JP4383336B2 - 磁気テープ - Google Patents
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Description
本発明は、高記録密度特性に優れた磁気テープ、特にリニアレコーディングタイプの磁気テープカートリッジに用いる磁気テープに関する。
磁気テープカートリッジは、オーディオテープカートリッジ、ビデオテープカートリッジ、コンピュータテープカートリッジ等、種々の用途があるが、特にデータバックアップ用テープカートリッジの分野では、バックアップの対象となるハードディスクの大容量化に伴い、１巻当たり数１００ＧＢの記録容量のものが商品化されている。また、１ＴＢを超える大容量バックアップテープカートリッジも提案されている。
磁気テープカートリッジには、ビデオテープカートリッジやＤＤＳコンピュータカートリッジに用いられているようなヘリキャルスキャンレコーディングタイプのカートリッジと、ＬＴＯコンピュータカートリッジに用いられるようなリニアレコーディングタイプのカートリッジに大別される。
ＤＤＳコンピュータカートリッジのようなヘリキャルスキャンレコーディングタイプのカートリッジは、磁気テープを走行させながら磁気ヘッドを回転させることで、磁気テープの長手方向と一定角度の方向に磁気記録するタイプで、トラック幅が狭くできるので磁気テープ単位面積当りの記録密度を高くできる反面、記録・再生には１対の磁気ヘッド（記録と再生に同一の磁気ヘッドを用いる場合は１個の磁気ヘッド）を使用するので、一般的に転送速度が遅い。このタイプでは２個のリールを内蔵したカートリッジが使用される。
なお、ヘリキャルスキャンレコーディングタイプのカートリッジを記録・再生する装置で多数対の磁気ヘッドを搭載しているタイプのものもあるが、このタイプでは多数対の磁気ヘッドは時間差を設けて記録・再生されるので、同時に使用される磁気ヘッドは１対のみである。
なお、ヘリキャルスキャンレコーディングタイプのカートリッジを記録・再生する装置で多数対の磁気ヘッドを搭載しているタイプのものもあるが、このタイプでは多数対の磁気ヘッドは時間差を設けて記録・再生されるので、同時に使用される磁気ヘッドは１対のみである。
一方、ＬＴＯコンピュータカートリッジのようなリニアレコーディングタイプのカートリッジは、磁気テープの長手方向に沿って磁気記録するタイプで、図１に示すように、磁気テープの長手方向にのびるサーボバンド２００と、データ記録用のデータバンド３００が設けられている。このうちサーボバンド２００は、各々サーボトラック番号を磁気的に記録した複数のサーボ信号記録部２０１からなる。磁気テープのサーボと記録・再生を行う磁気ヘッドアレイ（図示せず）は、一対（順方向用と逆方向用）のサーボトラック用の磁気抵抗効果型（ＭＲ）ヘッドと、例えば８ｘ２対の磁気ヘッド（一般に磁気誘導型の記録ヘッド１６個と再生用ＭＲヘッド１６個）で構成され、サーボトラック用のＭＲヘッドからの信号に基づいて磁気ヘッドアレイ全体が連動して動くことで、記録・再生用ヘッドがテープ幅方向に移動してデータトラックに到達する。このタイプでは数トラック（８ｘ２対の磁気ヘッドを使用した場合は８トラック）を同時に記録・再生できるので、一般的に転送速度が極めて速い。このタイプではカートリッジ１巻あたりの記憶容量を高くするため、図２、３に示すような、１個のリールを内蔵したカートリッジが使用される。
なお、このタイプでは、上述の磁気テープの磁気記録層にサーボトラック用の磁気信号を記録する方式の他、磁気テープのバック層にサーボトラック用の磁気信号を記録する方式、バック層にサーボトラック用の光学信号を設ける方式もある。
なお、このタイプでは、上述の磁気テープの磁気記録層にサーボトラック用の磁気信号を記録する方式の他、磁気テープのバック層にサーボトラック用の磁気信号を記録する方式、バック層にサーボトラック用の光学信号を設ける方式もある。
データバックアップ用テープカートリッジの分野では、バックアップの対象となるハードディスクの大容量化にともない、転送速度が速く、かつカートリッジ１巻あたりの記憶容量も高い、単一リールのリニアレコーディングタイプのカートリッジが主流になりつつある。
このような高記録密度の磁気テープカートリッジに装着する磁気テープには、塗布型および薄膜型の磁気テープが使用される。塗布型の磁気テープは、微粒子化した磁性粉末を塗膜中に高密度充填した磁性層を最上層に形成したもので、最上層磁性層の平滑化や、高保磁力化、薄層化により高記録密度を実現している。また、薄膜型磁気テープは、斜め蒸着法やスパッタ法によって、金属薄膜を最上層磁性層として設けたもので、塗布型と同様に、最上層磁性層の磁性粒子の微細化や、最上層磁性層の平滑化、高保磁力化、薄層化により高記録密度を実現している。
塗布型の磁気テープでは、高記録密度に対応した短波長領域での良好な電磁変換特性を確保するには、用いる磁性粉末が特に重要である。磁性粉末の改良に関しては、主として、短波長記録に対応するために、年々、微粒子化とともに、高保磁力化、高飽和磁化で代表される磁気特性の改善が図られている。
塗布型の高記録密度の磁気テープでは、オーディオ用や家庭用ビデオテープに使用されていた強磁性酸化鉄、Ｃｏ変性強磁性酸化鉄、酸化クロム等に代えて、現在では、長軸方向の粒子サイズが１００ｎｍ程度の針状の金属磁性粉末が主として使用されている。
塗布型の高記録密度の磁気テープでは、オーディオ用や家庭用ビデオテープに使用されていた強磁性酸化鉄、Ｃｏ変性強磁性酸化鉄、酸化クロム等に代えて、現在では、長軸方向の粒子サイズが１００ｎｍ程度の針状の金属磁性粉末が主として使用されている。
また、希土類元素と、鉄または鉄を主体とする遷移金属元素と、窒素とからなる平均粒子径が５〜５０ｎｍの略粒状である窒化鉄系磁性粉末が提案されており、その保磁力は２１０ｋＡ／ｍ以上のものも開示されている（特許文献１、２参照）。具体的には、特許文献１、２には、最上層磁性層に含まれる磁性粉末が、希土類元素と、鉄または鉄を主体とする遷移金属元素とからなる（特にコアー部分がＦｅ16Ｎ2からなる）、平均粒子径が５〜５０ｎｍで平均軸比が１以上２以下である略粒状の希土類−鉄系磁性粉末である磁気記録媒体が開示されている。
さらに詳しくは、特許文献１では、サーボ信号を記録した磁気テープを１リールタイプのカートリッジに収容し、サーボ信号によりデータトラックをトレースすることにより、高いトラック密度を実現した、リニアレコーディングタイプの磁気テープカートリッジに使用する磁気テープが開示されている。また、再生ヘッドに磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＭＲヘッド）を搭載することにより、０．０９μｍ以下の上層磁性層厚さでも、高再生出力（高Ｃ）、高再生出力ノイズ比（高Ｃ／Ｎ）を実現している。特許文献２には、上記の特許文献１の磁気記録媒体にサーボ信号記録用の下層磁性層を形成し、サーボ信号出力を高くして、サーボトラッキング特性を向上させた、リニアレコーディングタイプの磁気テープカートリッジ用の磁気テープが開示されている。
また、電磁変換特性の改善のため、磁性層中の磁性粉末の配向構造を規定した磁気記録媒体の提案もなされている（特許文献３〜５参照）。例えば、特許文献３、４には、短波長信号から長波長信号の幅広い記録波長領域において高い電磁変換特性を発揮する磁気記録媒体を得る目的で、磁性粉末として板状の強磁性六方晶系フェライトを主体としたものを使用し、磁性層の厚さを１μｍ以下とした磁気記録媒体において、長手方向の抗磁力をＨｃ1、垂直方向の抗磁力をＨｃ2、幅方向の抗磁力をＨｃ3としたとき、Ｈｃ1＞Ｈｃ2＞Ｈｃ3の関係、またはＨｃ2＞Ｈｃ1＞Ｈｃ3の関係を有するようにした磁気記録媒体が開示されている。
特許文献５には、高出力化等のすぐれた短波長特性を発揮する磁気記録媒体を得る目的で、平均粒子径が５〜１００ｎｍの粒状の希土類−遷移金属系磁性粉末を使用し、磁性層の厚さを３００ｎｍ以下とした磁気記録媒体において、長手方向の保磁力／幅方向の保磁力との比が１．２０以上、かつ長手方向における角形比／幅方向における角形比との比が１．９以上の磁気記録媒体が開示されている。
特許文献６には、数平均粒子径が５〜５０ｎｍの板状、粒状ないし楕円状の磁性粉を使用し、磁性層厚さを０．０９μｍ以下に設定すると共に、下塗層、バックコート層に、数平均粒子径が１０〜１００ｎｍの板状粒子を含有させることで、高記録密度特性に優れた磁気記録媒体が開示されている。また、スリッティング条件を改良することで、エッジウィーブ量を０．８μｍ未満に低減させた、オフトラック量の小さい磁気記録媒体が開示されているが、磁性粉末の配向構造には言及されていない。
特許文献７〜９には、薄膜型磁気記録媒体として、純ＣｏやＣｏＮｉ、ＣｏＣｒ、ＣｏＰ、ＣｏＰ、ＣｏＰｔ、ＣｏＴａ、ＣｏＮｉＣｒ、ＣｏＣｒＴａ、ＦｅＮｉ、ＦｅＣｏＣｏＮｉＯ、ＣｏＯ、ＣｏＳｍ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＴａ、ＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＮｉＰｔ、ＣｏＮｉＣｒＰｔＢ、Ｃｏ合金にＳｉＯ２等の化合物を加えた金属または合金磁性層を有する磁気記録媒体が開示されている。特許文献８は、リニアレコーディングタイプの磁気テープカートリッジに適用する薄膜型磁気テープに関するものである。
特許文献９には、磁化容易軸を配向させる方法として、基板表面、又は基板に非磁性被覆層が形成された表面に同心状テキスチャリングを施す方法が開示されている。同心状テキスチャリングの形成方法として、遊離砥粒とテキスチャーテープを使用した機械式テキスチャリングや、レーザー光線などを利用したテキスチャリング加工、又はこれらの併用で、円周方向に研磨することによって基板円周方向に微小溝を多数形成する方法が記載されている。機械的テキスチャリングを施すための遊離砥粒としては、ダイアモンド砥粒、表面がグラファイト化処理されているダイアモンド砥粒、アルミナ砥粒が用いられている。
特許文献１〜９に開示される磁気記録媒体は、各文献に記載される前記独自の構成とすることでそれに応じた特有の効果が奏されるが、本発明者らの検討では、リニアレコーディングタイプの磁気テープカートリッジ用の磁気テープとしては、いずれの磁気記録媒体も高記録密度特性の改善の面でなお十分でないことがわかった。この原因は、磁気テープの長手方向に磁気記録するリニアレコーディングタイプの磁気テープに求められる特性と、磁気テープの長手方向に対して一定の角度で磁気記録されるヘリキャルスキャンタイプの磁気テープに求められる特性とは、基本的に異なるためである。すなわち、リニアレコーディングタイプの磁気テープカートリッジ用の磁気テープは、磁気テープの長手方向の保磁力が高く、かつ最上層磁性層の長手方向の磁気異方性（最上層磁性層の長手方向の保磁力と幅方向の保磁力との差）を大きくする必要がある。
例えば、特許文献１〜３、９に開示されている磁気テープは、最上層磁性層の長手方向の保磁力は高いが、長手方向と幅方向との磁気異方性について配慮されていない。また、特許文献４〜６に開示されている磁気テープでは、最上層磁性層の長手方向と幅方向との磁気異方性について配慮されているが、磁気異方性は不充分であった。また、特許文献４〜６にはリニアレコーディングタイプの磁気テープカートリッジに対応する磁気テープが開示されていない。
特許文献７には、ＣｏＯ薄膜の磁気テープを用いたリニアレコーディングタイプの磁気テープカートリッジに対応する磁気テープの開示はあるが、実施例に開示されている磁気テープ長手方向の保磁力が１８００Ｏｅ（１４３．２ｋＡ／ｍ）および１５００Ｏｅ（１１９．４ｋＡ／ｍ）と低い。
また、リニアトラッキングタイプでは、磁気テープが高速（３ｍ／秒以上）で順走行記録再生・停止・逆走行記録再生を繰り返しながら、サーボ信号によって磁気ヘッドアレイが磁気テープ幅方向に移動して、複数のデータトラックに記録・再生を同時に行うので、リニアレコーディングタイプの磁気テープカートリッジ用の磁気テープにおいては、同時に１本のデータトラックのみを記録・再生するヘリキャルスキャンタイプの磁気テープにはない問題点があることがわかった。
すなわち、リニアトラッキングタイプでは、磁気テープの長手方向に沿って記録されたサーボトラック信号に基づいて磁気ヘッドアレイが磁気テープ幅方向に移動してデータトラックに記録再生を行う。その際、図４に示すように、磁気テープ３は、長手方向に沿った両端部（テープエッジ）のうちの一方のテープエッジ３ａが、磁気記録再生装置（テープ駆動装置）に備えられたガイドローラのフランジ７１内面によってテープ幅方向位置を規制された状態で走行する。磁気テープ３のテープエッジ３ａには、通常、エッジウィーブと呼ばれる波打ち状の凹凸（テープ幅方向の端面がテープ長手方向に沿って波打つことによってできた凹凸）が存在する。そのため、磁気テープ３は上記の走行基準となるフランジ７１内面に沿って走行していてもその幅方向の位置が微妙に変動する。通常、磁気テープの位置がその幅方向に微妙に変動しても、サーボ信号によって磁気ヘッドアレイ全体がテープ幅方向に移動して、記録・再生用ヘッドは絶えず正しいデータトラックに到達するようになっている。しかし、周期の短いエッジウィーブがあると、磁気ヘッドアレイがエッジウィーブに追随できずオフトラックの原因になる。記録トラック幅と再生トラック幅の差が小さい程オフトラックが起こりやすく、再生出力の低下やエラーレート上昇の原因になる。
エッジウィーブの波長をｆ（ｍｍ）、磁気テープの走行速度をＶ（ｍｍ／秒）とすると、磁気テープは、（Ｖ／ｆ）の周波数で幅方向に振動する。このような幅方向の振動に対して、磁気ヘッドアレイの追従度合いには、周波数依存性があり、例えば、振動数が４５Ｈｚ（４５／秒）以下であれば磁気ヘッドアレイは磁気テープの振動に殆ど追随でき、一例のドライブでは、オフトラック量はエッジウィーブ量の２０％以下である。一方、振動数が２００Ｈｚ以上であれば磁気ヘッドアレイは磁気テープの振動に全く追随できないので、エッジウィーブ量が１００％オフトラック量になる。即ち、振動数が４５Ｈｚ（４５／秒）以下であれば磁気ヘッドアレイは磁気テープの振動にほぼ追随できるので、エッジウィーブがあっても、記録・再生用ヘッドアレイは絶えず正しいデータトラックに到達でき、オフトラックによる再生出力低下は殆ど起こらない。また、Ｖは通常４．５ｍ／秒［＝４５００ｍｍ／秒］程度なので、オフトラックに影響するエッジウィーブの波長は１００（ｍｍ）以下である。従って、波長が１００（ｍｍ）以下のエッジウィーブを一定以下に制御すればよい。また、波長が１００（ｍｍ）以下のエッジウィーブ量は、記録トラック幅をＷ（μｍ）、再生トラック幅Ｒ（μｍ）とすると、エッジウィーブ量を、（Ｗ−Ｒ）の１／４以下である必要がある。１ＴＢ以上の磁気テープカートリッジを実現するためには、（Ｗ−Ｒ）は４μｍ以下になると予想されるので、エッジウィーブ量は１．０μｍ以下にする必要がある。
本発明は、このような従来技術の問題点を克服し、高出力でかつ良好な再生出力ノイズ比（Ｃ／Ｎ）を示す、リニアレコーディングタイプの磁気テープカートリッジに適した磁気テープを提供すること、特に１ＴＢ以上の高容量に対応しうる、短波長域の電磁変換特性［特に、高再生出力ノイズ比（Ｃ／Ｎ）］、トラックキング特性に優れた、リニアレコーディングタイプの磁気テープカートリッジ用の磁気テープを提供することを課題としている。
本発明者らは、上記の課題の解決方法を詳細に検討した結果、リニアレコーディングタイプの磁気テープカートリッジ用の磁気テープにおいて、磁気テープのエッジウィーブ量を小さくすると共に、最上層磁性層の長手方向の磁気異方性を大きくしたときに、高密度記録特性、オフトラック特性が格段に優れた、磁気テープカートリッジ用の磁気テープが得られることを知り、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、非磁性支持体と、非磁性支持体の一方の面に、少なくとも１層の磁性層を有する磁気テープにおいて、前記磁気テープのエッジウィーブが１μｍ以下であり、かつ前記磁気テープの最上層磁性層の長手方向の保磁力ＨｃＭＤと幅方向の保磁力ＨｃＴＤとの差〔ＨｃMＤ−ＨｃTＤ〕が１４０ｋＡ／ｍ以上ＨｃMＤ以下である磁気テープに関するものである。
