JP4391893B2 - Plating equipment - Google Patents
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Description
本発明は、ワークに備えた中空部の内周壁にメッキ皮膜を形成するメッキ装置に関する。 The present invention relates to a plating apparatus for forming a plating film on an inner peripheral wall of a hollow portion provided in a workpiece.
シリンダの内周壁にメッキ被膜を形成する方法として、メッキ液をシリンダの内周壁に沿って強制的に流すことで、シリンダの内周壁にメッキ被膜を高速に形成する高速メッキ処理方法がある（例えば、特許文献１参照。）。
図１２は従来の基本構成を説明する図である。
メッキ装置２００の基台２０１に支持ブロック２０２を取り付け、支持ブロック２０２に筒状の筒形電極２０３を取り付ける。この状態で支持ブロック２０３の導出流路２０４および筒形電極の導出流路２０５を同軸上に配置する。
FIG. 12 is a diagram for explaining a conventional basic configuration.
A
支持ブロック２０２に、シリンダブロック２０７を上下反転させた状態（すなわち、クランクケース２０８側を上向きにした状態）で載せ、シリンダ２０９の内部に筒形電極２０３に配置する。
シリンダ２０９の内周壁２０９ａと筒形電極２０３との間の隙間で流路２１１を形成し、この流路２１１を、支持ブロック２０２の導入流路２１２に連通する。
The
A
シリンダ２０９の開口部（クランクシャフト側の開口部）２０９ｂを蓋体２１４で塞ぐ。この蓋体２１４にロッド２１５の下端部を連結し、このロッド２１５を上方に延ばし、ロッド２１５の上端部を支持プレート２１６で支える。
支持プレート２１６は、シリンダブロック２０７の上端部に載置した部材である。
An opening (crankshaft side opening) 209 b of the
The
この状態で、導入流路２１２にメッキ液を供給することにより、メッキ液が導入流路２１２から、シリンダ２０９の内周壁２０９ａと、筒形電極２０３との間の流路２１１に矢印Ａの如く流入する。
In this state, the plating solution is supplied to the
筒形電極２３０の上端まで到達したメッキ液は、蓋体２１４で案内されて筒形電極２０３内の導出流路２０５に矢印Ｂの如く流入し、この導出流路２０５から支持ブロック２０３の導出流路２０４に矢印Ｃの如く流れる。
このように、メッキ液をシリンダ２０９の内周壁２０９ａに沿って強制的に流すことで、内周壁２０９ａにメッキ被膜２１８（図１３（ａ）参照）を高速に形成する。
The plating solution that has reached the upper end of the cylindrical electrode 230 is guided by the
In this way, the plating solution is forced to flow along the inner
図１３（ａ），（ｂ）は従来の高速メッキ装置で形成したメッキ被膜を説明する図である。
（ａ）において、シリンダ２０９の内周壁２０９ａに、蓋体２１４の外周部２１４ａが密閉されている。よって、シリンダ２０９の内周壁２０９ａに沿って筒形電極２０３の上端２０３ａまで流れたメッキ液が蓋体２１４に当たって、筒形電極２０３内の導出流路２０５に矢印Ｂの如く流入する。
FIGS. 13A and 13B are views for explaining a plating film formed by a conventional high-speed plating apparatus.
In (a), the outer
このため、蓋体２１４の外周部２１４ａの近傍においてメッキ液が比較的効果的に攪拌される。よって、メッキ被膜２１８が蓋体２１４の外周部２１４ａに沿って突出した状態になり、メッキ被膜２１８の境界部２１８ａにバリ２１８ｂが形成される。
For this reason, the plating solution is stirred relatively effectively in the vicinity of the outer
（ｂ）において、メッキ被膜２１８の表面を、想像線で示す仕上げ面位置までホーニング加工することで、メッキ被膜２１８の内径（すなわち、シリンダの内径）を所望のサイズに形成する。
このメッキ被膜２１８の境界部２１８ａにバリ２１８ｂが形成されているので、ホーニング加工の際に、バリ２１８ｂに過大な負荷がかかる。
このため、メッキ被膜２１８が境界部２１８ａにおいて、内周壁２０９ａから剥離する虞があり、そのことが生産性を高める妨げになっていた。
In (b), the surface of the plating
Since the
For this reason, there exists a possibility that the
図１２に戻って、メッキ装置２００は、シリンダ２０９の開口部２０９ｂを蓋体２１４で塞ぐために、蓋体２１４、ロッド２１５、および支持プレート２１６などの部材を必要とする。
さらに、蓋体２１４の外周部２１４ａ（図１３（ａ）参照）で、シリンダ２０９の内周壁２０９ａを密閉するために、蓋体２１４の外周部２１４ａにＯリング（図示せず）が必要になる。加えて、蓋体２１４にロッド２１５の下端部を取り付けるために、蓋体２１４の構造が複雑になる。
Returning to FIG. 12, the
Further, in order to seal the inner
また、ロッド２１５をシリンダブロック２０７の上端まで延ばす必要があり、ロッド２１５が比較的長くなる。さらに、ロッド２１５の上端部を支える支持プレート２１６を、シリンダブロック２０７の上端に載せるために、支持プレート２１６が比較的大きくなる。
このため、メッキ装置２００の部品点数が多くなり、かつメッキ装置２００が大型になり、そのことが設備費を抑える妨げになっていた。
Moreover, it is necessary to extend the
For this reason, the number of parts of the
さらに、シリンダ２０９の開口部２０９ｂを蓋体２１４で塞ぐ際には、シリンダブロック２０７の上部開口２１９からシリンダ２０９の開口部２０９ｂまで蓋体２１４を移動する必要がある。
よって、シリンダブロック２０７のように上部開口２１９を備えていないワーク（例えば、シリンダヘッド一体型シリンダブロック）の場合には、このワークにメッキ装置２００を適用することはできない。
すなわち、メッキ装置２００では、ワークの形状によって、適用が制約されることがあり、この観点において改良の余地が残されていた。
Further, when closing the opening 209 b of the
Therefore, in the case of a work (for example, a cylinder head integrated cylinder block) that does not include the
That is, in the
本発明は、メッキ被膜を良好に形成することができ、さらに設備費を抑えることができ、加えてワークの形状によって適用が制約されることのないメッキ装置を提供することを課題とする。 An object of the present invention is to provide a plating apparatus that can form a plating film satisfactorily, further reduce equipment costs, and is not restricted in application by the shape of a workpiece.
請求項１に係る発明は、内部に貫通孔を備えた筒形電極を、ワークの中空部内に隙間を開けて配置し、この中空部の上端部に遮蔽部材を設け、前記隙間にメッキ液を流すことにより、前記中空部の内周壁にメッキ被膜を形成するメッキ装置において、前記遮蔽部材を絶縁材で形成し、この遮蔽部材を前記中空部の内周壁に対して非接触状態とすることで、前記遮蔽部材と前記中空部の内周壁との間に前記メッキ液を導入可能なメッキ液導入隙間を形成したことを特徴とする。 According to the first aspect of the present invention, a cylindrical electrode having a through-hole is disposed in a hollow portion of a work with a gap therebetween, a shielding member is provided at an upper end portion of the hollow portion, and a plating solution is placed in the gap. In the plating apparatus for forming a plating film on the inner peripheral wall of the hollow portion by flowing, the shielding member is formed of an insulating material, and the shielding member is brought into a non-contact state with respect to the inner peripheral wall of the hollow portion. , wherein the forming the plating liquid can be introduced plating liquid inlet gap between the shielding member and the inner peripheral wall of the hollow portion.
