JP4385482B2 - Film carrier manufacturing method - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体素子を搭載できる両面配線層を有するフィルムキャリアに関し、特に導通孔と両面配線層の導通信頼性に優れたフィルムキャリアの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
プリント配線板は、テレビ、携帯電話、ゲーム機、ラジオ、音響機器、ＶＴＲ等の民生用電子機器や、電子計算機、ＯＡ機器、電子応用機器、電気計測器、通信機等の産業用電子機器に広く使用されている。近年、パーソナルコンピュータに等に代表されるように、これら電子機器はより高性能でコンパクト化の要求が高まっている。これら要求を充たすため、プリント配線板上に直接半導体チップを搭載・実装するＴＡＢ用のフィルムキャリアが使用されている。
このような電子機器の小型化、高密度化、高性能化に対応化できるフィルムキャリアとして、配線の細線化、ビアホールの小径化、ランド、パッドの小径化、基材のフレキシブル化、多層化及びファイン化が急速に進んでいる。
【０００３】
また、使用される基材はエポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂が従来から使用されていたが、最近では、機械的強度及び耐熱性に優れたポリイミドフィルムやポリエステルフィルム等が使用され、更に高性能化の目的で高分子液晶樹脂、フッ素系樹脂、ポリフェニールキャリアの開発も進んでいる。
【０００４】
従来のフィルムキャリア構成及び製造法について説明する。図３（ａ）〜（ｆ）にフィルムキャリアの製造方法の一例を示す。
まず、絶縁性フィルム１１の両面に銅箔等を貼り合わせて導体層１２及び導体層１３を形成する（図３（ａ）参照）。
次に、絶縁性フィルム１１の両側にパンチプレス等によりスプロケットホール１４を形成する（図３（ｂ）参照）。
次に、導体層１２の所定位置に開口部１５を形成する（図３（ｃ）参照）。
次に、導体層１２をマスクにして開口部１５よりレーザービームを照射し、導通孔用穴１６を形成する（図３（ｄ）参照）。
次に、導体層１３をカソード電極にして電解銅めっきにて導通孔用穴１６内に銅めっきを施して、両面の導体層１２及び導体層１３を電気的に接続する導通孔１７を形成する（図３（ｅ）参照）。
次に、両面の導体層１２及び導体層１３のパターニング処理を行って配線層１２ａ及び配線層１３ａを形成して、フィルムキャリア２０を得る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記フィルムキャリア２０の構成では、導通孔１７と配線層１２ａ及び配線層１３ａとは異なる工程で形成されるため、導通孔１７と配線層１２ａ及び導通孔１７と配線層１３ａとの間に接続面Ａ、接続面Ｂ及び接続面Ｃが形成される（図４参照）。このような接続面が形成されると、その接続面にクラックが生じたり、電気的な抵抗が生じ接続不良が発生するという問題がある。
接続不良が発生することによる、フィルムキャリアの良品率の低下及び製造効率が低下するという問題がある。
【０００６】
本発明は上記問題点に鑑み考案されたもので、配線層と導通孔の接続信頼性に優れたフィルムキャリア及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
長尺状の絶縁性フィルムの両端の長手方向に沿ってスプロケットホール及び前記絶縁性フィルムの両面に配線層が形成されており、前記両面の配線層が導通孔を介して電気的に接続されてなるフィルムキャリアの製造方法において、以下の工程を少なくとも有することを特徴とするフィルムキャリアの製造方法としたものである。
（ａ）長尺状の絶縁性フィルム（１）の両端の長手方向に沿ってスプロケットホール（２）を形成する工程。
（ｂ）前記絶縁性フィルム（１）の所定位置に導通孔用穴（３）を形成する工程。
（ｃ）前記絶縁性フィルム（１）の前記スプロケットホール（２）部分の両面にマスキングテープをラミネートし、第１の保護層を形成する工程。
（ｄ）前記絶縁性フィルム（１）の両面及び導通孔用穴（３）にスパッタリングにて、薄膜導体層（４）を形成する工程。
（ｅ）前記スプロケットホール（２）部分の前記第１の保護層を剥離した後、前記スプロケットホール（２）部分の両面にマスキングテープをラミネートし、第２の保護層を形成する工程。
（ｆ）前記絶縁性フィルム（１）の前記薄膜導体層（４）上にめっきにて配線層を形成するためのレジストパターン（５ａ）及びレジストパターン（５ｂ）を形成し、前記スプロケットホール（２）部分の前記第２の保護層を剥離する工程。
（ｇ）前記レジストパターン（５ａ）及びレジストパターン（５ｂ）をマスクにして前記薄膜導体層（４）上に銅めっきを行い、所定膜厚の導体層（６）を形成する工程。
（ｈ）前記レジストパターン（５ａ）及びレジストパターン（５ｂ）を剥離し、前記レジストパターン（５ａ）及びレジストパターン（５ｂ）下部にあった薄膜導体層（４）をフラッシュエッチングにて除去して配線層（６ａ）、配線層（６ｂ）及び導通孔（７）を形成する工程。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施の形態につき図面を用いて説明する。
