JP4363735B2

JP4363735B2 - Information carrier manufacturing method

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Publication number: JP4363735B2
Application number: JP2000044765A
Authority: JP
Inventors: 伸清水; 哲士川村
Original assignee: Hitachi Maxell Energy Ltd
Current assignee: Hitachi Maxell Energy Ltd
Priority date: 1999-02-24
Filing date: 2000-02-22
Publication date: 2009-11-11
Anticipated expiration: 2020-02-22
Also published as: JP2000323643A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、チップ上にコイルが一体形成されたＩＣ素子を搭載した情報担体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、所定形状の基体内にＩＣ素子と当該ＩＣ素子の端子部に電気的に接続されたアンテナコイルとを備え、リーダライタからの電力の受給及びリーダライタとの間の信号の送受信を電磁波を用いて非接触で行う非接触式の情報担体が知られている。この種の情報担体としては、その外形により、カード形、コイン形又はボタン形などがある。
【０００３】
従来、この種の情報担体としては、アンテナコイルを基体にパターン形成したもの、或いは、巻線からなるアンテナコイルを基体に担持したものが用いられているが、近年に至って、アンテナコイルとＩＣ素子との接続点の保護処理や防湿対策が不要で安価に作成できること、及び基体に曲げやねじれ等のストレスが作用した場合にもコイルに断線を生じることがなく耐久性に優れることから、ＩＣ素子自体にアンテナコイルが一体形成されたＩＣ素子を基体に搭載したものが提案されている。
【０００４】
ＩＣ素子にアンテナコイルを形成する方法としては、スパッタ法が用いられており、ＩＣ素子に一体形成されたアンテナコイルの導体は、アルミニウムのスパッタ膜から構成されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、アンテナコイルをＩＣ素子に一体形成すると、アンテナコイルを全体にパターン形成したり、巻線からなるアンテナコイルを基体に担持する場合に比べて、コイルの巻径や導体幅が小さくなり、巻数についても自ずと限界があるため、リーダライタとの間の通信距離を大きくすることが困難で、必要な通信距離を確保することできない場合がある。
【０００６】
本発明は、かかる従来技術の不備を解消するためになされたものであって、通信距離が大きな非接触通信式の情報担体を高能率に製造する方法を提供することを技術的な課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前記の課題を解決するため、ＩＣ素子を挿入可能な多数の透孔が規則的に開設され、かつ、当該各透孔の周囲にリング状の凹部が同心円状に形成された第１帯状素材の前記凹部内に前記ＩＣ素子とは独立の別体に形成されたコイルを収納して固定する工程と、前記第１帯状素材の片面に透孔を有しない第２帯状素材を接合する工程と、入出力端子の形成面に表面保護膜を介してアンテナコイルが一体形成されたＩＣ素子を前記透孔内に収納して固定する工程と、前記第１帯状素材と透孔を有しない第３帯状素材とを接合する工程と、接合された前記第１乃至第３の帯状素材を一体に打ち抜いて前記ＩＣ素子及び当該ＩＣ素子とは独立の別体に形成されたコイルを有する所要の情報担体を得る工程とを含むという構成にした。
【０００９】
かように、帯状素材に所要のＩＣ素子とコイルが搭載されたものを作製し、しかる後にこの帯状素材から所要の情報担体を打ち抜き形成するようにすると、同一の情報担体を高能率に製造することができるので、所要の情報担体の製造コストを低減することができる。
【００１０】
なお、前記製造方法においては、情報担体の基体を３部材（第１乃至第３の帯状素材）で形成したが、第１帯状素材にＩＣ素子を収納するための透孔を開設する構成に代えて、第１帯状素材にＩＣ素子を収納するための凹部を形成することにより、情報担体の基体を２部材で形成することもできる。
【００１１】
また、前記製造方法においては、ＩＣ素子とコイルを帯状素材内に完全に埋設したが、帯状素材に開設された透孔又は帯状素材に形成された凹部内にＩＣ素子とコイルを収納した後、前記透孔又は凹部を樹脂封止することによって、ＩＣ素子とコイルを帯状素材の片面に露出させることもできる。
【００１２】
さらに、ＩＣ素子とコイルを帯状素材の片面に露出させる場合には、帯状素材にＩＣ素子とコイルを収納するための凹部を形成することにより、情報担体の基体を１部材で形成することもできる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明に係る情報担体の製造方法の説明に先立ち、本発明に係る情報担体製造方法に適用されるＩＣ素子の構成及びその製造方法並びに本発明に係る方法によって製造しようとする情報担体の構成とについて説明する。
〈ＩＣ素子〉
本発明に係る情報担体製造方法に適用されるＩＣ素子の構成例を、図１及び図２に基づいて説明する。図１（ａ），（ｂ），（ｃ）は情報担体に搭載可能な各種ＩＣ素子の平面図、図２（ａ），（ｂ）は情報担体に搭載可能な各種ＩＣ素子の要部断面図である。
【００１４】
構成例に係るＩＣ素子は、図１及び図２に示すように、ＩＣ素子１の入出力端子１ａの形成面側に、酸化シリコン膜や樹脂膜等の絶縁性の表面保護膜２を介して、矩形スパイラル形状のアンテナコイル３を一体に形成してなる。
【００１５】
図１（ａ）のＩＣ素子１は、回路形成部４を除く外周部にのみアンテナコイル３を形成したものであって、ＩＣ素子１に形成された回路とアンテナコイル３との間における浮遊容量の発生を防止することができ、リーダライタからの電力の受給効率及びリーダライタとの間の信号の送受信効率を高めることができる。
【００１６】
図１（ｂ）のＩＣ素子１は、回路形成部４と対向する部分までアンテナコイル３を形成したものであって、コイルの巻数を多くできることから、リーダライタからの電力の受給効率及びリーダライタとの間の信号の送受信効率を高めることができる。なお、図１（ｂ）の例においては、アンテナコイル３を回路形成部４と対向する部分及びその外周部に形成したが、回路形成部４と対向する部分にのみ形成することもできる。
【００１７】
図１（ｃ）のＩＣ素子１は、矩形スパイラル形状に形成されたアンテナコイル３の角の部分を斜めに面取りしたものであって、角部における電流集中を防止してアンテナコイル３の抵抗値を低減することができ、リーダライタからの電力の受給効率及びリーダライタとの間の信号の送受信効率を高めることができる。面取りの形状は円弧状にしても同様の効果を得ることができる。また、面取りは各線の内周側及び外周側の双方に施すことが好ましいが、外周側にのみ施した場合にも効果がある。
【００１８】
いずれの場合にも、実用上十分な電力の供給を受け、かつ、リーダライタとの間の通信特性を確保するためには、前記アンテナコイル３の線幅を７μｍ以上、線間距離を５μｍ以下、巻数を２０ターン以上とすることが好ましい。
【００１９】
ＩＣ素子１の入出力端子１ａとアンテナコイル３との接続は、表面保護膜２に開設された透孔５を介して行われる。この場合、アンテナコイル３の形成位置が若干ずれた場合にも、入出力端子１ａとアンテナコイル３との接続が確実に行われるように、図２（ａ）、（ｂ）に示す如く、透孔５の直径又は幅をアンテナコイル３の線幅よりも小さくすることがより好ましい。
【００２０】
アンテナコイル３を構成する導体は、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、金属スパッタ層又は金属蒸着層６と金属めっき層７を含む多層構造になっている。図２（ａ）は、金属スパッタ層又は金属蒸着層６の上面にのみ金属めっき層７を形成した例であり、図２（ｂ）は、金属スパッタ層又は金属蒸着層６の周面全体に金属めっき層７を形成した例を示している。前記金属スパッタ層又は金属蒸着層６及び金属めっき層７は、任意の導電性金属をもって形成することができるが、比較的安価で導電率が高いことから、金属スパッタ層又は金属蒸着層６についてはアルミニウム、ニッケル、銅及びクロムから選択される金属又はこれらの金属群から選択される２種以上の金属の合金で形成することが好ましく、均質な単層構造とするほか、異なる金属層又は合金層を多層に積層した他層構造とすることもできる。一方、前記金属めっき７は、銅で形成することが好ましく、無電解めっき法又は電気めっき法若しくは精密電鋳法により形成することができる。
【００２１】
〈ＩＣ素子の製造方法〉
次に、前記ＩＣ素子の製造方法を、図３乃至図６に基づいて説明する。図３は所定のプロセス処理を経て完成されたいわゆる完成ウエハの平面図、図４はＩＣ素子製造方法の第１例を示す工程図、図５はＩＣ素子製造方法の第２例を示す工程図、図６はアンテナコイルを含む所要の導電パターンが形成された完成ウエハの平面図である。
【００２２】
図３に示すように、完成ウエハ１１には、最外周部を除く内周部分に多数個のＩＣ素子用の回路４が等間隔に形成されており、その回路形成面側には、所要の表面保護膜２が形成されている（図４及び図５参照）。
【００２３】
図４に示す第１例に係るＩＣ素子製造方法では、まず図４（ａ）に示すように、完成ウエハ１１の回路形成面に形成された表面保護膜２上に、アルミニウム又はアルミニウム合金若しくは銅又は銅合金を用いて、金属スパッタ層又は金属蒸着層６を均一に形成する。次いで、図４（ｂ）に示すように、当該金属スパッタ層又は金属蒸着層６上にフォトレジスト層１２を均一に形成し、形成されたフォトレジスト層１２にコイルを含む所要のパターンが形成されたマスク１３を被せ、マスク１３の外側から所定波長の光１４を照射してフォトレジスト層１２を露光する。しかる後に露光されたフォトレジスト層１２の現像処理を行い、図４（ｃ）に示すように、フォトレジスト層１２の露光部分を除去して、前記金属スパッタ層又は金属蒸着層６の前記露光パターンと対応する部分を露出させる。金属スパッタ層又は金属蒸着層６の露出パターンには、図６に示すように、リング状の電極部１５と、前記各回路形成部４と対向する部分に形成されたアンテナコイル３と、これら電極部１５と各アンテナコイル３とを連結するリード部１６とが含まれる。次いで、前記電極部１５を一方の電極として、金属スパッタ層又は金属蒸着層６の露出部分に電気めっき又は精密電鋳を施し、図４（ｄ）に示すように、金属スパッタ層又は金属蒸着層６の露出部分に金属めっき層７を積層する。次いで、完成ウエハ１１の表面に付着したフォトレジスト層１２をアッシング処理等によって除去し、図４（ｅ）に示すように、均一な金属スパッタ層又は金属蒸着層６上に電極部１５とアンテナコイル３とリード部１６とを有する金属めっき層７が形成された完成ウエハ１１を得る。次いで、金属めっき層７より露出した金属スパッタ層又は金属蒸着層６を選択的にエッチングし、図４（ｆ）に示すように、金属めっき層７より露出した金属スパッタ層又は金属蒸着層６を除去する。これによって、金属スパッタ層又は金属蒸着層６と金属めっき層７とが共に図６に示す所要の導電パターンに形成された完成ウエハ１１が得られる。最後に、前記完成ウエハ１１をスクライビングして、図１に示す所要のＩＣ素子１を得る。
【００２４】