遮蔽部材を設けることで、メッキ液がメッキ処理面よりも上方に流れることを遮蔽部材で抑える。よって、メッキ処理面にメッキ皮膜を確実に形成することができる。
さらに、遮蔽部材の外周と中空部の内周壁との間にメッキ液導入隙間を形成することで、メッキ液導入隙間にメッキ液を導くことができる。
By providing the shielding member, the shielding member prevents the plating solution from flowing above the plating surface. Therefore, a plating film can be reliably formed on the plating surface.
Furthermore, by forming the plating solution introduction gap between the outer periphery of the shielding member and the inner peripheral wall of the hollow portion, the plating solution can be guided to the plating solution introduction gap.
加えて、遮蔽部材を絶縁材で形成することで、メッキ液導入隙間に流れる電流を漸次減少させることができる。
メッキ液導入隙間にメッキ液を導くとともに、メッキ液導入隙間に流れる電流を漸次減少させることで、メッキ液中のメッキ成分が内周壁に付着する量を漸次抑制させることができる。
In addition, the current flowing through the plating solution introduction gap can be gradually reduced by forming the shielding member with an insulating material.
By introducing the plating solution into the plating solution introduction gap and gradually reducing the current flowing through the plating solution introduction gap, the amount of the plating component in the plating solution adhering to the inner peripheral wall can be gradually suppressed.
このように、メッキ処理面にメッキ皮膜を確実に形成し、かつメッキ皮膜の境界部においてメッキ被膜の厚さを漸次減少させることで、好適なメッキ被膜を形成することができる。
これにより、メッキ皮膜の表面を加工する際に、メッキ皮膜が境界部から剥離することを防ぐことができる。
Thus, a suitable plating film can be formed by reliably forming a plating film on the plated surface and gradually decreasing the thickness of the plating film at the boundary of the plating film.
Thereby, when processing the surface of a plating film, it can prevent that a plating film peels from a boundary part.
請求項２に係る発明は、遮蔽部材の外周端下部を、メッキ皮膜を形成するメッキ処理面と、このメッキ処理面の上方の面との境界位置近傍に合わせ、メッキ液導入隙間を、０．２５〜５ｍｍに設定したことを特徴とする。 According to the second aspect of the present invention, the lower part of the outer peripheral end of the shielding member is matched with the vicinity of the boundary position between the plating surface on which the plating film is formed and the surface above the plating surface, and the plating solution introduction gap is set to 0. 0. It is characterized by being set to 25 to 5 mm.
メッキ液導入隙間が０．２５ｍｍ未満になると、メッキ液導入隙間が小さすぎて、メッキ液導入隙間にメッキ液を導くことが難しい。メッキ液導入隙間にメッキ液を導くことができないと、遮蔽部材の外周を内周壁に接触させた状態と同じことになり、従来技術で説明したようにメッキ皮膜の境界部にバリが発生する虞がある。
加えて、メッキ液導入隙間を０．２５ｍｍ未満にすることは、治具の精度上、困難であり、遮蔽部材の外周を内周壁に接触させてしまう虞がある。
そこで、メッキ液導入隙間を０．２５ｍｍ以上に設定して、メッキ皮膜の境界部にバリが発生することを防ぎ、かつ遮蔽部材を取り付ける際に、遮蔽部材の外周が内周壁に接触することを防ぐことにした。
If the plating solution introduction gap is less than 0.25 mm, the plating solution introduction gap is too small and it is difficult to guide the plating solution to the plating solution introduction gap. If the plating solution cannot be guided to the plating solution introduction gap, the state is the same as when the outer periphery of the shielding member is in contact with the inner peripheral wall, and as described in the prior art, burrs may occur at the boundary of the plating film. There is.
In addition, it is difficult to make the plating solution introduction gap less than 0.25 mm in terms of the accuracy of the jig, and the outer periphery of the shielding member may be brought into contact with the inner peripheral wall.
Therefore, the plating solution introduction gap is set to 0.25 mm or more to prevent the occurrence of burrs at the boundary of the plating film, and when the shielding member is attached, the outer periphery of the shielding member is in contact with the inner peripheral wall. Decided to prevent.
一方、メッキ液導入隙間が５ｍｍを超えると、メッキ液導入隙間が大きくなりすぎて、メッキ液導入隙間からメッキ液が流出する虞がある。
メッキ液導入隙間からメッキ液が流出すると、メッキ処理不要部へのメッキ液付着が多くなってしまう。また、メッキ処理部上部の電流密度が小さくなってしまい。その部位におけるメッキ厚さが薄くなってしまう。
そこで、メッキ液導入隙間を５ｍｍ以下に抑えて、メッキ液導入隙間からメッキ液が流出することを防ぐことにした。
On the other hand, if the plating solution introduction gap exceeds 5 mm, the plating solution introduction gap becomes too large, and the plating solution may flow out of the plating solution introduction gap.
When the plating solution flows out from the plating solution introduction gap, the plating solution adheres to the plating treatment unnecessary portion. In addition, the current density at the upper part of the plating process portion is reduced. The plating thickness at that part becomes thin.
Therefore, the plating solution introduction gap is suppressed to 5 mm or less to prevent the plating solution from flowing out from the plating solution introduction gap.
請求項３に係る発明は、遮蔽部材を、筒形電極に取り付けたことを特徴とする。 The invention according to claim 3 is characterized in that the shielding member is attached to the cylindrical electrode.
ここで、ワークのなかには、従来技術に示すワークのように、中空部の両端部が開口したものや、実施の形態に示すワークのように、中空部の一端部のみが開口したものがある。
中空部の両端部が開口したワークの場合には、メッキ装置にワークを配置した際に、中空部の上端部は開口されている。このため、ワークの上方から上端部の開口部を通して遮蔽部材を所定位置に取り付けることは可能である。
Here, among the workpieces, there are those in which both ends of the hollow portion are opened like the workpiece shown in the prior art, and those in which only one end of the hollow portion is opened like the workpiece shown in the embodiment.
In the case of a work in which both ends of the hollow part are opened, the upper end of the hollow part is opened when the work is placed in the plating apparatus. For this reason, it is possible to attach the shielding member at a predetermined position from above the workpiece through the opening at the upper end.
しかし、中空部の一端部のみが開口したワークの場合には、メッキ装置にワークを配置した際に、中空部の上端部は閉塞されている。このため、ワークの上方から遮蔽部材を所定位置に取り付けることはできない。
そこで、請求項３において、遮蔽部材を筒形電極に取り付けることにした。これにより、中空部の一端端部のみが開口したワークの場合にも、メッキ装置の適用が可能になり、ワークの形状によって適用が制約されることがなく、用途の拡大を図ることができる。
However, in the case of a workpiece in which only one end portion of the hollow portion is opened, the upper end portion of the hollow portion is closed when the workpiece is disposed in the plating apparatus. For this reason, the shielding member cannot be attached at a predetermined position from above the workpiece.