長手方向の保磁力と幅方向の保磁力との差（ＨｃＭＤ−ＨｃＴＤ）は、１４０ｋＡ／ｍ以上が好ましく、１５５ｋＡ／ｍ以上がより好ましく、１６０ｋＡ／ｍ以上がさらに好ましく、１８０ｋＡ／ｍ以上がいっそう好ましい。
なお、ＨｃＭＤ、ＨｃＴＤは何れも正の値なので、（ＨｃＭＤ−ＨｃＴＤ）はＨｃＭＤ以下である。
なお、ＨｃＭＤ、ＨｃＴＤは何れも正の値なので、（ＨｃＭＤ−ＨｃＴＤ）はＨｃＭＤ以下である。
前記磁気テープのエッジウィーブ量は１μｍ以下が好ましく、０．８μｍ以下が好ましく、０．６μｍ以下がさらに好ましい。エッジウィーブ量は理想的には０であるが、０．１μｍ程度のエッジウィーブがあっても実用上問題にならないので、エッジウィーブ量の実用上の下限は０．１μｍである。
磁気テープの長手方向の角形（Ｂｒ／Ｂｍ）MDと幅方向の角形（Ｂｒ／Ｂｍ）TDとの比［（Ｂｒ／Ｂｍ）MD／（Ｂｒ／Ｂｍ）TD］は３．０以上が好ましく、３．５以上がより好ましく、４．０以上がさらに好ましく、４．５以上がいっそう好ましい。通常は１２以下である。磁気テープの長手方向のヤング率ＥＭＤは、１１ＧＰａ以上が好ましく、１２ＧＰａ以上がより好ましく、１４ＧＰａ以上がさらに好ましい。通常、ＥＭＤは、３０ＧＰａ以下である。
本発明の磁気テープには、薄膜型、塗布型のいずれの磁気テープを使用してもよいが、塗布型の磁気テープはコストが低く、かつ生産性が高いのでより好ましい。塗布型を中心に本発明を説明する。
本発明の薄膜型の磁気テープでは、ＣｏＰｔ系のような結晶磁気異方性の高い磁性材料を使用することで磁気テープ長手方向の最上層磁性層の保磁力を高くする。また、斜め蒸着、非磁性支持体の長手方向に沿ってのテキスチャリング処理、非磁性支持体の長手方向への延伸処理、金属薄膜作製時の長手方向への磁界（通常０．００００１〜０．００１Ｔ）の印加、下層の形成、およびこれらを２つ以上組合わせると、最上層磁性層の長手方向の保磁力と幅方向の保磁力との差が大きくなるので好ましい。さらに、再生ノイズを低くするためには磁性体の結晶粒子径を３０ｎｍ以下にすることが好ましい。
エッジウィーブ量を小さくするには、磁気テープの厚さむらを小さくする、改良したスリッティング法を採用する、ことが有効である。
なお、薄膜型の磁気テープでは、最上層磁性層の上に５〜３０ｎｍ厚さ（特に５〜１５ｎｍ厚さ）のダイアモンドライクカーボン（ＤＬＣ）保護膜を形成し、かつＤＬＣ保護膜の上にフッ素系の潤滑剤を塗布することで耐久性を高めることが好ましい。
エッジウィーブ量を小さくするには、磁気テープの厚さむらを小さくする、改良したスリッティング法を採用する、ことが有効である。
なお、薄膜型の磁気テープでは、最上層磁性層の上に５〜３０ｎｍ厚さ（特に５〜１５ｎｍ厚さ）のダイアモンドライクカーボン（ＤＬＣ）保護膜を形成し、かつＤＬＣ保護膜の上にフッ素系の潤滑剤を塗布することで耐久性を高めることが好ましい。
一方、本発明の磁気テープカートリッジに使用する塗布型の磁気テープでは、略粒状の特定の微粒子磁性粉末を使用し、磁場配向等の方法により最上層磁性層の長手方向の保磁力ＨｃMＤと幅方向の保磁力ＨｃTＤ との差（ＨｃMＤ−ＨｃTＤ）を大きくすると、短波長記録時の出力Ｃが大きくノイズＮが小さくなり、特に良好な短波長記録再生特性が得られる。また、下層の凹凸やうねりを抑制して厚さむらを小さくし磁気テープの厚さむらを押さえる、改良したスリッティング法を採用する等の方法で、エッジウィーブ量を小さくして、オフトラックを抑制することで良好なサーボ特性が得られる。
なお、（ＨｃＭＤ−ＨｃＴＤ）がＨｃＭＤの９０％を超える塗布型の磁気テープの作製は難しい。このような磁気テープの作製が難しい理由は、磁性粉末の粒子形状が略粒状で完全な球ではなく、またカーボンブラックやアルミナ等の充填剤の存在、磁性粉末の不均一分散等により、磁性粒子の回転が束縛されて、磁性粉末の磁化容易軸を長手方向に完全に配向させることが難しいためである。なお、小規模実験によると、長手方向の保磁力と幅方向の保磁力の差をＨｃＭＤの９０％にするためには、完全な球に近く、単結晶に近い磁性粉末を充分分散し、カーボンブラックやアルミナ等の充填剤を除去する方法、またはカーボンブラックやアルミナ等の充填剤を磁性粉末とは別に分散した後、磁性粉末の分散体と混合する方法（本願発明では別分散法という）を採用し、０．７Ｔ以上の磁界中で配向および乾燥を行う方法が有効である。
（ＨｃＭＤ−ＨｃＴＤ）が１４０ｋＡ／ｍ以上の本発明の磁気テープが短波長域において優れたＣ／Ｎが得られる理由は明確ではないが、例えば以下のような理由が考えられる。すなわち、長手方向の保磁力ＨｃＭＤが大きく、幅方向の保磁力ＨｃＴＤが小さい場合には、磁化容易軸がほぼ完全に長手方向に向いているために、反磁界による磁化反転が起こらず、出力Ｃが大きく、ノイズＮが小さく、出力ノイズ比（Ｃ／Ｎ）が大きくなる。これに対して、長手方向の保磁力ＨｃＭＤが大きくても、幅方向の保磁力ＨｃＴＤが大きい場合には、磁化容易軸が充分長手方向に向いていないために、幅方向に向いた磁化容易軸を介して反磁界によって磁化の一部が反転する。この磁化反転は、記録磁化が反転する領域で顕著になり、出力Ｃの低下やノイズＮの上昇の原因となり、出力ノイズ比（Ｃ／Ｎ）低下の原因になる。
また、長手方向の保磁力ＨｃＭＤが大きいほど反磁界による自己減磁も小さくなるため、この長手方向のＨｃＭＤを大きくして、これと幅方向のＨｃＴＤとの差（ＨｃＭＤ−ＨｃＴＤ）を大きくする、つまり（ＨｃＭＤ −ＨｃＴＤ ）の値を１４０ｋＡ／ｍ以上、より好ましくは１５５ｋＡ／ｍ以上、さらに好ましくは１６０ｋＡ／ｍ以上、いっそう好ましくは１８０ｋＡ／ｍ以上とすることにより、Ｃ／Ｎを高くすることができる。長手方向の保磁力ＨｃＭＤ が大きくしても、（ＨｃＭＤ−ＨｃＴＤ）の値が１４０ｋＡ／ｍ未満ではＣ／Ｎ向上効果が小さい。（ＨｃＭＤ−ＨｃＴＤ）の値を１４０ｋＡ／ｍ以上にするためには、ＨｃＴＤは通常、１６〜１８０ｋＡ／ｍ、好ましくは２０〜１２０ｋＡ／ｍ、より好ましくは２０〜１０５ｋＡ／ｍである。
以上のように、本発明では、全く新しい着眼点として、リニアレコーディングタイプの磁気テープカートリッジに使用する磁気テープの長手方向の保磁力ＨｃＭＤを大きくし、幅方向の保磁力ＨｃＴＤを小さくして、長手方向の保磁力と幅方向の保磁力との差（ＨｃＭＤ−ＨｃＴＤ）を特定値以上に規定することで、電磁変換特性の大幅な改善をはかれることを見出したものである。上記差が特定値未満では、短波長域のＣ／Ｎが確保できなくなる。但し、ＨｃＭＤとＨｃＴＤは何れも正の値なので、（ＨｃＭＤ−ＨｃＴＤ）はＨｃＭＤ 以下である。また、エッジウィーブ量を特定値以下に規定することで、オフトラックを防止して、磁気テープカートリッジの信頼性を向上できる。
本発明において、保磁力ＨｃＭＤおよびＨｃＴＤは、東英工業社製の試料振動型磁力計で、２５℃、外部磁場１２７３．３ｋＡ／ｍで定法に準じて測定した値である。測定試料の調製は、長手方向を一致させて磁気テープ２０枚を貼り合わせ、これを直径８ｍｍに打ち抜いて行った。測定値は、磁気テープの長手方向および幅方向に１０回測定した平均値である。
なお、２層以上の磁性層を有する磁気テープの最上層磁性層の保磁力ＨｃＭＤおよびＨｃＴＤを測定する場合には、磁化の値をカー回転角で測定する方法を利用してもよい。この場合には、直径８ｍｍに打ち抜いた磁気テープ１枚を使用する。
なお、２層以上の磁性層を有する磁気テープの最上層磁性層の保磁力ＨｃＭＤおよびＨｃＴＤを測定する場合には、磁化の値をカー回転角で測定する方法を利用してもよい。この場合には、直径８ｍｍに打ち抜いた磁気テープ１枚を使用する。
エッジウィーブ量は、サーボライターにエッジウィーブ量測定装置（キーエンス社製）を取り付け、テープ長さ５０ｍにわたって連続測定した。ついで、得られたエッジウィーブ量のフーリエ解析を行い、周波数（波長）とエッジウィーブ量を求めた。ついで、周波数と磁気テープ走行速度との関係から、磁気テープ長手方向のエッジウィーブ波長を求め、波長が１００ｍｍ以下のエッジウィーブ量の最大値を求め、この値を磁気テープのエッジウィーブ量とした。
磁気テープの保磁力は、従来では、通常、長手方向の保磁力（ＨｃＭＤ）を指していた。これは、ＨｃＭＤが短波長記録時の反磁場による出力低下に影響し、ＨｃＭＤを大きくすると反磁場による出力低下を小さくでき、短波長出力を向上できるためである。しかし、本発明のように、リニアレコーディングタイプの磁気テープカートリッジに装着する、１ＴＢを超える大容量高密度記録（概ね１．０Ｇｂ／ｉｎ2 を超える）磁気テープに要求される短波長域におけるＣ、Ｃ／Ｎの向上には、磁気テープの幅方向の保磁力（ＨｃＴＤ）を小さくするのが効果的であり、さらに長手方向と幅方向とに分けて保磁力を制御して（ＨｃＭＤ−ＨｃＴＤ）の値を調整することが、上記特性の向上に極めて効果的であることをはじめて見出したものである。
本発明において、（ＨｃＭＤ−ＨｃＴＤ）の値を１４０ｋＡ／ｍ以上にするための手段は、特に制限されないが、塗布型の磁気テープを用いる場合では、好ましくは以下の（ａ）〜（ｄ）の方法が挙げられる。
以下の（ａ）〜（ｄ）の方法を単独で用いて、好ましくはこれらの幾つかを併用することにより、所定の（ＨｃＭＤ−ＨｃＴＤ）の値を有する磁気テープを製造することができる。もちろん、（ＨｃＭＤ−ＨｃＴＤ）の値を制御する方法は、以下の（ａ）〜（ｅ）の方法に限定されず、他の公知の方法を、適宜併用しても差し支えない。
以下の（ａ）〜（ｄ）の方法を単独で用いて、好ましくはこれらの幾つかを併用することにより、所定の（ＨｃＭＤ−ＨｃＴＤ）の値を有する磁気テープを製造することができる。もちろん、（ＨｃＭＤ−ＨｃＴＤ）の値を制御する方法は、以下の（ａ）〜（ｅ）の方法に限定されず、他の公知の方法を、適宜併用しても差し支えない。
（ａ） 同じ長手方向の保磁力でも、幅方向の保磁力を小さくして、（ＨｃＭＤ−ＨｃＴＤ）の値を大きくするには、磁性粉末の形状を選定する。
磁性粉末が球に近い程磁性粉末が磁場配向しやすいので、磁性粉末の形状は略粒状である。また、単結晶の磁性粉末に近い程磁場配向した場合のＨｃＴＤが小さくなり、（ＨｃＭＤ−ＨｃＴＤ）が大きくなる。略粒状の磁性粉末とは、軸比（長径／短径）が２未満、好ましくは１．５以下、より好ましくは１．５未満である、球状、略球状、楕円体状、略楕円体状、多面体状、略多面体状、板状、略板状の粒子である。
なお、長径とは、略球状、楕円体状、略楕円体状、多面体状、略多面体状では最大さしわたし径であり、板状、略板状粒子では板径である。また、短径とは、略球状、楕円体状、略楕円体状、多面体状、略多面体状粒子では最大さしわたし径と直角方向のさしわたし最大径であり、板状、略板状粒子では板厚である。磁性粉末が単結晶か否かは高分解能ＴＥＭで格子像を観察することで判断できる。
ＨｃＭＤに対し、相対的にＨｃＴＤ をより小さくして、（ＨｃＭＤ−ＨｃＴＤ）の値を大きくするには、略粒状の微粒子磁性粉末の粒子サイズは３０ｎｍ以下が好ましく、２０ｎｍ以下がより好ましく、１５ｎｍ以下がさらに好ましく、１５ｎｍ未満が最も好ましい。また、３ｎｍ以上が好ましく、５ｎｍ以上がより好ましく、８ｎｍ以上がさらに好ましい。この範囲の粒子サイズが好ましいのは、３ｎｍ未満では磁性粉末の磁気塗料への分散が難しいため、相対的にＨｃＴＤ が高くなり、（ＨｃＭＤ−ＨｃＴＤ）の値が小さくなりやすい。また、３０ｎｍを超えると、磁気テープのノイズが高くなる傾向にある。
磁性粉末が球に近い程磁性粉末が磁場配向しやすいので、磁性粉末の形状は略粒状である。また、単結晶の磁性粉末に近い程磁場配向した場合のＨｃＴＤが小さくなり、（ＨｃＭＤ−ＨｃＴＤ）が大きくなる。略粒状の磁性粉末とは、軸比（長径／短径）が２未満、好ましくは１．５以下、より好ましくは１．５未満である、球状、略球状、楕円体状、略楕円体状、多面体状、略多面体状、板状、略板状の粒子である。
なお、長径とは、略球状、楕円体状、略楕円体状、多面体状、略多面体状では最大さしわたし径であり、板状、略板状粒子では板径である。また、短径とは、略球状、楕円体状、略楕円体状、多面体状、略多面体状粒子では最大さしわたし径と直角方向のさしわたし最大径であり、板状、略板状粒子では板厚である。磁性粉末が単結晶か否かは高分解能ＴＥＭで格子像を観察することで判断できる。
ＨｃＭＤに対し、相対的にＨｃＴＤ をより小さくして、（ＨｃＭＤ−ＨｃＴＤ）の値を大きくするには、略粒状の微粒子磁性粉末の粒子サイズは３０ｎｍ以下が好ましく、２０ｎｍ以下がより好ましく、１５ｎｍ以下がさらに好ましく、１５ｎｍ未満が最も好ましい。また、３ｎｍ以上が好ましく、５ｎｍ以上がより好ましく、８ｎｍ以上がさらに好ましい。この範囲の粒子サイズが好ましいのは、３ｎｍ未満では磁性粉末の磁気塗料への分散が難しいため、相対的にＨｃＴＤ が高くなり、（ＨｃＭＤ−ＨｃＴＤ）の値が小さくなりやすい。また、３０ｎｍを超えると、磁気テープのノイズが高くなる傾向にある。
（ｂ） 焼結の少ない磁性粉末を用いることが好ましい。
本発明の磁気テープに用いられる最上層磁性層に含まれる略粒状の磁性粉末としては、希土類元素、アルミニウム、珪素、ジルコニウム、チタンのように、その酸化物が６００℃以下の水素還元によって還元されない元素（特に、希土類元素、アルミニウム、珪素）の少なくとも一つが外層部分に主体的に存在し、かつ鉄または鉄を主体とする遷移金属元素と窒素がコアー部分に主体的に存在するものが好ましい。
磁性粉の外層部分をこのような構成にすることにより、磁性粉製造時の磁性粉末どうしの焼結が防止され、ＨｃＭＤに対して、相対的にＨｃＴＤをより小さくして、（ＨｃＭＤ−ＨｃＴＤ）の値を大きくすることができる。さらに、コアー部分がＦｅ16Ｎ2 相を含有する窒化鉄系磁性粉末がより好ましい。また、磁性粉末の粒子毎の窒素等の組成分布が小さいことが好ましい。
本発明の磁気テープに用いられる最上層磁性層に含まれる略粒状の磁性粉末としては、希土類元素、アルミニウム、珪素、ジルコニウム、チタンのように、その酸化物が６００℃以下の水素還元によって還元されない元素（特に、希土類元素、アルミニウム、珪素）の少なくとも一つが外層部分に主体的に存在し、かつ鉄または鉄を主体とする遷移金属元素と窒素がコアー部分に主体的に存在するものが好ましい。
磁性粉の外層部分をこのような構成にすることにより、磁性粉製造時の磁性粉末どうしの焼結が防止され、ＨｃＭＤに対して、相対的にＨｃＴＤをより小さくして、（ＨｃＭＤ−ＨｃＴＤ）の値を大きくすることができる。さらに、コアー部分がＦｅ16Ｎ2 相を含有する窒化鉄系磁性粉末がより好ましい。また、磁性粉末の粒子毎の窒素等の組成分布が小さいことが好ましい。
（ｃ） 媒体の長手方向の角形を制御することが好ましい。
記録方向つまり長手方向の保磁力ＨｃＭＤを大きくすることと電磁変換特性を低下させないことのため、長手方向の角形（Ｂｒ／Ｂｍ）ＭＤは０．７５以上であるのが好ましい。（Ｂｒ／Ｂｍ）ＭＤは大きければ大きいほど好ましい。理論的な理想値としては１であるが、現実的には０．９５程度が限界である。また、幅方向の角形（Ｂｒ／Ｂｍ）ＴＤを小さくして長手方向の角形と幅方向の角形との比［（Ｂｒ／Ｂｍ）ＭＤ／（Ｂｒ／Ｂｍ）ＴＤ］を大きくすることが好ましい。さらに、長手方向媒体のＳＦＤ（異方性磁界分布）は小さい方が好ましい。ＳＦＤは１．０以下が好ましく、０．７以下がより好ましい。粒子径がそろっている、つまり粒度分布が狭い磁性粉末を用いると、ＳＦＤは良好になる。媒体のＳＦＤが小さい方が、同じ長手方向の角形を示しても幅方向の保磁力ＨｃＴＤが小さく、（ＨｃＭＤ−ＨｃＴＤ）の値を大きくする効果がある。粒子径がそろっている方が均一分散が行えて同様の効果が生じる。
