JP4359136B2 - 部分的に疎水性のケイ酸、系のレオロジーを制御するための添加剤、ならびに部分的に疎水性のケイ酸を含有するトナー、現像剤およびエマルション - Google Patents

部分的に疎水性のケイ酸、系のレオロジーを制御するための添加剤、ならびに部分的に疎水性のケイ酸を含有するトナー、現像剤およびエマルション Download PDF

Info

Publication number
JP4359136B2
JP4359136B2 JP2003421211A JP2003421211A JP4359136B2 JP 4359136 B2 JP4359136 B2 JP 4359136B2 JP 2003421211 A JP2003421211 A JP 2003421211A JP 2003421211 A JP2003421211 A JP 2003421211A JP 4359136 B2 JP4359136 B2 JP 4359136B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silicic acid
partially hydrophobic
surface area
group
less
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2003421211A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2004203735A (ja
Inventor
ゴッチャルク−ガウディヒ トーステン
バルテル ヘルベルト
ポール ビンクス バーナード
バラール アンリ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wacker Chemie AG
Original Assignee
Wacker Chemie AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=32404135&utm_source=***_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP4359136(B2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Wacker Chemie AG filed Critical Wacker Chemie AG
Publication of JP2004203735A publication Critical patent/JP2004203735A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4359136B2 publication Critical patent/JP4359136B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B13/00Oxygen; Ozone; Oxides or hydroxides in general
    • C01B13/14Methods for preparing oxides or hydroxides in general
    • C01B13/145After-treatment of oxides or hydroxides, e.g. pulverising, drying, decreasing the acidity
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/113Silicon oxides; Hydrates thereof
    • C01B33/12Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
    • C01B33/18Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K9/00Use of pretreated ingredients
    • C08K9/04Ingredients treated with organic substances
    • C08K9/06Ingredients treated with organic substances with silicon-containing compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09CTREATMENT OF INORGANIC MATERIALS, OTHER THAN FIBROUS FILLERS, TO ENHANCE THEIR PIGMENTING OR FILLING PROPERTIES ; PREPARATION OF CARBON BLACK  ; PREPARATION OF INORGANIC MATERIALS WHICH ARE NO SINGLE CHEMICAL COMPOUNDS AND WHICH ARE MAINLY USED AS PIGMENTS OR FILLERS