Accordingly, in claim 3, the shielding member is attached to the cylindrical electrode. Thereby, even in the case of a workpiece in which only one end portion of the hollow portion is opened, the plating apparatus can be applied, and the application is not restricted by the shape of the workpiece, and the application can be expanded.
ここで、遮蔽部材はメッキ液の流れを規制するもので、通常筒形電極の近傍に設けられる。よって、遮蔽部材を筒形電極に取り付けることで、遮蔽部材を取り付ける部材の簡素化やコンパクト化を図ることが可能になり、設備費を抑えることができる。
請求項４に係る発明は、前記遮蔽部材の外周下面に、外周端下部に向けて下り勾配の傾斜面を設けたことを特徴とする。
よって、遮蔽板によれば、遮蔽板の下面の下方に外周端下部を配置することができる。
遮蔽板の下面の下方に外周端下部を配置したので、外周端下部を、メッキ境界位置に対して間隔を開けて配置した際に、遮蔽板の下面と筒形電極の上縁との間の間隔を大きく確保することができる。
Here, the shielding member regulates the flow of the plating solution and is usually provided in the vicinity of the cylindrical electrode. Therefore, by attaching the shielding member to the cylindrical electrode, the member to which the shielding member is attached can be simplified and made compact, and the equipment cost can be reduced.
The invention according to
Therefore, according to the shielding plate, the outer peripheral end lower portion can be disposed below the lower surface of the shielding plate.
Since the lower end of the outer peripheral end is arranged below the lower surface of the shielding plate, when the lower end of the outer peripheral end is arranged at a distance from the plating boundary position, it is between the lower surface of the shielding plate and the upper edge of the cylindrical electrode. A large interval can be secured.
請求項１に係る発明では、メッキ処理面にメッキ皮膜を確実に形成し、かつメッキ皮膜の境界部においてメッキ被膜の厚さを漸次減少させることで、メッキ皮膜が境界部から剥離することを防ぐことができ、生産性の向上を図ることができるという利点がある。 In the invention according to claim 1, the plating film is surely formed on the plated surface and the thickness of the plating film is gradually reduced at the boundary of the plating film, thereby preventing the plating film from peeling off from the boundary. There is an advantage that productivity can be improved.
請求項２に係る発明では、所定の隙間を０．２５〜５ｍｍとして、メッキ皮膜の境界部にバリが発生することを防ぎ、かつ所定の隙間からメッキ液が流出することを防ぐことで、メッキ被膜を良好に形成することができるという利点がある。
In the invention according to
請求項３に係る発明では、遮蔽部材を筒形電極に取り付けることで、中空部の一端端部のみが開口したワークへの適用が可能になり、ワークの形状によって適用が制約されることがなく、用途の拡大を図ることができるという利点がある。
また、請求項３に係る発明では、遮蔽部材を筒形電極に取り付けることで、遮蔽部材を取り付ける部材の簡素化やコンパクト化を図ることが可能になり、設備費を抑えることができるという利点がある。
請求項４に係る発明では、遮蔽板の下面と筒形電極の上縁との間の間隔を大きく確保することで、筒形電極の上端部まで到達したメッキ液を、遮蔽板で案内して、遮蔽板の下面と筒形電極の上縁との間の間隔から筒形電極内の貫通孔に一層円滑に導くことができるという利点がある。
In the invention which concerns on Claim 3, by attaching a shielding member to a cylindrical electrode, the application to the workpiece | work with which only the one end part of the hollow part opened is attained, and application is not restrict | limited by the shape of a workpiece | work. There is an advantage that the application can be expanded.
Further, in the invention according to claim 3, by attaching the shielding member to the cylindrical electrode, it is possible to simplify and compact the member to which the shielding member is attached, and there is an advantage that the equipment cost can be suppressed. is there.
In the invention which concerns on
本発明を実施するための最良の形態を添付図に基づいて以下に説明する。なお、図面は符号の向きに見るものとする。
図１は本発明に係るメッキ装置の第１実施の形態を示す概略図である。
メッキ装置１０は、シリンダブロック（ワーク）１１の中空部１２（図５も参照）内に配置する筒形電極１６を備えた電極ユニット１５と、この電極ユニット１５にメッキ液１７を供給するメッキ液供給手段１８と、メッキ液１７中にエアを供給するエア供給手段２１と、シリンダ１３および筒形電極１６間を通電する通電手段２２とを備える。
The best mode for carrying out the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. The drawings are viewed in the direction of the reference numerals.
FIG. 1 is a schematic view showing a first embodiment of a plating apparatus according to the present invention.
The
シリンダブロック１１は、筒状のシリンダ１３を備え、シリンダ１３の内周壁１４で中空部１２を形成したものである。
このシリンダブロック１１は、シリンダ１３と一体にシリンダヘッド部１１ａを形成したもので、中空部１２の上端部１２ａがシリンダヘッド部１１ａで略閉塞されたワークである。
The
The
電極ユニット１５は、支持ブロック２５の凹部２６にインナー部材２７を載せ、インナー部材２７と凹部２６とで環状の導入流路２８を形成し、この導入流路２８に一対の渦発生流路２９，２９（図３も参照）を連通し、これらの渦発生流路２９，２９を連通流路３０，３０に連通し、インナー部材２７の貫通孔２７ａおよび支持ブロック２５の貫通孔２５ａで導出流路３１を形成し、環状の導入流路２８の上端２８ａを多孔部材３３で覆い、インナー部材２７に筒状の筒形電極１６を取り付けることにより、筒形電極１６の内部に形成した貫通孔１６ａを、導出流路３１に連通し、筒形電極１６の上端部１６ｂの上方（端部上方）に遮蔽板（遮蔽部材）３５を取付け手段３６を介して取り付けたものである。
In the
また、電極ユニット１５は、支持ブロック２５にシリンダブロック１１を載せ、シリンダブロック１１の中空部１２内に、筒形電極１６を中空部１２に対して隙間Ｓ１（円筒状の隙間）を開けて配置し、この隙間Ｓ１で円筒状のメッキ流路３８を形成し、このメッキ流路３８を多孔部材３３を介して導入流路２８に連通し、筒形電極１６の貫通孔１６ａを導出流路３１と同軸上に配置したものである。
In the
メッキ液供給手段１８は、支持ブロック２５の連通流路３０，３０（図３参照）に供給流路４１を介してタンク４２を連通し、供給流路４１の途中にエア供給手段２１を備えるとともに供給ポンプ４６を備え、戻り流路４７を介して導出流路３１をタンク４２に連通し、戻り流路４７の途中にコントロールバルブ４８を備える。
The plating solution supply means 18 communicates the
エア供給手段２１は、エア供給源５１を駆動することにより、エア供給流路５２を経て供給流路４１にエアを供給するものである。
通電手段２２は、電流供給源２３の陽極を筒形電極１６側に接続し、陰極をシリンダ１３側に接続したものである。
The air supply means 21 supplies air to the
The energizing means 22 has an anode of the
コントロールバルブ４８は、メッキ液１７の液面高さを調整するためのバルブである。
メッキ液としては、例えば、メッキ液中にセラミックス粒子を混合させた複合メッキ液を例に説明するが、その他の例として、ニッケルメッキ用のメッキ液を用いることも可能である。
The
As the plating solution, for example, a composite plating solution in which ceramic particles are mixed in the plating solution will be described as an example. However, as another example, a plating solution for nickel plating may be used.