なお、前記第１例においては、金属めっき層７の形成手段として電気めっき法又は精密電鋳法を用いたが、かかる構成に代えて、無電解めっき法を用いて前記金属めっき層７を形成することもできる。この場合には、金属めっき層７の形成に電極を必要としないので、フォトレジスト層１２の露光に際して、電極部１５の形成とリード部１６の形成が不要になる。
【００２５】
無電解めっきは、化学めっきとも呼ばれ、素地金属をめっき金属の金属塩溶液中に浸して金属イオンを素地表面に析出させるもので、比較的簡単な設備で密着力が強く均一で十分な厚みを有するめっき層が得られるという特徴がある。前記金属塩は、めっきする金属イオンの供給源となるものであり、銅をめっきする場合には、硫酸銅、塩化第二銅、硝酸銅等の溶液がめっき液として用いられる。銅などの金属イオンは、素地となる金属スパッタ層又は金属蒸着層６上にのみに析出し、絶縁性の表面保護層２上には析出しない。素地材は、めっき金属イオンに対してイオン化傾向が小さく、かつ、めっき金属イオンの析出に対する触媒作用をもつ必要がある。このため、アルミニウムからなる金属スパッタ層又は金属蒸着層６上に銅をめっきする場合には、アルミニウム層の表面にニッケルを数μｍ以下の厚さに形成し、硝酸亜鉛液に数秒間浸して亜鉛に置換する前処理を施すことが好ましい。
【００２６】
一方、電気めっき法及び精密電鋳法は、めっき金属のイオンを含むめっき浴中に金属スパッタ層又は金属蒸着層６が形成された完成ウエハ１１とめっき金属からなる電極とを浸漬し、完成ウエハ１１に形成された金属スパッタ層又は金属蒸着層６を陰極、めっき浴中に浸漬された電極を陽極として電圧を印加し、めっき浴中の金属イオンを金属スパッタ層又は金属蒸着層６の表面に析出させる方法である。電気めっき法及び精密電鋳法も、銅をめっきする場合には、硫酸銅、塩化第二銅、硝酸銅等の溶液がめっき液として用いられる。
【００２７】
本例のＩＣ素子製造方法は、完成ウエハ１１にコイルを含む所要の導電パターンを形成し、しかる後に完成ウエハ１１をスクライビングして所要のＩＣ素子１を得るという構成にしたので、個々のＩＣ素子にコイルを形成する場合に比べてコイルが一体形成されたＩＣ素子を高能率に製造でき、その製造コストを低減することができる。また、ウエハに形成された全てのＩＣ素子に対して均一な厚みのコイルを高精度に形成することができるので、通信特性のばらつきを小さくすることができる。さらに、個々のＩＣ素子についてスパッタ法又は真空蒸着法及びメッキ法を用いてコイルを形成すると、ＩＣ素子の外周部に不要の導体が付着してＩＣ素子の絶縁性が問題になるが、完成ウエハ１１にコイルを含む所要の導電パターンを形成した場合には、スパッタ時等において完成ウエハ１１の外周部に不要の導体が付着しても、該部は不要部分としてもともと処分されるべき部分であるので、個々のＩＣ素子の絶縁性に悪影響を与えることもない。加えて、本例のＩＣ素子製造方法は、フォトレジスト層１２がある状態で金属めっき層７の形成を行い、しかる後に金属スパッタ層又は金属蒸着層６の金属めっき層７が積層されていない部分をエッチングによって除去するようにしたので、図２（ａ）に示すように、金属めっき層７が金属スパッタ層又は金属蒸着層６の上面にのみ積層され、幅方向に広がらないので、精密なアンテナコイル３を形成することができ、狭い面積内に巻数の多いアンテナコイル３を形成することができる。
【００２８】
一方、図５に示す第２例に係るＩＣ素子製造方法では、図５（ａ）に示すように、完成ウエハ１１に形成された表面保護膜２上にフォトレジスト層１２を均一に形成し、形成されたフォトレジスト層１２にコイルを含む所要のパターンが形成されたマスク１３を被せ、マスク１３の外側から所定波長の光１４を照射してフォトレジスト層１２を露光する。しかる後に露光されたフォトレジスト層１２の現像処理を行い、図５（ｂ）に示すように、フォトレジスト層１２の露光部分を除去して、表面保護膜２の前記露光パターンと対応する部分を露出させる。フォトレジスト層１２の露光パターンは、図６に示すように、電極部１５とアンテナコイル３とリード部１６とを含む形状にすることができる。次いで、現像処理後の完成ウエハ１１をスパッタ装置又は真空蒸着装置に装着し、図５（ｃ）に示すように、前記表面保護膜２の露出部分に金属スパッタ層又は金属蒸着層６を形成する。次いで、図５（ｄ）に示すように、完成ウエハ１１に付着したフォトレジスト層１２をアッシング処理等によって除去した後、電極部１５を一方の電極として、金属スパッタ層又は金属蒸着層６に電気めっきを施し、図５（ｅ）に示すように、金属スパッタ層又は金属蒸着層６の露出部分に金属めっき層７を積層する。最後に、前記完成ウエハ１１をスクライビングして、図１に示す所要のＩＣ素子１を得る。
【００２９】
なお、前記第２例においては、金属めっき層７の形成手段として電気めっき法を用いたが、かかる構成に代えて、無電解めっき法を用いて前記金属めっき層７を形成することもできる。この場合には、金属めっき層７の形成に電極を必要としないので、フォトレジスト層１２の露光に際して、電極部１５の形成とリード部１６の形成が不要になる。
【００３０】
本例のＩＣ素子製造方法は、前記第１実施形態例に係るＩＣ素子製造方法と同様の効果を有するほか、完成ウエハ１１に導電パターンを形成するための工程数を少なくできるので、アンテナコイルが一体形成されたＩＣ素子をより高能率に製造することができる。
【００３１】
〈情報担体〉
以下、本発明に係る情報担体製造方法により製造される情報担体の構成例を、図７乃至図１７に基づいて説明する。図７は第１構成例に係る情報担体の一部切断した平面図、図８は第１構成例に係る情報担体の分解斜視図、図９は第１構成例に係る情報担体の断面図、図１０は第１構成例に係る情報担体の使用状態の説明図、図１１は第２構成例に係る情報担体の断面図、図１２は第３構成例に係る情報担体の断面図、図１３は第４構成例に係る情報担体の断面図、図１４は第５構成例に係る情報担体の断面図、図１５は第６構成例に係る情報担体の断面図、図１６は第７構成例に係る情報担体の断面図、図１７は第８構成例に係る情報担体の断面図である。
【００３２】
第１構成例に係る情報担体２０ａは、図７乃至図９に示すように、平面形状が円形に形成されたコイン形の基体２１と、当該基体２１の平面方向及び厚さ方向の中心部に設定されたＩＣ素子１とからなる。ＩＣ素子１としては、図１及び図２に示すように、アンテナコイルが一体形成されたものが用いられる。
【００３３】
基体２１は、図８及び図９に示すように、上部材２２と中間部材２３と下部材２４とから構成されており、それぞれ接着剤層２５を介して一体に接合されている。基体２１を構成する各部材２２，２３，２４は、紙材又はプラスチックシートをもって形成することができるが、廃棄後に自然分解し、焼却しても有蓋ガスの発生量が少なく、価格的にも安価であることから、紙材をもって作製することが特に好ましい。また、前記各部材２２，２３，２４の１つ又は２つを紙材にて形成し、他の１つ又は２つをプラスチックシートにて形成することももちろん可能である。
【００３４】
前記中間部材２３の中央部には、ＩＣ素子１を内挿可能な透孔２７が開設されており、前記各部材２２，２３，２４を接合することによって形成される空間内にＩＣ素子１が収納される。なお、ＩＣ素子１は、取扱時の動揺を防止するために下部材２４に接着することが好ましい。この場合、下部材２４の片面に接着剤層２５を均一に形成しておき、この接着剤層２５を利用して中間部材２３と下部材２４との接着と、下部材２４とＩＣ素子１との接着を行うようにすることが、コスト状有利である。また、透孔２７の平面形状は任意の形状とすることができるが、中間部材２３と下部材２４とを接合することによって形成される凹部にＩＣ素子１を収納する際、当該凹部とＩＣ素子１の回転方向の向きを厳密に合わせる必要がないことから、図７及び図８に示すように、円形の透孔２７を形成する方が製造上有利である。
【００３５】
本例の情報担体２０ａは、ＩＣ素子１を円形に形成された基体２１の平面方向の中心部に配置したので、図１０に示すように、略半円形のスロット１０１と当該スロット１０１における円弧部の中心に備えられた非接触通信用のアンテナコイル１０２とを有するリーダライタ１００の前記スロット１０１内に情報担体２０を挿入することによって、自動的にＩＣ素子１に一体形成されたアンテナコイル３とリーダライタ１００に備えられたアンテナコイル１０２の心出しを行うことができ、両コイル３，１０２間の電磁結合係数を大きくできることから、リーダライタ１００から情報担体２０への電力の供給及びリーダライタ１００と情報担体２０との間の信号の送受信を確実に行うことができる。また、情報担体２０ａの平面形状を円形に形成したので、略半円形に形成されたスロット１０１に対する方向性がなく、使用の容易性に優れる。さらに、ＩＣ素子１を基体２１内に完全に収納したので、ＩＣ素子１の保護効果が高く耐久性に優れると共に、該部からＩＣ素子１が見えないので、美観にも優れる。
【００３６】
第２構成例に係る情報担体２０ｂは、図１１に示すように、上部材２２と中間部材２３と下部材２４との３部材をもって基体２１を構成すると共に、ＩＣ素子１の周囲に、アンテナコイル３とリーダライタに備えられたコイルとの間の電磁結合を強化するためのブースタコイル２８を同心円状に配置したことを特徴とする。図中の符号２９はブースタコイル２８を収納するための凹部を示しており、この凹部２９は中間部材２３の透孔２７の周囲にリング状に形成される。その他の構成については、前記第１実施例に係る情報担体２０ａと同じであるので、重複を避けるために説明を省略する。本例の情報担体２０ｂは、第１構成例に係る情報担体２０ａと同様の効果を有するほか、ＩＣ素子１の周囲にブースタコイル２８を同心円状に配置したので、ＩＣ素子１に一体形成されたアンテナコイル３とリーダライタ１００に備えられたアンテナコイル１０２との電磁結合をブースタコイル２８を介することによってより高いものとすることができ、より一層の電力供給の安定化及び信号送受信の安定化又は通信距離の増加を図ることができる。
【００３７】
第３構成例に係る情報担体２０ｃは、図１２に示すように、上部材２２と下部材２４との２部材をもって基体２１を構成し、下部材２４にＩＣ素子１を収納するための凹部３０を形成したことを特徴とする。その他の構成については、前記第１構成例に係る情報担体２０ａと同じであるので、重複を避けるために説明を省略する。本例の情報担体２０ｃは、第１構成例に係る情報担体２０ａと同様の効果を有するほか、部品点数が少ないことから、情報担体のより一層の低コスト化を図ることができる。
【００３８】
第４構成例に係る情報担体２０ｄは、図１３に示すように、上部材２２と下部材２４との２部材をもって基体２１を構成し、下部材２４にＩＣ素子１を収納するための第１凹部３０とブースタコイル２８を収納するための第２凹部２９を形成したことを特徴とする。その他の構成については、前記第３構成例に係る情報担体２０ｃと同じであるので、重複を避けるために説明を省略する。本例の情報担体２０ｃは、第２構成例に係る情報担体２０ｂと同様の効果を有するほか、部品点数が少ないことから、情報担体のより一層の低コスト化を図ることができる。
【００３９】
第５構成例に係る情報担体２０ｅは、図１４に示すように、ＩＣ素子収納用の透孔２７が開設された上部材２２と当該透孔２７を有しない下部材２４との２部材をもって基体２１を構成し、上部材２２と下部材２４とを接合することによって形成される凹部内にＩＣ素子１を収納し、当該凹部内をポッティング樹脂３１で封止したことを特徴とする。その他の構成については、前記第１構成例に係る情報担体２０ａと同じであるので、重複を避けるために説明を省略する。本例の情報担体２０ｅは、ＩＣ素子１が基体をもって被覆されない点を除いて、第１実施形態例に係る情報担体２０ａと同様の効果を有する。
【００４０】