    • C09C1/00Treatment of specific inorganic materials other than fibrous fillers; Preparation of carbon black
    • C09C1/28Compounds of silicon
    • C09C1/30Silicic acid
    • C09C1/3081Treatment with organo-silicon compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09CTREATMENT OF INORGANIC MATERIALS, OTHER THAN FIBROUS FILLERS, TO ENHANCE THEIR PIGMENTING OR FILLING PROPERTIES ; PREPARATION OF CARBON BLACK  ; PREPARATION OF INORGANIC MATERIALS WHICH ARE NO SINGLE CHEMICAL COMPOUNDS AND WHICH ARE MAINLY USED AS PIGMENTS OR FILLERS
    • C09C3/00Treatment in general of inorganic materials, other than fibrous fillers, to enhance their pigmenting or filling properties
    • C09C3/12Treatment with organosilicon compounds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G9/00Developers
    • G03G9/08Developers with toner particles
    • G03G9/097Plasticisers; Charge controlling agents
    • G03G9/09708Inorganic compounds
    • G03G9/09716Inorganic compounds treated with organic compounds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G9/00Developers
    • G03G9/08Developers with toner particles
    • G03G9/097Plasticisers; Charge controlling agents
    • G03G9/09708Inorganic compounds
    • G03G9/09725Silicon-oxides; Silicates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/50Agglomerated particles
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/60Particles characterised by their size
    • C01P2004/61Micrometer sized, i.e. from 1-100 micrometer
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/60Particles characterised by their size
    • C01P2004/62Submicrometer sized, i.e. from 0.1-1 micrometer
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/60Particles characterised by their size
    • C01P2004/64Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/12Surface area
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/40Electric properties