図２は第１実施の形態の電極ユニットを示す斜視図である。
インナー部材２７と凹部２６とで環状の導入流路２８を形成し、この導入流路２８の上端２８ａを環状の多孔部材３３で覆う。インナー部材２７に筒状の筒形電極１６をボルト５４…で取り付ける。
この状態で、筒形電極１６の内部に形成した貫通孔１６ａを、導出流路３１と同軸上に配置する。
FIG. 2 is a perspective view showing the electrode unit of the first embodiment.
An
In this state, the through
筒形電極１６の上端部１６ｂにおいて、筒形電極１６の内周５６に、水平で且つ平坦な段部５６ａを有し、段部５６ａの外周端５６ｂから上縁１６ｃに向けて漸次拡径する傾斜面５６ｃを有する。
この段部５６ａに取付け手段３６を介して遮蔽板３５が取り付けられている。
The
A shielding
図３は第１実施の形態の電極ユニットを示す分解斜視図である。
支持ブロック２５は、中央に凹部２６を形成し、凹部２６の周壁２６ａを円形状に形成する。この周壁２６ａに接する接線と平行に、一対の渦発生流路２９，２９を１８０°の間隔をおいて形成する。
これらの渦発生流路２９，２９の供給口２９ａ，２９ａをそれぞれ周壁２６ａに開口する。
FIG. 3 is an exploded perspective view showing the electrode unit of the first embodiment.
The
The
よって、渦発生流路２９，２９の供給口２９ａ，２９ａから、凹部２６の周壁２６ａに沿わせてメッキ液１７（図１参照）を供給することで、メッキ液１７を周壁２６ａに沿って円弧状に流すことができる。
さらに、支持ブロック２５は、凹部２６の底部２６ｂに、４本のボルト５４…を貫通する取付孔をそれぞれ等間隔に備え、底部２６ｂの中央に貫通孔２５ａを備える。
Therefore, by supplying the plating solution 17 (see FIG. 1) along the
Further, the
インナー部材２７は、外径を周壁２６ａの内径より小さく形成し、中央に凹み２７ｂを備える。この凹み２７ｂに筒状電極１６の下端突起１６ｄを挿入することで、インナー部材２７の上面２７ｃに筒形電極１６の下端部１６ｅが当接する。
インナー部材２７に、４本のボルト５４…を貫通する取付孔をそれぞれ等間隔に備え、凹み２７ｂの内側に貫通孔２７ａを備える。
なお、インナー部材２７を、支持ブロック２５の凹部２６に取り付けた状態において、インナー部材２７の上面２７ｃと、支持ブロック２５の上面２５ｃとは面一になる（図１、図２参照）。
The
The
In addition, in the state which attached the
多孔部材３３は、一例として、複数本の線材で網目状に形成したメッシュ部材を環状プレートに形成し、外周部３３ａを支持ブロック２５の嵌合溝２５ｄに配置し、内周部３３ｂをインナー部材２７の嵌合溝２７ｄに配置することにより、環状の導入流路２８（図１、図２参照）の上端２８ａを覆う部材である。
多孔部材３３は、一定の大きさの孔（微小孔）を多数備えた部材である。
As an example, the
The
なお、多孔部材３３の外周部３３ａを支持ブロック２５の嵌合溝２５ｄに配置するとともに、内周部３３ｂをインナー部材２７の嵌合溝２７ｄに配置した状態において、多孔部材３３の上面３３ｃ、インナー部材２７の上面２７ｃ、および支持ブロック２５の上面２５ｃはそれぞれ面一になる（図１、図２参照）。
In the state where the outer
筒形電極１６は、内部に貫通孔１６ａを備えた筒状体であり、下端部に下端突起を備えるとともに、上端部１６ｂの内周５６に段部５６ａおよび傾斜面５６ｂを備える。
下端突起１６ｄをインナー部材２７の凹み２７ｂに挿入することで、インナー部材２７の上面２７ｃに筒形電極１６の下端部１６ｅを当接する。
The
By inserting the
この状態で、４本のボルト５４…を、支持ブロック２５の取付孔およびインナー部材２７の取付孔に差し込み、インナー部材２７の取付孔から突出したボルト５４…のねじ部５４ａ…を、筒形電極１６のねじ孔１６ｆ…（図２参照）にねじ結合することにより、支持ブロック２５、インナー部材２７および筒形電極１６を一体に連結する。
In this state, the four
遮蔽板３５は、絶縁材で円盤状に形成し、外径Ｄ１を内周壁の内径Ｄ２（図１参照）より小さく形成し、略中央に４個の取付孔６１…を備えたプレートである。
この遮蔽板３５を、取付け手段３６のスタッドボルト５８…を介して筒形電極１６の上端部１６ａに取り付ける。
スタッドボルト５８は、高さＨ１の脚部５８ａを備え、脚部５８ａの下端部にねじ５８ｂを備え、脚部５８ａの上端５８ｃにねじ孔５８ｄ…を備える。
The shielding
The shielding
The
図４は図１の４部拡大図である。
筒形電極１６の上端部１６ｂにおいて、筒形電極１６の内周５６に、水平で且つ平坦な段部５６ａを形成し、段部５６ａの外周端５６ｂから上縁１６ｃに向けて漸次拡径する傾斜面５６ｃを有する。
段部５６ａから上縁１６ｃまでの高さはＨ２である。
FIG. 4 is an enlarged view of
At the
The height from the
この段部５６ａに取付け手段３６を介して遮蔽板３５が取り付けられている。
すなわち、取付け手段３６は、４本のスタッドボルト５８…（図１〜図３に手前側の２本のみを示す）およびボルト６２…からなる。
段部５６ａに等間隔に４個のねじ孔５７…（１個のみを図示する）を形成し、それぞれのねじ孔５７…にスタッドボルト５８…のねじ５８ｂ…をねじ結合する。
スタッドボルト５８の脚部５８ａは、高さＨ１である。高さＨ１は、段部５６ａから上縁１６ｃまでの高さＨ２より大きい。すなわち、Ｈ１＞Ｈ２の関係が成立する。
A shielding
That is, the attaching
Four screw holes 57 (only one is shown) are formed at equal intervals in the
The
スタッドボルト５８…の上端５８ｃ…に遮蔽板３５を載せ、遮蔽板３５の取付孔６１…にボルト６２…を差し込み、遮蔽板３５の取付孔６１…から突出したボルト６２…を、スタッドボルト５８…の上端５８ｃに形成したねじ孔５８ｄ…にねじ結合する。
The shielding
これにより、スタッドボルト５８…の上端５８ｃ…に遮蔽板３５を取り付ける。
スタッドボルト５８の脚部５８ａの高さＨ１を、段部５６ａから上縁１６ｃまでの高さＨ２より大きくしたので、遮蔽板３５を、筒形電極１６の上端部１６ｂの上方（端部上方）に取り付けることができる（図１も参照）。
よって、筒形電極１６の上縁１６ｃと遮蔽板３５との間に隙間Ｈ３を開けることができる。
Thus, the shielding
Since the height H1 of the
Therefore, the gap H3 can be opened between the
この状態において、遮蔽板３５の外周端下部３５ａを、メッキ処理面１４ａとメッキ処理境界面（メッキ処理面の上方の面）１４ｂとのメッキ境界位置（境界位置）Ｐ２に合わせて配置し、またはメッキ境界位置Ｐ２の上方に配置する。
メッキ処理面１４ａとは、内周壁１４のうち、メッキ被膜６６（図９参照）を形成する面をいう。
また、メッキ処理境界面１４ｂとは、メッキ処理面１４ａの上方の面をいう。
In this state, the outer peripheral end
The
The plating
遮蔽板３５の外周端下部３５ａをメッキ境界位置Ｐ２に合わせて配置し、またはメッキ境界位置Ｐ２の上方に配置することで、遮蔽板３５の外周端下部３５ａと、メッキ境界位置Ｐ２との間の間隔Ｈ４を０〜１０ｍｍに設定する。
By arranging the outer peripheral end
間隔Ｈ４を０〜１０ｍｍに設定した理由は以下の通りである。
すなわち、間隔Ｈ４が０ｍｍ未満になると、遮蔽板３５の外周端下部３５ａがメッキ境界位置Ｐ２より下方に位置することになり、メッキ皮膜６６をメッキ境界位置Ｐ２まで形成することが難しい。
そこで、メッキ皮膜６６をメッキ境界位置Ｐ２まで形成するために、間隔Ｈ４を０ｍｍ以上に設定した。
The reason why the interval H4 is set to 0 to 10 mm is as follows.