図１に本発明のフィルムキャリアの製造方法の一実施例を示す構成断面図を、図２（ａ）〜（ｇ）にフィルムキャリアの製造工程を工程順に示す模式断面図をそれぞれ示す。
先ず、絶縁性フィルム１の両端の長手方向に沿ってスプロケットホール２を形成する（図１（ａ）参照）。
【０００９】
次に、絶縁性フィルム１の所定位置に導通孔用穴３をパンチプレス、或いは、レーザー照射により形成する（図１（ｂ）参照）。パンチプレスとレーザー照射の選択は、加工する孔径により選択する。
【００１０】
次に、絶縁性フィルム１の両面及び導通孔用穴３にスパッタリングにて、薄膜導体層４を形成する（図１（ｃ）参照）。
【００１１】
次に、薄膜導体層４が形成された絶縁性フィルム１の両面に感光層５を形成する（図１（ｄ）参照）。
【００１２】
次に、所定のパターンが形成されたマスクを用いて感光層５を露光、現像処理等の一連のパターニング処理を行って、薄膜導体層４が形成された絶縁性フィルム１の両面にレジストパターン５ａ及びレジストパターン５ｂを形成する（図１（ｅ）参照）。
【００１３】
次に、レジストパターン５ａ及びレジストパターン５ｂをマスクにして薄膜導体層４上に電解金属めっきにて導体層６を形成する（図１（ｆ）参照）。
【００１４】
次に、レジストパターン５ａ及びレジストパターン５ｂを剥離処理し、レジストパターン５ａ及びレジストパターン５ｂ下部にあった薄膜導体層４をフラッシュエッチングにて除去し、絶縁性フィルム１の両面に導通孔７で電気的に接続された配線層６ａ及び配線層６ｂを形成する（図１（ｇ）参照）。
【００１５】
更に、ソルダーレジストを印刷し、絶縁層を形成し、端子電極部にニッケル及び金めっき、或いは錫めっき等を施してフィルムキャリア１０を得る。
【００１６】
このように、スパッタリングにて形成された薄膜導体層上に導通孔及び配線層を一括して形成することにより、導通孔と配線層が同一材料、同一工程で形成され、導通孔と配線層の間の接続面もなく、絶縁性フィルムに対し接着性の優れた導通孔と配線層を得ることができる。その結果、導通孔と配線層の導通信頼性に優れたフィルムキャリアを歩留まり良く安価に作製できる。
【００１７】
【実施例】
以下、本発明を実施例にて詳細に説明する。
４８ｍｍ幅、５０μｍ厚のポリイミドフィルムからなる絶縁性フィルム１の両端に、パンチプレスにてスプロケットホール２を形成した。
【００１８】
次に、絶縁性フィルム１の所定位置にＣＯ2レーザーを照射した後過マンガン酸カリウム溶液を用いて、レーザー加工時に付着したスミヤを除去して、１４０μｍφの導通孔用穴３を形成した。
【００１９】
次に、絶縁性フィルム１のスプロケットホール２の保護用にスプロケットホール部分の両面にマスキングテープをラミネートし、保護層を形成した。
【００２０】
次に、絶縁性フィルム１の両面からパラジウムのスパッタリングを行って、絶縁性フィルム１の両面及び導通孔用穴３に薄膜導体層４を形成した。
【００２１】
次に、スプロケットホール部分の保護層を剥離して、再度、マスキングテープをスプロケットホール部分にラミネートし、保護層を形成した。
【００２２】
次に、薄膜導体層が形成された絶縁性フィルム１の両面にスクリーン印刷にて感光層５を形成した。
【００２３】
次に、絶縁性フィルム１の両面の感光層５に５０μｍピッチ配線パターン及びグラウンド用パッドが形成されたマスクを介して露光し、現像処理等のパターニング処理を行って、絶縁性フィルム１の両面にレジストパターン５ａ及びレジストパターン５ｂを形成し、スプロケットホール部分の保護層を剥離した。
【００２４】
次に、レジストパターン５ａ及びレジストパターン５ｂをマスクにして電解銅めっきを行い、薄膜導体層４上に２０μｍ厚の銅からなる導体層６を形成した。
【００２５】
次に、レジストパターン５ａ及びレジストパターン５ｂをアルカリ剥離液を用いて剥離し、レジストパターン５ａ及びレジストパターン５ｂ下部にあった薄膜導体層４をフラッシュエッチングにて除去し、導通孔７で電気的に接続された配線層６ａ及び配線層６ｂを形成した。
【００２６】
配線層の膜厚は１６〜１９μｍであり、また、導通孔の銅めっき厚は１０〜１６μｍであった。
【００２７】
次に、配線層上にソルダーレジストをスクリーン印刷して２０μｍ厚の絶縁層を形成し、導体表面にニッケル／金（０．５／０．５μｍ厚）の無電解めっきを施し、本発明のフィルムキャリア１０を作製した。
【００２８】
【発明の効果】
本発明のフィルムキャリアはスパッタリングによって形成された薄膜導体層を介して配線層及び導通孔が形成されているため、絶縁性フィルム両面の配線層間の電気的接続信頼性の高いフィルムキャリアを得ることができる。