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Developing Agents For Electrophotography (AREA)
  • Pigments, Carbon Blacks, Or Wood Stains (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)

Description

本発明は部分的に疎水性のケイ酸を製造するための方法に関する。
シリル化されたケイ酸はたとえばEP0686676に記載されており、通常は非水性の極性樹脂系においてレオロジー調節剤として使用される。しかし水性樹脂中でのシリル化ケイ酸の使用は不利である。というのも、該ケイ酸はその顕著な疎水性に基づいて水相中にほとんど混入することができず、かつ水相からの分離傾向が強いことにより凝集し、かつ分離する傾向があるからである。
EP0686676
従って本発明の課題は、従来技術の欠点を有していない表面変性された固体を提供することである。
上記課題は本発明により、ケイ酸を
I)式
SiX4−n
[式中、
n=1、2または3を表し、
は1〜24個の炭素原子を有する、飽和またはモノ不飽和もしくはポリ不飽和の一価の、場合によりハロゲン化されている炭化水素基であり、かつその際、同じか、または異なっていてもよく、かつ
Xはハロゲン、窒素基、OR、OCOR、O(CHORであり、その際、Rは水素または1〜12個の炭素原子を有する一価の炭化水素基を表し、かつx=1、2、3を表す]のオルガノシランまたは該オルガノシランからなる混合物
または
II)式
(R SiO1/2)および/または
(R SiO2/2)および/または
(RSiO3/2
[式中、Rは上記のものを表し、その際、オルガノシロキサン中のこれらの単位の数は少なくとも2である]の単位から構成されているオルガノシロキサンによりシリル化し、その際、I)式で表されるオルガノシランまたは該オルガノシランからなる混合物、および、II)式の単位から構成されているオルガノシロキサンを、ケイ酸のBET表面積100m/g(DIN66131および66132により測定される)あたり、0.015ミリモル/g〜0.15ミリモル/g使用することを特徴とする、部分的に疎水性のケイ酸の製造方法により解決されることが判明した。
シリル化のベース(出発)生成物として金属酸化物、ケイ酸、たとえば沈降シリカまたは熱分解法シリカのようなケイ酸、二酸化チタン、二酸化アルミニウム、二酸化ジルコニウムおよびこれらの混合酸化物を使用し、その際、これらの金属酸化物、ケイ酸は湿式法、プラズマ法または火炎法により製造されたものでもよく、有利にはケイ酸(二酸化ケイ素)、特に有利には熱分解法ケイ酸を使用し、殊に有利には無水の条件下で製造されるケイ酸を使用する。
有利な実施態様ではケイ酸を流動化した形で本発明による方法において使用する。
出発ケイ酸の製造
無水とはこの場合、熱水製造法でもその他の方法の工程、たとえば冷却、精製および貯蔵でも、完成し、かつ精製、包装および出荷待ちとなった状態の製品にいたるまで、液状でも蒸気の形でも付加的な水をプロセスに供給しないことであると理解すべきである。この場合、いずれにしてもケイ酸の全質量に対して10質量%を越える水を添加することはなく、有利には水は5質量%を越えることはなく、さらに有利には2.5質量%を越えることはなく、とりわけ有利であるのは水を添加しないことである。
有利には分子レベルでの高い表面均一性として記載することができ、最小の表面粗さとして特徴付けることができる高い表面活性を有するケイ酸を使用する。
ケイ酸は有利には100nmより小さい一次粒子の平均粒径、有利には5〜50nmの一次粒子の平均粒径を有する。この一次粒子はケイ酸中に分離されて存在しているのではなく、より大きなアグリゲートおよびアグロメレートとして存在している。
有利には該ケイ酸は25〜500m/g(DIN66131および66132によるBET法により測定)の比表面積を有する。
該ケイ酸は有利には直径100〜1000nmの範囲のアグリゲート(定義はDIN53206による)を有し、その際、該ケイ酸は該アグリゲートから構成されるアグロメレート(定義はDIN53206による)を有しており、該アグロメレートは外部の剪断負荷(たとえば測定条件)に依存して1〜500μmの大きさを有する。
有利にはケイ酸は2.3以下、好ましくは2.1以下、特に有利には1.95〜2.05の表面のフラクタル次元を有し、その際、表面Dのフラクタル次元はこの場合、次のとおりに定義される:
粒子の表面積Aは粒子の半径RのD乗に比例する。