That is, when the interval H4 is less than 0 mm, the outer peripheral end
Therefore, in order to form the
一方、間隔Ｈ４が１０ｍｍを超えると、遮蔽板３５の外周端下部３５ａがメッキ境界位置Ｐ２より上方に離れすぎることになり、メッキ皮膜６６がメッキ境界位置Ｐ２を超えて形成される虞がある。
そこで、メッキ皮膜６６の形成をメッキ境界位置Ｐ２に抑えるために、間隔Ｈ４を１０ｍｍ以下に設定した。
On the other hand, when the distance H4 exceeds 10 mm, the outer peripheral end
Therefore, in order to suppress the formation of the
遮蔽板３５は、絶縁材で円盤状に形成し、外径Ｄ１を内周壁の内径Ｄ２より小さく形成した部材である。これにより、遮蔽板３５の外周３５ｂと内周壁１４との間にメッキ液導入隙間Ｓ２を形成する。
具体的には、メッキ液導入隙間Ｓ２を、０．２５〜５ｍｍに設定した。
The shielding
Specifically, the plating solution introduction gap S2 was set to 0.25 to 5 mm.
メッキ液導入隙間Ｓ２を、０．２５〜５ｍｍに設定した理由は以下の通りである。
メッキ液導入隙間Ｓ２が０．２５ｍｍ未満になると、メッキ液導入隙間Ｓ２が小さすぎて、メッキ液導入隙間Ｓ２にメッキ液１７を導くことが難しい。
メッキ液導入隙間Ｓ２にメッキ液１７を導くことができないと、遮蔽板３５の外周３５ａを内周壁１４に接触させた状態と同じことになり、従来技術で説明したようにメッキ皮膜の境界部にバリが発生する虞がある。
そこで、メッキ液導入隙間Ｓ２を０．２５ｍｍ以上に設定して、メッキ皮膜６６の境界部６６ａにバリが発生することを防ぐことにした。
The reason why the plating solution introduction gap S2 is set to 0.25 to 5 mm is as follows.
When the plating solution introduction gap S2 is less than 0.25 mm, the plating solution introduction gap S2 is too small and it is difficult to guide the
If the
Therefore, the plating solution introduction gap S2 is set to 0.25 mm or more to prevent burrs from being generated at the boundary 66a of the
一方、メッキ液導入隙間Ｓ２が５ｍｍを超えると、メッキ液導入隙間Ｓ２が大きくなりすぎて、メッキ液導入隙間Ｓ２からメッキ液１７が流出する虞がある。
メッキ液導入隙間Ｓ２からメッキ液１７が流出すると、メッキ処理不要部へのメッキ液１７の付着が多くなってしまう。また、メッキ処理部上部の電流密度が小さくなってしまい。その部位におけるメッキ厚さが薄くなってしまう。
そこで、メッキ液導入隙間Ｓ２を５ｍｍ以下に抑えて、メッキ液導入隙間Ｓ２からメッキ液１７が流出することを防ぐことにした。
On the other hand, if the plating solution introduction gap S2 exceeds 5 mm, the plating solution introduction gap S2 becomes too large, and the
When the
Therefore, the plating solution introduction gap S2 is suppressed to 5 mm or less to prevent the
また、遮蔽板３５を筒形電極１６に取り付けるように構成したので、スタッドボルト５８…やボルト６２…のみで筒形電極１６に遮蔽板３５を取り付けることができる。
よって、遮蔽板３５を取り付ける部材、すなわち、スタッドボルト５８…やボルト６２…の簡素化やコンパクト化を図ることが可能になり、設備費を抑えることができる。
Further, since the shielding
Therefore, it becomes possible to simplify and downsize the member to which the
次に、メッキ装置でシリンダの内周面にメッキ皮膜を形成する方法を図５〜図１０に基づいて説明する。
図５は第１実施の形態のメッキ装置にシリンダブロックをセットする例を説明する図である。
電極ユニット１５の支持ブロック２５に、シリンダブロック１１を矢印ａの如く載置する。この際、筒状のシリンダ１３内の中空部１２に下端部（一端部）１２ｂ側から筒形電極１６を配置する（図１参照）。
Next, a method of forming a plating film on the inner peripheral surface of the cylinder with a plating apparatus will be described with reference to FIGS.
FIG. 5 is a diagram for explaining an example in which a cylinder block is set in the plating apparatus of the first embodiment.
The
ここで、シリンダブロック１１は、シリンダヘッド部１１ａが一体に形成されており、中空部１２の上端部１２ａがシリンダヘッド部１１ａで閉塞されている。
このため、支持ブロック２５にシリンダブロック１１をセットした後、中空部１２の上端部１２ａ側から遮蔽板３５を所定位置に取り付けることはできない。
Here, the
For this reason, after setting the
そこで、筒形電極１６の上端部１６ｂに遮蔽板３５を取り付けた。これにより、支持ブロック２５にシリンダブロック１１を載置した際に、中空部１２の下端部１２ｂ側から遮蔽板３５を所望位置に配置することができる。
よって、中空部１２の下端部１２ｂのみが開口したシリンダブロック１１にも、メッキ装置１０の適用が可能になり、ワークの形状によって、メッキ装置１０の適用が制約されることがなく、用途の拡大を図ることができる。
Therefore, a shielding
Therefore, it is possible to apply the
図６（ａ），（ｂ）は第１実施の形態のメッキ液供給手段でメッキ液を供給する例を説明する図である。
（ａ）において、供給ポンプ４６を駆動することにより、タンク４２内のメッキ液１７が供給流路４１内を矢印ｂの如く渦発生流路２９，２９（（ｂ）も参照）に向けて導かれる。
同時に、エア供給源５１を駆動することにより、エア供給流路５２を経て供給流路４１にエアを矢印ｃの如く供給する。これにより、供給流路４１内のメッキ液１７中にエアによる気泡６５…（図７（ａ）参照）が発生する。
気泡６５…を含んだメッキ液１７を、渦発生流路２９，２９まで矢印ｄの如く導く。
FIGS. 6A and 6B are diagrams for explaining an example in which the plating solution is supplied by the plating solution supply means of the first embodiment.