第６構成例に係る情報担体２０ｆは、図１５に示すように、ＩＣ素子収納用の透孔２７が開設されると共に当該透孔２７の周囲にブースタコイル収納用の凹部２９が同心に形成された上部材２２と、前記透孔２７及び凹部２９を有しない下部材２４との２部材をもって基体２１を構成し、前記凹部２９内にブースタコイル２８を収納して当該凹部２９内をポッティング樹脂３１で封止すると共に、上部材２２と下部材２４とを接合することによって形成される凹部内にＩＣ素子１を収納して当該凹部内をポッティング樹脂３１で封止したことを特徴とする。その他の構成については、前記第５構成例に係る情報担体２０ｅと同じであるので、重複を避けるために説明を省略する。本例の情報担体２０ｆは、ＩＣ素子１が基体をもって被覆されない点を除いて、第１構成例に係る情報担体２０ａと同様の効果を有する。
【００４１】
第７構成例に係る情報担体２０ｇは、図１６に示すように、片面にＩＣ素子１を収納するための凹部３０が形成された１部材をもって基体２１を構成し、前記凹部３０内にＩＣ素子１を収納して当該凹部３０内をポッティング樹脂３１で封止したことを特徴とする。その他の構成については、前記第５構成例に係る情報担体２０ｅと同じであるので、重複を避けるために説明を省略する。本例の情報担体２０ｇは、第５構成例に係る情報担体２０ｅと同様の効果を有するほか、部品点数が少ないことから、情報担体のより一層の低コスト化を図ることができる。
【００４２】
第８構成例に係る情報担体２０ｈは、図１７に示すように、片面にＩＣ素子１を収納するための第１凹部３０とブースタコイル２８を収納するための第２凹部２９が形成された１部材をもって基体２１を構成し、前記第１凹部３０内にＩＣ素子１を収納して当該凹部３０内をポッティング樹脂３１で封止すると共に、前記第２凹部２９内にブースタコイル２８を収納して当該凹部２９内をポッティング樹脂３１で封止したことを特徴とする。その他の構成については、前記第７構成例に係る情報担体２０ｇと同じであるので、重複を避けるために説明を省略する。本例の情報担体２０ｈは、第６構成例に係る情報担体２０ｆと同様の効果を有するほか、部品点数が少ないことから、情報担体のより一層の低コスト化を図ることができる。
【００４３】
なお、前記各構成例においては、基体２１の平面形状を円形に形成したが、その他、正方形、長方形、三角形又は多角形など、任意の形状に形成することができる。
【００４４】
また、前記第２、第４、第６及び第８構成例に係る情報担体においては、独立の別体に形成されたブースタコイル２８を凹部又は透孔内に設置したが、かかる構成に代えて、基体２１を構成するいずれかの部材に、例えば印刷、メッキ或いはスパッタ等の手段によってブースタコイル２８を直接形成することも可能である。
【００４５】
さらに、前記ブースタコイル２８は、アンテナコイルと主に電磁結合する第１コイルとリーダライタに備えられた非接触通信用のコイルと主に電磁結合する第２コイルとからなり、前記第２コイルの直径が前記第１コイルの直径よりも大きく、かつこれら第１及び第２コイルが直列に接続されたものから構成することもできる。
【００４６】
〈情報担体の製造方法〉
以下、本発明に係る情報担体製造方法の実施形態例を、図１８乃至図２２に基づいて説明する。図１８は本発明に係る情報担体の製造に使用される帯状素材の第１例を示す部分斜視図、図１９は帯状素材の第２例を示す部分斜視図、図２０は帯状素材の第３例を示す部分斜視図、図２１は帯状素材の第４例を示す部分斜視図、図２２は帯状素材の第５例を示す部分斜視図である。
【００４７】
本発明の情報担体製造方法は、帯状に形成された１つの基体構成用の素材（帯状素材）にＩＣ素子１を含む所要の搭載部品を設定し、次いで、必要に応じて、当該帯状素材の片面又は両面に他の帯状素材を接合するか搭載部品のポッティングを行い、しかる後に、単体の若しくは接合された帯状素材から所要の情報担体を打ち抜き形成することを特徴とする。本発明に係る情報担体製造方法の実施には、図１８に示すようにＩＣ素子１を収納するための透孔２７が一定間隔で開設された帯状素材４１、図１９に示すようにＩＣ素子１を収納するための透孔２７が一定間隔で開設されると共に各透孔２７の周囲にブースタコイル２８を収納するためのリング状の凹部２９が同心に形成され、当該リング状の凹部２９の底面に接着剤層３２が塗布された帯状素材４２、図２０に示すようにＩＣ素子１を収納するための凹部３０が一定間隔で開設され、当該凹部３０の底面に接着剤層３２が塗布された帯状素材４３、図２１に示すようにＩＣ素子１を収納するための第１凹部３０が一定間隔で開設されると共に各第１凹部３０の周囲にブースタコイル２８を収納するためのリング状の第２凹部２９が同心に形成され、これら各凹部２９，３０の底面に接着剤層３２が塗布された帯状素材４４、図２２に示すように透孔や凹部を有さず片面に接着剤層２５が均一に塗布帯状素材４５が選択的に用いられる。
【００４８】
本発明に係る情報担体製造方法の第１例は、第１構成例に係る情報担体２０ａを製造するためのものであって、図１８に示した１枚の帯状素材４１と図２２に示した２枚の帯状素材４５を用いる。そして、まず帯状素材４１の片面に接着剤層２５を介して帯状素材４５を接合し、ＩＣ素子１を収納可能な空間を有する帯状部材４１，４５の接合体を得る。次いで、前記空間内にＩＣ素子１を位置決めして収納し、接着剤層２５を介して帯状素材４５に接着する。次いで、帯状素材４１の他面側にもう１枚の帯状素材４５を接着剤層２５を介して接合し、内部空間内にＩＣ素子１が収納された帯状部材４１，４５の接合体を得る。最後に、この接合体を所定の形状に切断して、第１構成例に係る情報担体２０ａを得る。本例の情報担体製造方法は、帯状素材４１，４５に多数のＩＣ素子１をケーシングし、しかる後にこの帯状素材４１，４５から所要の情報担体を打ち抜き形成するので、同一の情報担体を高能率に製造することができ、情報担体の製造コストを低減することができる。
【００４９】
本発明に係る情報担体製造方法の第２例は、第２構成例に係る情報担体２０ｂを製造するためのものであって、図１９に示した１枚の帯状素材４２と図２２に示した２枚の帯状素材４５を用いる。そして、まず帯状素材４２に形成されたリング状の凹部２９内にブースタコイル２８を収納し、接着剤層３２を介して当該凹部２９の底面に接着する。次いで、帯状素材４２の片面に接着剤層２５を介して帯状素材４５を接合し、ＩＣ素子１を収納可能な空間を有する帯状部材４２，４５の接合体を得る。次いで、前記空間内にＩＣ素子１を位置決めして収納し、接着剤層２５を介して帯状素材４５に接着する。次いで、帯状素材４１の他面側にもう１枚の帯状素材４５を接着剤層２５を介して接合し、内部空間内にＩＣ素子１が収納された帯状部材４２，４５の接合体を得る。最後に、この接合体を所定の形状に切断して、第２構成例に係る情報担体２０ｂを得る。本例の情報担体製造方法も、第１実施形態例に係る情報担体製造方法と同様の効果を有する。
【００５０】
本発明に係る情報担体製造方法の第３例は、第３構成例に係る情報担体２０ｃを製造するためのものであって、図２０に示した１枚の帯状素材４３と図２２に示した１枚の帯状素材４５を用いる。そして、まず帯状素材４３に形成された凹部３０内にＩＣ素子１を位置決めして収納し、接着剤層３２を介して当該凹部３０の底面に接着する。次いで、帯状素材４３の凹部形成面側に帯状素材４５を接着剤層２５を介して接合し、内部空間内にＩＣ素子１が収納された帯状部材４３，４５の接合体を得る。最後に、この接合体を所定の形状に切断して、第３構成例に係る情報担体２０ｃを得る。本例の情報担体製造方法も、第１実施形態例に係る情報担体製造方法と同様の効果を有する。
【００５１】
本発明に係る情報担体製造方法の第４例は、第４構成例に係る情報担体２０ｄを製造するためのものであって、図２１に示した１枚の帯状素材４４と図２２に示した１枚の帯状素材４５を用いる。そして、まず帯状素材４４に形成された第１凹部３０内にＩＣ素子１を位置決めして収納し、接着剤層３２を介して当該凹部３０の底面に接着すると共に、当該帯状素材４４に形成されたリング状の第２凹部２９内にブースタコイル２８を収納し、接着剤層３２を介して当該凹部２９の底面に接着する。次いで、帯状素材４４の凹部形成面側に帯状素材４５を接着剤層２５を介して接合し、内部空間内にＩＣ素子１が収納された帯状部材４４，４５の接合体を得る。最後に、この接合体を所定の形状に切断して、第４構成例に係る情報担体２０ｄを得る。本例の情報担体製造方法も、第１実施形態例に係る情報担体製造方法と同様の効果を有する。
【００５２】
本発明に係る情報担体製造方法の第５例は、第５構成例に係る情報担体２０ｅを製造するためのものであって、図１８に示した１枚の帯状素材４１と図２２に示した１枚の帯状素材４５を用いる。そして、まず帯状素材４１の片面に接着剤層２５を介して帯状素材４５を接合し、ＩＣ素子１を収納可能な空間を有する帯状部材４１，４５の接合体を得る。次いで、前記空間内にＩＣ素子１を位置決めして収納し、接着剤層２５を介して帯状素材４５に接着する。次いで、前記ＩＣ素子１が収納された空間内にポッティング樹脂３１を充填し、ＩＣ素子１が設定された帯状部材４１，４５の接合体を得る。最後に、この接合体を所定の形状に切断して、第５構成例に係る情報担体２０ｅを得る。本例の情報担体製造方法も、第１実施形態例に係る情報担体製造方法と同様の効果を有する。
【００５３】
本発明に係る情報担体製造方法の第６例は、第６構成例に係る情報担体２０ｆを製造するためのものであって、図１９に示した１枚の帯状素材４２と図２２に示した１枚の帯状素材４５を用いる。そして、まず帯状素材４２に形成されたリング状の凹部２９内にブースタコイル２８を収納し、接着剤層３２を介して当該凹部２９の底面に接着する。次いで、帯状素材４２の片面に帯状素材４５を接着剤層２５を介して接合し、ＩＣ素子１を収納可能な空間を有する帯状部材４２，４５の接合体を得る。次いで、前記空間内にＩＣ素子１を位置決めして収納し、接着剤層２５を介して帯状素材４５に接着する。次いで、前記ブースタコイル２８が収納された凹部２９内と前記ＩＣ素子１が収納された空間内にポッティング樹脂３１を充填し、ＩＣ素子１及びブースタコイル２８が設定された帯状部材４２，４５の接合体を得る。最後に、この接合体を所定の形状に切断して、第６構成例に係る情報担体２０ｆを得る。本例の情報担体製造方法も、第１実施形態例に係る情報担体製造方法と同様の効果を有する。
【００５４】
本発明に係る情報担体製造方法の第７例は、第７構成例に係る情報担体２０ｇを製造するためのものであって、図２０に示した１枚の帯状素材４３を用いる。そして、まず帯状素材４３に形成された凹部３０内にＩＣ素子１を位置決めして収納し、接着剤層３２を介して当該凹部３０の底面に接着する。次いで、前記ＩＣ素子１が収納された凹部３０内にポッティング樹脂３１を充填し、ＩＣ素子１が設定された帯状部材４３を得る。最後に、この帯状部材４３を所定の形状に切断して、第７構成例に係る情報担体２０ｇを得る。本例の情報担体製造方法も、第１実施形態例に係る情報担体製造方法と同様の効果を有する。
【００５５】
本発明に係る情報担体製造方法の第８例は、第８構成例に係る情報担体２０ｈを製造するためのものであって、図２１に示した１枚の帯状素材４４を用いる。そして、まず帯状素材４４に形成された第１凹部３０内にＩＣ素子１を位置決めして収納し、接着剤層３２を介して当該凹部３０の底面に接着すると共に、当該帯状素材４４に形成されたリング状の第２凹部２９内にブースタコイル２８を収納し、接着剤層３２を介して当該凹部２９の底面に接着する。次いで、前記ＩＣ素子１が収納された第１凹部３０内及び前記ブースタコイル２８が収納された第２凹部２９内にポッティング樹脂３１を充填し、ＩＣ素子１及びブースタコイル２８が設定された帯状部材４３を得る。最後に、この接合体を所定の形状に切断して、第８構成例に係る情報担体２０ｈを得る。本例の情報担体製造方法も、第１実施形態例に係る情報担体製造方法と同様の効果を有する。
【００５６】
なお、前記第２，第４，第６，第８実施形態例においては、ブースタコイル２８を基体２１と独立の別体に形成したが、基体２１を構成するいずれかの帯状部材に印刷形成することもできる。