有利には該ケイ酸は好ましくは2.8以下、有利に2.7以下、特に有利には2.4〜2.6の質量Dのフラクタル次元を有する。この場合、質量Dのフラクタル次元は次のとおりに定義される:
粒子の質量Mは粒子の半径RのD乗に比例する。
有利にはケイ酸は2.5SiOH/nmより小さい、有利には2.1SiOH/nmより小さい、好ましくは2SiOH/nmより小さい、特に好ましくは1.7〜1.9SiOH/nmの、得られる、つまり化学反応で得られる表面シラノール基SiOHの密度を有する。
高温(1000℃を越える)で製造したケイ酸を使用することができる。熱分解法により製造したケイ酸が特に有利である。製造したばかりの、バーナーから直接由来するか、中間貯蔵した、またはすでに市販品として包装されている親水性ケイ酸を使用することができる。
圧縮されておらず、60g/lより小さいかさ密度を有するケイ酸、あるいはまた圧縮して60g/lより大きいかさ密度を有するケイ酸を使用することができる。
種々のケイ酸からなる混合物、たとえば異なったBET表面積のケイ酸からなる混合物を使用することができる。
金属酸化物、ケイ酸、有利にはケイ酸を、部分的に疎水性の金属酸化物、ケイ酸の製造方法により、有利には熱分解法によって製造し、その際、金属酸化物、ケイ酸を有利には流動化し、
I)式
SiX4−n
[式中、
n=1、2または3を表し、
は1〜24個の炭素原子を有する、飽和またはモノ不飽和もしくはポリ不飽和の一価の、場合によりハロゲン化された炭化水素基であり、かつその際、同じか、または異なっていてもよく、かつ
Xはハロゲン、窒素基、OR、OCOR、O(CHORであり、その際、Rは水素または1〜12個の炭素原子を有する一価の炭化水素基を表し、かつx=1、2、3を表す]のオルガノシランまたは該オルガノシランからなる混合物
または
II)式
(R SiO1/2)および/または
(R SiO2/2)および/または
(RSiO3/2
[式中、Rは上記のものを表し、その際、オルガノシロキサン中のこれらの単位の数は少なくとも2である]の単位から構成されているオルガノシロキサンによりシリル化し、その際、IおよびIIは100m/gの使用される金属酸化物表面積、ケイ酸表面積あたり0.015ミリモル/g〜0.15ミリモル/gの全量で単独で使用するか、または任意の混合物として使用する。
のための例はアルキル基、たとえばメチル基、エチル基、プロピル基、たとえばイソ−プロピル基またはn−プロピル基、ブチル基、たとえばt−ブチル基またはn−ブチル基、ペンチル基、たとえばネオ−ペンチル基、イソ−ペンチル基またはn−ペンチル基、ヘキシル基、たとえばn−ヘキシル基、ヘプチル基、たとえばn−ヘプチル基、オクチル基、たとえば2−エチル−ヘキシル基またはn−オクチル基、デシル基、たとえばn−デシル基、ドデシル基、たとえばn−ドデシル基、ヘキサデシル基、たとえばn−ヘキサデシル基、オクタデシル基、たとえばn−オクタデシル基、アルケニル基、たとえばビニル基、2−アリル−もしくは5−ヘキセニル基、アリール基、たとえばフェニル基、ビフェニル基またはナフテニル基、アルキルアリール基、たとえばベンジル基、エチルフェニル基、トルイル基またはキシリル基、ハロゲン化アルキル基、たとえば3−クロロプロピル基、3,3,3−トリフルオロプロピル基またはペルフルオロヘキシルエチル基、ハロゲン化アリール基、たとえばクロロフェニル基またはクロロベンジル基である。
のための有利な例はメチル基、オクチル基およびビニル基であり、特にメチル基が有利である。
のための例はアルキル基、たとえばメチル基、エチル基、プロピル基、たとえばイソ−プロピル基またはn−プロピル基、ブチル基、たとえばt−ブチル基またはn−ブチル基、ペンチル基、たとえばネオ−ペンチル基、イソ−ペンチル基またはn−ペンチル基、ヘキシル基、たとえばn−ヘキシル基、ヘプチル基、たとえばn−ヘプチル基、オクチル基、たとえば2−エチル−ヘキシル基またはn−オクチル基、デシル基、たとえばn−デシル基、ドデシル基、たとえばn−ドデシル基である。
のための有利な例はメチル基およびエチル基である。