In (a), by driving the
At the same time, by driving the
The
（ｂ）において、支持ブロック２５に凹部２６が形成され、凹部２６の周壁２６ａに接する接線と平行に、一対の渦発生流路２９，２９が形成されている。
よって、渦発生流路２９，２９の供給口２９ａ，２９ａから、凹部２６の周壁２６ａに沿わせてメッキ液１７を供給することで、メッキ液１７を周壁２６ａに沿って円弧状に矢印ｅの如く流す。
In (b), a
Therefore, by supplying the
図７（ａ），（ｂ）は第１実施の形態のメッキ液流れを説明する図である。
（ａ）において、凹部２６にインナー部材２７を配置することで、凹部２６およびインナー部材２７で環状の導入流路２８が形成されている。
気泡６５…を含んだメッキ液１７を、環状の導入流路２８に沿って円弧状に流す。導入流路２８に沿って円弧状に流れたメッキ液１７は、導入流路２８の上端２８ａの多孔部材３３を経てメッキ流路３８内に流れる。
FIGS. 7A and 7B are diagrams for explaining the flow of the plating solution according to the first embodiment.
In (a), an
The
ここで、導入流路２８のメッキ液１７は矢印ｆの如く集中して流れる傾向にある。このメッキ液１７を多孔部材３３を経てメッキ流路３８内に導くことで、メッキ液１７の流れを矢印ｇのように拡散するとともに、拡散したメッキ液１７の流れを均一に整える。
Here, the
また、エア供給流路５２から供給流路４１にエアを供給した状態のままでは、メッキ液１７中の気泡６５…は比較的大きく、かつサイズも不均一である可能性が高い。
そこで、気泡６５…を含んだメッキ液１７を多孔部材３３を経てメッキ流路３８内に導くことで、メッキ液１７中の気泡６５…を比較的小さくし、かつ気泡６５…のサイズを均一に整え、さらに気泡６５…を均一に分散するようにした。
Further, if air is supplied from the
Therefore, by introducing the
（ｂ）において、均一に分散したメッキ液１７を、メッキ流路３８に沿って螺旋状に上向きに矢印ｇの如く流す。
このメッキ液１７中には、比較的小さく、かつサイズを均一に整えた気泡６５…が含まれている。
In (b), the uniformly dispersed
The
メッキ流路３８の下端部（円筒状の隙間の下端部）３８ａから上端部（円筒状の隙間の上端部）３８ｂに向けてメッキ液１７を螺旋状に流すことで、メッキ液１７の攪拌性を高める。
メッキ液１７を攪拌性を高めることで、メッキ流路３８にメッキ液１７を均一に流すことができる。
よって、シリンダ１３の内周壁１４全域にメッキ被膜６６（図９）を均一の厚さで良好に形成することができる。
By stirring the
By increasing the stirring property of the
Therefore, the plating film 66 (FIG. 9) can be satisfactorily formed with a uniform thickness over the entire inner
図８（ａ），（ｂ）は第１実施の形態のメッキ液と気泡との関係を説明する図である。
（ａ）において、メッキ液１７中の気泡６５…を、比較的小さく、かつ気泡６５…のサイズを均一にすることで、気泡６５…がメッキ液１７内で円滑に移動しやすくなる。
FIGS. 8A and 8B are views for explaining the relationship between the plating solution and the bubbles in the first embodiment.
In (a), by making the
気泡６５…がメッキ液１７内で円滑に移動することにより、メッキ液１７（特に、メッキ液１７中のセラミックス粒子）を気泡６５…で矢印ｈの如く攪拌することができる。
ここで、通電手段２２（図６（ａ）参照）で筒形電極１６およびシリンダ１３は通電状態にある。
よって、メッキ液１７中のメッキ成分を矢印ｉの如くシリンダ１３の内周壁１４全域に均一に導く。これにより、内周壁１４全域にメッキ被膜６６を均一の厚さで一層良好に形成することができる。
As the
Here, the
Therefore, the plating component in the
さらに、メッキ液１７を多孔部材３３（図７（ａ）参照）で拡散させるとともに、多孔部材３３でメッキ液１７の流れを均一に整えることで、シリンダ１３の内周壁１４全域にメッキ被膜６６をより一層均一に導くことが可能になる。
よって、シリンダ１３の内周壁１４全域にメッキ被膜６６を均一の厚さでより一層良好に形成することができる。
Further, the
Therefore, the
（ｂ）において、筒形電極１６の上端部１６ｂまで到達したメッキ液１７のうち、殆どのメッキ液１７は、遮蔽板３５で案内されて矢印ｊの如く筒形電極１６内に流れる。筒形電極１６内に流れたメッキ液１７を、筒形電極１６の貫通孔１６ａに導く。
一方、筒形電極１６の上端部１６ｂまで到達したメッキ液１７のうち、残りのメッキ液１７は、遮蔽板３５と内周壁１４との間のメッキ液導入隙間Ｓ２に矢印ｋの如く入り込む。
ここで、メッキ液導入隙間Ｓ２を５ｍｍ以下に抑えることで、メッキ液導入隙間Ｓ２からメッキ液１７が流出することを防ぐ。
In (b), most of the
On the other hand, of the
Here, by suppressing the plating solution introduction gap S2 to 5 mm or less, the
図６（ａ）に示すように、筒形電極１６内の貫通孔１６ａに流入したメッキ液１７は、矢印ｌ（アルファベット小文字のエル）の如く流れ、導出流路３１を経て戻り流路４７に進入する。戻り流路４７に矢印ｍの如く進入したメッキ液１７は、コントロールバルブ４８を経てタンク４２に戻る。
As shown in FIG. 6 (a), the
ここで、メッキ液１７が適量の流量であれば、コントロールバルブ４８で調整しなくても、図９の状態、すなわちメッキ液導入隙間Ｓ２内のメッキ液１７の液面高さｈ１を遮蔽板３５の上面３５ｄと略面一にできる。
万が一、メッキ液導入隙間Ｓ２内のメッキ液１７の液面高さｈ１が遮蔽板３５の上面３５ｄと異なる場合には、コントロールバルブ４８で調整することで、液面高さｈ１を遮蔽板３５の上面３５ｄと略面一にすることは可能である。
Here, if the
If the liquid level height h1 of the plating
図９は第１実施の形態の遮蔽板とメッキ被膜との関係を説明する図である。
遮蔽板３５の外周３５ｂと内周壁１４との間のメッキ液導入隙間Ｓ２にメッキ液１７を導いた状態において、通電手段２２（図６（ａ）参照）で筒形電極１６およびシリンダ１３を通電する。
この状態において、シリンダ１３の下端位置Ｐ１およびメッキ境界位置Ｐ２間の電流密度を一定値Ａ１を保ち、メッキ境界位置Ｐ２およびメッキ上限位置Ｐ３間の電流密度を、メッキ境界位置Ｐ２からメッキ上限位置Ｐ３に向けて漸次減少させる。
FIG. 9 is a diagram for explaining the relationship between the shielding plate and the plating film of the first embodiment.