【００５７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の情報担体製造方法は、帯状素材にＩＣ素子を含む所要の搭載部品が搭載されたものを作製し、しかる後にこの帯状素材から所要の情報担体を打ち抜き形成するようにしたので、同一の情報担体を高能率に製造することができ、ＩＣ素子を備えた情報担体の製造コストを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る情報担体製造方法に適用されるＩＣ素子の平面図である。
【図２】本発明に係る情報担体製造方法に適用されるＩＣ素子の要部断面図である。
【図３】完成ウエハの平面図である。
【図４】ＩＣ素子製造方法の第１例を示す工程図である。
【図５】ＩＣ素子製造方法の第２例を示す工程図である。
【図６】アンテナコイルを含む所要の導電パターンが形成された完成ウエハの平面図である。
【図７】第１構成例に係る情報担体の一部切断した平面図である。
【図８】第１構成例に係る情報担体の分解斜視図である。
【図９】第１構成例に係る情報担体の断面図である。
【図１０】第１構成例に係る情報担体の使用状態の説明図である。
【図１１】第２構成例に係る情報担体の断面図である。
【図１２】第３構成例に係る情報担体の断面図である。
【図１３】第４構成例に係る情報担体の断面図である。
【図１４】第５構成例に係る情報担体の断面図である。
【図１５】第６構成例に係る情報担体の断面図である。
【図１６】第７構成例に係る情報担体の断面図である。
【図１７】第８構成例に係る情報担体の断面図である。
【図１８】帯状素材の第１例を示す部分斜視図である。
【図１９】帯状素材の第２例を示す部分斜視図である。
【図２０】帯状素材の第３例を示す部分斜視図である。
【図２１】帯状素材の第４例を示す部分斜視図である。
【図２２】帯状素材の第５例を示す部分斜視図である。
【符号の説明】
１ＩＣ素子
２表面保護膜
３アンテナコイル
４回路形成部
５透孔
６金属スパッタ層又は金属蒸着層
７金属めっき層
１１完成ウエハ
１２フォトレジスト層
１３マスク
１４所定波長の光
１５電極部
１６リード部
２０ａ〜２０ｈ情報担体
２１基体
２２上部材
２３中間部材
２４下部材
２５接着剤層
２７透孔
２８ブースタコイル
２９凹部
４１〜４５帯状素材[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an IC element in which a coil is integrally formed on a chip.For manufacturing information carrier equipped withAbout.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art Conventionally, an IC element and an antenna coil electrically connected to a terminal portion of the IC element are provided in a substrate having a predetermined shape, and an electromagnetic wave is received from a reader / writer and transmitted / received to / from the reader / writer. There is known a non-contact type information carrier that is used in a non-contact manner. Examples of this type of information carrier include a card shape, a coin shape, and a button shape, depending on the outer shape.
[0003]
Conventionally, as this type of information carrier, a pattern in which an antenna coil is formed on a base or a base in which an antenna coil consisting of windings is supported on a base has been used. IC elements can be manufactured inexpensively without the need for protective treatment and moisture-proof measures at the connection point with the wire, and because the coil does not break even when stress such as bending or twisting acts on the substrate. There has been proposed an IC element in which an antenna coil is integrally formed on a substrate.
[0004]
As a method for forming an antenna coil on an IC element, a sputtering method is used, and a conductor of the antenna coil integrally formed on the IC element is made of a sputtered aluminum film.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, when the antenna coil is integrally formed with the IC element, the coil diameter and the conductor width of the coil are smaller and the number of turns is smaller than when the antenna coil is patterned on the whole or the antenna coil made of winding is carried on the base. Since there is a limit naturally, it is difficult to increase the communication distance between the reader / writer and the necessary communication distance may not be ensured.
[0006]
The present invention has been made to solve such deficiencies in the prior art,Provided is a method for efficiently producing a non-contact communication type information carrier having a large communication distance.This is a technical issue.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
  In order to solve the above problems, the present inventionA large number of through holes into which IC elements can be inserted are regularly opened, and the IC elements and the IC elements are formed in the concave portions of the first belt-shaped material in which ring-shaped concave portions are formed concentrically around the through holes. Includes a step of storing and fixing a coil formed in an independent separate body, a step of bonding a second strip-shaped material having no through hole on one surface of the first strip-shaped material, and a surface on the surface where the input / output terminals are formed. A step of housing and fixing an IC element integrally formed with an antenna coil through a protective film in the through-hole, a step of joining the first strip-shaped material and a third strip-shaped material having no through-hole, The IC element and the coil formed separately from the IC element by integrally punching the joined first to third strip-shaped materialsAnd obtaining a required information carrier having
[0009]
  Thus, the required IC element for the strip materialAnd coilIs manufactured, and then the required information carrier is punched and formed from this strip-shaped material, so that the same information carrier can be manufactured with high efficiency, so the manufacturing cost of the required information carrier can be reduced. Can be reduced.
[0010]
  BeforeMakingIn the manufacturing method, the base of the information carrier is formed of three members (first to third strip-shaped materials), but instead of a configuration in which a through hole for accommodating an IC element is opened in the first strip-shaped material, By forming a recess for accommodating the IC element in one band-shaped material, the base of the information carrier can be formed by two members.