オルガノシランのための例はメチルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシラン、トリメチルクロロシラン、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、トリメチルメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、メチルトリアセトキシシラン、ジメチルジアセトキシシラン、トリメチルアセトキシシラン、オクチルメチルジクロロシラン、オクチルトリクロロシラン、オクタデシルメチルジクロロシラン、オクタデシルトリクロロシラン、ビニルトリクロロシラン、ビニルメチルジクロロシラン、ビニルジメチルクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシラン、ビニルジメチルメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルメチルジエトキシシラン、ビニルジメチルエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン、ジビニルテトラメチルジシラザン、ビス(3,3−トリフルオロプロピル)テトラメチルジシラザン、オクタメチルシクロテトラシラザン、トリメチルシラノールである。
オルガノシランからなる任意の混合物もまた使用することができる。
一方ではメチル−クロロシランまたは他方ではアルコキシシランおよび場合によりジシラザンからなる混合物は有利である。
メチルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシランおよびトリメチルクロロシランまたはヘキサメチルジシラザンは有利である。
オルガノシロキサンの例は3より大きいジアルキルシロキシ単位の平均数を有する直鎖状もしくは環式のジアルキルシロキサンである。ジアルキルシロキサンは有利にはジメチルシロキサンである。特に有利であるのは、次の末端基を有する直鎖状のポリジメチルシロキサンである:トリメチルシロキシ、ジメチルヒドロキシシロキシ、ジメチルクロロシロキシ、メチルジクロロシロキシ、ジメチルメトキシシロキシ、メチルジメトキシシロキシ、ジメチルエトキシシロキシ、メチルジエトキシシロキシ、ジメチルアセトキシシロキシ、メチルジアセトキシシロキシ、ジメチルヒドロキシシロキシ、その際、末端基は同じであっても、異なっていてもよい。前記のポリジメチルシロキサンの中で、25℃で2〜100mPasの粘度を有し、かつ末端基トリメチルシロキシまたはジメチルヒドロキシシロキシを有するものが特に有利である。
オルガノシロキサンのための別の例は、液状または可溶性のシリコーン樹脂、特にアルキル基としてメチル基を有するものである。
SiO1/2単位およびSiO4/2単位を有するか、またはRSiO3/2単位および場合によりR SiO2/2単位を有するものが特に有利である。この場合、Rは有利にはメチルである。
1000mPasより大きい粘度を有するオルガノシロキサンの場合、工業的に取り扱うことができる溶剤、たとえば有利にはアルコール、たとえばメタノール、エタノール、イソ−プロパノール、エーテル、たとえばジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、シロキサン、たとえばヘキサメチルジシロキサン、アルカン、たとえばシクロヘキサンまたはn−オクタン、芳香族化合物、たとえばトルエンまたはキシレン中に、10%を越える濃度および被覆温度で1000mPasより小さい混合粘度で溶解することができるものが特に有利である。
被覆温度で固体のオルガノシロキサンの中で、工業的に取り扱うことができる溶剤(たとえば上記のもの)中、10質量%を上回る濃度および被覆温度で1000mPasより小さい混合粘度で溶解することができるものが有利である。
シリル化したケイ酸を製造するためのシリル化剤として上記の有機ケイ素化合物を使用する。
−有利にはBET表面積100m/g(DIN66131および66132によるBET法により測定)の使用される金属酸化物表面積、ケイ酸表面積、有利にはケイ酸表面積あたり、0.015ミリモル/g〜0.15ミリモル/g、有利には0.015ミリモル/g〜0.09ミリモル/g、特に有利には0.03ミリモル/g〜0.09ミリモル/gのシリル化剤を使用する。
− シリル化は有利には不連続的な反応として、つまりバッチ式の方法として、または連続的な反応として実施することができる。技術的な理由から連続的な反応が有利である。
− 反応は有利には1工程で実現するか、または2もしくは3つの連続工程で実現することができる。つまり反応の前に負荷(シリル化剤の物理的吸収(Physosorption))が接続され、ならびに反応の後に有利には精製工程が接続されていてもよい。連続する3つの工程、つまり(1)負荷、(2)反応、(3)精製、が有利である。
− 負荷温度は有利には−30℃〜350℃、有利には20℃〜300℃、特に有利には20℃〜120℃である。
− 反応温度は有利には50〜400℃、好ましくは50℃〜350℃、特に有利には50〜330℃で十分である。
− 反応時間は有利には1分〜24時間、好ましくは10分〜8時間、特に有利には30分〜4時間である。
− 反応圧力は有利には標準圧力の範囲、10バールまでの過剰圧力、0.2バールまでの減圧が可能である。