これらを具現化する方法としては、最上層磁性層の塗布後に強い（例えば０．５Ｔ以上の）配向磁界を印加し、その後、均一配向磁界（例えば０．１Ｔ以上）を最上層磁性層が略乾燥するまで継続して印加すればよい。均一磁界の印加方法としては、反発磁石を多数並べる方法と、ソレノイドを使用する方法、両者の併用方法があり、いずれの方法を採用してもよい。反発磁石を多数並べる方法はランニングコストが安いという長所があるが、反発磁石と反発磁石の間で磁界が磁気媒体膜面方向に対して磁界が垂直方向に立ったり、磁界がない部分や反転が生じたりするので、磁性塗膜の乾燥位置を長手方向に磁界が生じている部分にうまく合わせる必要がある。一方、ソレノイドを使用する方法は電力等のランニングコストは高いが、配向磁界が磁気テープの長手方向に正確に向くので、磁性粉末の磁化容易軸の長手方向への配向が良くなり、長手方向の保磁力ＨｃＭＤと幅方向の保磁力ＨｃＴＤとの差（ＨｃＭＤ−ＨｃＴＤ）が非常に大きくなるという長所を有する。
記録方向つまり長手方向の保磁力ＨｃＭＤを大きくすることと電磁変換特性を低下させないことのため、長手方向の角形（Ｂｒ／Ｂｍ）ＭＤは０．７５以上であるのが好ましい。（Ｂｒ／Ｂｍ）ＭＤは大きければ大きいほど好ましい。理論的な理想値としては１であるが、現実的には０．９５程度が限界である。また、幅方向の角形（Ｂｒ／Ｂｍ）ＴＤを小さくして長手方向の角形と幅方向の角形との比［（Ｂｒ／Ｂｍ）ＭＤ／（Ｂｒ／Ｂｍ）ＴＤ］を大きくすることが好ましい。さらに、長手方向媒体のＳＦＤ（異方性磁界分布）は小さい方が好ましい。ＳＦＤは１．０以下が好ましく、０．７以下がより好ましい。粒子径がそろっている、つまり粒度分布が狭い磁性粉末を用いると、ＳＦＤは良好になる。媒体のＳＦＤが小さい方が、同じ長手方向の角形を示しても幅方向の保磁力ＨｃＴＤが小さく、（ＨｃＭＤ−ＨｃＴＤ）の値を大きくする効果がある。粒子径がそろっている方が均一分散が行えて同様の効果が生じる。
これらを具現化する方法としては、最上層磁性層の塗布後に強い（例えば０．５Ｔ以上の）配向磁界を印加し、その後、均一配向磁界（例えば０．１Ｔ以上）を最上層磁性層が略乾燥するまで継続して印加すればよい。均一磁界の印加方法としては、反発磁石を多数並べる方法と、ソレノイドを使用する方法、両者の併用方法があり、いずれの方法を採用してもよい。反発磁石を多数並べる方法はランニングコストが安いという長所があるが、反発磁石と反発磁石の間で磁界が磁気媒体膜面方向に対して磁界が垂直方向に立ったり、磁界がない部分や反転が生じたりするので、磁性塗膜の乾燥位置を長手方向に磁界が生じている部分にうまく合わせる必要がある。一方、ソレノイドを使用する方法は電力等のランニングコストは高いが、配向磁界が磁気テープの長手方向に正確に向くので、磁性粉末の磁化容易軸の長手方向への配向が良くなり、長手方向の保磁力ＨｃＭＤと幅方向の保磁力ＨｃＴＤとの差（ＨｃＭＤ−ＨｃＴＤ）が非常に大きくなるという長所を有する。
（ｄ） ＨｃＭＤに対して、相対的にＨｃＴＤをより小さくして、（ＨｃＭＤ−ＨｃＴＤ）を大きくするには、磁性塗料での磁性粉末の分散性を向上させることが有効である。
このための手法は、微粒子磁性粉末の分散性を上げるために従来から用いられている公知の手法が可能であり、これらを適宜組み合せて実施すればよい。磁性塗料の調製においては、磁性粉末を混練する前に、分散工程で良くほぐれるように、予め分散剤や樹脂と一緒に高速撹拌混合しておくのが好ましい。
混練には、樹脂とよくなじむように、大きなせん断力がかかる加圧型混練機や連続式２軸混練機等を用いるのが好ましく、通常の混練機であるならば、磁性粉末のバッチ量を適宜工夫するのが好ましい。分散は、通常のサンドミル型の分散機でよい。分散メディアとしては、従来の一般的な材質のものが使えるが、粒径が１ｍｍ未満で、チタニア、ジルコニアを主成分とする比重の大きいビーズを使用するのが好ましい。これは小粒径で比重が大きいほど分散能力が大きく、磁性粉末がよくほぐれて配向しやすく、かつテープ幅方向の保磁力が小さくなりやすいからである。また、磁性粉末の表面を分散しやすいように、公知の表面処理剤で処理してもよい。さらに、バインダとして用いる樹脂には、分散性を向上させる官能基を持つ従来公知の樹脂を使用するのが好ましい。また、カーボンブラックやアルミナのような充填剤を磁性粉末とは別に分散して、予め分散しておいた磁性粉末や分散剤、樹脂の分散塗料に添加して磁性層用の塗料にする方法が好ましい。
このための手法は、微粒子磁性粉末の分散性を上げるために従来から用いられている公知の手法が可能であり、これらを適宜組み合せて実施すればよい。磁性塗料の調製においては、磁性粉末を混練する前に、分散工程で良くほぐれるように、予め分散剤や樹脂と一緒に高速撹拌混合しておくのが好ましい。
混練には、樹脂とよくなじむように、大きなせん断力がかかる加圧型混練機や連続式２軸混練機等を用いるのが好ましく、通常の混練機であるならば、磁性粉末のバッチ量を適宜工夫するのが好ましい。分散は、通常のサンドミル型の分散機でよい。分散メディアとしては、従来の一般的な材質のものが使えるが、粒径が１ｍｍ未満で、チタニア、ジルコニアを主成分とする比重の大きいビーズを使用するのが好ましい。これは小粒径で比重が大きいほど分散能力が大きく、磁性粉末がよくほぐれて配向しやすく、かつテープ幅方向の保磁力が小さくなりやすいからである。また、磁性粉末の表面を分散しやすいように、公知の表面処理剤で処理してもよい。さらに、バインダとして用いる樹脂には、分散性を向上させる官能基を持つ従来公知の樹脂を使用するのが好ましい。また、カーボンブラックやアルミナのような充填剤を磁性粉末とは別に分散して、予め分散しておいた磁性粉末や分散剤、樹脂の分散塗料に添加して磁性層用の塗料にする方法が好ましい。
（ｅ） ＨｃＭＤに対して、相対的にＨｃＴＤをより小さくして、（ＨｃＭＤ−ＨｃＴＤ）を大きくするには、下層の研磨剤等を表面処理して研磨剤等の分散性を向上して、下層表面の凹凸やうねりをなくことで下層の上に形成する磁性層の凹凸やうねりをなくことが好ましい。磁性層の凹凸やうねりがない程磁性粉末の磁化容易軸が磁気テープ長手方向に配向しやすくなるからである。下層の研磨剤等の分散性を向上する方法の一例としては、酸化鉄等のような研磨剤等の表面をアルミナ、シリカやジルコニア（特にアルミナ）で被覆する方法がある。その他、下層の研磨剤等の分散性を向上する方法には従来公知の方法を用いることができる。
塗布型磁気テープのエッジウィーブ量を低減する方法には、（１）下層やバックコート層の研磨剤等の分散性を向上して、磁気テープの厚さむらを低減する方法、（２）スリッタ装置のテンションカットローラをメッシュサクションローラにして周期が１００ｍｍ以下のエッジウィーブの発生を抑制する、スリッタ刃の駆動ベルトのないダイレクトドライブにしてエッジウィーブ量を低減する方法が有効である。また、薄膜型磁気テープの場合には、（３）均一膜厚の非磁性支持体を使用すると共に、テープ送り速度や蒸着・スパッタ条件の安定化により下層、磁性層厚さを均一にして磁気テープの厚さむらを低減する方法、（２）の方法によってエッジウィーブ量を低減する方法が有効である。その他、周期の短いエッジウィーブ量を低減するための従来公知の方法を用いることができる。
このように、本発明によれば、リニアレコーディングタイプの磁気テープカートリッジに使用する磁気テープのエッジウィーブ量、磁性層の配向構造を規制したことにより、電磁変換特性、オフトラックが少なく信頼性に優れた磁気テープ、特に、再生出力ノイズ比（Ｃ／Ｎ）が高く、信頼性の高い磁気テープを提供することができる。
以下に、リニアレコーディングタイプの磁気テープカートリッジにおける、本発明の磁気テープの構成要素として、磁気テープカートリッジの構造、磁気テープの構成、非磁性支持体、磁性層、磁性粉末、磁性塗料の調製、磁場配向処理、下層、潤滑剤、バック層、有機溶剤、スリッタ装置の順に、項分けして、詳しく説明することにする。
＜磁気テープカートリッジの構造＞
リニアレコーディングタイプの磁気テープカートリッジの一例を示す。図２は本発明が適用される磁気テープカートリッジの一般的な構造を示し、図３はその内部構造を示す。図２において、磁気テープカートリッジは、上下ケース１ａ・１ｂを蓋合わせ状に接合してなる角箱状のケース本体１を有し、ケース本体１の内部に配置した１個のリール２に磁気テープ３を巻装している。ケース本体１の前壁６の一側端には、テープ引出口４が開口してある。テープ引出口４は、スライド開閉可能なドア５で開閉できるようになっている。リール２に巻装した磁気テープ３をケース外へ引き出し操作するために、磁気テープ３の繰り出し端にテープ引出具７が連結されている。符号２０は、ドア５を閉じ勝手に移動付勢するためのドアばねを示す。
リニアレコーディングタイプの磁気テープカートリッジの一例を示す。図２は本発明が適用される磁気テープカートリッジの一般的な構造を示し、図３はその内部構造を示す。図２において、磁気テープカートリッジは、上下ケース１ａ・１ｂを蓋合わせ状に接合してなる角箱状のケース本体１を有し、ケース本体１の内部に配置した１個のリール２に磁気テープ３を巻装している。ケース本体１の前壁６の一側端には、テープ引出口４が開口してある。テープ引出口４は、スライド開閉可能なドア５で開閉できるようになっている。リール２に巻装した磁気テープ３をケース外へ引き出し操作するために、磁気テープ３の繰り出し端にテープ引出具７が連結されている。符号２０は、ドア５を閉じ勝手に移動付勢するためのドアばねを示す。
図３において、リール２は、上鍔部２１と下鍔部２２、および下鍔部２２と一体に成形されて上向きに開口する有底筒状の巻芯部２３とからなる。巻芯部２３の底壁２３ｃは、ケース底壁の駆動軸挿入口１ｃ上に位置している。巻芯部２３の底壁２３ｃの外周には、テープ駆動装置（磁気記録再生装置）側の部材に係合するギヤ歯が形成されており、底壁２３ｃの中心には、テープ駆動装置側のロック解除ピン（図示せず）の挿入を許す底孔２３ｄが設けられている。ケース本体１内には、不使用時にリール２の不用意な回転を阻止するリールロック機構が備えられている。符号１２は、このリールロック機構を構成するブレーキボタンを示し、符号１７は、同じくブレーキボタン１２を図中の下方に付勢するスプリングを示している。
上記の磁気テープカートリッジに備えられた磁気テープ３は、図１に示すように、当該磁気テープ３に記録されたサーボ信号によってトラッキング制御される。サーボ信号は磁気テープの磁気記録面またはバック層に磁気信号として記録したものであってもよいし、磁気テープのバックコート層に凹部や光を吸収する材料で光学信号を形成したものであってもよい。つまり、本願発明の磁気テープカートリッジは、磁気サーボ方式および光学サーボ方式のいずれにも適用できるものである。
また、高記録密度化のためには、本発明の磁気テープカートリッジは磁気テープにおける磁気記録信号が、磁気抵抗効果型素子を利用した再生ヘッド（ＭＲヘッド）によって再生されるものであることが好ましい。さらに、磁気サーボ方式では、サーボ信号もＭＲヘッドによって再生されるものであることが好ましい。
＜磁気テープの構成＞
本発明の磁気テープは、非磁性支持体、非磁性支持体の上に少なくとも１層の磁性層を有する構成で、高密度記録に寄与する磁性層は最上層磁性層である。また、必要に応じて、磁性層形成面（記録面）とは反対の面にバック層を設けてもよく、最上層磁性層と非磁性支持体の間に下層を設けてもよい。さらに、最上層磁性層の下に下層を介してサーボ信号を記録する下層磁性層を設けてもよい。
本発明の磁気テープは、非磁性支持体、非磁性支持体の上に少なくとも１層の磁性層を有する構成で、高密度記録に寄与する磁性層は最上層磁性層である。また、必要に応じて、磁性層形成面（記録面）とは反対の面にバック層を設けてもよく、最上層磁性層と非磁性支持体の間に下層を設けてもよい。さらに、最上層磁性層の下に下層を介してサーボ信号を記録する下層磁性層を設けてもよい。
前記磁気テープのエッジウィーブ量は１μｍ以下が好ましく、０．８μｍ以下が好ましく、０．６μｍ以下がさらに好ましい。エッジウィーブ量を１μｍ以下にするとオフトラックが小さくなるためである。エッジウィーブ量は理想的には０であるが、０．１μｍ程度のエッジウィーブがあっても実用上問題にならないので、エッジウィーブ量の実用上の下限は０．１μｍである。
磁気テープの厚さ（磁気テープの総厚）は、６μｍ未満が好ましく、５．５μｍ未満がより好ましく、５．０μｍ未満がさらに好ましい。磁気テープの厚さが６μｍ以上では、リールに巻回できる磁気テープの全長が短くなって、磁気テープカートリッジ１巻当たりの容量が低下するためである。また、薄い非磁性支持体は得にくいのと、得られても高コストなので、磁気テープの厚さは通常２．５μｍ以上である。
磁気テープの長手方向のヤング率ＥＭＤは、１１ＧＰａ以上が好ましく、１２ＧＰａ以上がより好ましく、１４ＧＰａ以上がさらに好ましい。この範囲が好ましいのは、リニアトラッキングタイプでは、磁気テープが高速（３ｍ／秒以上）で順走行・停止・逆走行を繰り返しながら、記録・再生を行うので、ＥＭＤが１１ＧＰａ未満になると、磁気テープが伸びたり、傷ついたりして、エラーレートが高くなる場合があるためである。このようなエラーレートの上昇は、磁気テープの厚さが６μｍ未満で顕著になる。通常、ＥＭＤ は、３０ＧＰａ以下である。この理由は、３０ＧＰａ以上のＥＭＤは得にくいのと、得られても高コストになるためである。また、ＥＭＤ が３０ＧＰａを超えると、磁気テープと磁気ヘッドアレイとのコンタクトが悪くなって、Ｃ／Ｎの低下やエラーレートの上昇が起こる場合があるためである。
磁気テープの長手方向のヤング率ＥＭＤと幅方向のヤング率ＥＴＤの比（ＥＭＤ／ＥＴＤ）は、０．７５以上が好ましく、１．０以上が好ましく、１．２以上がさらに好ましい。（ＥＭＤ／ＥＴＤ）が０．７５未満だと、磁気テープと磁気ヘッドアレイとのコンタクトが悪くなって、Ｃ／Ｎの低下やエラーレートの上昇が起こる場合があるためである。また、（ＥＭＤ／ＥＴＤ）が２．５を越える磁気テープは得にくいので、（ＥＭＤ／ＥＴＤ）は通常２．５以下である。
＜非磁性支持体＞
非磁性支持体には、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ナフタレンテレフタレートフィルム、芳香族ポリアミドフィルム、芳香族ポリイミドフィルム等が使用される。
非磁性支持体の厚さは、用途により異なるが、通常２〜５μｍ、好ましくは２〜４．５μｍ、より好ましくは２〜４μｍである。この範囲の厚さの非磁性支持体が使用されるのは、２μｍ未満では製膜が難しく、またテープ強度が小さくなり、５μｍを超えるとテープ全厚が厚くなり、テープ１巻当りの記録容量が小さくなるためである。
非磁性支持体には、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ナフタレンテレフタレートフィルム、芳香族ポリアミドフィルム、芳香族ポリイミドフィルム等が使用される。
非磁性支持体の厚さは、用途により異なるが、通常２〜５μｍ、好ましくは２〜４．５μｍ、より好ましくは２〜４μｍである。この範囲の厚さの非磁性支持体が使用されるのは、２μｍ未満では製膜が難しく、またテープ強度が小さくなり、５μｍを超えるとテープ全厚が厚くなり、テープ１巻当りの記録容量が小さくなるためである。
非磁性支持体の長手方向のヤング率ＥＳＭＤは、非磁性支持体の厚さによって異なるが、通常１２ＧＰａ以上のものが好ましい。１５ＧＰａ以上がより好ましく、１７ＧＰａ以上がさらに好ましい。この範囲のヤング率の非磁性支持体が好ましいのは、１２ＧＰａ未満では、磁気テープの長手方向のヤング率ＥＭＤが低くなる場合があるためである。非磁性支持体の長手方向のヤング率ＥＳＭＤを高くする方法には、芳香族ポリアミド、芳香族ポリイミドのようにヤング率が高い樹脂のフィルムを用いて長手方向に延伸する、フィルム中にヤング率の高いフィラを添加する、フィルムの表面にヤング率の高い金属等の膜を形成する、ヤング率の高い金属等をフィルムでラミネートする方法等がある。
なお、長手方向のヤング率ＥＳＭＤが高い非磁性支持体は高コストなので、ＥＳＭＤは通常４０ＧＰａ以下である。
なお、長手方向のヤング率ＥＳＭＤが高い非磁性支持体は高コストなので、ＥＳＭＤは通常４０ＧＰａ以下である。
長手方向のヤング率をＥＳＭＤ、幅方向のヤング率をＥＳＴＤ とした時の比（ＥＳＭＤ ／ＥＳＴＤ ）は、０．７５以上が好ましく、１．０以上がより好ましく、１．３以上がさらに好ましい。この範囲が好ましいのは、（ＥＳＭＤ／ＥＳＴＤ）を０．７５以上にすると、磁気テープの（ＥＭＤ／ＥＴＤ）を０．７５以上にしやすいためである。非磁性支持体の（ＥＳＭＤ／ＥＳＴＤ）は、フィルムの長手方向と幅方向の延伸割合によって決まり、長手方向の延伸割合が高い程、（ＥＳＭＤ／ＥＳＴＤ）が高くなる。フィルムの長手方向と幅方向の延伸割合が同じ場合は、（ＥＳＭＤ／ＥＳＴＤ）がほぼ１．０になる。（ＥＳＭＤ／ＥＳＴＤ）は通常３．０以下である。