[0011]
  Also beforeMakingIn the manufacturing method, the IC elementAnd coilIs completely embedded in the band-shaped material, but the IC element is in a through-hole formed in the band-shaped material or a recess formed in the band-shaped material.And coilThe IC element is sealed by resin-sealing the through hole or the concave portionAnd coilCan be exposed on one side of the belt-shaped material.
[0012]
  Furthermore, IC elementAnd coilIC is to be applied to the strip material whenAnd coilBy forming a recess for storing the information carrier, it is possible to form the base of the information carrier with a single member.
[0013]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Prior to the description of the information carrier manufacturing method according to the present invention, the configuration of the IC element applied to the information carrier manufacturing method according to the present invention, the manufacturing method thereof, and the configuration of the information carrier to be manufactured by the method according to the present invention Will be described.
<IC element>
Applied to information carrier manufacturing method according to the present inventionIC elementConstitutionAn example is demonstrated based on FIG.1 and FIG.2. 1 (a), (b) and (c)Various types of information carrier2A and 2B are plan views of the IC element.Various types of information carrierIt is principal part sectional drawing of an IC element.
[0014]
ConstitutionAs shown in FIGS. 1 and 2, the IC element according to the example has an input / output terminal 1 a forming side of the IC element 1, with an insulating surface protective film 2 such as a silicon oxide film or a resin film interposed therebetween. The antenna coil 3 having a rectangular spiral shape is integrally formed.
[0015]
The IC element 1 in FIG. 1A has an antenna coil 3 formed only on the outer peripheral portion excluding the circuit forming portion 4, and a stray capacitance between the circuit formed in the IC element 1 and the antenna coil 3. Can be prevented, and the efficiency of receiving power from the reader / writer and the efficiency of transmitting / receiving signals to / from the reader / writer can be improved.
[0016]
The IC element 1 in FIG. 1B has the antenna coil 3 formed up to a portion facing the circuit forming unit 4 and can increase the number of turns of the coil. Therefore, the efficiency of receiving power from the reader / writer and the reader / writer can be increased. The transmission / reception efficiency of signals between and can be increased. In the example of FIG. 1B, the antenna coil 3 is formed on the portion facing the circuit forming portion 4 and the outer peripheral portion thereof, but can be formed only on the portion facing the circuit forming portion 4.
[0017]
The IC element 1 in FIG. 1 (c) is obtained by obliquely chamfering the corner portion of the antenna coil 3 formed in a rectangular spiral shape, and prevents the current concentration at the corner portion to prevent the resistance of the antenna coil 3 from being concentrated. The power reception efficiency of the power from the reader / writer and the signal transmission / reception efficiency with the reader / writer can be improved. The same effect can be obtained even if the chamfered shape is an arc. Chamfering is preferably performed on both the inner and outer peripheral sides of each line, but it is also effective when applied only on the outer peripheral side.
[0018]
In any case, the antenna coil 3 has a line width of 7 μm or more and a line-to-line distance of 5 μm or less in order to receive practically sufficient power supply and to ensure communication characteristics with the reader / writer. The number of turns is preferably 20 turns or more.
[0019]
The connection between the input / output terminal 1a of the IC element 1 and the antenna coil 3 is made through a through hole 5 formed in the surface protective film 2. In this case, as shown in FIGS. 2A and 2B, the input / output terminal 1a and the antenna coil 3 are securely connected even when the formation position of the antenna coil 3 is slightly shifted. It is more preferable to make the diameter or width of the hole 5 smaller than the line width of the antenna coil 3.
[0020]
As shown in FIGS. 2A and 2B, the conductor constituting the antenna coil 3 has a multilayer structure including a metal sputtered layer or a metal vapor deposition layer 6 and a metal plating layer 7. 2A is an example in which the metal plating layer 7 is formed only on the upper surface of the metal sputtered layer or the metal vapor-deposited layer 6, and FIG. 2B is the entire peripheral surface of the metal sputtered layer or the metal vapor-deposited layer 6. The example which formed the metal plating layer 7 is shown. The metal sputter layer or metal vapor deposition layer 6 and metal plating layer 7 can be formed with any conductive metal, but since the metal sputter layer or metal vapor deposition layer 6 is relatively inexpensive and has high conductivity, It is preferably formed of a metal selected from aluminum, nickel, copper and chromium or an alloy of two or more metals selected from these metal groups. In addition to a homogeneous single layer structure, different metal layers or alloy layers It is also possible to have another layer structure in which layers are stacked. On the other hand, the metal plating 7 is preferably formed of copper, and can be formed by electroless plating, electroplating, or precision electroforming.
[0021]
<Manufacturing method of IC element>
next,AboveIC element manufacturing methodThe lawThis will be described with reference to FIGS. FIG. 3 is a plan view of a so-called completed wafer completed through a predetermined process, FIG.Is IProcess drawing showing a first example of a C element manufacturing method, FIG.Is IFIG. 6 is a plan view of a completed wafer on which a required conductive pattern including an antenna coil is formed, showing a second example of the C element manufacturing method.
[0022]
As shown in FIG. 3, the completed wafer 11 has a plurality of IC element circuits 4 formed at equal intervals on the inner peripheral portion excluding the outermost peripheral portion. A surface protective film 2 is formed (see FIGS. 4 and 5).
[0023]
As shown in FIG.1 exampleIn the IC element manufacturing method according to FIG. 4, first, as shown in FIG. 4A, on the surface protective film 2 formed on the circuit forming surface of the completed wafer 11, aluminum, aluminum alloy, copper or copper alloy is used. The metal sputter layer or metal vapor deposition layer 6 is formed uniformly. Next, as shown in FIG. 4B, a photoresist layer 12 is uniformly formed on the metal sputtered layer or metal deposition layer 6, and a required pattern including a coil is formed on the formed photoresist layer 12. Then, the photoresist layer 12 is exposed by irradiating light 14 having a predetermined wavelength from the outside of the mask 13. Thereafter, the exposed photoresist layer 12 is developed, and the exposed portion of the photoresist layer 12 is removed, as shown in FIG. 4C, and the exposed pattern of the metal sputtered layer or metal deposited layer 6 is removed. And expose the corresponding part. As shown in FIG. 6, the exposed pattern of the metal sputter layer or metal vapor deposition layer 6 includes a ring-shaped electrode portion 15, an antenna coil 3 formed in a portion facing each circuit forming portion 4, and these electrodes. The lead part 16 which connects the part 15 and each antenna coil 3 is included. Next, using the electrode portion 15 as one electrode, the exposed portion of the metal sputter layer or the metal vapor deposition layer 6 is subjected to electroplating or precision electroforming, and as shown in FIG. A metal plating layer 7 is laminated on the exposed portion 6. Next, the photoresist layer 12 adhering to the surface of the completed wafer 11 is removed by ashing or the like, and as shown in FIG. 4E, the electrode portion 15 and the antenna coil are formed on the uniform metal sputter layer or metal deposition layer 6. 3 and the finished wafer 11 on which the metal plating layer 7 having the lead portions 16 is formed. Next, the metal sputtered layer or metal vapor deposition layer 6 exposed from the metal plating layer 7 is selectively etched, and the metal sputtered layer or metal vapor deposition layer 6 exposed from the metal plating layer 7 is removed as shown in FIG. Remove. As a result, a completed wafer 11 is obtained in which the metal sputtered layer or metal deposition layer 6 and the metal plating layer 7 are both formed in the required conductive pattern shown in FIG. Finally, the completed wafer 11 is scribed to obtain the required IC element 1 shown in FIG.
[0024]
In addition, the aboveFirstIn the example, the electroplating method or the precision electroforming method is used as the means for forming the metal plating layer 7, but the metal plating layer 7 may be formed using an electroless plating method instead of such a configuration. In this case, since no electrode is required for forming the metal plating layer 7, it is not necessary to form the electrode portion 15 and the lead portion 16 when exposing the photoresist layer 12.
[0025]
Electroless plating, also called chemical plating, involves immersing a base metal in a metal salt solution of the plating metal to deposit metal ions on the surface of the base. The adhesion is strong and uniform with sufficient thickness using relatively simple equipment. It has the characteristics that the plating layer which has can be obtained. The metal salt is a source of metal ions to be plated. When copper is plated, a solution of copper sulfate, cupric chloride, copper nitrate or the like is used as a plating solution. Metal ions such as copper are deposited only on the metal sputter layer or metal vapor deposition layer 6 serving as a base, and are not deposited on the insulating surface protective layer 2. The base material needs to have a small ionization tendency with respect to the plating metal ions and have a catalytic action for the precipitation of the plating metal ions. For this reason, when copper is plated on the metal sputter layer or metal vapor deposition layer 6 made of aluminum, nickel is formed on the surface of the aluminum layer to a thickness of several μm or less, and immersed in a zinc nitrate solution for several seconds. It is preferable to perform a pretreatment for replacing with.
[0026]
On the other hand, in the electroplating method and the precision electroforming method, a completed wafer 11 on which a metal sputtered layer or a metal vapor deposition layer 6 is formed and an electrode made of a plated metal are immersed in a plating bath containing plating metal ions, and the completed wafer is immersed. A voltage is applied using the metal sputtered layer or metal vapor deposited layer 6 formed in 11 as a cathode and an electrode immersed in the plating bath as an anode, and metal ions in the plating bath are applied to the surface of the metal sputtered layer or metal vapor deposited layer 6. It is the method of making it precipitate. In the electroplating method and the precision electroforming method, when copper is plated, a solution of copper sulfate, cupric chloride, copper nitrate or the like is used as a plating solution.
[0027]
In the IC element manufacturing method of this example, a required conductive pattern including a coil is formed on the completed wafer 11 and then the completed wafer 11 is scribed to obtain the required IC element 1. Compared with the case where the coil is formed, the IC element in which the coil is integrally formed can be manufactured with high efficiency, and the manufacturing cost can be reduced. In addition, since a coil having a uniform thickness can be formed with high accuracy for all IC elements formed on the wafer, variations in communication characteristics can be reduced. Furthermore, when a coil is formed by sputtering, vacuum deposition, or plating for each IC element, unnecessary conductors adhere to the outer periphery of the IC element, and the insulation of the IC element becomes a problem. When a required conductive pattern including a coil is formed on 11, even if an unnecessary conductor adheres to the outer peripheral portion of the completed wafer 11 during sputtering or the like, the portion is a portion that should be disposed of as an unnecessary portion. Therefore, there is no adverse effect on the insulation properties of the individual IC elements. In addition, in the IC element manufacturing method of this example, the metal plating layer 7 is formed in the state where the photoresist layer 12 is present, and then the metal sputter layer or the metal deposition layer 6 of the metal vapor deposition layer 6 is not laminated. As shown in FIG. 2A, the metal plating layer 7 is laminated only on the upper surface of the metal sputtered layer or the metal vapor deposition layer 6 and does not spread in the width direction. The coil 3 can be formed, and the antenna coil 3 having a large number of turns can be formed in a small area.
