to the improvement of the SN ratio.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view showing the structure of a composite piezoelectric material as an example of a ceramic part having a fine structure.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of a method for manufacturing a ceramic part with a fine pillar;
FIG. 3 is a cross-sectional view showing an example of a method for producing a ceramic part with a fine column.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of a method for manufacturing a ceramic part with a fine pillar;
FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example of a method for manufacturing a ceramic part with a fine pillar;
FIG. 6 is a cross-sectional view showing an example of a method for manufacturing a ceramic part with a fine pillar;
FIG. 7 is a cross-sectional view showing an example of a method for manufacturing a ceramic part with a fine column.
FIG. 8 is a cross-sectional view showing an example of a method for manufacturing a ceramic part with a fine column.
FIG. 9 is a schematic view showing an example of an apparatus for performing plasma etching according to the present invention.
FIG. 10 is a graph showing the relationship between the etching time for each plasma power and the relative dielectric constant of the fine ceramic structure.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Resist 3 X-ray mask 4 Resist structure 5 Nickel mold 6 Resin mold 9 Ceramic structure 17 Ceramic slurry 21 Composite piezoelectric element 22 Piezoelectric ceramic column 23 Resin 31 Support film 32 Absorption pattern 40 Synchrotron radiation 50 Plasma

Claims (7)

樹脂型にセラミックススラリーまたはセラミックスはい土を充填して、乾燥固化させた後、前記樹脂型を除去し、焼成することにより、微細セラミックス構造体を製造する方法であって、
プラズマエッチングを用いることにより、前記樹脂型を除去するとともに、前記微細セラミックス構造体の比誘電率を制御することを特徴とする、微細セラミックス構造体の製造方法。A method for producing a fine ceramic structure by filling a resin mold with ceramic slurry or ceramic earth and drying and solidifying, then removing the resin mold and firing.
A method for producing a fine ceramic structure, wherein the resin mold is removed and a relative dielectric constant of the fine ceramic structure is controlled by using plasma etching. 切削、研削、またはレーザアブレーションによって、微細セラミックス構造体を製造する方法であって、
加工後にプラズマエッチングすることにより、前記微細セラミックス構造体の比誘電率を制御することを特徴とする、微細セラミックス構造体の製造方法。A method of manufacturing a fine ceramic structure by cutting, grinding, or laser ablation,
A method for producing a fine ceramic structure, wherein the dielectric constant of the fine ceramic structure is controlled by plasma etching after processing. 前記比誘電率の制御は、プラズマエッチング条件のうち、エッチング時間およびプラズマパワーの少なくともいずれかを変更することにより行なう、請求項１または請求項２記載の微細セラミックス構造体の製造方法。The method for manufacturing a fine ceramic structure according to claim 1 or 2, wherein the relative dielectric constant is controlled by changing at least one of etching time and plasma power among plasma etching conditions. 前記微細セラミックス構造体は、幅５０μｍ以下、高さ１００μｍ以上、ピッチ間隔１００μｍ以下のセラミックスからなる柱列構造体である、請求項１〜請求項３のいずれかに記載の微細セラミックス構造体の製造方法。4. The production of a fine ceramic structure according to claim 1, wherein the fine ceramic structure is a columnar structure made of ceramics having a width of 50 μm or less, a height of 100 μm or more, and a pitch interval of 100 μm or less. Method. 請求項１〜請求項４のいずれかに記載の微細セラミックス構造体の製造方法により製造された、微細セラミックス構造体。The fine ceramic structure manufactured by the manufacturing method of the fine ceramic structure in any one of Claims 1-4. 請求項５記載の微細セラミックス構造体と、樹脂とを複合化して製造された、複合圧電材料。A composite piezoelectric material produced by combining the fine ceramic structure according to claim 5 and a resin. 前記微細セラミックス構造体は、チタン酸ジルコン酸鉛からなる圧電セラミックス構造体である、請求項６記載の複合圧電材料。The composite piezoelectric material according to claim 6, wherein the fine ceramic structure is a piezoelectric ceramic structure made of lead zirconate titanate.

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