＜磁性層＞
磁性層は、少なくとも１層の、記録層として設けられる最上層磁性層からなり、この最上層磁性層の厚さは、５〜９０ｎｍが好ましい。この範囲が好ましいのは、５ｎｍ未満では均一厚さの磁性層形成が難しく、９０ｎｍを超えると厚さ減磁により再生出力の低下が起こりやすいためである。
なお、最上層磁性層が９０ｎｍ以下と薄い場合、非磁性下層を介して最上層磁性層の下に、サーボ信号記録用の下層磁性層を設けてもよい。
磁性層は、少なくとも１層の、記録層として設けられる最上層磁性層からなり、この最上層磁性層の厚さは、５〜９０ｎｍが好ましい。この範囲が好ましいのは、５ｎｍ未満では均一厚さの磁性層形成が難しく、９０ｎｍを超えると厚さ減磁により再生出力の低下が起こりやすいためである。
なお、最上層磁性層が９０ｎｍ以下と薄い場合、非磁性下層を介して最上層磁性層の下に、サーボ信号記録用の下層磁性層を設けてもよい。
磁気テープの最上層磁性層の長手方向の保磁力は、１６０〜４００ｋＡ／ｍが好ましく、２００ｋＡ／ｍ以上がより好ましく、２２０ｋＡ／ｍ以上がさらに好ましく、２５０ｋＡ／ｍ以上がいっそう好ましい。１６０ｋＡ／ｍ未満では、記録波長を十分小さくし難く、４００ｋＡ／ｍを超えると、磁気ヘッドによる記録が不十分になる場合がある。３８０ｋＡ／ｍ以下が好ましく、３５０ｋＡ／ｍ以下がより好ましい。
磁気テープの最上層磁性層の長手方向の角形（Ｂｒ／Ｂｍ）MDと幅方向の角形（Ｂｒ／Ｂｍ）TDとの比［（Ｂｒ／Ｂｍ）MD／（Ｂｒ／Ｂｍ）TD］は３．０以上が好ましく、３．５以上がより好ましく、４．０以上がさらに好ましく、４．５以上がいっそう好ましい。通常は１２以下である。［（Ｂｒ／Ｂｍ）MD／（Ｂｒ／Ｂｍ）TD］は３．０以上が好ましいのは、［（Ｂｒ／Ｂｍ）MD／（Ｂｒ／Ｂｍ）TD］が３．０未満だと、再生出力（Ｃ）や再生出力ノイズ比（Ｃ／Ｎ）が小さくなる場合があるためである。
磁気テープの最上層磁性層における長手方向の保磁力ＨｃＭＤと幅方向の保磁力ＨｃＴＤとの比（ＨｃＭＤ／ＨｃＴＤ）は２．２以上が好ましい。（ＨｃＭＤ／ＨｃＴＤ）は２．２未満だと、再生出力（Ｃ）や再生出力ノイズ比（Ｃ／Ｎ）が小さくなる場合があるためである。通常は１０以下である。
磁気テープの最上層磁性層の残留磁束密度（Ｂｒ）と厚さδとの積（Ｂｒ・δ）が０．００１８μＴｍ以上、０．０５μＴｍ以下が好ましい。Ｂｒ・δが０．００１８μＴｍ未満だと、ＭＲヘッドを使用した場合も再生出力（Ｃ）が小さくなり再生出力ノイズ比（Ｃ／Ｎ）が小さくなり、Ｂｒ・δが０．０５μＴｍを越えると、ＭＲヘッドが飽和してノイズ（Ｎ）が高くなり再生出力ノイズ比（Ｃ／Ｎ）が小さくなるためである。
薄膜型磁気テープの磁性層には、特許文献９〜１１に記載の純ＣｏやＣｏＮｉ、ＣｏＣｒ、ＣｏＰ、ＣｏＰ、ＣｏＰｔ、ＣｏＴａ、ＣｏＮｉＣｒ、ＣｏＣｒＴａ、ＦｅＮｉ、ＦｅＣｏＣｏＮｉＯ、ＣｏＯ、ＣｏＳｍ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＴａ、ＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＮｉＰｔ、ＣｏＮｉＣｒＰｔＢ、Ｃｏ合金にＳｉＯ２等の化合物を加えた金属または合金磁性層の何れを使用しても良いが、特にＣｏＰｔ系の合金磁性層が最上層磁性層の長手方向の保磁力ＨｃＭＤが高く、かつ長手方向の保磁力ＨｃＭＤと幅方向の保磁力ＨｃＴＤとの差（ＨｃＭＤ−ＨｃＴＤ）が高くしやすいので好ましく使用される。
＜磁性粉末＞
塗布型磁気テープでは磁性粉末を磁性層に用いるが、この磁性粉末の特性が磁気テープの特性に重要な役割を果たす。上述のように塗布型磁気テープには、ＷＯ０３／０７９３３２Ａ１、ＷＯ０３／０７９３３３Ａ１に記載の略粒状の磁性粉末の使用が好ましい。略粒状の窒化鉄系微粒子磁性粉末が、本発明の塗布型磁気テープの最上層磁性層の微粒子磁性粉末として、特に好ましい。
塗布型磁気テープでは磁性粉末を磁性層に用いるが、この磁性粉末の特性が磁気テープの特性に重要な役割を果たす。上述のように塗布型磁気テープには、ＷＯ０３／０７９３３２Ａ１、ＷＯ０３／０７９３３３Ａ１に記載の略粒状の磁性粉末の使用が好ましい。略粒状の窒化鉄系微粒子磁性粉末が、本発明の塗布型磁気テープの最上層磁性層の微粒子磁性粉末として、特に好ましい。
具体的には、希土類、アルミニウム、珪素、ジルコニウム、チタン等のようにその酸化物が６００℃以下の水素還元温度で還元されない元素（特に希土類元素、アルミニウム、珪素）の少なくとも一つの元素を外層部分に主体的に含有し、コアー部分にＦｅ１６Ｎ２を含有する窒化鉄系微粒子磁性粉末が好ましい。ここでいうコアー部分にＦｅ16Ｎ2 を含有する窒化鉄系微粒子磁性粉末には、Ｆｅ１６Ｎ２相の、鉄（Ｆｅ）の一部が鉄以外の元素、窒素（Ｎ）の一部が窒素以外の元素で置換されたもの、鉄と窒素の化学量論量が１６：２よりずれたものを含む。
なお、希土類元素、アルミニウム、珪素、ジルコニウム、チタン等は、磁性粉末の製造工程の一つである水素還元工程における粒子間の焼結を防止して粒子サイズの小さい窒化鉄系微粒子磁性粉末を得やすくするためである。また、コアー部分に窒化物（特に、Ｆｅ１６Ｎ２相）を主体的に含有させる理由は、保磁力、飽和磁化の高い窒化鉄系微粒子磁性粉末を得やすくするためである。希土類元素の中、イットリウム、サマリウムまたはネオジムが、還元時の粒子形状の維持効果が大きいので好ましい。また、必要に応じて、アルミニウム、珪素、リン、ジルコニウムのように分散性向上に有効な元素または化合物（特にアルミナのような酸化物）を、磁性粉末表面にさらに含有または吸着させてもよい。
粒子サイズは、３０ｎｍ以下が好ましく、２０ｎｍ以下がより好ましく、１５ｎｍ未満がさらに好ましい。粒子サイズを３ｎｍ以上にすると、磁性塗料調製時の分散が容易である。５ｎｍ以上がより好ましく、８ｎｍ以上がさらに好ましい。粒子サイズが３０ｎｍを超えたり、３ｎｍ未満の磁性粒子の混入を排除するものではないが、その場合でも、平均粒子サイズが３０ｎｍ以下、３ｎｍ以上が好ましい。また、軸比（長径／短径）は２未満であるのが磁性粉末の充填性が高くなるので好ましく、１．５以下がより好ましく、１．５未満がさらに好ましい。軸比が２を超える磁性粒子の混入を排除するものではないが、その場合でも、平均軸比が２未満が好ましい。
なお、粒子サイズは、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）により倍率２０万倍で撮影した写真から求めた最大さしわたし径（長軸径）である。均粒子サイズは、同写真から粒子サイズ（最大さしわたし径、長軸径）を求め、５０個の粒子サイズを算術平均して求めた。また、軸比は、同写真から求めた最大さしわたし径（長軸径）と、最大さしわたし径方向と直交する方向のさしわたし最大径（短軸径）との比〔（最大さしわたし径）／（最大さしわたし径方向と直交する方向のさしわたし最大径）〕である。平均軸比は、個々の粒子の軸比を求め、５０個の軸比を算術平均して求めた。テープ状となった媒体においての磁性粉粒子サイズは、媒体の縦断面（長手方向に切断）の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真を倍率２０万倍で撮影して求めた。
磁性粉末の外層部分に主体的に存在する希土類元素、アルミニウム、珪素、ジルコニウム、チタン等の、鉄に対する合算含有量は、０．２〜２０原子％が好ましく、２〜１０原子％がより好ましい。希土類元素、アルミニウム、珪素、ジルコニウム、チタン等の合算含有量が少なすぎると、還元時に焼結などにより粗大粒子が生成しやすくなり、粒度分布が悪くなり、幅方向の保磁力（ＨｃＴＤ）が大きくなりやすい。また、希土類元素、アルミニウム、珪素、ジルコニウム、チタン等の合算含有量が多すぎると、飽和磁化の過度な低下が起こりやすい。合算含有量の中で、希土類元素の含有量は、０．２〜１５原子％が好ましく、２〜１０原子％がより好ましい。希土類元素が多すぎると、コストアップの要因になるばかりでなく、飽和磁化の過度な低下が起こりやすい。希土類元素が少なすぎると、希土類元素に基づく磁気異方性の寄与が小さくなる場合がある。
鉄に対する窒素の含有量は、１．０〜２０原子％が好ましく、３〜１３原子％がより好ましい。８〜１３原子％がさらに好ましい。鉄に対する窒素の含有量が少なすぎると、Ｆｅ１６Ｎ２相の形成量が少なく、磁気異方性の寄与が小さく、保磁力増加や飽和磁化増加の効果（特に、保磁力増加効果）が小さくなる。また、鉄に対する窒素の含有量が多すぎると、Ｆｅ４ＮやＦｅ３Ｎ等の保磁力や飽和磁化の小さい窒化鉄や、非磁性窒化物が形成されやすく、保磁力増加や飽和磁化増加の効果が少なくなり、特に飽和磁化の低下が過度になる。
なお、磁性粉末の保磁力は、最上層磁性層の長手方向の保磁力が、１６０〜４００ｋＡ／ｍになるように選択する。
なお、磁性粉末の保磁力は、最上層磁性層の長手方向の保磁力が、１６０〜４００ｋＡ／ｍになるように選択する。
上述のように、希土類−窒化鉄系磁性粉末は、磁気テープ用磁性粉として優れた特性を有するが、それと共に、この磁性粉末は、保存安定性にも優れ、磁気テープを高温多湿環境下に保存したとき、再生出力（Ｃ）、再生出力ノイズ比（Ｃ／Ｎ）の劣化が少ないので、本発明の磁気テープ用に適している。
本発明において、ＭＲヘッドを用いて高いＣ／Ｎを実現するには、上記の希土類−窒化鉄系磁性粉末をはじめとした略粒状の窒化鉄系微粒子磁性粉末が特に好ましい。窒化鉄系磁性粉末の製造方法については、ＷＯ０３／０７９３３２Ａ１、ＷＯ０３／０７９３３３Ａ１に記載されている方法を使用する。
本発明において、ＭＲヘッドを用いて高いＣ／Ｎを実現するには、上記の希土類−窒化鉄系磁性粉末をはじめとした略粒状の窒化鉄系微粒子磁性粉末が特に好ましい。窒化鉄系磁性粉末の製造方法については、ＷＯ０３／０７９３３２Ａ１、ＷＯ０３／０７９３３３Ａ１に記載されている方法を使用する。
磁性粉末には、六方晶Ｂａ−フエライト磁性粉を使用することもできる。略粒状の窒化鉄系微粒子磁性粉末と同様の理由で、粒子サイズ（板面方向の最大さしわたし）（以下、板径ともいう）は３〜３０ｎｍが好ましく、５〜２０ｎｍがより好ましい。また、軸比（板径／板厚）（以下、板状比ともいう）は２未満が好ましく、１．５以下がより好ましく、１．５未満がさらに好ましい。板状比が２以上では、長手方向に磁界を印加して板状磁性粉末の板面を、最上層磁性層の長手方向に配向させても、カレンダ工程で板状磁性粉末の板面が最上層磁性層の垂直方向に倒れて、（ＨｃＭＤ−ＨｃＴＤ）が小さくなったり、カレンダ工程で板状の磁性粉末が下層に食い込んで最上層磁性層と下層の界面が乱れてノイズが高くなるおそれがある。
略粒状の窒化鉄系微粒子磁性粉末と同様の理由で、板径が３０ｎｍを超えたり、３ｎｍ未満となる磁性粒子の混入を排除するものではない。板径（最大さしわたし板径）、板径と板厚の比（板径／板厚）、テープ状になった場合の平均板径等の測定法も、略粒状の窒化鉄系微粒子磁性粉末と同様である。
＜結合剤＞
塗布型磁気テープの磁性層には、ＷＯ０３／０７９３３２Ａ１、ＷＯ０３／０７９３３３Ａ１等に記載のバインダ樹脂（以下、単にバインダと記載）と量を適用できる。バインダとして２種以上の樹脂を併用する場合、官能基の極性を一致させるのが好ましく、中でも−ＳＯ３Ｍ基どうしの組み合わせが好ましい。−ＳＯ３Ｍ基のような官能基を有する塩化ビニル系樹脂と、−ＳＯ３Ｍ基のような官能基を有するポリウレタン樹脂とを複合するか、同種の官能基を有する複数のポリウレタン樹脂を複合して用いるのがより好ましい。これらのバインダとともに、バインダ中に含まれる官能基等と結合させて架橋するために、ポリイソシアネート化合物等の熱硬化性の架橋剤を併用するのが望ましい。しかし、下層の上にウエット・オン・ウエットで磁性層を塗布する場合には、下層塗料からある程度のポリイソシアネート化合物が拡散供給されるので、ポリイソシアネート化合物を併用しなくても、磁性層はある程度架橋される。
塗布型磁気テープの磁性層には、ＷＯ０３／０７９３３２Ａ１、ＷＯ０３／０７９３３３Ａ１等に記載のバインダ樹脂（以下、単にバインダと記載）と量を適用できる。バインダとして２種以上の樹脂を併用する場合、官能基の極性を一致させるのが好ましく、中でも−ＳＯ３Ｍ基どうしの組み合わせが好ましい。−ＳＯ３Ｍ基のような官能基を有する塩化ビニル系樹脂と、−ＳＯ３Ｍ基のような官能基を有するポリウレタン樹脂とを複合するか、同種の官能基を有する複数のポリウレタン樹脂を複合して用いるのがより好ましい。これらのバインダとともに、バインダ中に含まれる官能基等と結合させて架橋するために、ポリイソシアネート化合物等の熱硬化性の架橋剤を併用するのが望ましい。しかし、下層の上にウエット・オン・ウエットで磁性層を塗布する場合には、下層塗料からある程度のポリイソシアネート化合物が拡散供給されるので、ポリイソシアネート化合物を併用しなくても、磁性層はある程度架橋される。
＜充填剤＞
塗布型磁気テープの最上層磁性層には、従来公知のα−アルミナ、α−酸化鉄等のモース硬度が６以上の研磨材を単独でまたは組み合せて添加することができる。通常、これら研磨剤の数平均粒子径は、１０〜１５０ｎｍである。また、必要に応じて、数平均粒子径が１０〜１００ｎｍの板状粒子を添加してもよい。さらに、磁性層には、導電性向上と表面潤滑性向上のため、従来公知の数平均粒子径が１０〜１００ｎｍのカーボンブラックを添加することができる。また、導電性向上のために、数平均粒子径が１０〜１００ｎｍの板状ＩＴＯ粒子を添加してもよい。磁性層に含ませる研磨剤やカーボンブラック等の非磁性粉末は、粒度分布が小さいものほど、幅方向の保磁力（ＨｃＴＤ）が小さくなりやすく、好ましい。
酸化鉄粒子やＩＴＯ粒子の分散性向上の目的で、アルミナ、シリカ、ジルコニア（特にアルミナ）のようなアルミニウム、珪素、ジルコニウム化合物（特にアルミナのような酸化物）で表面処理することが好ましい。
塗布型磁気テープの最上層磁性層には、従来公知のα−アルミナ、α−酸化鉄等のモース硬度が６以上の研磨材を単独でまたは組み合せて添加することができる。通常、これら研磨剤の数平均粒子径は、１０〜１５０ｎｍである。また、必要に応じて、数平均粒子径が１０〜１００ｎｍの板状粒子を添加してもよい。さらに、磁性層には、導電性向上と表面潤滑性向上のため、従来公知の数平均粒子径が１０〜１００ｎｍのカーボンブラックを添加することができる。また、導電性向上のために、数平均粒子径が１０〜１００ｎｍの板状ＩＴＯ粒子を添加してもよい。磁性層に含ませる研磨剤やカーボンブラック等の非磁性粉末は、粒度分布が小さいものほど、幅方向の保磁力（ＨｃＴＤ）が小さくなりやすく、好ましい。
酸化鉄粒子やＩＴＯ粒子の分散性向上の目的で、アルミナ、シリカ、ジルコニア（特にアルミナ）のようなアルミニウム、珪素、ジルコニウム化合物（特にアルミナのような酸化物）で表面処理することが好ましい。
＜磁性塗料の調製＞
塗布型磁気テープの最上層磁性層には、粒子サイズが３０ｎｍ以下の超微粒子磁性粉末を塗膜中に高充填化し、かつ高分散させるためには、下記のような工程で、塗料製造を行うのが好ましい。
混練工程の前工程として、磁性粉の顆粒を解砕機を用いて解砕し、その後、混合機でリン酸系の有機酸等やバインダ樹脂と混合し、磁性粉の表面処理、バインダ樹脂との混合を行う工程を設けるのが好ましい。
混練工程には、連続式２軸混練機により固形分濃度８０〜８５重量％、磁性粉末に対するバインダ樹脂の割合が１７〜３０重量％で混練を行うのが好ましい。
塗布型磁気テープの最上層磁性層には、粒子サイズが３０ｎｍ以下の超微粒子磁性粉末を塗膜中に高充填化し、かつ高分散させるためには、下記のような工程で、塗料製造を行うのが好ましい。
混練工程の前工程として、磁性粉の顆粒を解砕機を用いて解砕し、その後、混合機でリン酸系の有機酸等やバインダ樹脂と混合し、磁性粉の表面処理、バインダ樹脂との混合を行う工程を設けるのが好ましい。