さらに、本発明の製造法でフィルムキャリアを作製した場合、製造工程が削減され、高い良品率、製造効率でフィルムキャリアを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のフィルムキャリアの製造方法の一実施例を示す模式構成断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｇ）は、本発明のフィルムキャリアの製造方法を工程順に示すフィルムキャリアの構成断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｆ）は、従来のフィルムキャリアの製造方法を工程順に示すフィルムキャリアの構成断面図である。
【図４】 従来のフィルムキャリアの配線層と導通孔の接続面の状態を模式的に示す説明図である。
【符号の説明】
１、１１……絶縁性フィルム
２……スプロケットホール
３……導通孔用穴
４……薄膜導体層
５……感光層
５ａ、５ｂ……レジストパターン
６……導体層
６ａ、６ｂ……配線層
７……導通孔
１０……フィルムキャリア
１２、１３……導体層
１２ａ、１３ａ……配線層
１４……スプロケットホール
１５……開口部
１６……導通孔用穴
１７……導通孔
２０……フィルムキャリア
Ａ、Ｂ、Ｃ……配線層と導通孔の接続面[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a film carrier having a double-sided wiring layer on which a semiconductor element can be mounted, and more particularly to a method for manufacturing a film carrier having excellent conduction reliability between a conduction hole and a double-sided wiring layer.
[0002]
[Prior art]
Printed wiring boards are used in consumer electronic devices such as TVs, mobile phones, game machines, radios, audio equipment, VTRs, and industrial electronic devices such as electronic computers, OA devices, electronic application devices, electrical measuring instruments, and communication devices. Widely used. In recent years, as typified by personal computers and the like, these electronic devices have been demanded for higher performance and compactness. In order to satisfy these requirements, a TAB film carrier is used in which a semiconductor chip is mounted and mounted directly on a printed wiring board.
As a film carrier that can cope with the downsizing, high density, and high performance of such electronic devices, thinning of wiring, diameter of via holes, diameter of lands and pads, flexibility of base materials, multilayering and Refinement is progressing rapidly.
[0003]
In addition, epoxy resin, phenol resin, and acrylic resin have been conventionally used as the base material, but recently, polyimide film and polyester film with excellent mechanical strength and heat resistance have been used, and higher performance. Development of polymer liquid crystal resins, fluororesins, and polyphenyl carriers is also underway for the purpose of commercialization.
[0004]
A conventional film carrier configuration and manufacturing method will be described. An example of the manufacturing method of a film carrier is shown to Fig.3 (a)-(f).