In the state in which the
In this state, the current density between the lower end position P1 of the
なお、シリンダの下端位置Ｐ１およびメッキ境界位置Ｐ２間は、「メッキ処理面１４ａ」、メッキ境界位置Ｐ２およびメッキ上限位置Ｐ３間は、「メッキ処理境界面１４ｂ」である。
In addition, between the lower end position P1 and the plating boundary position P2 of the cylinder is a “plating
ここで、内周壁１４において、メッキ処理面１４ａに対して筒形電極１６の表面１６ｇを平行に対向させた。
これにより、メッキ処理面１４ａに対する電流密度を一定値Ａ１を保ち、メッキ処理面１４ａに形成したメッキ被膜６６のメッキ厚さｔを一定に確保することができる。
Here, on the inner
Thereby, the current density with respect to the
一方、メッキ境界位置Ｐ２に合わせて、またはメッキ境界位置Ｐ２の上方に遮蔽板３５を配置し、この遮蔽板３５を絶縁材で形成した。
よって、メッキ処理境界面１４ｂにおいて、電流密度は、メッキ境界位置Ｐ２からメッキ上限位置Ｐ３に向けて漸次減少し、メッキ上限位置Ｐ３で０になる。
これにより、メッキ処理境界面１４ｂにおいて、メッキ被膜６６のメッキ厚さｔを、メッキ境界位置Ｐ２からメッキ上限位置Ｐ３に向けて漸次薄くし、メッキ上限位置Ｐ３で０にすることができる。
On the other hand, the shielding
Therefore, at the plating
Thereby, the plating thickness t of the
このように、メッキ処理面１４ａにメッキ皮膜６６を一定のメッキ厚さｔで確実に形成し、かつメッキ処理境界面１４ｂにおいてメッキ被膜６６のメッキ厚さｔを漸次減少させることで、好適なメッキ被膜６６を形成することができる。
これにより、メッキ皮膜６６の表面を加工する際に、メッキ皮膜６６が境界部６６ａから剥離することを防ぐことができる。
As described above, the
Thereby, when processing the surface of the
加えて、遮蔽板３５を設けることで、メッキ液１７がメッキ処理面１４ａの上方に上昇することを遮蔽板３５で抑える。
よって、メッキ被膜６６が必要なメッキ処理面１４ａにのみ、メッキ皮膜６６を確実に形成することができる。
In addition, by providing the shielding
Therefore, the
図１０は第１実施の形態の遮蔽板とメッキ被膜との関係を説明するグラフである。縦軸はシリンダの内周壁の位置Ｐ（ｍｍ）を示し、横軸はメッキ厚さｔを示す。
なお、縦軸の位置Ｐにおいて、シリンダの下端位置Ｐ１およびメッキ境界位置Ｐ２間はメッキ処理面１４ａであり、メッキ境界位置Ｐ２およびメッキ上限位置Ｐ３間はメッキ処理境界面１４ｂである。
FIG. 10 is a graph for explaining the relationship between the shielding plate and the plating film of the first embodiment. The vertical axis indicates the position P (mm) of the inner peripheral wall of the cylinder, and the horizontal axis indicates the plating thickness t.
Note that, at the position P on the vertical axis, the space between the lower end position P1 of the cylinder and the plating boundary position P2 is the plating
グラフｇ１は、メッキ境界位置Ｐ２に遮蔽板３５（図９参照）を設けない状態を示す。
グラフｇ２は、間隔Ｈ４（図４参照）を１ｍｍ、メッキ液導入隙間Ｓ２（図４参照）を３ｍｍに設定した状態で、メッキ被膜を形成した例を示す。
グラフｇ３は、間隔Ｈ４を１ｍｍ、メッキ液導入隙間Ｓ２を２ｍｍに設定した状態で、メッキ被膜を形成した例を示す。
The graph g1 shows a state where the shielding plate 35 (see FIG. 9) is not provided at the plating boundary position P2.
Graph g2 shows an example in which the plating film is formed in a state where the interval H4 (see FIG. 4) is set to 1 mm and the plating solution introduction gap S2 (see FIG. 4) is set to 3 mm.
A graph g3 shows an example in which a plating film is formed in a state where the interval H4 is set to 1 mm and the plating solution introduction gap S2 is set to 2 mm.
グラフｇ４は、間隔Ｈ４を１ｍｍ、メッキ液導入隙間Ｓ２を１ｍｍに設定した状態で、メッキ被膜を形成した例を示す。
なお、間隔Ｈ４は、遮蔽板３５の外周端下部３５ａとメッキ境界位置Ｐ２との間の間隔である。また、メッキ液導入隙間Ｓ２は、遮蔽板３５の外周３５ｂと内周壁１４との間の所定の隙間である。
A graph g4 shows an example in which a plating film is formed in a state where the interval H4 is set to 1 mm and the plating solution introduction gap S2 is set to 1 mm.
The interval H4 is an interval between the outer peripheral
ここで、シリンダ１３の内周壁１４のうち、メッキ処理面１４ａにおいて、ホーニング加工後の平均メッキ厚さｔを、一例として１００μｍ（想像線で示す）に保つことが好ましい。
そこで、グラフｇ１、グラフｇ２、グラフｇ３およびグラフｇ４の上記条件でメッキ被膜６６を形成し、それぞれのメッキ厚さｔがメッキ処理面１４ａにおいて、１００μｍを確保しているか否かを判定した。
判定の結果、１００μｍを確保しているものを○、確保していないものを×とした。
Here, in the inner
Therefore, the
As a result of the determination, the case where 100 μm was secured was indicated as “◯”, and the case where 100 μm was not ensured as “×”.
グラフｇ１は、メッキ境界位置Ｐ２と、メッキ境界位置Ｐ２の下方位置Ｐ４との間で、メッキ厚さｔは、平均メッキ厚さ１００μｍを確保できなかった。
すなわち、グラフｇ１は、メッキ処理面１４ａにおいて、１００μｍを確保することができなかった。
よって、グラフｇ１の評価は×である。
In the graph g1, between the plating boundary position P2 and the lower position P4 of the plating boundary position P2, the plating thickness t cannot secure an average plating thickness of 100 μm.
That is, in the graph g1, 100 μm could not be secured on the plated
Therefore, the evaluation of the graph g1 is x.
グラフｇ２は、メッキ処理面１４ａにおいて、１００μｍを確保することができた。
よって、グラフｇ２の評価は○である。
In the graph g2, 100 μm can be secured on the plated
Therefore, the evaluation of the graph g2 is ◯.
グラフｇ３は、グラフｇ２と同様に、メッキ処理面１４ａにおいて、１００μｍを確保することができた。
よって、グラフｇ２の評価は○である。
Similarly to the graph g2, the graph g3 was able to secure 100 μm on the plated
Therefore, the evaluation of the graph g2 is ◯.