混練工程には、連続式２軸混練機により固形分濃度８０〜８５重量％、磁性粉末に対するバインダ樹脂の割合が１７〜３０重量％で混練を行うのが好ましい。
混練工程の後工程として、連続式２軸混練機か他の希釈装置を用いて、少なくとも１回以上の、バインダ樹脂溶液および／または溶媒を加えて混練希釈する工程、サンドミル等の微小メデイア回転型分散装置による分散工程等により塗料分散を行うのが好ましい。
なお、磁性層に含ませる非磁性粉末が磁性粉末よりも大きなものでは、非磁性粉末が磁性塗料の分散時に分散力となる分散メディアによるせん断応力を遮断して、磁性粉末の分散を阻害する場合がある。このような非磁性粉末は、磁性粉末とは別に分散してスラリー状にしておき、これを磁性粉末を分散した塗料と混合して磁性層用塗料を調製するようにすると、幅方向の保磁力（ＨｃＴＤ）が小さくなりやすく、（ＨｃＭＤ−ＨｃＴＤ）が高い最上層磁性層が得やすいので好ましい。
なお、磁性層に含ませる非磁性粉末が磁性粉末よりも大きなものでは、非磁性粉末が磁性塗料の分散時に分散力となる分散メディアによるせん断応力を遮断して、磁性粉末の分散を阻害する場合がある。このような非磁性粉末は、磁性粉末とは別に分散してスラリー状にしておき、これを磁性粉末を分散した塗料と混合して磁性層用塗料を調製するようにすると、幅方向の保磁力（ＨｃＴＤ）が小さくなりやすく、（ＨｃＭＤ−ＨｃＴＤ）が高い最上層磁性層が得やすいので好ましい。
＜磁場配向処理＞
塗布型磁気テープの最上層磁性層の磁場配向処理は、前述したように従来公知の磁場配向方法で行うことができる。塗布後に、反発磁石で強い（例えば０．５Ｔ以上）配向磁界を印加し、引き続きソレノイド電磁石で均一配向磁界（例えば０．１Ｔ以上）の印加を、最上層磁性層が略乾燥するまで継続させて行うのが好ましい。また、ランニングコストを安くするためには、反発磁石を多数並べる方法を採用してもよいが、磁界の反転が繰り返されるので、均一磁界発生部で乾燥するようにするのが好ましい。
塗布型磁気テープの最上層磁性層の磁場配向処理は、前述したように従来公知の磁場配向方法で行うことができる。塗布後に、反発磁石で強い（例えば０．５Ｔ以上）配向磁界を印加し、引き続きソレノイド電磁石で均一配向磁界（例えば０．１Ｔ以上）の印加を、最上層磁性層が略乾燥するまで継続させて行うのが好ましい。また、ランニングコストを安くするためには、反発磁石を多数並べる方法を採用してもよいが、磁界の反転が繰り返されるので、均一磁界発生部で乾燥するようにするのが好ましい。
＜下層＞
本発明の磁気テープカートリッジに使用する磁気テープにおいては、最上層磁性層の配向性の向上、平滑性の向上、厚さむらの低減、耐久性の向上のため、下層を形成するのが望ましい。特に、塗布型磁気テープにおいては下層形成効果が大きい。また、最上層磁性層の磁気記録信号を乱さないため、通常、下層は非磁性である。
本発明の磁気テープカートリッジに使用する磁気テープにおいては、最上層磁性層の配向性の向上、平滑性の向上、厚さむらの低減、耐久性の向上のため、下層を形成するのが望ましい。特に、塗布型磁気テープにおいては下層形成効果が大きい。また、最上層磁性層の磁気記録信号を乱さないため、通常、下層は非磁性である。
薄膜型磁気テープでは、結晶を微細化し、かつその結晶面の配向を制御することを目的として、金属層、合金層、酸化物層を設けても良い。一例をあげると、純Ｃｒ、ＣｒにＶ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｇｅ、Ｎｂ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ｂから選ばれる１又は２以上の元素を添加した合金や酸化Ｃｒなどである。薄膜型磁気テープの下層の厚さは０．１〜５０ｎｍが好ましい。この範囲が好ましいのは、０．１ｎｍ未満では、結晶の微細化効果や、結晶面の配向効果が不充分になる場合があり、５０ｎｍを超えると効果が飽和するためとコスト高の要因になるためである。
塗布型磁気テープでの下層の厚さは、０．３〜０．９μｍが好ましい。０．３μｍ未満では、磁性層の厚さむらの低減効果、耐久性の向上効果が小さくなる。０．９μｍを超えると、磁気テープの全厚が厚くなりすぎて、テープ１巻当りの記録容量が小さくなる。
塗布型磁気テープの下層に使用するバインダ樹脂は、磁性層と同様のものが用いられる。また、下層には、従来公知の酸化チタン、酸化鉄、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム等の非磁性粒子と、カーボンブラックが使用される。非磁性粒子としては針状、粒状のものが使用されるが、粒状の場合数平均粒子径は１０〜２００ｎｍである。
通常は、数平均長軸長が５０〜２００ｎｍ、数平均短軸長が５〜１００ｎｍの非磁性の酸化鉄と、数平均粒子径が１０〜１００ｎｍのカーボンブラック、必要により、数平均粒子径が１０〜２００ｎｍの酸化アルミニウム、特に数平均粒子径が１０〜１００ｎｍの酸化アルミニウム粒子が用いられる。下層の酸化鉄、酸化チタン等の研磨剤には、分散性向上を目的に、アルミニウム、珪素、ジルコニウムまたはこれらの化合物（特にアルミナのような酸化物）の少なくとも一つで表面処理することが好ましい。処理量は通常２〜１５重量％である。
通常は、数平均長軸長が５０〜２００ｎｍ、数平均短軸長が５〜１００ｎｍの非磁性の酸化鉄と、数平均粒子径が１０〜１００ｎｍのカーボンブラック、必要により、数平均粒子径が１０〜２００ｎｍの酸化アルミニウム、特に数平均粒子径が１０〜１００ｎｍの酸化アルミニウム粒子が用いられる。下層の酸化鉄、酸化チタン等の研磨剤には、分散性向上を目的に、アルミニウム、珪素、ジルコニウムまたはこれらの化合物（特にアルミナのような酸化物）の少なくとも一つで表面処理することが好ましい。処理量は通常２〜１５重量％である。
また、ＷＯ０３／０７９３３２Ａ１、ＷＯ０３／０７９３３３Ａ１に記載されるように、０．９μｍ以下の薄層下層には、数平均板径が１０〜１００ｎｍの板状酸化アルミニウム粒子や酸化鉄を使用することができる。
このような超微粒子の板状非磁性粉末を使用すると、０．９μｍ以下の薄層塗布においても厚みむらが小さく、また表面の平滑性が低下することもない。また、板状の粒子が重なった状態で塗膜が形成されるので、塗膜の平面方向の補強効果が大きく、同時に温度、湿度の変化による寸法安定性も大きくなる。
非磁性板状粒子としては、酸化アルミニウムに限らず、セリウムなどの希土類元素、ジルコニウム、珪素、チタン、マンガン、鉄等の元素の酸化物または複合酸化物が用いられる。導電性改良の目的で、板状ＩＴＯ（インジウム、スズ複合酸化物）粒子を添加してもよい。非磁性板状微粒子の製造方法としては、ＷＯ０３０／０７９３３２Ａ１、ＷＯ０３／０７９３３３Ａ１に記載の公知の方法が用いられる。
なお、酸化鉄、酸化セリウム、酸化チタン、ＩＴＯの分散性向上の目的で、アルミナ、シリカ、ジルコニアのようなアルミニウム、珪素、ジルコニウム化合物（特にアルミナのような酸化物）で表面処理することが好ましい。処理量は通常２〜１５重量％である。
このような超微粒子の板状非磁性粉末を使用すると、０．９μｍ以下の薄層塗布においても厚みむらが小さく、また表面の平滑性が低下することもない。また、板状の粒子が重なった状態で塗膜が形成されるので、塗膜の平面方向の補強効果が大きく、同時に温度、湿度の変化による寸法安定性も大きくなる。
非磁性板状粒子としては、酸化アルミニウムに限らず、セリウムなどの希土類元素、ジルコニウム、珪素、チタン、マンガン、鉄等の元素の酸化物または複合酸化物が用いられる。導電性改良の目的で、板状ＩＴＯ（インジウム、スズ複合酸化物）粒子を添加してもよい。非磁性板状微粒子の製造方法としては、ＷＯ０３０／０７９３３２Ａ１、ＷＯ０３／０７９３３３Ａ１に記載の公知の方法が用いられる。
なお、酸化鉄、酸化セリウム、酸化チタン、ＩＴＯの分散性向上の目的で、アルミナ、シリカ、ジルコニアのようなアルミニウム、珪素、ジルコニウム化合物（特にアルミナのような酸化物）で表面処理することが好ましい。処理量は通常２〜１５重量％である。
＜潤滑剤＞
薄膜型磁気テープでは、最上層磁性層の上、または５〜３０ｎｍ（特に５〜１５ｎｍ）のＤＬＣ膜（ダイヤモンドライクカーボン膜）を介してフッ素系の潤滑剤を形成する。
塗布型磁気テープでは、磁性層、下層には、ＷＯ０３／０７９３３２Ａ１、ＷＯ０３／０７９３３３Ａ１に記載の従来公知の潤滑剤を添加でき、その添加量も上記公知の量でよい。例えば、下層にミリスチン酸、ステアリン酸、パルミチン酸等の炭素数１０以上の高級脂肪酸と、ステアリン酸ブチルなどの高級脂肪酸のエステルを含有させると、ヘッドとの摩擦係数が小さくなるので、好ましい。また、磁性層には、パルミチン酸、ステアリン酸等のアミドである脂肪酸アミドと、高級脂肪酸のエステルを含有させると、テープ走行時の摩擦係数が小さくなるので、好ましい。なお、磁性層の潤滑剤と下層の潤滑剤の相互移動を排除するものではない。
薄膜型磁気テープでは、最上層磁性層の上、または５〜３０ｎｍ（特に５〜１５ｎｍ）のＤＬＣ膜（ダイヤモンドライクカーボン膜）を介してフッ素系の潤滑剤を形成する。
塗布型磁気テープでは、磁性層、下層には、ＷＯ０３／０７９３３２Ａ１、ＷＯ０３／０７９３３３Ａ１に記載の従来公知の潤滑剤を添加でき、その添加量も上記公知の量でよい。例えば、下層にミリスチン酸、ステアリン酸、パルミチン酸等の炭素数１０以上の高級脂肪酸と、ステアリン酸ブチルなどの高級脂肪酸のエステルを含有させると、ヘッドとの摩擦係数が小さくなるので、好ましい。また、磁性層には、パルミチン酸、ステアリン酸等のアミドである脂肪酸アミドと、高級脂肪酸のエステルを含有させると、テープ走行時の摩擦係数が小さくなるので、好ましい。なお、磁性層の潤滑剤と下層の潤滑剤の相互移動を排除するものではない。
＜バック層＞
本発明の磁気テープを構成する非磁性支持体の他方の面（磁性層が形成されている面とは反対側の面）には、走行性の向上等を目的として、バック層を形成できる。
このバック層は、蒸着、スパッタ、ＣＶＤ、塗布により、形成できる。バック層に磁気サーボ信号を記録する場合には、従来公知の薄膜型または塗布型磁性層がバック層に使用されるが、磁性層に磁気サーボ信号を記録する場合や、バック層に光学サーボ信号を記録する場合には、バック層としてバックコート層が使用される。バックコート層としては、カーボンブラックとバインダ樹脂からなるバックコート層が一般的である。このようなバックコート層の厚さとしては、０．２〜０．８μｍが好ましい。また、表面粗さＲａとしては、３〜８ｎｍが好ましく、４〜７ｎｍがより好ましい。
本発明の磁気テープを構成する非磁性支持体の他方の面（磁性層が形成されている面とは反対側の面）には、走行性の向上等を目的として、バック層を形成できる。
このバック層は、蒸着、スパッタ、ＣＶＤ、塗布により、形成できる。バック層に磁気サーボ信号を記録する場合には、従来公知の薄膜型または塗布型磁性層がバック層に使用されるが、磁性層に磁気サーボ信号を記録する場合や、バック層に光学サーボ信号を記録する場合には、バック層としてバックコート層が使用される。バックコート層としては、カーボンブラックとバインダ樹脂からなるバックコート層が一般的である。このようなバックコート層の厚さとしては、０．２〜０．８μｍが好ましい。また、表面粗さＲａとしては、３〜８ｎｍが好ましく、４〜７ｎｍがより好ましい。
バックコート層に含ませるカーボンブラックには、従来公知のアセチレンブラック、ファーネスブラック、サーマルブラック等の小粒径カーボンブラックと、少量の大粒径カーボンブラックを使用する。小粒径カーボンブラックの数平均粒子径は５〜１００ｎｍで、大粒径カーボンブラックの数平均粒径２００〜４００ｎｍである。
バックコート層のバインダ樹脂としては、セルロース系樹脂とポリウレタン系樹脂を使用するのが好ましい。また、バインダ樹脂を硬化するために、ポリイソシアネート化合物等の架橋剤を用いるのが好ましい。
また、バックコート層には、必要により、強度向上を目的として、数平均粒子径が１０〜１００ｎｍの酸化アルミニウム、セリウム等の希土類元素、ジルコニウム、珪素、チタン、マンガン、鉄等の元素の酸化物または複合酸化物板状粒子や、導電性改良を目的として、板状ＩＴＯを添加することができる。
なお、バックコート層の酸化鉄、酸化セリウム、酸化マンガン、ＩＴＯの分散性向上の目的で、アルミナ、シリカ、ジルコニアのようなアルミニウム、珪素、ジルコニウム化合物（特にアルミナのような酸化物）で表面処理することが好ましい。処理量は通常２〜１５重量％である。
バックコート層のバインダ樹脂としては、セルロース系樹脂とポリウレタン系樹脂を使用するのが好ましい。また、バインダ樹脂を硬化するために、ポリイソシアネート化合物等の架橋剤を用いるのが好ましい。
また、バックコート層には、必要により、強度向上を目的として、数平均粒子径が１０〜１００ｎｍの酸化アルミニウム、セリウム等の希土類元素、ジルコニウム、珪素、チタン、マンガン、鉄等の元素の酸化物または複合酸化物板状粒子や、導電性改良を目的として、板状ＩＴＯを添加することができる。
なお、バックコート層の酸化鉄、酸化セリウム、酸化マンガン、ＩＴＯの分散性向上の目的で、アルミナ、シリカ、ジルコニアのようなアルミニウム、珪素、ジルコニウム化合物（特にアルミナのような酸化物）で表面処理することが好ましい。処理量は通常２〜１５重量％である。
＜有機溶剤＞
塗布型磁気テープ用の磁性塗料、下層塗料、薄膜型および塗布型磁気テープ用のバックコート層塗料に使用する有機溶剤としては、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶剤、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶剤、酢酸エチル、酢酸ブチル等の酢酸エステル系溶剤等が挙げられる。これらの有機溶剤は、単独でまたは混合して使用でき、さらにトルエンなどと混合して使用することもできる。
塗布型磁気テープ用の磁性塗料、下層塗料、薄膜型および塗布型磁気テープ用のバックコート層塗料に使用する有機溶剤としては、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶剤、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶剤、酢酸エチル、酢酸ブチル等の酢酸エステル系溶剤等が挙げられる。これらの有機溶剤は、単独でまたは混合して使用でき、さらにトルエンなどと混合して使用することもできる。
＜スリッタ装置＞
図５に示したスリッティングシステム１００を用いて磁気テープ原反Ｇを裁断して磁気テープ３とする。ここで、図５中に記載されているテンションカットローラ５０のサクション吸引部の拡大図を図６に示す。このサクション吸引部は、図示しない吸引源に連通されて磁気テープ原反を吸引する吸引部５１と、外周面に磁気テープ原反が接触するテープ接触部５２とからなり、これらを、テンションカットローラ５０の外周面に沿って一定間隔をあけて交互に配置した構成である。図示例では、テンションカットローラ５０の外周面において、一つの吸引部５１の終端から直ぐ隣の吸引部５１の終端までの周方向距離、つまり吸引部５１の周期Ｔ１は例えば１３．５ｍｍである。通常、吸引部５１は孔が開いているが、改良システムでは、多孔金属を埋め込みメッシュサクションとした。このようなテンションカットローラ５０を備えたスリッティングシステム１００を使用し、そのサクションの吸引圧を例えば１．３３×１０４Ｐａ（１００ｍｍＨｇ）、テンションカットローラ５０に対する磁気テープ原反Ｇの巻付角を例えば１８８度に設定して、磁気テープ原反Ｇに対するスリティングを行う。図示はしないが、通常のスリッティングシステムでは、図５中の刃物駆動部６０に駆動モータから駆動ベルトを介して動力伝える動力伝達装置がついている。改良装置では刃物駆動部６０に駆動ベルトを介さず動力を伝えるダイレクトドライブ方式とした。さらに、ダイレクトドライブの使用するモータを超防振構造に改良して、刃物駆動部６０に振動が発生しない構造とした。通常のサクションローラとベルトドライブとの組合せをスリッティングシステムＡ、メッシュサクションローラとダイレクトドライブとの組合せをスリッティングシステムＢ、メッシュサクションローラと防振ダイレクトドライブとの組合せをスリッティングシステムＣとする。