− 精製温度は有利には100〜400℃、好ましくは250℃〜350℃、特に有利には290〜340℃である。
金属酸化物、ケイ酸、有利にはケイ酸とシリル化剤との効果的な運動および混合が必要である。これは有利には機械的もしくはキャリアガスを用いた流動化により行う。キャリアガスを用いた流動化は、シリル化剤、金属酸化物、ケイ酸、有利にはケイ酸、シリル化された金属酸化物、ケイ酸、有利にはシリル化されたケイ酸および副反応生成物と反応しない、つまり副反応、分解反応、酸化プロセスおよび火炎−および爆発現象を生じない全ての不活性ガス、たとえばN、Ar、その他の希ガス、COなどにより行うことができる。流動化のための気体の供給は有利には0.05〜5cm/s、特に有利には0.05〜1cm/sの空塔速度の範囲で行う。機械的な流動化は羽根型撹拌機、アンカー形撹拌機およびその他の適切な撹拌装置により行うことができる。
− 特に有利な実施態様では酸素の少ない雰囲気を維持するための十分な量、有利には5体積%より少ない量の気体を供給するのみであり、この場合、流動化は純粋に機械的に行われる。
−反応は有利にはシリル化した金属酸化物、ケイ酸、有利にはシリル化したケイ酸の酸化につながらない雰囲気中で、つまり酸素の少ない雰囲気中で、有利には酸素が10体積%より少なく、特に有利には2.5体積%より少ない雰囲気中で行い、その際、最良の結果は酸素が1体積%より少ない雰囲気中で達成される。
金属酸化物、ケイ酸、有利にはケイ酸中へのシリル化剤の効果的な導入を行う。シリル化剤が室温で、かつ/または反応温度で特に液状の化合物である場合、有利には効果的な噴霧技術を使用する:加圧下(5〜20バール)での1物質ノズルでの噴霧、加圧下(気体および液体2〜20バール)での2物質ノズルでの噴霧、噴霧器による微分散など。
− 有利には微細に分散したエーロゾルとしてシリル化剤を供給し、この場合、該エーロゾルが有利には0.1〜20cm/sの降下速度を有し、かつ5μm〜25μmの空力的な等価直径(Aequivalentdurchmesser)を有する滴サイズを有することを特徴とする。
− 選択的に有利にはプロトン性溶剤、たとえば液状または気化可能なアルコールまたは水を添加する。一般的なアルコールはイソ−プロパノール、エタノールおよびメタノールである。上記のプロトン性溶剤の混合物もまた添加することができる。有利にはプロトン性溶剤を添加しない。
− 選択的に有利には酸性または塩基性の触媒を添加することができる。これらの触媒はルイス塩基またはブレンステッド塩基、たとえばアンモニアの意味で塩基性であってもよく、またはルイス酸またはブレンステッド酸、たとえば塩化水素の意味で酸性であってもよい。有利にはこれらを痕跡量で、つまり1000ppmより少ない量で添加する。特に有利には触媒を添加しない。
− 精製工程は運動により特徴付けられており、この場合、ゆっくりとした運動、およびわずかな混合が有利である。
−精製工程はさらに、空塔速度0.001〜10cm/s、有利には0.01〜1cm/sに相応する高められた気体導入により特徴付けられる。
− さらに精製工程は機械的な撹拌装置による混合を含んでいてもよい。その際、撹拌装置は有利には混合および流動化が開始されるが、しかし完全な渦動は生じないように調整し、かつ運動させる。
− さらにシリル化工程の間に機械的な圧縮のための手段、たとえばプレスロール、ボールミル、粉砕機、スクリュー型圧縮機、ブリケッティング装置を使用することができる。
−さらにシリル化工程の間に金属酸化物、ケイ酸、有利にはケイ酸を解膠するための手段、たとえばピンミルまたは粉砕分級のための装置を使用することができる。
− さらに精製法に引き続きケイ酸を機械的に圧縮するための手段、たとえばプレスロール、または適切な真空法により空気もしくは気体成分を吸引することによる圧縮、または機械的な圧縮のためのその他の手段、たとえばプレスロール、ボールミル、粉砕機、スクリュー型圧縮機、ブリケッティング装置を使用することができる。
−さらに精製に引き続き金属酸化物、ケイ酸、有利にはケイ酸を解膠するための手段、たとえばピンミルまたは粉砕分級のための装置を使用することができる。
−有利な実施態様では反応していないシリル化剤、副反応生成物、化学的に固定されず、かつ場合により変更される過剰のシリル化剤、精製工程からの精製生成物および排ガスを適切に温度調節された装置中でふたたび金属酸化物、ケイ酸、有利にはケイ酸の被覆および負荷工程に返送する。これは部分的に、または完全に行うことができ、有利には精製から排出される気体体積の全体積流量の50〜90体積%まで行うことができる。