グラフｇ４は、グラフｇ２と同様に、メッキ処理面１４ａにおいて、１００μｍを確保することができた。
よって、グラフｇ２の評価は○である。
Similarly to the graph g2, the graph g4 was able to secure 100 μm on the plated
Therefore, the evaluation of the graph g2 is ◯.
また、グラフｇ２、グラフｇ３およびグラフｇ４からメッキ液導入隙間Ｓ２が小さくなるにしたがってメッキ被膜の厚さを大きく確保できることが分かる。
さらに、上記試験を、間隔Ｈ４が０〜１０ｍｍの範囲で、かつメッキ液導入隙間Ｓ２が０．２５〜５ｍｍの範囲で実施した結果、評価が良になることが確認された。
It can also be seen from the graphs g2, g3, and g4 that the plating film thickness can be increased as the plating solution introduction gap S2 decreases.
Furthermore, as a result of performing the above test in the range where the distance H4 is in the range of 0 to 10 mm and the plating solution introduction gap S2 is in the range of 0.25 to 5 mm, it was confirmed that the evaluation is good.
次に、第２実施の形態のメッキ装置を図１１に基づいて説明する。なお、第２実施の形態のメッキ装置において、第１実施の形態のメッキ装置と同一部材については同一符合を付して説明を省略する。 Next, the plating apparatus of 2nd Embodiment is demonstrated based on FIG. In the plating apparatus according to the second embodiment, the same members as those in the plating apparatus according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
図１１は本発明に係るメッキ装置の第２実施の形態を示す断面図である。
第２実施の形態のメッキ装置７０は、第１実施の形態のメッキ装置１０と比較して遮蔽板７１が異なるだけで、その他の構成は第１実施の形態のメッキ装置１０と同じである。
すなわち、メッキ装置７０は、筒形電極１６の上端部１６ｂの上方（端部上方）に絶縁性の遮蔽板（遮蔽部材）７１を取付け手段３６を介して取り付け、遮蔽板７１の外周下面７１ａを、外周７１ｂの近傍部位７１ｃから外周端下部７１ｄに向けて下り勾配の傾斜面となるように形成したものである。
よって、遮蔽板７１によれば、遮蔽板７１の下面７１ｅの下方に外周端下部７１ｄを配置することができる。
FIG. 11 is a sectional view showing a second embodiment of the plating apparatus according to the present invention.
The
That is, the
Therefore, according to the shielding
遮蔽板７１の下面７１ｅの下方に外周端下部７１ｄを配置したので、外周端下部７１ｄを、メッキ境界位置Ｐ２に対して間隔Ｈ４（０〜１０ｍｍ）を開けて配置した際に、遮蔽板７１の下面７１ｅと筒形電極１６の上縁１６ｃとの間の間隔Ｈ５を大きく確保することができる。
Since the outer peripheral end
よって、筒形電極１６の上端部１６ｂまで到達したメッキ液１７を、遮蔽板７１で案内して、間隔Ｈ５から矢印ｎの如く筒形電極１６内の貫通孔１６ａに一層円滑に導くことができる。
さらに、第２実施の形態のメッキ装置７０によれば、第１実施の形態のメッキ装置１０と同様の効果を得ることができる。
Therefore, the
Furthermore, according to the
なお、前記実施の形態では、遮蔽部材を遮蔽板３５，７１として説明したが、これに限らないで、ブロックなどのその他の形状を採用することも可能であり、あるいは複数の部材を組み合わせたものを採用することも可能である。
In the above-described embodiment, the shielding member has been described as the shielding
また、前記実施の形態では、ワークとしてシリンダブロック１１を例に説明したが、これに限らない、中空部１２を備え、少なくとも中空部１２の一端部が開口しているワークであれば適用が可能である。
Moreover, in the said embodiment, although the
さらに、前記実施の形態では、シリンダヘッド部１１ａを一体に形成したシリンダブロック１１をワークとして適用した例について説明したが、これに限らないで、シリンダブロック１１からシリンダヘッド部１１ａを分割したタイプのもの、すなわち中空部１２の両端部が開口したものに適用することも可能である。
Furthermore, in the said embodiment, although the example which applied the
加えて、前記実施の形態では、遮蔽板３５，７１を、筒形電極１６に取り付けた例について説明したが、これに限らないで、従来技術のように、筒形電極１６から遮蔽板３５，７１を切り離した構成にすることも可能である。
In addition, in the said embodiment, although the example which attached the shielding
また、前記実施の形態では、隙間Ｓ１にメッキ液１７を下側から上方に向けて流し、筒状電極１６の上端部１６ｂまで到達したメッキ液１７を遮蔽板３５で貫通孔１６ａに導く例について説明したが、メッキ液の流れはこれに限定するものではない。
例えば、貫通孔１６ａから隙間Ｓ１にメッキ液１７を流すことも可能であり、また、筒形電極１６の壁面に複数の小径貫通孔を開け、貫通孔１６ａのメッキ液を複数の小径貫通孔を通して隙間Ｓ１に流すことも可能である。
要は、隙間Ｓ１にメッキ液１７が流れるように構成されていればよい。
In the above embodiment, the
For example, the
In short, it is sufficient that the
本発明は、シリンダの内周壁にメッキ皮膜を形成するメッキ装置への適用に好適である。 The present invention is suitable for application to a plating apparatus that forms a plating film on the inner peripheral wall of a cylinder.
１０…メッキ装置、１１…シリンダブロック（ワーク）、１２…中空部、１３…シリンダ、１４…内周壁、１４ａ…メッキ処理面、１４ｂ…メッキ処理境界面（メッキ処理面の上方の面）、１６…筒型電極、１６ａ…貫通孔、１６ｂ…筒形電極の上端部（筒形電極の端部）、１７…メッキ液、３５，７１…遮蔽板（遮蔽部材）、３５ａ，７１ｄ…遮蔽部材の外周端下部、３８…メッキ流路、６５…気泡、６６…メッキ被膜、７１ａ…外周下面、Ｐ２…メッキ境界位置（境界位置）、Ｓ１…隙間（円筒状の隙間）、Ｓ２…メッキ液導入隙間。
DESCRIPTION OF
Claims (4)
前記遮蔽部材を絶縁材で形成し、
この遮蔽部材を前記中空部の内周壁に対して非接触状態とすることで、前記遮蔽部材と前記中空部の内周壁との間に前記メッキ液を導入可能なメッキ液導入隙間を形成したことを特徴とするメッキ装置。 A cylindrical electrode provided with a through hole inside is disposed with a gap in the hollow portion of the workpiece, a shielding member is provided at the upper end of the hollow portion, and a plating solution is allowed to flow through the gap, thereby In a plating device that forms a plating film on the inner peripheral wall,
Forming the shielding member with an insulating material;
By forming the shielding member in a non-contact state with respect to the inner peripheral wall of the hollow portion, a plating solution introduction gap capable of introducing the plating solution is formed between the shielding member and the inner peripheral wall of the hollow portion. Plating equipment characterized by
前記メッキ液導入隙間を、０．２５〜５ｍｍに設定したことを特徴とする請求項１記載のメッキ装置。 The lower end of the outer peripheral edge of the shielding member is matched with the vicinity of the boundary position between the plating surface that forms the plating film and the surface above the plating surface,
The plating apparatus according to claim 1, wherein the plating solution introduction gap is set to 0.25 to 5 mm.
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