図５に示したスリッティングシステム１００を用いて磁気テープ原反Ｇを裁断して磁気テープ３とする。ここで、図５中に記載されているテンションカットローラ５０のサクション吸引部の拡大図を図６に示す。このサクション吸引部は、図示しない吸引源に連通されて磁気テープ原反を吸引する吸引部５１と、外周面に磁気テープ原反が接触するテープ接触部５２とからなり、これらを、テンションカットローラ５０の外周面に沿って一定間隔をあけて交互に配置した構成である。図示例では、テンションカットローラ５０の外周面において、一つの吸引部５１の終端から直ぐ隣の吸引部５１の終端までの周方向距離、つまり吸引部５１の周期Ｔ１は例えば１３．５ｍｍである。通常、吸引部５１は孔が開いているが、改良システムでは、多孔金属を埋め込みメッシュサクションとした。このようなテンションカットローラ５０を備えたスリッティングシステム１００を使用し、そのサクションの吸引圧を例えば１．３３×１０４Ｐａ（１００ｍｍＨｇ）、テンションカットローラ５０に対する磁気テープ原反Ｇの巻付角を例えば１８８度に設定して、磁気テープ原反Ｇに対するスリティングを行う。図示はしないが、通常のスリッティングシステムでは、図５中の刃物駆動部６０に駆動モータから駆動ベルトを介して動力伝える動力伝達装置がついている。改良装置では刃物駆動部６０に駆動ベルトを介さず動力を伝えるダイレクトドライブ方式とした。さらに、ダイレクトドライブの使用するモータを超防振構造に改良して、刃物駆動部６０に振動が発生しない構造とした。通常のサクションローラとベルトドライブとの組合せをスリッティングシステムＡ、メッシュサクションローラとダイレクトドライブとの組合せをスリッティングシステムＢ、メッシュサクションローラと防振ダイレクトドライブとの組合せをスリッティングシステムＣとする。
スリッティングシステムＡで用いられるテンションカットローラ５０では、外周に沿って一定間隔ごとにサクション吸引部５１が設けられている。この部分が、ローラ５０の軸方向（図６において紙面と直交する方向）に一定間隔を開けて配置された複数の孔で形成されていたため、磁気テープ原反に対して吸引状態と非吸引状態を繰り返したときに磁気テープ原反が比較的大きくばたつき、その結果、上述したような図６の周期Ｔ１に応じた短周期（例えば１３．５ｍｍ）のエッジウィーブが発生する。これにベルトドライブの振動が刃物駆動部６０に加わるため大きいエッジウィーブ量も比較的大きい。
また、スリッティングシステムＢでは、上記のサクション吸引部５１をメッシュあるいは多孔質材料で形成してメッシュサクションとしたテンションカットローラを使用し、刃物駆動部６０への動力伝達機構をダイレクトドライブ方式にしたので、図６の周期Ｔ１に応じた短い波長のエッジウィーブは殆どなくなるが、原因は不明であるが例えば波長６５ｍｍのエッジウィーブが観察された。但しエッジウィーブ量は従来のスリッティングシステムの場合よりも小さい。このエッジウィーブ量は、スリッティングシステムＣに変更すると若干減少する。
例えば波長６５ｍｍのエッジウィーブは、磁気テープの厚さむらに起因するもので、刃物の上刃と下刃は一定の圧力で相互に押し付けられているが、磁気テープが厚い部分では、上刃と下刃とのクリアランスが大きく、磁気テープが薄い部分では、上刃と下刃とのクリアランスが小さくなり、厚さむらがあるとエッジウィーブが発生する。この原因に基づくエッジウィーブを低減するためには、磁気テープの厚さむらを低減する必要がある。
リニアレコーディングタイプの磁気テープカートリッジに使用する本発明の磁気テープおよび磁気テープカートリッジの好ましい形態としては、下記のようである。
（１） 磁気テープのエッジウィーブ量が１μｍ以下で、磁気テープの最上層磁性層の長手方向の保磁力ＨｃＭＤと幅方向の保磁力ＨｃＴＤとの差〔ＨｃMＤ−ＨｃTＤ〕が１４０ｋＡ／ｍ以上ＨｃMＤ以下が好ましい。エッジウィーブ量は０．８μｍ以下がより好ましく、０．６μｍ以下がさらに好ましい。また、（ＨｃＭＤ−ＨｃＴＤ）は、１５５ｋＡ／ｍ以上がより好ましく、１６０ｋＡ／ｍ以上がさらに好ましく、１８０ｋＡ／ｍ以上がいっそう好ましい。
（２） 磁気テープの最上層磁性層の長手方向の角形（Ｂｒ／Ｂｍ）MDと幅方向の角形（Ｂｒ／Ｂｍ）TDとの比［（Ｂｒ／Ｂｍ）MD／（Ｂｒ／Ｂｍ）TD］が３．０以上が好ましく、３．５以上がより好ましく、４．０以上がさらに好ましく、４．５以上がいっそう好ましい。通常１２以下である。
（３） 長手方向のヤング率が１１ＧＰａ以上が好ましく、長手方向のヤング率は１２ＧＰａ以上がより好ましく、１４ＧＰａ以上がさらに好ましい。通常、長手方向のヤング率は３０ＧＰａ以下である。
（４） 磁気テープの最上層磁性層の長手方向の保磁力ＨｃMＤが１６０〜４００ｋＡ／ｍであることが好ましい。
（５） 磁気テープの最上層磁性層における〔（長手方向の保磁力）／（幅方向の保磁力）〕の値が２．２以上であることが好ましい。通常は１０以下である。
（６） 磁気テープの上層磁性層の厚さが０．０９μｍ以下であることが好ましい。
（７） 磁気テープの最上層磁性層の残留磁束密度（Ｂｒ）と厚さδとの積（Ｂｒ・δ）が０．００１８μＴｍ以上、０．０５μＴｍ以下であることが好ましい。
（８） 磁気テープが、非磁性支持体と最上層磁性層との間に、少なくとも１層の下層を有することが好ましい。
（９） 磁気テープが、非磁性支持体の他方の面上に形成されたバック層を有することが好ましい。
（10） 磁気テープのバック層がカーボンブラック粉末と結合剤とを含有するバックコート層であることが好ましい。
（11） 磁気テープの磁気テープの全厚が６μｍ未満であることが好ましい。
（12） 磁気テープに記録された磁気記録信号は磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＭＲヘッド）で再生される磁気テープカートリッジが好ましい。
（13） 磁気テープに記録されたサーボ信号によってトラッキングされる磁気記録カートリッジが好ましい。
（14） サーボ信号が、磁気サーボ信号および光学サーボ信号からなる群から選ばれる少なくとも一つのサーボ信号である磁気記録カートリッジが好ましい。
（15） 磁気テープの磁性層およびバック層の少なくとも一方にサーボ信号が記録されている磁気記録カートリッジが好ましい。
（16） サーボ信号は磁気サーボ信号であり、磁気サーボ信号が磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＭＲヘッド）で再生される磁気記録カートリッジが好ましい。
（17） サーボ信号は光学サーボ信号であり、光学サーボ信号で再生される磁気記録カートリッジが好ましい。
（18） 箱状のケース本体、該ケース本体の内部に配置された、磁気テープを巻回した単一リールを有する、リニアトラッキングタイプの磁気テープカートリッジが好ましい。
（１） 磁気テープのエッジウィーブ量が１μｍ以下で、磁気テープの最上層磁性層の長手方向の保磁力ＨｃＭＤと幅方向の保磁力ＨｃＴＤとの差〔ＨｃMＤ−ＨｃTＤ〕が１４０ｋＡ／ｍ以上ＨｃMＤ以下が好ましい。エッジウィーブ量は０．８μｍ以下がより好ましく、０．６μｍ以下がさらに好ましい。また、（ＨｃＭＤ−ＨｃＴＤ）は、１５５ｋＡ／ｍ以上がより好ましく、１６０ｋＡ／ｍ以上がさらに好ましく、１８０ｋＡ／ｍ以上がいっそう好ましい。
（２） 磁気テープの最上層磁性層の長手方向の角形（Ｂｒ／Ｂｍ）MDと幅方向の角形（Ｂｒ／Ｂｍ）TDとの比［（Ｂｒ／Ｂｍ）MD／（Ｂｒ／Ｂｍ）TD］が３．０以上が好ましく、３．５以上がより好ましく、４．０以上がさらに好ましく、４．５以上がいっそう好ましい。通常１２以下である。
（３） 長手方向のヤング率が１１ＧＰａ以上が好ましく、長手方向のヤング率は１２ＧＰａ以上がより好ましく、１４ＧＰａ以上がさらに好ましい。通常、長手方向のヤング率は３０ＧＰａ以下である。
（４） 磁気テープの最上層磁性層の長手方向の保磁力ＨｃMＤが１６０〜４００ｋＡ／ｍであることが好ましい。
（５） 磁気テープの最上層磁性層における〔（長手方向の保磁力）／（幅方向の保磁力）〕の値が２．２以上であることが好ましい。通常は１０以下である。
（６） 磁気テープの上層磁性層の厚さが０．０９μｍ以下であることが好ましい。
（７） 磁気テープの最上層磁性層の残留磁束密度（Ｂｒ）と厚さδとの積（Ｂｒ・δ）が０．００１８μＴｍ以上、０．０５μＴｍ以下であることが好ましい。
（８） 磁気テープが、非磁性支持体と最上層磁性層との間に、少なくとも１層の下層を有することが好ましい。
（９） 磁気テープが、非磁性支持体の他方の面上に形成されたバック層を有することが好ましい。
（10） 磁気テープのバック層がカーボンブラック粉末と結合剤とを含有するバックコート層であることが好ましい。
（11） 磁気テープの磁気テープの全厚が６μｍ未満であることが好ましい。
（12） 磁気テープに記録された磁気記録信号は磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＭＲヘッド）で再生される磁気テープカートリッジが好ましい。
（13） 磁気テープに記録されたサーボ信号によってトラッキングされる磁気記録カートリッジが好ましい。
（14） サーボ信号が、磁気サーボ信号および光学サーボ信号からなる群から選ばれる少なくとも一つのサーボ信号である磁気記録カートリッジが好ましい。
（15） 磁気テープの磁性層およびバック層の少なくとも一方にサーボ信号が記録されている磁気記録カートリッジが好ましい。
（16） サーボ信号は磁気サーボ信号であり、磁気サーボ信号が磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＭＲヘッド）で再生される磁気記録カートリッジが好ましい。
（17） サーボ信号は光学サーボ信号であり、光学サーボ信号で再生される磁気記録カートリッジが好ましい。
（18） 箱状のケース本体、該ケース本体の内部に配置された、磁気テープを巻回した単一リールを有する、リニアトラッキングタイプの磁気テープカートリッジが好ましい。
つぎに、本発明の実施例を記載して、さらに具体的に説明する。ただし、本発明は以下の実施例にのみ限定されるものではない。
なお、以下の実施例および比較例において、部とあるのは重量部を示すものとする。
なお、以下の実施例および比較例において、部とあるのは重量部を示すものとする。
実施例１
＜下層塗料成分＞
（１）成分
非磁性針状酸化鉄粉末（平均粒径：１００ｎｍ、軸比：５ ６８部
Ａｌ２Ｏ３：１０重量％）
粒状アルミナ粉末（平均粒径：８０ｎｍ） ８部
カーボンブラック（平均粒径：２５ｎｍ） ２４部
ステアリン酸 ２．０部
塩化ビニル−ヒドロキシプロピルアクリレート共重合体 ８．８部
（含有−ＳＯ３Ｎａ基：１×１０-4当量／ｇ）
ポリエステルポリウレタン樹脂 ４．４部
（Ｔｇ：４０℃、含有−ＳＯ３Ｎａ基：１×１０-4当量／ｇ）
シクロヘキサノン ２５部
メチルエチルケトン ４０部
トルエン １０部
（２）成分
ステアリン酸ブチル １部
シクロヘキサノン ７０部
メチルエチルケトン ５０部
トルエン ２０部
（３）成分
ポリイソシアネート 1.４部
シクロヘキサノン １０部
メチルエチルケトン １５部
トルエン １０部
＜下層塗料成分＞
（１）成分
非磁性針状酸化鉄粉末（平均粒径：１００ｎｍ、軸比：５ ６８部
Ａｌ２Ｏ３：１０重量％）
粒状アルミナ粉末（平均粒径：８０ｎｍ） ８部
カーボンブラック（平均粒径：２５ｎｍ） ２４部
ステアリン酸 ２．０部
塩化ビニル−ヒドロキシプロピルアクリレート共重合体 ８．８部
（含有−ＳＯ３Ｎａ基：１×１０-4当量／ｇ）
ポリエステルポリウレタン樹脂 ４．４部
（Ｔｇ：４０℃、含有−ＳＯ３Ｎａ基：１×１０-4当量／ｇ）
シクロヘキサノン ２５部
メチルエチルケトン ４０部
トルエン １０部
（２）成分
ステアリン酸ブチル １部
シクロヘキサノン ７０部
メチルエチルケトン ５０部
トルエン ２０部
（３）成分
ポリイソシアネート 1.４部
シクロヘキサノン １０部
メチルエチルケトン １５部
トルエン １０部
＜磁性塗料成分＞
（１）混練工程成分
粒状磁性粉（Ｙ−Ｎ−Ｆｅ）〔以下、（Ａ）粉という〕 １００部
（外層部分にＹ，Ａｌを主体的に含有し、コアー部分にＦｅ16Ｎ２相
を含有、Ｙ／Ｆｅ：５．５原子％、Ａｌ／Ｆｅ：８．２原子％、
Ｎ／Ｆｅ：１１．９原子％、Ｆｅ16Ｎ２相：主相、
飽和磁化量：１０１．５Ａｍ２／ｋｇ（１０１．５ｅｍｕ／ｇ）、
Ｈｃ：２１１．０ｋＡ／ｍ（２，６５０Ｏｅ）、
平均粒子サイズ：１７ｎｍ、平均軸比：１．２）
塩化ビニル−ヒドロキシプロピルアクリレート共重合体 １３部
（含有−ＳＯ３Ｎａ基：０．７×１０-4当量／ｇ）
ポリエステルポリウレタン樹脂 ４．５部
（含有−ＳＯ３Ｎａ基：１．０×１０-4当量／ｇ）
メチルアシッドホスフェート ２部
テトラヒドロフラン ２０部
メチルエチルケトン／シクロヘキサノン（重量で1：1） ９部
（２）希釈工程成分
パルミチン酸アミド 1.５部
ステアリン酸ｎ−ブチル １部
メチルエチルケトン／シクロヘキサノン（重量で1：1） ３５０部
（３）別分散スラリー成分
粒状アルミナ粉末（平均粒径：８０ｎｍ） １０部
塩化ビニル−ヒドロキシプロピルアクリレート共重合体 １部
メチルエチルケトン／シクロヘキサノン（重量で1：1） １５部
（４）配合工程成分
ポリイソシアネート 1.５部
メチルエチルケトン／シクロヘキサノン（重量で1：1） ２９部
（１）混練工程成分
粒状磁性粉（Ｙ−Ｎ−Ｆｅ）〔以下、（Ａ）粉という〕 １００部
（外層部分にＹ，Ａｌを主体的に含有し、コアー部分にＦｅ16Ｎ２相
を含有、Ｙ／Ｆｅ：５．５原子％、Ａｌ／Ｆｅ：８．２原子％、
Ｎ／Ｆｅ：１１．９原子％、Ｆｅ16Ｎ２相：主相、
飽和磁化量：１０１．５Ａｍ２／ｋｇ（１０１．５ｅｍｕ／ｇ）、
Ｈｃ：２１１．０ｋＡ／ｍ（２，６５０Ｏｅ）、
平均粒子サイズ：１７ｎｍ、平均軸比：１．２）
塩化ビニル−ヒドロキシプロピルアクリレート共重合体 １３部
（含有−ＳＯ３Ｎａ基：０．７×１０-4当量／ｇ）
ポリエステルポリウレタン樹脂 ４．５部
（含有−ＳＯ３Ｎａ基：１．０×１０-4当量／ｇ）
メチルアシッドホスフェート ２部
テトラヒドロフラン ２０部
メチルエチルケトン／シクロヘキサノン（重量で1：1） ９部
（２）希釈工程成分
パルミチン酸アミド 1.５部
ステアリン酸ｎ−ブチル １部
メチルエチルケトン／シクロヘキサノン（重量で1：1） ３５０部
（３）別分散スラリー成分
粒状アルミナ粉末（平均粒径：８０ｎｍ） １０部
塩化ビニル−ヒドロキシプロピルアクリレート共重合体 １部
メチルエチルケトン／シクロヘキサノン（重量で1：1） １５部
（４）配合工程成分
ポリイソシアネート 1.５部
メチルエチルケトン／シクロヘキサノン（重量で1：1） ２９部
上記の下層塗料成分のうち、（１）成分を回分式ニーダで混練したのち、（２）成分を加えて、攪拌後、サンドミルで滞留時間を６０分として分散処理を行い、これに（３）成分を加えて、攪拌、ろ過したのち、下層塗料（下層用塗料）とした。
これとは別に、上記の磁性塗料成分のうち、（１）の混練工程成分中、磁性粉末全量と樹脂および溶剤の所定量を予め高速撹拌混合しておき、その混合粉末を（１）の混練工程成分となるように調整したのち、連続式２軸混練機で混練し、さらに（２）の希釈工程成分を加えて、連続式２軸混練機で少なくとも２段階以上に分けて希釈を行い、サンドミルで分散メディアとして直径０．５ｍｍのジルコニアビ−ズを用いて、滞留時間を４５分として分散した。これに（３）の別分散スラリー成分をサンドミルで滞留時間を４０分として分散したものを加え、さらに（４）の配合工程成分を加えて、撹拌、ろ過したのち、磁性塗料とした。
これとは別に、上記の磁性塗料成分のうち、（１）の混練工程成分中、磁性粉末全量と樹脂および溶剤の所定量を予め高速撹拌混合しておき、その混合粉末を（１）の混練工程成分となるように調整したのち、連続式２軸混練機で混練し、さらに（２）の希釈工程成分を加えて、連続式２軸混練機で少なくとも２段階以上に分けて希釈を行い、サンドミルで分散メディアとして直径０．５ｍｍのジルコニアビ−ズを用いて、滞留時間を４５分として分散した。これに（３）の別分散スラリー成分をサンドミルで滞留時間を４０分として分散したものを加え、さらに（４）の配合工程成分を加えて、撹拌、ろ過したのち、磁性塗料とした。