もう1つの対象は、その粒子が空気中で水に対して有利には180゜より小さい接触角θを有し、その際、シリル化剤基によるケイ酸表面の被覆度τは全ケイ酸粒子表面積に対して1%<τ<50%であり、その際、表面シラノール基SiOHの密度は粒子表面積nmあたり有利には最小で0.9から最大で1.7SiOHの間、有利には1.0〜1.7SiOH、特に有利には1.2〜1.7SiOHの間で変動し、かつ100m/gの比表面積で有利には0.1〜2.0、好ましくは0.1〜1.6、特に有利には0.1〜1.4質量%の炭素含有率を有し、ならびに有利には30より小さく、好ましくは20より小さいメタノール価を有する、部分的に疎水性のケイ酸である。
該ケイ酸は比表面積100m/gで有利には0.1〜0.8、好ましくは0.1〜0.67、特に有利には0.1〜0.5の炭素含有率を有する。
本発明によるケイ酸は水と接触する際にほぼ完全に濡れることができることを特徴とする。本発明によるケイ酸にとってこのことは、水中に振り入れたときにケイ酸が沈降し、かつ水の表面に浮遊する割合が好ましくは30質量%より少なく、有利には5質量%より少なく、かつ特に有利には1質量%より少ないことを意味する。
有利には該粒子は水に対して完全な非湿潤性を有していない、つまり空気中で水に対する接触角θが180゜より小さいことを特徴とする。
有利には水に対する粒子の接触角θは100゜〜0゜である。
特に有利には水に対する粒子の接触角θは90゜〜0゜である。
有利にはケイ酸粒子である本発明による粒子に関してこのことは、ケイ酸が有利には部分的に疎水化されており、有利には部分的にシリル化されていることを意味する。
本発明により部分的にシリル化されているとはここでは、全てのケイ酸表面がシリル化されていないことでも、全てのケイ酸表面がシリル化されていることでもないことを意味する。この場合、シリル化剤基による表面の被覆度τは、ケイ酸粒子の全表面積に対して1%<τ<50%、有利には1%<τ<30%および特に有利には10%<τ<30%である。
その際、シリル化剤による被覆はたとえば元素分析、たとえば炭素含有率により、または金属酸化物、ケイ酸の反応性の表面OH基の基含有率の測定により確認することができる。
熱分解法二酸化ケイ素に関して部分的なシリル化とはここでは、二酸化ケイ素表面の、シリル化されていない表面シラノール基の含有率が出発二酸化ケイ素の少なくとも50%〜最大で95%の間で変動することを意味する。出発二酸化ケイ素(100質量%)は、比表面積nmあたりSiOH1.5〜2.5、有利にはSiOH1.6〜2.0を有する。
このことは表面シラノール基SiOHの密度が粒子表面積nmあたり、有利には最小で0.9〜最大で1.7SiOH、好ましくは1.0〜1.7SiOH、特に有利には1.2〜1.7SiOHの間で変動することを意味する。
シリル化のために考慮される比表面積200m/gの二酸化ケイ素に関して、このことはSiOH0.3ミリモル/g〜0.57ミリモル/gを意味する。より小さいか、もしくはより大きい表面積を有する二酸化ケイ素に関してはこのことは表面シラノール基SiOHの程度の差はあるものの線形に比例することを意味する。
熱分解法二酸化ケイ素の、水による完全な湿潤性は、該二酸化ケイ素が100m/gの比表面積で0.1質量%より小さい炭素含有率を有する場合に生じる。これより小さいか、またはより大きい表面積を有する二酸化ケイ素に関しては、このことは程度の差はあるものの、炭素含有率が線形に比例することを意味する。
完全に水により湿潤性ではなく、かつ有利には比表面積100m/gで0.1質量%より大きい炭素含有率を有する熱分解法二酸化ケイ素は有利である。これより小さいか、またはより大きい表面積を有する二酸化ケイ素に関してこのことは程度の差はあるものの、炭素含有率が線形に比例することを意味する。
完全に水により非湿潤性ではなく、かつ有利には比表面積100m/gで0.1質量%より大きい炭素含有率を有する熱分解法二酸化ケイ素は有利である。これより小さいか、またはより大きい表面積を有する二酸化ケイ素に関してこのことは程度の差はあるものの、炭素含有率が線形に比例することを意味する。
有利には完全に水により非湿潤性ではない熱分解法二酸化ケイ素は30より小さいメタノール価を有する。
粉末の接触角を測定するための方法の例は次のものである:
1)粒子の接触角は、粒子からなる粉末状の固体の圧縮成形体を通常の方法により慎重に製造し、かつ引き続き空気中で公知の表面張力を有する公知の、かつ定義された液体、有利には純物質に対する接触角を従来の方法で、たとえばゴニオメーターにより、またはデジタル画像解析により測定することにより得られる。
接触角θは、気体空間(g)中での液体(l)および固体(s)の表面張力および表面エネルギーの比を次のとおりに定義する:
cos(θ)=(γ(sl)−γ(sg))/γ(lg)