[0028]
On the other hand, as shown in FIG.2 casesIn the IC element manufacturing method according to FIG. 5A, as shown in FIG. 5A, a photoresist layer 12 is uniformly formed on the surface protective film 2 formed on the finished wafer 11, and a coil is formed on the formed photoresist layer 12. The photoresist layer 12 is exposed by irradiating light 14 having a predetermined wavelength from the outside of the mask 13. Thereafter, the exposed photoresist layer 12 is developed, and the exposed portion of the photoresist layer 12 is removed as shown in FIG. Expose. As shown in FIG. 6, the exposure pattern of the photoresist layer 12 can have a shape including the electrode portion 15, the antenna coil 3, and the lead portion 16. Next, the developed wafer 11 after the development processing is mounted on a sputtering device or a vacuum deposition device, and a metal sputter layer or a metal deposition layer 6 is formed on the exposed portion of the surface protective film 2 as shown in FIG. . Next, as shown in FIG. 5D, after the photoresist layer 12 attached to the completed wafer 11 is removed by ashing or the like, the electrode portion 15 is used as one electrode and the metal sputter layer or the metal deposition layer 6 is electrically connected. Plating is performed, and a metal plating layer 7 is laminated on the exposed portion of the metal sputter layer or metal vapor deposition layer 6 as shown in FIG. Finally, the completed wafer 11 is scribed to obtain the required IC element 1 shown in FIG.
[0029]
In addition, the aboveSecondIn the example, the electroplating method is used as the means for forming the metal plating layer 7, but the metal plating layer 7 can be formed using an electroless plating method instead of such a configuration. In this case, since no electrode is required for forming the metal plating layer 7, it is not necessary to form the electrode portion 15 and the lead portion 16 when exposing the photoresist layer 12.
[0030]
The IC element manufacturing method of this example has the same effect as the IC element manufacturing method according to the first embodiment, and can reduce the number of steps for forming a conductive pattern on the completed wafer 11, so that the antenna coil An integrally formed IC element can be manufactured with higher efficiency.
[0031]
<Information carrier>
Hereinafter, the information carrier manufacturing method according to the present inventionOf information carrier manufactured byExamples will be described with reference to FIGS. FIG. 7 shows the firstConstitutionFIG. 8 is a plan view of a partly cut information carrier according to an example.ConstitutionFIG. 9 is an exploded perspective view of an information carrier according to an example.ConstitutionSectional view of an information carrier according to an example, FIG.ConstitutionFIG. 11 is a diagram illustrating the usage state of the information carrier according to the example.ConstitutionSectional view of an example information carrier, FIG.ConstitutionSectional view of an information carrier according to an example, FIG.ConstitutionSectional view of an information carrier according to an example, FIG.ConstitutionSectional view of an information carrier according to an example, FIG.ConstitutionFIG. 16 is a sectional view of an information carrier according to an example.ConstitutionSectional view of an information carrier according to an example, FIG.ConstitutionIt is sectional drawing of the information carrier which concerns on an example.
[0032]
FirstConstitutionAs shown in FIGS. 7 to 9, the information carrier 20 a according to the example is set to a coin-shaped base 21 having a circular planar shape and a central portion in the planar direction and the thickness direction of the base 21. IC element 1. As the IC element 1, as shown in FIG. 1 and FIG. 2, an element in which an antenna coil is integrally formed is used.
[0033]
As shown in FIGS. 8 and 9, the base body 21 is composed of an upper member 22, an intermediate member 23, and a lower member 24, which are joined together via an adhesive layer 25. Each of the members 22, 23, and 24 constituting the base 21 can be formed with a paper material or a plastic sheet. However, the material is decomposed spontaneously after disposal and generates a small amount of covered gas even when incinerated, and is inexpensive in price. For this reason, it is particularly preferable to prepare with a paper material. Of course, it is possible to form one or two of the members 22, 23, 24 from paper and the other one or two from a plastic sheet.
[0034]
A through hole 27 into which the IC element 1 can be inserted is formed at the center of the intermediate member 23, and the IC element 1 is placed in a space formed by joining the members 22, 23, 24. Stored. The IC element 1 is preferably bonded to the lower member 24 in order to prevent shaking during handling. In this case, the adhesive layer 25 is uniformly formed on one surface of the lower member 24, the adhesive layer 25 is used to bond the intermediate member 23 and the lower member 24, the lower member 24, the IC element 1, It is advantageous to reduce the cost. The planar shape of the through hole 27 can be any shape, but when the IC element 1 is housed in the recess formed by joining the intermediate member 23 and the lower member 24, the recess and the IC element Since it is not necessary to strictly match the direction of the rotational direction of 1, it is advantageous in manufacturing to form a circular through hole 27 as shown in FIGS. 7 and 8.
[0035]
In the information carrier 20a of this example, since the IC element 1 is arranged at the center in the planar direction of the base body 21 formed in a circle, as shown in FIG. The antenna coil 3 automatically formed integrally with the IC element 1 by inserting the information carrier 20 into the slot 101 of the reader / writer 100 having the antenna coil 102 for non-contact communication provided at the center of Since the antenna coil 102 provided in the reader / writer 100 can be centered and the electromagnetic coupling coefficient between the coils 3 and 102 can be increased, the power supply from the reader / writer 100 to the information carrier 20 and the reader / writer 100 can be performed. And transmission and reception of signals between the information carrier 20 and the information carrier 20 can be performed reliably. Further, since the planar shape of the information carrier 20a is formed in a circular shape, there is no directionality with respect to the slot 101 formed in a substantially semicircular shape, and the ease of use is excellent. Further, since the IC element 1 is completely accommodated in the base 21, the IC element 1 has a high protective effect and excellent durability, and the IC element 1 cannot be seen from the portion, so that the aesthetic appearance is also excellent.
[0036]
SecondConstitutionAs shown in FIG. 11, the information carrier 20 b according to the example forms a base 21 with three members of an upper member 22, an intermediate member 23, and a lower member 24, and an antenna coil 3 and a reader around the IC element 1. The booster coil 28 for strengthening electromagnetic coupling with the coil provided in the writer is arranged concentrically. Reference numeral 29 in the drawing indicates a recess for accommodating the booster coil 28, and the recess 29 is formed in a ring shape around the through hole 27 of the intermediate member 23. Since other configurations are the same as those of the information carrier 20a according to the first embodiment, description thereof is omitted to avoid duplication. The information carrier 20b of this example is the firstConstitutionIn addition to having the same effect as the information carrier 20a according to the example, the booster coil 28 is concentrically arranged around the IC element 1, so that the antenna coil 3 integrally formed with the IC element 1 and the reader / writer 100 are provided. The electromagnetic coupling with the antenna coil 102 can be made higher by using the booster coil 28, and the power supply can be further stabilized, the signal transmission / reception can be further stabilized, or the communication distance can be increased.
[0037]
ThirdConstitutionAs shown in FIG. 12, the information carrier 20 c according to the example includes the base member 21 having two members of an upper member 22 and a lower member 24, and a recess 30 for housing the IC element 1 is formed in the lower member 24. It is characterized by that. For other configurations, the firstConstitutionSince it is the same as the information carrier 20a according to the example, the description is omitted to avoid duplication. The information carrier 20c of this example is the firstConstitutionIn addition to having the same effect as the information carrier 20a according to the example, since the number of parts is small, the cost of the information carrier can be further reduced.
[0038]
4thConstitutionAs shown in FIG. 13, the information carrier 20 d according to the example includes a base 21 having two members, an upper member 22 and a lower member 24, and a first recess 30 for housing the IC element 1 in the lower member 24. A second recess 29 for accommodating the booster coil 28 is formed. For other configurations, the thirdConstitutionSince it is the same as the information carrier 20c according to the example, the description is omitted to avoid duplication. The information carrier 20c of this example is a secondConstitutionIn addition to having the same effect as the information carrier 20b according to the example, since the number of parts is small, the cost of the information carrier can be further reduced.
[0039]
5thConstitutionAs shown in FIG. 14, the information carrier 20 e according to the example includes the base member 21 including two members, an upper member 22 having a through hole 27 for accommodating an IC element and a lower member 24 not having the through hole 27. The IC element 1 is housed in a recess formed by joining the upper member 22 and the lower member 24, and the recess is sealed with a potting resin 31. For other configurations, the firstConstitutionSince it is the same as the information carrier 20a according to the example, the description is omitted to avoid duplication. The information carrier 20e of this example has the same effects as the information carrier 20a according to the first embodiment except that the IC element 1 is not covered with a base.
[0040]
6thConstitutionAs shown in FIG. 15, the information carrier 20 f according to the example is an upper member in which a through hole 27 for housing an IC element is formed and a recess 29 for housing a booster coil is formed concentrically around the through hole 27. 22 and the lower member 24 that does not have the through hole 27 and the recess 29, the base 21 is configured, the booster coil 28 is accommodated in the recess 29, and the interior of the recess 29 is sealed with the potting resin 31. In addition, the IC element 1 is housed in a recess formed by joining the upper member 22 and the lower member 24, and the recess is sealed with a potting resin 31. For other configurations, refer to the fifth.ConstitutionSince it is the same as the information carrier 20e according to the example, the description is omitted to avoid duplication. The information carrier 20f of the present example is a first carrier except that the IC element 1 is not covered with a base.ConstitutionIt has the same effect as the information carrier 20a according to the example.
[0041]
7thConstitutionAs shown in FIG. 16, the information carrier 20 g according to the example forms a base 21 with one member having a recess 30 for storing the IC element 1 on one side, and the IC element 1 is stored in the recess 30. Then, the inside of the concave portion 30 is sealed with a potting resin 31. For other configurations, refer to the fifth.ConstitutionSince it is the same as the information carrier 20e according to the example, the description is omitted to avoid duplication. The information carrier 20g of this example is a fifthConstitutionIn addition to the same effects as the information carrier 20e according to the example, since the number of parts is small, the cost of the information carrier can be further reduced.