芳香族ポリアミドフイルム（厚さ３．３μｍ、ＭＤ＝１３．７ＧＰａ、ＴＤ＝１３．４ＧＰａ、東レ社製の商品名「ミクトロン」）からなる非磁性支持体（ベースフィルム）上に、上記の下層塗料を、乾燥、カレンダ後の厚さが０．６μｍとなるように塗布し、この下層上に、さらに上記の磁性塗料を、磁場配向処理、乾燥、カレンダ処理後の磁性層の厚さが０．０９μｍとなるように、ウエット・オン・ウエットで塗布し、磁場配向処理後、ドライヤおよび遠赤外線を用いて乾燥し、磁気シートを作製した。
なお、上記磁場配向処理は、ドライヤ前に５０ｃｍ長さのＮ−Ｎ対向磁石（０．５Ｔ）１基、ドライヤ内に５０ｃｍ長さのソレノイド電磁石（０．２Ｔ）５基を２０ｃｍ間隔で設置して、行った。Ｎ−Ｎ対向磁石とソレノイド電磁石との距離は２０ｃｍで、対向磁石に近いソレノイド電磁石の極はＳ極である。塗膜の指蝕乾燥位置（粒子が全く動かなくなる位置）は、４台目と５台目のソレノイド電磁石の間であった。塗布速度は１００ｍ／分とした。以下、この磁場のかけかたを、配向方法（Ａ）という。
なお、上記磁場配向処理は、ドライヤ前に５０ｃｍ長さのＮ−Ｎ対向磁石（０．５Ｔ）１基、ドライヤ内に５０ｃｍ長さのソレノイド電磁石（０．２Ｔ）５基を２０ｃｍ間隔で設置して、行った。Ｎ−Ｎ対向磁石とソレノイド電磁石との距離は２０ｃｍで、対向磁石に近いソレノイド電磁石の極はＳ極である。塗膜の指蝕乾燥位置（粒子が全く動かなくなる位置）は、４台目と５台目のソレノイド電磁石の間であった。塗布速度は１００ｍ／分とした。以下、この磁場のかけかたを、配向方法（Ａ）という。
＜バックコート層用塗料成分＞
カーボンブラック（平均粒径：２５ｎｍ） ８０部
カーボンブラック（平均粒径：３５０ｎｍ） １０部
粒状酸化鉄粉末（平均粒径：５０ｎｍ、Ａｌ２Ｏ３：３重量％） １０部
ニトロセルロース ４５部
ポリウレタン樹脂（ＳＯ３Ｎａ基含有） ３０部
シクロヘキサノン ２６０部
トルエン ２６０部
メチルエチルケトン ５２５部
カーボンブラック（平均粒径：２５ｎｍ） ８０部
カーボンブラック（平均粒径：３５０ｎｍ） １０部
粒状酸化鉄粉末（平均粒径：５０ｎｍ、Ａｌ２Ｏ３：３重量％） １０部
ニトロセルロース ４５部
ポリウレタン樹脂（ＳＯ３Ｎａ基含有） ３０部
シクロヘキサノン ２６０部
トルエン ２６０部
メチルエチルケトン ５２５部
上記バックコート層用塗料成分を、サンドミルで滞留時間４５分として分散したのち、ポリイソシアネート１５部を加えて、ろ過したのち、バックコート層用塗料を調製した。この塗料を、前記の方法で作製した磁気シートの磁性層の反対面に、乾燥、カレンダ後の厚さが０．５μｍとなるように、塗布し、乾燥した。
その後、この磁気シートを、金属ロールからなる７段カレンダで、温度１００℃、線圧２００ｋｇ／ｃｍの条件で、鏡面化処理し、さらに磁気シートをコアーに巻いた状態で、７０℃７２時間エージングしたのち、上述のスリッティングシステムＣを用いて１／２インチ幅に裁断した。これを２００ｍ／分で走行させながら、磁性層表面に対し、ラッピングテープ研磨、ブレード研磨、表面拭き取りの後処理を行い、磁気テープを作製した。
ラッピングテープにはＫ１００００、ブレードには超硬刃、表面拭き取りには東レ社製の商品名「トレシー」を用い、走行テンション０．２９４Ｎで処理を行った。
このようにして得られた磁気テープにサーボライタで磁気サーボ信号を記録し、コンピュータ用磁気テープを作製した。この磁気テープの残留磁束密度と磁性層厚さの積Ｂｒ・δは、０．０３２μＴｍであった。さらに、この磁気テープを単一リールに巻回し、図２、図３に示すリニアレコーディングタイプのカートリッジに組み込み、コンピュータ用磁気テープカートリッジを作製した。
その後、この磁気シートを、金属ロールからなる７段カレンダで、温度１００℃、線圧２００ｋｇ／ｃｍの条件で、鏡面化処理し、さらに磁気シートをコアーに巻いた状態で、７０℃７２時間エージングしたのち、上述のスリッティングシステムＣを用いて１／２インチ幅に裁断した。これを２００ｍ／分で走行させながら、磁性層表面に対し、ラッピングテープ研磨、ブレード研磨、表面拭き取りの後処理を行い、磁気テープを作製した。
ラッピングテープにはＫ１００００、ブレードには超硬刃、表面拭き取りには東レ社製の商品名「トレシー」を用い、走行テンション０．２９４Ｎで処理を行った。
このようにして得られた磁気テープにサーボライタで磁気サーボ信号を記録し、コンピュータ用磁気テープを作製した。この磁気テープの残留磁束密度と磁性層厚さの積Ｂｒ・δは、０．０３２μＴｍであった。さらに、この磁気テープを単一リールに巻回し、図２、図３に示すリニアレコーディングタイプのカートリッジに組み込み、コンピュータ用磁気テープカートリッジを作製した。
実施例２
磁性塗料成分中、磁性粉末（Ｙ−Ｎ−Ｆｅ）の平均粒子サイズを１３ｎｍ（平均軸比は１．２）のものに変更した以外は、実施例１と同様にして、磁気テープを作製した。また、これを用いてコンピュータ用磁気テープとコンピュータ用磁気テープカートリッジを作製した。
磁性塗料成分中、磁性粉末（Ｙ−Ｎ−Ｆｅ）の平均粒子サイズを１３ｎｍ（平均軸比は１．２）のものに変更した以外は、実施例１と同様にして、磁気テープを作製した。また、これを用いてコンピュータ用磁気テープとコンピュータ用磁気テープカートリッジを作製した。
実施例３
磁性塗料成分中、磁性粉末（Ｙ−Ｎ−Ｆｅ）の平均粒子サイズを２８ｎｍ（平均軸比は１．２）のものに変更した以外は、実施例１と同様にして、磁気テープを作製した。また、これを用いてコンピュータ用磁気テープとコンピュータ用磁気テープカートリッジを作製した。
磁性塗料成分中、磁性粉末（Ｙ−Ｎ−Ｆｅ）の平均粒子サイズを２８ｎｍ（平均軸比は１．２）のものに変更した以外は、実施例１と同様にして、磁気テープを作製した。また、これを用いてコンピュータ用磁気テープとコンピュータ用磁気テープカートリッジを作製した。
実施例４
磁場配向処理において、ソレノイド電磁石の強度を０．３５Ｔに変更した以外は、実施例１と同様にして、磁気テープを作製した。また、これを用いてコンピュータ用磁気テープとコンピュータ用磁気テープカートリッジを作製した。
磁場配向処理において、ソレノイド電磁石の強度を０．３５Ｔに変更した以外は、実施例１と同様にして、磁気テープを作製した。また、これを用いてコンピュータ用磁気テープとコンピュータ用磁気テープカートリッジを作製した。
実施例５
磁性塗料成分中、（３）の別分散スラリー成分の添加を省いた以外は、実施例１と同様にして、磁気テープを作製した。また、これを用いてコンピュータ用磁気テープとコンピュータ用磁気テープカートリッジを作製した。
磁性塗料成分中、（３）の別分散スラリー成分の添加を省いた以外は、実施例１と同様にして、磁気テープを作製した。また、これを用いてコンピュータ用磁気テープとコンピュータ用磁気テープカートリッジを作製した。
実施例６
磁場配向処理において、ソレノイド電磁石の強度を０．１０Ｔに変更した以外は、実施例１と同様にして、磁気テープを作製した。また、これを用いてコンピュータ用磁気テープとコンピュータ用磁気テープカートリッジを作製した。
磁場配向処理において、ソレノイド電磁石の強度を０．１０Ｔに変更した以外は、実施例１と同様にして、磁気テープを作製した。また、これを用いてコンピュータ用磁気テープとコンピュータ用磁気テープカートリッジを作製した。
実施例７
磁場配向処理を、下記のように変更した以外は、実施例１と同様にして、磁気テープを作製した。また、これを用いてコンピュータ用磁気テープとコンピュータ用磁気テープカートリッジを作製した。
ドライヤ前に５０ｃｍ長さのＮ−Ｎ対向磁石（０．５Ｔ）を設置し、ドライヤ内で塗膜の指蝕乾燥位置の手前側７５ｃｍから５０ｃｍ長さのＳ−Ｓ対向磁石（０．５Ｔ）とＮ−Ｎ対向磁石（０．５Ｔ）各１基を５０ｃｍ間隔で設置して行った。塗布速度は１００ｍ／分とした。以下、この磁場のかけかたを、配向方法（Ｂ）という。
磁場配向処理を、下記のように変更した以外は、実施例１と同様にして、磁気テープを作製した。また、これを用いてコンピュータ用磁気テープとコンピュータ用磁気テープカートリッジを作製した。
ドライヤ前に５０ｃｍ長さのＮ−Ｎ対向磁石（０．５Ｔ）を設置し、ドライヤ内で塗膜の指蝕乾燥位置の手前側７５ｃｍから５０ｃｍ長さのＳ−Ｓ対向磁石（０．５Ｔ）とＮ−Ｎ対向磁石（０．５Ｔ）各１基を５０ｃｍ間隔で設置して行った。塗布速度は１００ｍ／分とした。以下、この磁場のかけかたを、配向方法（Ｂ）という。
比較例１
下層およびバックコート層の研磨剤としてアルミナ処理をしていない酸化鉄を使用したこと以外は、実施例７と同様にして、磁気テープを作製した。また、これを用いてコンピュータ用磁気テープとコンピュータ用磁気テープカートリッジを作製した。
下層およびバックコート層の研磨剤としてアルミナ処理をしていない酸化鉄を使用したこと以外は、実施例７と同様にして、磁気テープを作製した。また、これを用いてコンピュータ用磁気テープとコンピュータ用磁気テープカートリッジを作製した。
比較例２
磁性塗料成分中、磁性粉末として、σｓ：１１０Ａ・ｍ２／ｋｇ（１１０ｅｍｕ／ｇ）、Ｈｃ：１５９．２ｋＡ／ｍ（２，０００Ｏｅ）、平均粒子サイズ：３５ｎｍ、平均軸比：３．５の合金磁性粉末（Ａｌ−Ｙ−Ｃｏ−Ｆｅ）を用いたこと、下層およびバックコート層の研磨剤としてアルミナ処理をしていない酸化鉄を使用したこと以外は、実施例６と同様にして、磁気テープを作製した。また、これを用いてコンピュータ用磁気テープとコンピュータ用磁気テープカートリッジを作製した。
磁性塗料成分中、磁性粉末として、σｓ：１１０Ａ・ｍ２／ｋｇ（１１０ｅｍｕ／ｇ）、Ｈｃ：１５９．２ｋＡ／ｍ（２，０００Ｏｅ）、平均粒子サイズ：３５ｎｍ、平均軸比：３．５の合金磁性粉末（Ａｌ−Ｙ−Ｃｏ−Ｆｅ）を用いたこと、下層およびバックコート層の研磨剤としてアルミナ処理をしていない酸化鉄を使用したこと以外は、実施例６と同様にして、磁気テープを作製した。また、これを用いてコンピュータ用磁気テープとコンピュータ用磁気テープカートリッジを作製した。
比較例３
磁場配向処理に際し、ドライヤ前に５０ｃｍ長さのＮ−Ｎ対向磁石（０．５Ｔ）を１基のみ設置した。この磁場のかけ方を配向方法（Ｃ）という。配向方法（Ｃ）としたこと、下層およびバックコート層の研磨剤としてアルミナ処理をしていない酸化鉄を使用したこと以外は、実施例６と同様にして、磁気テープを作製した。また、これを用いてコンピュータ用磁気テープとコンピュータ用磁気テープカートリッジを作製した。
磁場配向処理に際し、ドライヤ前に５０ｃｍ長さのＮ−Ｎ対向磁石（０．５Ｔ）を１基のみ設置した。この磁場のかけ方を配向方法（Ｃ）という。配向方法（Ｃ）としたこと、下層およびバックコート層の研磨剤としてアルミナ処理をしていない酸化鉄を使用したこと以外は、実施例６と同様にして、磁気テープを作製した。また、これを用いてコンピュータ用磁気テープとコンピュータ用磁気テープカートリッジを作製した。
比較例４
磁性塗料成分中、粒状アルミナの平均粒径を１６０ｎｍのものに変更し、かつサンドミルの分散メディアを直径１．５ｍｍのチタニアビーズに変更したこと、下層およびバックコート層の研磨剤としてアルミナ処理をしていない酸化鉄を使用したこと以外は、実施例６と同様にして、磁気テープを作製した。また、これを用いてコンピュータ用磁気テープとコンピュータ用磁気テープカートリッジを作製した。
磁性塗料成分中、粒状アルミナの平均粒径を１６０ｎｍのものに変更し、かつサンドミルの分散メディアを直径１．５ｍｍのチタニアビーズに変更したこと、下層およびバックコート層の研磨剤としてアルミナ処理をしていない酸化鉄を使用したこと以外は、実施例６と同様にして、磁気テープを作製した。また、これを用いてコンピュータ用磁気テープとコンピュータ用磁気テープカートリッジを作製した。
比較例５
磁性塗料成分中、磁性粉末として、Ｙ／Ｆｅ：０．４原子％、Ａｌ／Ｆｅ：１．５原子％、Ｎ／Ｆｅ：１２．２原子％、Ｆｅ16Ｎ２相：主相、飽和磁化量：１０５．５Ａｍ２／ｋｇ（１０５．５ｅｍｕ／ｇ）、Ｈｃ：２０２．９ｋＡ／ｍ（２，５５０Ｏｅ）、平均粒子サイズ：１７ｎｍ、平均軸比：１．２）の粒状磁性粉（Ｙ−Ｎ−Ｆｅ）〔以下、（Ｂ）粉という〕を使用したこと、下層およびバックコート層の研磨剤としてアルミナ処理をしていない酸化鉄を使用したこと以外は、実施例６と同様にして、磁気テープを作製した。また、これを用いてコンピュータ用磁気テープとコンピュータ用磁気テープカートリッジを作製した。
磁性塗料成分中、磁性粉末として、Ｙ／Ｆｅ：０．４原子％、Ａｌ／Ｆｅ：１．５原子％、Ｎ／Ｆｅ：１２．２原子％、Ｆｅ16Ｎ２相：主相、飽和磁化量：１０５．５Ａｍ２／ｋｇ（１０５．５ｅｍｕ／ｇ）、Ｈｃ：２０２．９ｋＡ／ｍ（２，５５０Ｏｅ）、平均粒子サイズ：１７ｎｍ、平均軸比：１．２）の粒状磁性粉（Ｙ−Ｎ−Ｆｅ）〔以下、（Ｂ）粉という〕を使用したこと、下層およびバックコート層の研磨剤としてアルミナ処理をしていない酸化鉄を使用したこと以外は、実施例６と同様にして、磁気テープを作製した。また、これを用いてコンピュータ用磁気テープとコンピュータ用磁気テープカートリッジを作製した。
比較例６
磁性塗料成分中、粒状アルミナの平均粒径を１６０ｎｍのものに変更し、かつサンドミルの分散メディアを直径１．０ｍｍのチタニアビーズに変更したこと、下層およびバックコート層の研磨剤としてアルミナ処理をしていない酸化鉄を使用したこと以外は、実施例７と同様にして、磁気テープを作製した。また、これを用いてコンピュータ用磁気テープとコンピュータ用磁気テープカートリッジを作製した。
磁性塗料成分中、粒状アルミナの平均粒径を１６０ｎｍのものに変更し、かつサンドミルの分散メディアを直径１．０ｍｍのチタニアビーズに変更したこと、下層およびバックコート層の研磨剤としてアルミナ処理をしていない酸化鉄を使用したこと以外は、実施例７と同様にして、磁気テープを作製した。また、これを用いてコンピュータ用磁気テープとコンピュータ用磁気テープカートリッジを作製した。
比較例７
磁性塗料成分中、磁性粉末として、σｓ：１２０Ａ・ｍ２／ｋｇ（１２０ｅｍｕ／ｇ）、Ｈｃ：１７１．１ｋＡ／ｍ（２，１５０Ｏｅ）、平均粒子サイズ：１００ｎｍ、平均軸比：６．０の合金磁性粉末（Ａｌ−Ｙ−Ｃｏ−Ｆｅ）を用いたこと、下層およびバックコート層の研磨剤としてアルミナ処理をしていない酸化鉄を使用した以外は、実施例６と同様にして、磁気テープを作製した。また、これを用いてコンピュータ用磁気テープとコンピュータ用磁気テープカートリッジを作製した。
磁性塗料成分中、磁性粉末として、σｓ：１２０Ａ・ｍ２／ｋｇ（１２０ｅｍｕ／ｇ）、Ｈｃ：１７１．１ｋＡ／ｍ（２，１５０Ｏｅ）、平均粒子サイズ：１００ｎｍ、平均軸比：６．０の合金磁性粉末（Ａｌ−Ｙ−Ｃｏ−Ｆｅ）を用いたこと、下層およびバックコート層の研磨剤としてアルミナ処理をしていない酸化鉄を使用した以外は、実施例６と同様にして、磁気テープを作製した。また、これを用いてコンピュータ用磁気テープとコンピュータ用磁気テープカートリッジを作製した。
比較例８
磁性塗料成分中、磁性粉末として、Ｙ／Ｆｅ：５．５原子％、Ａｌ／Ｆｅ：８．２原子％、Ｎ／Ｆｅ：１２．２原子％、Ｆｅ16Ｎ２相：主相、飽和磁化量：１０５．５Ａｍ２／ｋｇ（１０５．５ｅｍｕ／ｇ）、Ｈｃ：２１１．０ｋＡ／ｍ（２，６５０Ｏｅ）、平均粒子サイズ：３５ｎｍ、平均軸比：１．２の粒状磁性粉（Ｙ−Ｎ−Ｆｅ）〔以下、（Ｃ）粉という〕を使用したこと、下層およびバックコート層の研磨剤としてアルミナ処理をしていない酸化鉄を使用した以外は、実施例６と同様にして、磁気テープを作製した。また、これを用いて、コンピュータ用磁気テープとコンピュータ用磁気テープカートリッジを作製した。
