JP4370340B2 - 電子部品 - Google Patents
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Description
上記電子部品のキャパシタ部において、前記第1界面と前記第2界面とのなす角θが5.7°以上である。
この場合、容量値に与える絶縁膜の影響が低減され、容量値の制御を容易に行うことができる。
以下、図1〜5を参照して本発明に係る電子部品の第1実施形態について説明する。
次に、本発明に係る電子部品の第2実施形態について説明する。なお、第1実施形態と同一又は同等の構成要素については同一符号を付し、重複する説明を省略する。
平坦化処理を施したアルミナ基板上に、Ti、Cuをスパッタにより成膜してシード層を形成した後、フォトリソグラフィにより、下部電極部を形成するためのレジストパターンを形成した。その後、電解めっき法によりシード層上に、Cuからなるめっき層を形成した。そして、レジストパターンを除去した後、イオンミリングにより、露出している不要部分のシード層を除去した。こうして下部電極部を形成した。
加熱硬化温度を270℃としたこと以外は実施例1と同様にして電子部品を得た。
加熱硬化温度を250℃としたこと以外は実施例1と同様にして電子部品を得た。
加熱硬化温度を230℃としたこと以外は実施例1と同様にして電子部品を得た。
絶縁膜を形成するための材料としてノボラック樹脂を用い、加熱硬化温度を240℃としたこと以外は実施例1と同様にして電子部品を得た。
絶縁膜を形成するための材料としてエポキシ樹脂を用い、加熱硬化温度を240℃としたこと以外は実施例1と同様にして電子部品を得た。
上記のようにして得られた実施例1〜3及び比較例1〜3の電子部品について、絶縁破壊試験を行い、絶縁破壊電圧を測定した。このとき、絶縁破壊試験は、電子部品の上部電極部及び給電用電極パッド間にDC電圧を印加することにより、上部電極部及び下部電極部間にDC電圧を印加し、1V/秒のステップで昇圧して実施した。
Claims (2)
- 基板と、
前記基板上に設けられるキャパシタ部とを備えており、
前記キャパシタ部が、
前記基板上に設けられる第1電極部と、
前記第1電極部上に設けられる誘電体膜と、
前記誘電体膜に接触し、前記誘電体膜上に開口部を有する絶縁膜と、
前記絶縁膜における前記開口部の内壁面及び前記誘電体膜の表面に接触する第2電極部とを備えており、
前記誘電体膜及び前記絶縁膜間の第1界面と、前記絶縁膜及び前記第2電極部間の第2界面とのなす角θが5.7°以上21.8°以下である、電子部品。 - 前記基板上に設けられ、前記キャパシタ部に接続されるインダクタ部をさらに備える請求項1に記載の電子部品。
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