[0042]
8thConstitutionAs shown in FIG. 17, the information carrier 20h according to the example is a base having one member in which a first recess 30 for storing the IC element 1 and a second recess 29 for storing the booster coil 28 are formed on one side. 21, the IC element 1 is accommodated in the first recess 30 and the recess 30 is sealed with a potting resin 31, and the booster coil 28 is accommodated in the second recess 29. The inside is sealed with a potting resin 31. For other configurations, refer to the seventh section.ConstitutionSince it is the same as the information carrier 20g according to the example, the description is omitted to avoid duplication. The information carrier 20h of this example is the sixthConstitutionIn addition to the same effects as the information carrier 20f according to the example, since the number of parts is small, the cost of the information carrier can be further reduced.
[0043]
Each of the aboveConstitutionIn the example, the planar shape of the base body 21 is formed in a circular shape, but may be formed in an arbitrary shape such as a square, a rectangle, a triangle, or a polygon.
[0044]
The second, fourth, sixth and eighthConstitutionIn the information carrier according to the example, the booster coil 28 formed as an independent separate body is installed in the recess or the through-hole. Instead of such a configuration, for example, printing is performed on any member constituting the base 21. It is also possible to directly form the booster coil 28 by means such as plating or sputtering.
[0045]
Further, the booster coil 28 includes a first coil mainly electromagnetically coupled to the antenna coil, a non-contact communication coil provided in the reader / writer, and a second coil mainly electromagnetically coupled. The diameter may be larger than the diameter of the first coil, and the first and second coils may be connected in series.
[0046]
<Method of manufacturing information carrier>
Less thanAn embodiment of the information carrier manufacturing method according to the present invention will be described with reference to FIGS. 18 is a partial perspective view showing a first example of a strip-shaped material used for manufacturing the information carrier according to the present invention, FIG. 19 is a partial perspective view showing a second example of the strip-shaped material, and FIG. 20 is a third perspective view of the strip-shaped material. FIG. 21 is a partial perspective view showing an example, FIG. 21 is a partial perspective view showing a fourth example of the strip-shaped material, and FIG. 22 is a partial perspective view showing a fifth example of the strip-shaped material.
[0047]
In the information carrier manufacturing method of the present invention, a required mounting component including the IC element 1 is set in one base-constituting material (strip-shaped material) formed in a strip shape, and then, if necessary, It is characterized in that another belt-shaped material is bonded to one side or both surfaces or potting of a mounted part is performed, and then a required information carrier is punched from a single or bonded band-shaped material. For carrying out the information carrier manufacturing method according to the present invention, as shown in FIG. 18, a band-shaped material 41 in which through holes 27 for accommodating the IC elements 1 are opened at regular intervals, as shown in FIG. Are formed at regular intervals, and a ring-shaped recess 29 for storing the booster coil 28 is formed concentrically around each through-hole 27, and the bottom surface of the ring-shaped recess 29 is formed. A strip-shaped material 42 to which the adhesive layer 32 is applied, and recesses 30 for accommodating the IC elements 1 are opened at regular intervals as shown in FIG. 20, and the adhesive layer 32 is applied to the bottom surface of the recesses 30. As shown in FIG. 21, the first concave portions 30 for accommodating the IC elements 1 are opened at regular intervals as shown in FIG. 21 and the ring-shaped first for accommodating the booster coil 28 around each first concave portion 30. 2 Concave portions 29 are concentric The strip-shaped material 44 formed by applying the adhesive layer 32 to the bottom surface of each of the recesses 29 and 30, and as shown in FIG. 22, the adhesive layer 25 is uniformly coated on one side without any through holes or recesses. 45 is selectively used.
[0048]
The first example of the information carrier manufacturing method according to the present invention is the firstConstitutionFor manufacturing the information carrier 20a according to the example, one belt-like material 41 shown in FIG. 18 and two belt-like materials 45 shown in FIG. 22 are used. First, the band-shaped material 45 is bonded to one surface of the band-shaped material 41 via the adhesive layer 25 to obtain a bonded body of the band-shaped members 41 and 45 having a space in which the IC element 1 can be stored. Next, the IC element 1 is positioned and accommodated in the space, and bonded to the belt-shaped material 45 through the adhesive layer 25. Next, another belt-like material 45 is joined to the other surface side of the belt-like material 41 via the adhesive layer 25 to obtain a joined body of the belt-like members 41 and 45 in which the IC element 1 is housed in the internal space. Finally, the joined body is cut into a predetermined shape, and the firstConstitutionThe information carrier 20a according to the example is obtained. In the information carrier manufacturing method of this example, a large number of IC elements 1 are casing on the strip-shaped materials 41 and 45, and then the required information carriers are punched from the strip-shaped materials 41 and 45, so that the same information carrier can be highly efficient. The manufacturing cost of the information carrier can be reduced.
[0049]
The second example of the information carrier manufacturing method according to the present invention is the secondConstitutionIn order to manufacture the information carrier 20b according to the example, one strip material 42 shown in FIG. 19 and two strip materials 45 shown in FIG. 22 are used. First, the booster coil 28 is accommodated in the ring-shaped recess 29 formed in the belt-shaped material 42 and bonded to the bottom surface of the recess 29 via the adhesive layer 32. Next, the band-shaped material 45 is bonded to one surface of the band-shaped material 42 via the adhesive layer 25 to obtain a bonded body of the band-shaped members 42 and 45 having a space in which the IC element 1 can be stored. Next, the IC element 1 is positioned and accommodated in the space, and bonded to the belt-shaped material 45 through the adhesive layer 25. Next, another belt-like material 45 is joined to the other surface side of the belt-like material 41 via the adhesive layer 25 to obtain a joined body of the belt-like members 42 and 45 in which the IC element 1 is accommodated in the internal space. Finally, the joined body is cut into a predetermined shape, and the secondConstitutionThe information carrier 20b according to the example is obtained. The information carrier manufacturing method of this example also has the same effect as the information carrier manufacturing method according to the first embodiment.
[0050]
The third example of the information carrier manufacturing method according to the present invention is the thirdConstitutionFor manufacturing the information carrier 20c according to the example, one strip material 43 shown in FIG. 20 and one strip material 45 shown in FIG. 22 are used. First, the IC element 1 is positioned and accommodated in the recess 30 formed in the belt-shaped material 43, and bonded to the bottom surface of the recess 30 via the adhesive layer 32. Next, the band-shaped material 45 is bonded to the recess-forming surface side of the band-shaped material 43 via the adhesive layer 25 to obtain a bonded body of the band-shaped members 43 and 45 in which the IC element 1 is housed in the internal space. Finally, the joined body is cut into a predetermined shape, and the thirdConstitutionThe information carrier 20c according to the example is obtained. The information carrier manufacturing method of this example also has the same effect as the information carrier manufacturing method according to the first embodiment.
[0051]
The fourth example of the information carrier manufacturing method according to the present invention is the fourthConstitutionFor manufacturing the information carrier 20d according to the example, one strip material 44 shown in FIG. 21 and one strip material 45 shown in FIG. 22 are used. First, the IC element 1 is positioned and accommodated in the first recess 30 formed in the belt-shaped material 44, and is adhered to the bottom surface of the recess 30 via the adhesive layer 32, and is formed in the band-shaped material 44. The booster coil 28 is accommodated in the ring-shaped second recess 29 and bonded to the bottom surface of the recess 29 via the adhesive layer 32. Next, the band-shaped material 45 is bonded to the recess-forming surface side of the band-shaped material 44 via the adhesive layer 25 to obtain a bonded body of the band-shaped members 44 and 45 in which the IC element 1 is accommodated in the internal space. Finally, the joined body is cut into a predetermined shape, and the first4 configurationsExample information carrier 20dGet. The information carrier manufacturing method of this example also has the same effect as the information carrier manufacturing method according to the first embodiment.
[0052]
The fifth example of the information carrier manufacturing method according to the present invention is the fifthConstitutionFor manufacturing the information carrier 20e according to the example, one strip material 41 shown in FIG. 18 and one strip material 45 shown in FIG. 22 are used. First, the band-shaped material 45 is bonded to one surface of the band-shaped material 41 via the adhesive layer 25 to obtain a bonded body of the band-shaped members 41 and 45 having a space in which the IC element 1 can be stored. Next, the IC element 1 is positioned and accommodated in the space, and bonded to the belt-shaped material 45 through the adhesive layer 25. Next, the potting resin 31 is filled in the space in which the IC element 1 is stored, and a joined body of the band-like members 41 and 45 in which the IC element 1 is set is obtained. Finally, this joined body is cut into a predetermined shape, and the fifthConstitutionAn information carrier 20e according to the example is obtained. The information carrier manufacturing method of this example also has the same effect as the information carrier manufacturing method according to the first embodiment.
[0053]
A sixth example of the information carrier manufacturing method according to the present invention is the sixthConstitutionFor manufacturing the information carrier 20f according to the example, one strip-shaped material 42 shown in FIG. 19 and one strip-shaped material 45 shown in FIG. 22 are used. First, the booster coil 28 is accommodated in the ring-shaped recess 29 formed in the belt-shaped material 42 and bonded to the bottom surface of the recess 29 via the adhesive layer 32. Next, the band-shaped material 45 is bonded to one side of the band-shaped material 42 via the adhesive layer 25 to obtain a bonded body of the band-shaped members 42 and 45 having a space in which the IC element 1 can be stored. Next, the IC element 1 is positioned and accommodated in the space, and bonded to the belt-shaped material 45 through the adhesive layer 25. Next, the potting resin 31 is filled in the recess 29 in which the booster coil 28 is accommodated and the space in which the IC element 1 is accommodated, and the band-like members 42 and 45 in which the IC element 1 and the booster coil 28 are set are joined. Get the body. Finally, the joined body is cut into a predetermined shape, and the sixthConstitutionAn information carrier 20f according to the example is obtained. The information carrier manufacturing method of this example also has the same effect as the information carrier manufacturing method according to the first embodiment.