First, a copper foil or the like is bonded to both surfaces of the insulating film 11 to form the conductor layer 12 and the conductor layer 13 (see FIG. 3A).
Next, sprocket holes 14 are formed on both sides of the insulating film 11 by a punch press or the like (see FIG. 3B).
Next, an opening 15 is formed at a predetermined position of the conductor layer 12 (see FIG. 3C).
Next, using the conductor layer 12 as a mask, a laser beam is irradiated from the opening 15 to form a conduction hole 16 (see FIG. 3D).
Next, the conductive layer 13 is used as a cathode electrode, and copper plating is performed in the conductive hole 16 by electrolytic copper plating to form a conductive hole 17 that electrically connects the conductive layer 12 on both sides and the conductive layer 13. (See FIG. 3 (e)).
Next, patterning processing of the conductor layer 12 and the conductor layer 13 on both sides is performed to form the wiring layer 12a and the wiring layer 13a, and the film carrier 20 is obtained.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the structure of the film carrier 20, the conduction hole 17 and the wiring layer 12a and the wiring layer 13a are formed in different steps, so that the conduction hole 17 and the wiring layer 12a and the conduction hole 17 and the wiring layer 13a are interposed between them. A connection surface A, a connection surface B, and a connection surface C are formed (see FIG. 4). When such a connection surface is formed, there is a problem that a crack occurs in the connection surface or an electrical resistance is generated, resulting in a connection failure.
There is a problem that the defective rate of the film carrier and the manufacturing efficiency are lowered due to the occurrence of poor connection.
[0006]
The present invention has been devised in view of the above problems, and an object thereof is to provide a film carrier excellent in connection reliability between a wiring layer and a conduction hole and a method for manufacturing the same.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
A wiring layer is formed on both surfaces of the sprocket hole and the insulating film along the longitudinal direction of both ends of the long insulating film, and the wiring layers on both surfaces are electrically connected through a conduction hole. In the film carrier manufacturing method, the film carrier manufacturing method is characterized by having at least the following steps.
(A) A step of forming sprocket holes (2) along the longitudinal direction of both ends of the long insulating film (1).
(B) The process of forming the hole for conduction holes (3) in the predetermined position of the said insulating film (1).
(C) A step of laminating a masking tape on both surfaces of the sprocket hole (2) portion of the insulating film (1) to form a first protective layer.
(D) A step of forming a thin film conductor layer (4) by sputtering on both surfaces of the insulating film (1) and the hole for conduction hole (3).
(E) A step of forming a second protective layer by laminating a masking tape on both surfaces of the sprocket hole (2) after peeling off the first protective layer of the sprocket hole (2) .
(F) A resist pattern (5a) and a resist pattern (5b) for forming a wiring layer by plating are formed on the thin film conductor layer (4) of the insulating film (1), and the sprocket hole (2 ) A step of peeling off the second protective layer of the portion .
(G) A step of performing copper plating on the thin film conductor layer (4) using the resist pattern (5a) and the resist pattern (5b) as a mask to form a conductor layer (6) having a predetermined thickness.
(H) The resist pattern (5a) and the resist pattern (5b) are peeled off, and the thin film conductor layer (4) under the resist pattern (5a) and the resist pattern (5b) is removed by flash etching. Forming a layer (6a), a wiring layer (6b), and a conduction hole (7);
[0008]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 1 is a structural cross-sectional view showing an embodiment of the film carrier manufacturing method of the present invention, and FIGS. 2A to 2G are schematic cross-sectional views showing the manufacturing steps of the film carrier in the order of steps.
First, sprocket holes 2 are formed along the longitudinal direction of both ends of the insulating film 1 (see FIG. 1A).
[0009]
Next, the hole 3 for conduction holes is formed in the predetermined position of the insulating film 1 by punch press or laser irradiation (refer FIG.1 (b)). The punch press and laser irradiation are selected depending on the hole diameter to be processed.
[0010]
Next, the thin film conductor layer 4 is formed by sputtering on both surfaces of the insulating film 1 and the hole 3 for the conduction hole (see FIG. 1C).
[0011]
Next, the photosensitive layer 5 is formed on both surfaces of the insulating film 1 on which the thin film conductor layer 4 is formed (see FIG. 1D).