磁性塗料成分中、磁性粉末として、Ｙ／Ｆｅ：５．５原子％、Ａｌ／Ｆｅ：８．２原子％、Ｎ／Ｆｅ：１２．２原子％、Ｆｅ16Ｎ２相：主相、飽和磁化量：１０５．５Ａｍ２／ｋｇ（１０５．５ｅｍｕ／ｇ）、Ｈｃ：２１１．０ｋＡ／ｍ（２，６５０Ｏｅ）、平均粒子サイズ：３５ｎｍ、平均軸比：１．２の粒状磁性粉（Ｙ−Ｎ−Ｆｅ）〔以下、（Ｃ）粉という〕を使用したこと、下層およびバックコート層の研磨剤としてアルミナ処理をしていない酸化鉄を使用した以外は、実施例６と同様にして、磁気テープを作製した。また、これを用いて、コンピュータ用磁気テープとコンピュータ用磁気テープカートリッジを作製した。
実施例８〜１２
表３に示す非磁性支持体を使用したことを除き、実施例４と同様にして、磁気テープを作製した。また、これを用いてコンピュータ用磁気テープとコンピュータ用磁気テープカートリッジを作製した。
表３に示す非磁性支持体を使用したことを除き、実施例４と同様にして、磁気テープを作製した。また、これを用いてコンピュータ用磁気テープとコンピュータ用磁気テープカートリッジを作製した。
実施例１３
下層の酸化鉄、およびバックコート層の酸化鉄にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）処理を施さなかったことを除き実施例４と同様にして、磁気テープを作製した。また、これを用いてコンピュータ用磁気テープとコンピュータ用磁気テープカートリッジを作製した。
下層の酸化鉄、およびバックコート層の酸化鉄にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）処理を施さなかったことを除き実施例４と同様にして、磁気テープを作製した。また、これを用いてコンピュータ用磁気テープとコンピュータ用磁気テープカートリッジを作製した。
実施例１４
下層の酸化鉄にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）処理を施さなかったことを除き実施例４と同様にして、磁気テープを作製した。また、これを用いてコンピュータ用磁気テープとコンピュータ用磁気テープカートリッジを作製した。
下層の酸化鉄にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）処理を施さなかったことを除き実施例４と同様にして、磁気テープを作製した。また、これを用いてコンピュータ用磁気テープとコンピュータ用磁気テープカートリッジを作製した。
実施例１５
スリッティングシステムＢを使用したことを除き実施例４と同様にして、磁気テープを作製した。また、これを用いてコンピュータ用磁気テープとコンピュータ用磁気テープカートリッジを作製した。
スリッティングシステムＢを使用したことを除き実施例４と同様にして、磁気テープを作製した。また、これを用いてコンピュータ用磁気テープとコンピュータ用磁気テープカートリッジを作製した。
参考例１
スリッティングシステムＡを使用したことを除き実施例４と同様にして、磁気テープを作製した。また、これを用いてコンピュータ用磁気テープとコンピュータ用磁気テープカートリッジを作製した。
スリッティングシステムＡを使用したことを除き実施例４と同様にして、磁気テープを作製した。また、これを用いてコンピュータ用磁気テープとコンピュータ用磁気テープカートリッジを作製した。
上記の実施例１〜１５および比較例１〜８、参考例１の各磁気テープについて、磁性層（最上層磁性層）の形成に用いた磁性粉末の構成、配向方法、分散機ビーズの構成を、表１にまとめて示した。
なお、磁性層中の磁性粉末の粒子サイズは、下記の方法により測定し、原料磁性粉末とほぼ同様の平均粒子サイズ、平均軸比を有していることを確認した。表１中、「ＳＣ」はソレノイド電磁石を意味する。
＜磁性粉末の粒子サイズ＞
磁気テープを樹脂埋めし、それを集束イオンビーム加工装置で長手方向に厚さ方向の断面を切り出し、その断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ） で２０万倍にて必要枚数の磁性層断面の写真撮影を行い、磁性層中の磁性粉末の外形を縁取りする。その外径の最大さしわたしを粒子サイズとして計測する。５０個の磁性粉末を計測し、その平均値を平均粒子サイズとした。
また、上記の各磁気テープの磁性層および下層の厚さは、下記の方法により、測定したものである。
＜磁性層および下層の厚さ＞
磁気テープを樹脂埋めし、それを集束イオンビーム加工装置で長手方向に厚さ方向の断面を切り出し、その断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で２万倍にて１０視野の写真撮影を行い、（１）磁性層表面、（２）磁性層−下層の界面、（３）下層−非磁性支持体の界面を縁取りする。つぎに、写真１視野当り、界面に非磁性粉末のかかっていない任意の５個所を選び、（１）−（２）の縁取りした線間の距離を磁性層の厚さ、（２）−（３）の縁取りした線間の距離を下層の厚さ、として計測した。それらの磁性層および下層の厚さを１０視野について平均して各層の厚さとした。
なお、磁性層中の磁性粉末の粒子サイズは、下記の方法により測定し、原料磁性粉末とほぼ同様の平均粒子サイズ、平均軸比を有していることを確認した。表１中、「ＳＣ」はソレノイド電磁石を意味する。
＜磁性粉末の粒子サイズ＞
磁気テープを樹脂埋めし、それを集束イオンビーム加工装置で長手方向に厚さ方向の断面を切り出し、その断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ） で２０万倍にて必要枚数の磁性層断面の写真撮影を行い、磁性層中の磁性粉末の外形を縁取りする。その外径の最大さしわたしを粒子サイズとして計測する。５０個の磁性粉末を計測し、その平均値を平均粒子サイズとした。
また、上記の各磁気テープの磁性層および下層の厚さは、下記の方法により、測定したものである。
＜磁性層および下層の厚さ＞
磁気テープを樹脂埋めし、それを集束イオンビーム加工装置で長手方向に厚さ方向の断面を切り出し、その断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で２万倍にて１０視野の写真撮影を行い、（１）磁性層表面、（２）磁性層−下層の界面、（３）下層−非磁性支持体の界面を縁取りする。つぎに、写真１視野当り、界面に非磁性粉末のかかっていない任意の５個所を選び、（１）−（２）の縁取りした線間の距離を磁性層の厚さ、（２）−（３）の縁取りした線間の距離を下層の厚さ、として計測した。それらの磁性層および下層の厚さを１０視野について平均して各層の厚さとした。
つぎに、上記の実施例１〜１５および比較例１〜８、参考例１の各磁気テープについて、研磨剤のアルミナ処理の有無、スリッティング方法について表２にまとめて示した。
つぎに、上記の実施例１〜１５および比較例１〜８、参考例１の各磁気テープについて、磁気テープの長手方向および幅方向のヤング率を下記に示す条件で測定して求めた結果を表３に示す。
＜ヤング率の測定＞
非磁性支持体および磁気テープのヤング率は、支持体および磁気テープのＳ−Ｓ曲線から０．３％伸びにおけるヤング率を求めた。０．３％伸びた時点での荷重をａ（ｋｇｆ）、試料幅をｗ（ｍｍ）、試料厚さをｔ（ｍｍ）とすると、ヤング率Ｅ＝[(荷重ａ)÷(試料幅ｗ × 試料厚さｔ)]÷(伸び率０．００３)、の式から求めることができる。
なお、測定装置にはソニーマグネスケール社製、ＭＳＳ−７０１Ｓを用い、測定条件は、試料の長さが１２０ｍｍ、試料幅が１０ｍｍ、チャック間距離が１００（ｍｍ）、引張り速度が２０（ｍｍ／分）とした。
＜ヤング率の測定＞
非磁性支持体および磁気テープのヤング率は、支持体および磁気テープのＳ−Ｓ曲線から０．３％伸びにおけるヤング率を求めた。０．３％伸びた時点での荷重をａ（ｋｇｆ）、試料幅をｗ（ｍｍ）、試料厚さをｔ（ｍｍ）とすると、ヤング率Ｅ＝[(荷重ａ)÷(試料幅ｗ × 試料厚さｔ)]÷(伸び率０．００３)、の式から求めることができる。
なお、測定装置にはソニーマグネスケール社製、ＭＳＳ−７０１Ｓを用い、測定条件は、試料の長さが１２０ｍｍ、試料幅が１０ｍｍ、チャック間距離が１００（ｍｍ）、引張り速度が２０（ｍｍ／分）とした。
つぎに、上記の実施例１〜１５および比較例１〜８、参考例１の各磁気テープについて、磁気特性と共に、電磁変換特性として、下記の方法により、出力（Ｃ）と出力対ノイズ比（Ｃ／Ｎ）およびエラーレート、エッジウィーブ量、オフトラック量を測定した。表４に磁気特性の結果を、表５に電磁変換特性、エラーレート特性、エッジウィーブ量、オフトラック量の結果を示した。
＜出力と出力対ノイズ比＞
磁気テープの電磁変換特性の測定には、ドラムテスターを用いた。ドラムテスターには電磁誘導型磁気ヘッド（トラック幅２５μｍ、ギャップ０．１μｍ）とＭＲ磁気ヘッド（トラック幅８μｍ）を装着し、誘導型ヘッドで記録、ＭＲヘッドで再生を行った。
両ヘッドは、回転ドラムに対して異なる場所に設置されており、両ヘッドを上下方向に操作することで、トラッキングを合わせることができる。磁気テープはカートリッジに巻き込んだ状態から適切な量を引き出して廃棄し、さらに６０ｃｍを切り出し、さらに４ｍｍ幅に加工して、回転ドラムの外周に巻き付けた。記録・再生は磁気テープの長手方向である。
出力およびノイズは、ファンクションジェネレータにより、波長０．２μｍの矩形波を書き込み、ＭＲ磁気ヘッドの出力をスペクトラムアナライザーに読み込んだ。０．２μｍのキャリア値を媒体再生出力Ｃとした。また、０．２μｍの矩形波を書き込んだときに、記録波長０．２μｍ以上に相当するスペクトルの成分から、再生出力およびシステムノイズを差し引いた値の積分値をノイズ値Ｎとして用いた。さらに、両者の比をとってＣ／Ｎとした。Ｃ、Ｃ／Ｎ共に、比較例１の磁気テープの値との相対値として、求めた。
＜エラーレート＞
エラーレートは、薄手テープも測定できるように改造したＬＴＯドライブを用いて記録（記録波長０．３７μｍ）・再生することによって求めた。エラーレートは、ドライブから出力されるエラー情報（エラービット数）をもとに、下式より求めた。
エラーレート＝（エラービット数／書き込みビット数）
＜オフトラック量の測定＞
ＰＥＳ(Positioning error signal、位置ずれ量のばらつきを表す数値、標準偏差σの値)をＬＴＯドライブで測定し、換算表によりＰＥＳからサーボトラックのオフトラック量を求めた。ＬＴＯドライブの記録トラック幅は２０．６μｍ、再生トラック幅は１２μｍ、記録波長は０．３７μｍである。
＜出力と出力対ノイズ比＞
磁気テープの電磁変換特性の測定には、ドラムテスターを用いた。ドラムテスターには電磁誘導型磁気ヘッド（トラック幅２５μｍ、ギャップ０．１μｍ）とＭＲ磁気ヘッド（トラック幅８μｍ）を装着し、誘導型ヘッドで記録、ＭＲヘッドで再生を行った。
両ヘッドは、回転ドラムに対して異なる場所に設置されており、両ヘッドを上下方向に操作することで、トラッキングを合わせることができる。磁気テープはカートリッジに巻き込んだ状態から適切な量を引き出して廃棄し、さらに６０ｃｍを切り出し、さらに４ｍｍ幅に加工して、回転ドラムの外周に巻き付けた。記録・再生は磁気テープの長手方向である。
出力およびノイズは、ファンクションジェネレータにより、波長０．２μｍの矩形波を書き込み、ＭＲ磁気ヘッドの出力をスペクトラムアナライザーに読み込んだ。０．２μｍのキャリア値を媒体再生出力Ｃとした。また、０．２μｍの矩形波を書き込んだときに、記録波長０．２μｍ以上に相当するスペクトルの成分から、再生出力およびシステムノイズを差し引いた値の積分値をノイズ値Ｎとして用いた。さらに、両者の比をとってＣ／Ｎとした。Ｃ、Ｃ／Ｎ共に、比較例１の磁気テープの値との相対値として、求めた。
＜エラーレート＞
エラーレートは、薄手テープも測定できるように改造したＬＴＯドライブを用いて記録（記録波長０．３７μｍ）・再生することによって求めた。エラーレートは、ドライブから出力されるエラー情報（エラービット数）をもとに、下式より求めた。
エラーレート＝（エラービット数／書き込みビット数）
＜オフトラック量の測定＞
ＰＥＳ(Positioning error signal、位置ずれ量のばらつきを表す数値、標準偏差σの値)をＬＴＯドライブで測定し、換算表によりＰＥＳからサーボトラックのオフトラック量を求めた。ＬＴＯドライブの記録トラック幅は２０．６μｍ、再生トラック幅は１２μｍ、記録波長は０．３７μｍである。
平均粒子サイズが１７ｎｍの略粒状紛末を用いた場合について、長手方向の保磁力ＨｃＭＤと幅方向の保磁力ＨｃＴＤとの差（ＨｃＭＤ−ＨｃＴＤ）と、出力対ノイズ比（Ｃ／Ｎ）との結果について、図７にプロットして示した。また、エッジウィーブ量の異なる実施例４、実施例１３〜１５および参考例１について、エッジウィーブ量とサーボトラックのオフトラック量との関係を図８に示した。さらに、長手方向の保磁力ＨｃＭＤと幅方向の保磁力ＨｃＴＤとの差（ＨｃＭＤ−ＨｃＴＤ）が１４０ｋＡ／ｍ以上の実施例１〜７について、長手方向と幅方向の角形の比[（Ｂｒ／Ｂｍ）ＭＤ／(Ｂｒ／Ｂｍ)ＴＤ]とＣ／Ｎとの関係を図９に示した。
上記の表４〜表５の結果から、長手方向の保磁力ＨｃＭＤと幅方向の保磁力ＨｃＴＤとの差（ＨｃＭＤ−ＨｃＴＤ）が１４０ｋＡ／ｍ以上である実施例１〜１５、参考例１の各磁気テープは、上記差（ＨｃＭＤ−ＨｃＴＤ）が１４０ｋＡ／ｍ未満となる比較例１〜８の磁気テープに比べて、ドラムテスターで評価した再生出力（Ｃ）および再生出力ノイズ比（Ｃ／Ｎ）が高いことがわかる。また、図７の結果から、上記比（ＨｃＭＤ−ＨｃＴＤ）が大きくなるほど、Ｃ／Ｎも高くなることもわかる。
上記表５の電磁変換特性のほぼ等しい実施例４、実施例１３〜１５、参考例１の結果、および図８の結果から、エッジウィーブ量が１μｍ以下の磁気テープは、エッジウィーブ量が１μｍを越えるの磁気テープ（参考例１）に比べてオフトラック量が小さいことがわかる。
上記の表４〜表５の、長手方向の保磁力ＨｃＭＤと幅方向の保磁力ＨｃＴＤとの差（ＨｃＭＤ−ＨｃＴＤ）が１４０ｋＡ／ｍ以上の実施例１〜７の結果、図９の結果から、長手方向と幅方向の角形の比[（Ｂｒ／Ｂｍ）ＭＤ／(Ｂｒ／Ｂｍ)ＴＤ]が３．０以上になると、Ｃ／Ｎがさらに高くなることがわかる。
上記の表３、表５の実施例４、実施例８〜１２の結果から、ドラムテスターによるＣおよびＣ／Ｎがほぼ等しい磁気テープでも、磁気テープの長手方向のヤング率を１１ＧＰａ以上にすれば、リニアレコーディングタイプの磁気テープカートリッジで評価した場合のエラーレートが低くなることがわかる。
なお、実施例１２の磁気テープは、（ＨｃＭＤ−ＨｃＴＤ）が１４０ｋＡ／ｍ以上なので、ドラムテスターで評価したＣおよびＣ／Ｎは高いが、磁気テープの長手方向のヤング率が１１ＧＰａ未満なので、エラーレートは若干高い。
なお、実施例１２の磁気テープは、（ＨｃＭＤ−ＨｃＴＤ）が１４０ｋＡ／ｍ以上なので、ドラムテスターで評価したＣおよびＣ／Ｎは高いが、磁気テープの長手方向のヤング率が１１ＧＰａ未満なので、エラーレートは若干高い。
１ 磁気テープカートリッジのケース本体
２ リール
３ 磁気テープ
２ リール
３ 磁気テープ
Claims (4)
- 非磁性支持体と、非磁性支持体の一方の面に、少なくとも１層の磁性層を有する磁気テープにおいて、前記磁性層に含まれる磁性粉末の平均粒子サイズが３０ｎｍ以下であり、前記磁気テープのエッジウィーブが１μｍ以下であり、かつ前記磁気テープの最上層磁性層の長手方向の保磁力ＨｃＭＤと幅方向の保磁力ＨｃＴＤとの差〔ＨｃＭＤ−ＨｃＴＤ〕が１４０ｋＡ／ｍ以上ＨｃＭＤ以下であることを特徴とする磁気テープ。
- 前記磁気テープの最上層磁性層の長手方向の保磁力Ｈｃ ＭＤ と幅方向の保磁力Ｈｃ ＴＤ との差〔Ｈｃ ＭＤ −Ｈｃ ＴＤ 〕が１６０ｋＡ／ｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の磁気テープ。
- 前記磁気テープの長手方向の保磁力ＨｃＭＤが１６０〜４００ｋＡ／ｍであることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気テープ。
- カートリッジケース及び前記カートリッジケースに組み込まれた請求項１〜３のいずれかに記載の磁気記録媒体から成ることを特徴とする、磁気テープカートリッジ。
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