[0054]
The seventh example of the information carrier manufacturing method according to the present invention is the seventhConstitutionThis is for manufacturing the information carrier 20g according to the example, and the single strip material 43 shown in FIG. 20 is used. First, the IC element 1 is positioned and accommodated in the recess 30 formed in the belt-shaped material 43, and bonded to the bottom surface of the recess 30 via the adhesive layer 32. Next, a potting resin 31 is filled in the recess 30 in which the IC element 1 is accommodated, and a belt-like member 43 in which the IC element 1 is set is obtained. Finally, the belt-like member 43 is cut into a predetermined shape, and the seventh memberConstitutionAn information carrier 20g according to the example is obtained. The information carrier manufacturing method of this example also has the same effect as the information carrier manufacturing method according to the first embodiment.
[0055]
The eighth example of the information carrier manufacturing method according to the present invention is the eighthConstitutionFor manufacturing the information carrier 20h according to the example, the single strip-shaped material 44 shown in FIG. 21 is used. First, the IC element 1 is positioned and accommodated in the first recess 30 formed in the belt-shaped material 44, and is adhered to the bottom surface of the recess 30 via the adhesive layer 32, and is formed in the band-shaped material 44. The booster coil 28 is accommodated in the ring-shaped second recess 29 and bonded to the bottom surface of the recess 29 via the adhesive layer 32. Next, a potting resin 31 is filled in the first recess 30 in which the IC element 1 is accommodated and in the second recess 29 in which the booster coil 28 is accommodated, and the band-shaped member in which the IC element 1 and the booster coil 28 are set. 43 is obtained. Finally, the joined body is cut into a predetermined shape, and the eighthConstitutionAn information carrier 20h according to the example is obtained. The information carrier manufacturing method of this example also has the same effect as the information carrier manufacturing method according to the first embodiment.
[0056]
In the second, fourth, sixth, and eighth embodiments, the booster coil 28 is formed as a separate body independent of the base body 21, but is printed on any belt-like member that constitutes the base body 21. You can also.
[0057]
【The invention's effect】
As explained above,BookIn the information carrier manufacturing method of the invention, a belt-shaped material in which a required mounting component including an IC element is mounted is manufactured, and then the required information carrier is punched out from the belt-shaped material. The carrier can be manufactured with high efficiency, and the manufacturing cost of the information carrier including the IC element can be reduced.
[Brief description of the drawings]
[Figure 1]Applied to information carrier manufacturing method according to the present inventionIt is a top view of an IC element.
[Figure 2]Applied to information carrier manufacturing method according to the present inventionIt is principal part sectional drawing of an IC element.
FIG. 3 is a plan view of a completed wafer.
[Fig. 4]IIt is process drawing which shows the 1st example of a C element manufacturing method.
[Figure 5]IIt is process drawing which shows the 2nd example of a C element manufacturing method.
FIG. 6 is a plan view of a completed wafer on which a required conductive pattern including an antenna coil is formed.
FIG. 7 FirstConstitutionIt is the top view which cut a part of information carrier concerning an example.
FIG. 8 FirstConstitutionIt is a disassembled perspective view of the information carrier which concerns on an example.
FIG. 9ConstitutionIt is sectional drawing of the information carrier which concerns on an example.
FIG. 10 FirstConstitutionIt is explanatory drawing of the use condition of the information carrier which concerns on an example.
FIG. 11ConstitutionIt is sectional drawing of the information carrier which concerns on an example.
FIG.First3ConstitutionIt is sectional drawing of the information carrier which concerns on an example.
FIG. 13ConstitutionIt is sectional drawing of the information carrier which concerns on an example.
FIG. 14ConstitutionIt is sectional drawing of the information carrier which concerns on an example.
FIG. 15ConstitutionIt is sectional drawing of the information carrier which concerns on an example.
FIG. 16ConstitutionIt is sectional drawing of the information carrier which concerns on an example.
FIG. 17ConstitutionIt is sectional drawing of the information carrier which concerns on an example.
FIG. 18 is a partial perspective view showing a first example of a strip-shaped material.
FIG. 19 is a partial perspective view showing a second example of a strip-shaped material.
FIG. 20 is a partial perspective view showing a third example of a strip-shaped material.
FIG. 21 is a partial perspective view showing a fourth example of a strip-shaped material.
FIG. 22 is a partial perspective view showing a fifth example of a strip-shaped material.
[Explanation of symbols]
1 IC element
2 Surface protective film
3 Antenna coil
4 Circuit formation part
5 through holes
6 Metal sputter layer or metal deposition layer
7 Metal plating layer
11 Completed wafer
12 Photoresist layer
13 Mask
14 Light of predetermined wavelength
15 Electrode section
16 Lead part
20a-20h Information carrier
21 Base
22 Upper member
23 Intermediate member
24 Lower member
25 Adhesive layer
27 Through hole
28 Booster Coil
29 recess
41-45 strip material

Claims

ＩＣ素子を挿入可能な多数の透孔が規則的に開設され、かつ、当該各透孔の周囲にリング状の凹部が同心円状に形成された第１帯状素材の前記凹部内に前記ＩＣ素子とは独立の別体に形成されたコイルを収納して固定する工程と、前記第１帯状素材の片面に透孔を有しない第２帯状素材を接合する工程と、入出力端子の形成面に表面保護膜を介してアンテナコイルが一体形成されたＩＣ素子を前記透孔内に収納して固定する工程と、前記第１帯状素材と透孔を有しない第３帯状素材とを接合する工程と、接合された前記第１乃至第３の帯状素材を一体に打ち抜いて前記ＩＣ素子及び当該ＩＣ素子とは独立の別体に形成されたコイルを有する所要の情報担体を得る工程とを含むことを特徴とする情報担体の製造方法。A large number of through holes into which IC elements can be inserted are regularly opened, and the IC elements and the IC elements are formed in the concave portions of the first belt-shaped material in which ring-shaped concave portions are formed concentrically around the through holes. Includes a step of storing and fixing a coil formed in an independent separate body, a step of bonding a second strip-shaped material having no through hole on one surface of the first strip-shaped material, and a surface on the surface where the input / output terminals are formed. A step of housing and fixing an IC element integrally formed with an antenna coil through a protective film in the through- hole, a step of joining the first strip-shaped material and a third strip-shaped material having no through-hole, A step of integrally punching the joined first to third band-shaped materials to obtain a required information carrier having the IC element and a coil formed separately from the IC element. A method for producing an information carrier.

ＩＣ素子を挿入可能な多数の第１凹部が規則的に形成され、かつ、当該各第１凹部の周囲にリング状の第２凹部が同心円状に形成された第１帯状素材の前記第１凹部内に、入出力端子の形成面に表面保護膜を介してアンテナコイルが一体形成されたＩＣ素子を収納して固定する工程と、前記第１帯状素材の第２凹部内に前記ＩＣ素子とは独立の別体に形成されたコイルを収納して固定する工程と、前記第１帯状素材の凹部形成面側に透孔を有しない第２帯状素材を接合する工程と、接合された前記第１及び第２の帯状素材を一体に打ち抜いて前記ＩＣ素子及び当該ＩＣ素子とは独立の別体に形成されたコイルを有する所要の情報担体を得る工程とを含むことを特徴とする情報担体の製造方法。A plurality of first recesses into which IC elements can be inserted are regularly formed, and the first recesses of the first belt-shaped material in which ring-shaped second recesses are formed concentrically around the first recesses. An IC element in which an antenna coil is integrally formed on the input / output terminal forming surface via a surface protective film, and fixing the IC element in the second recess of the first belt-shaped material. A step of storing and fixing a coil formed in an independent separate body, a step of bonding a second belt-shaped material having no through-hole on the recess forming surface side of the first belt-shaped material, and the bonded first And obtaining a required information carrier having a coil formed separately from the IC element and the IC element by integrally punching the second band-shaped material. Method.

ＩＣ素子を挿入可能な多数の透孔が規則的に開設され、かつ、当該各透孔の周囲にリング状の凹部が同心円状に形成された第１帯状素材の前記凹部内に前記ＩＣ素子とは独立の別体に形成されたコイルを収納して固定する工程と、前記第１帯状素材と透孔を有しない第２帯状素材とを接合する工程と、入出力端子の形成面に表面保護膜を介してアンテナコイルが一体形成されたＩＣ素子を前記透孔内に収納して固定する工程と、前記コイルが収納された凹部及び前記ＩＣ素子が収納された透孔を樹脂封止する工程と、接合された前記第１及び第２の帯状素材を一体に打ち抜いて前記ＩＣ素子及び当該ＩＣ素子とは独立の別体に形成されたコイルを有する所要の情報担体を得る工程とを含むことを特徴とする情報担体の製造方法。A large number of through holes into which IC elements can be inserted are regularly opened, and the IC elements and the IC elements are formed in the concave portions of the first belt-shaped material in which ring-shaped concave portions are formed concentrically around the through holes. Includes a step of storing and fixing a coil formed as an independent separate body, a step of joining the first strip-shaped material and a second strip-shaped material having no through-hole, and surface protection on the formation surface of the input / output terminal. A step of housing and fixing the IC element integrally formed with the antenna coil through the film in the through hole, and a step of resin-sealing the concave portion in which the coil is housed and the through hole in which the IC element is housed And obtaining the required information carrier having the IC element and the coil formed separately from the IC element by integrally punching the joined first and second strip-shaped materials together. A method for producing an information carrier characterized by the above.

ＩＣ素子を挿入可能な多数の第１凹部が規則的に形成され、かつ、当該各第１凹部の周囲にリング状の第２凹部が同心円状に形成された帯状素材の前記第１凹部内に、入出力端子の形成面に表面保護膜を介してアンテナコイルが一体形成されたＩＣ素子を収納して固定する工程と、前記帯状部材の第２凹部内に前記ＩＣ素子とは独立の別体に形成されたコイルを収納して固定する工程と、前記第１及び第２の凹部を樹脂封止する工程と、前記帯状素材を打ち抜いて前記ＩＣ素子及び当該ＩＣ素子とは独立の別体に形成されたコイルを有する所要の情報担体を得る工程とを含むことを特徴とする情報担体の製造方法。A large number of first recesses into which IC elements can be inserted are regularly formed, and a ring-shaped second recess is formed around each first recess in the first recess of the belt-shaped material. A step of housing and fixing an IC element in which an antenna coil is integrally formed via a surface protective film on a surface on which an input / output terminal is formed, and a separate body independent of the IC element in a second recess of the belt-shaped member A step of housing and fixing the coil formed on the substrate, a step of resin-sealing the first and second recesses, and punching the strip material to separate the IC element and the IC element from each other. And a step of obtaining a required information carrier having a formed coil.