[0012]
Next, a series of patterning processes such as exposure and development processes are performed on the photosensitive layer 5 using a mask on which a predetermined pattern is formed, and a resist pattern 5a is formed on both surfaces of the insulating film 1 on which the thin film conductor layer 4 is formed. Then, a resist pattern 5b is formed (see FIG. 1E).
[0013]
Next, the conductor layer 6 is formed on the thin film conductor layer 4 by electrolytic metal plating using the resist pattern 5a and the resist pattern 5b as a mask (see FIG. 1 (f)).
[0014]
Next, the resist pattern 5a and the resist pattern 5b are peeled off, and the thin film conductor layer 4 below the resist pattern 5a and the resist pattern 5b is removed by flash etching. The interconnect layer 6a and the interconnect layer 6b that are connected to each other are formed (see FIG. 1G).
[0015]
Furthermore, a solder resist is printed, an insulating layer is formed, and nickel and gold plating or tin plating is applied to the terminal electrode portion to obtain the film carrier 10.
[0016]
In this way, by forming the conduction hole and the wiring layer together on the thin film conductor layer formed by sputtering, the conduction hole and the wiring layer are formed in the same material and in the same process. There is no connection surface between them, and it is possible to obtain a conductive hole and a wiring layer having excellent adhesion to the insulating film. As a result, a film carrier having excellent conduction reliability between the conduction hole and the wiring layer can be manufactured with a high yield and low cost.
[0017]
【Example】
Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to examples.
Sprocket holes 2 were formed on both ends of an insulating film 1 made of a polyimide film having a width of 48 mm and a thickness of 50 μm by a punch press.
[0018]
Next, after irradiating a predetermined position of the insulating film 1 with a CO2 laser, the smear adhered at the time of laser processing was removed using a potassium permanganate solution to form a hole 3 for a conductive hole of 140 μmφ.
[0019]
Next, a masking tape was laminated on both sides of the sprocket hole portion to protect the sprocket hole 2 of the insulating film 1 to form a protective layer.
[0020]
Next, palladium was sputtered from both surfaces of the insulating film 1 to form the thin film conductor layer 4 on both surfaces of the insulating film 1 and the hole 3 for the conduction hole.
[0021]
Next, the protective layer of the sprocket hole part was peeled off, and the masking tape was laminated again on the sprocket hole part to form a protective layer.
[0022]
Next, the photosensitive layer 5 was formed by screen printing on both surfaces of the insulating film 1 on which the thin film conductor layer was formed.
[0023]
Next, the photosensitive layers 5 on both sides of the insulating film 1 are exposed through a mask on which a 50 μm pitch wiring pattern and a ground pad are formed, and a patterning process such as a development process is performed to form both sides of the insulating film 1. Resist pattern 5a and resist pattern 5b were formed, and the protective layer of the sprocket hole portion was peeled off.
[0024]
Next, electrolytic copper plating was performed using the resist pattern 5a and the resist pattern 5b as a mask to form a conductor layer 6 made of copper having a thickness of 20 μm on the thin-film conductor layer 4.
[0025]
Next, the resist pattern 5a and the resist pattern 5b are stripped using an alkaline stripping solution, and the thin film conductor layer 4 below the resist pattern 5a and the resist pattern 5b is removed by flash etching. Connected wiring layers 6a and 6b were formed.
[0026]
The film thickness of the wiring layer was 16 to 19 μm, and the copper plating thickness of the conduction hole was 10 to 16 μm.
[0027]
Next, a solder resist is screen-printed on the wiring layer to form an insulating layer having a thickness of 20 μm, and electroless plating of nickel / gold (0.5 / 0.5 μm thickness) is applied to the conductor surface, whereby the film of the present invention Carrier 10 was produced.
[0028]
【The invention's effect】
Since the film carrier of the present invention has the wiring layer and the conductive hole formed through the thin film conductor layer formed by sputtering, it is possible to obtain a film carrier with high electrical connection reliability between the wiring layers on both sides of the insulating film. it can.
Furthermore, when a film carrier is produced by the production method of the present invention, the production process is reduced, and the film carrier can be produced with a high yield rate and production efficiency.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of a method for producing a film carrier of the present invention.
FIGS. 2A to 2G are cross-sectional views of a film carrier showing a film carrier manufacturing method of the present invention in the order of steps.
FIGS. 3A to 3F are sectional views of a film carrier showing a conventional film carrier manufacturing method in the order of steps.
FIG. 4 is an explanatory view schematically showing a state of a connection surface between a wiring layer and a conduction hole of a conventional film carrier.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 11 ... Insulating film 2 ... Sprocket hole 3 ... Conduction hole hole 4 ... Thin film conductor layer 5 ... Photosensitive layer 5a, 5b ... Resist pattern 6 ... Conductor layer 6a, 6b ... Wiring layer 7 .. Conduction hole 10... Film carrier 12, 13... Conductor layer 12 a, 13 a .. Wiring layer 14... Sprocket hole 15. Carriers A, B, C ... Connection surface of wiring layer and conduction hole

Claims (1)

長尺状の絶縁性フィルムの両端の長手方向に沿ってスプロケットホール及び前記絶縁性フィルムの両面に配線層が形成されており、前記両面の配線層が導通孔を介して電気的に接続されてなるフィルムキャリアの製造方法において、以下の工程を少なくとも有することを特徴とするフィルムキャリアの製造方法。
（ａ）長尺状の絶縁性フィルム（１）の両端の長手方向に沿ってスプロケットホール（２）を形成する工程。
（ｂ）前記絶縁性フィルム（１）の所定位置に導通孔用穴（３）を形成する工程。
（ｃ）前記絶縁性フィルム（１）の前記スプロケットホール（２）部分の両面にマスキングテープをラミネートし、第１の保護層を形成する工程。
（ｄ）前記絶縁性フィルム（１）の両面及び導通孔用穴（３）にスパッタリングにて、薄膜導体層（４）を形成する工程。
（ｅ）前記スプロケットホール（２）部分の前記第１の保護層を剥離した後、前記スプロケットホール（２）部分の両面にマスキングテープをラミネートし、第２の保護層を形成する工程。
（ｆ）前記絶縁性フィルム（１）の前記薄膜導体層（４）上にめっきにて配線層を形成するためのレジストパターン（５ａ）及びレジストパターン（５ｂ）を形成し、前記スプロケットホール（２）部分の前記第２の保護層を剥離する工程。
（ｇ）前記レジストパターン（５ａ）及びレジストパターン（５ｂ）をマスクにして前記薄膜導体層（４）上に銅めっきを行い、所定膜厚の導体層（６）を形成する工程。
（ｈ）前記レジストパターン（５ａ）及びレジストパターン（５ｂ）を剥離し、前記レジストパターン（５ａ）及びレジストパターン（５ｂ）下部にあった薄膜導体層（４）をフラッシュエッチングにて除去して配線層（６ａ）、配線層（６ｂ）及び導通孔（７）を形成する工程。A wiring layer is formed on both surfaces of the sprocket hole and the insulating film along the longitudinal direction of both ends of the long insulating film, and the wiring layers on both surfaces are electrically connected through a conduction hole. A method for producing a film carrier, comprising: at least the following steps.
(A) A step of forming sprocket holes (2) along the longitudinal direction of both ends of the long insulating film (1).
(B) The process of forming the hole for conduction holes (3) in the predetermined position of the said insulating film (1).
(C) A step of laminating a masking tape on both surfaces of the sprocket hole (2) portion of the insulating film (1) to form a first protective layer.
(D) A step of forming a thin film conductor layer (4) by sputtering on both surfaces of the insulating film (1) and the hole for conduction hole (3).
(E) A step of forming a second protective layer by laminating a masking tape on both surfaces of the sprocket hole (2) after peeling off the first protective layer of the sprocket hole (2) .
(F) A resist pattern (5a) and a resist pattern (5b) for forming a wiring layer by plating are formed on the thin film conductor layer (4) of the insulating film (1), and the sprocket hole (2 ) A step of peeling off the second protective layer of the portion .
(G) A step of performing copper plating on the thin film conductor layer (4) using the resist pattern (5a) and the resist pattern (5b) as a mask to form a conductor layer (6) having a predetermined thickness.
(H) The resist pattern (5a) and the resist pattern (5b) are peeled off, and the thin film conductor layer (4) under the resist pattern (5a) and the resist pattern (5b) is removed by flash etching. Forming a layer (6a), a wiring layer (6b), and a conduction hole (7);

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