固体の表面エネルギー(mJ/m)は液体の表面張力(mN/m)と同じディメンション(dimensionsgleich)である。というのも、[J]=[Nm]が該当するからである。
2)接触角はルーカス−ウォッシュバーンの平衡(Lucas-Washburn-Gleichung)を使用するインビビション法により確認することができる。これは粒子バルクの開放気孔率および気孔半径r、有利には0.25より大きい気孔率を有する、定義されたバルク中への、または弱く圧縮された圧縮成形体中への、または粒子により被覆された接着テープへの、公知の表面張力を有する公知の、かつ定義された液体、有利には純物質の吸収に基づくものである。吸収速度dh/dtまたは吸収される液体カラムの高さhは、時間tに対する粒子バルクによる液体の吸収質量mから、ならびに吸収された液体の粘度ηならびに吸収された液体の表面張力γから公知の粒子半径rでルーカス−ウォッシュバーンの平衡(Washburn, E. W., Phys. Rev. 17, 273(1921)およびR. Lucas, Kolloid Z. 23, 15(1918))によりθのコサイン(cos(θ))ひいては粒子表面に対する液体の接触角θの値を確認することができる:
dh/dt=rγcos(θ)/(4η)
または
=rγcos(θ)/(2η)
測定の記載に関するさらなる詳細は、J. Schoelkopf等のJ. Colloid. Interf. Sci. 227, 119-131(2000)に見ることができる。
Figure 0004359136
測定法の説明は図1に見ることができる。
粒子の表面エネルギーを測定するための測定法の例は次のものである:
3)1)または2)の試験を異なった表面張力を有する異なった液体で繰り返す。
3a)測定された接触角θのコサインをザイスマン(Zisman)のプロットで、使用される液体の表面張力γに対してプロットする。cos(θ)=f(γ)は横座標を有する交点として臨界表面エネルギーγcritを粒子の表面エネルギーγのための尺度として生じる。
3b)使用された液体の表面張力γに対するザイスマン−プロットでの吸収パラメータAをプロットすることにより、曲線ピーク(最大値)において、所属する横軸の値として臨界表面張力γcritが粒子の表面エネルギーγのための尺度として生じる(図2のグラフを参照のこと)。
4)かさ密度dSD<<1g/mlを有するアグロメレートを形成するが、しかし材料密度dMD>1g/mlを有する一次粒子からなる粒子に関して、種々の表面張力を有する液体中への振り入れを方法として考慮することができる:濡れない場合、粒子のアグロメレートは浮遊する;濡れる場合、アグロメレート中の空気は排除され、かつ粒子のアグロメレートは沈降する。
異なった表面張力を有する種々の液体を使用する場合、液体の表面張力を正確に確認することができ、その際、粒子のアグロメレートは沈降する。このことにより臨界表面エネルギーγcritは粒子の表面エネルギーγのための尺度として生じる。この方法は、水の表面張力(72.5mN/m)をメタノール、エタノールまたはイソ−プロパノールの添加により低減することにより簡略化することができる。
4a)一般に次いで水を装入し、一定量の粒子のアグロメレートを水表面上にのせ(浮遊する)、かつ次いで撹拌下にアルコールを添加して滴定する。粒子のアグロメレートが沈降する際の水対アルコール比を記録し、かつ正確にこの水:アルコールの比に関して別の試験で標準法(リング除去法(Ringabreissmethode)、ウィルヘルミー法(Wilhelmy-Methode)を用いて表面張力を測定する。
4b)別の実施態様では、水と上記の低級アルコールとの定義された混合物を製造し、かつ次いでこの混合物の表面張力を測定する。別の試験でこの水:アルコール混合物を定義された量で粒子のアグロメレートで被覆し(たとえば体積比1:1)、かつ定義された条件下で振とうする(たとえば手による弱い振とうまたは非対称性運動型ミキサー(Taumelmischer)により約1分間)。粒子のアグロメレートがかろうじて沈まないときの水:アルコールの混合物、および粒子のアグロメレートがかろうじて沈降するときの高いアルコール含有率を有する水:アルコール混合物を測定する。後者のアルコール:水−混合物の表面張力により臨界表面エネルギーγcritが粒子の表面エネルギーγのための尺度として生じる。
メタノール価:アルコールとしてメタノールを使用する場合、水中でのメタノール含有率はメタノール価である。
表面変性されたケイ酸はさらに、水性の系中で、たとえば水性の系中の有機樹脂(たとえばポリエステル、ビニルエステル、エポキシド、ポリウレタン、アルキド樹脂など)の溶液、懸濁液、エマルションおよび分散液中で高い増粘作用を有し、ひいてはレオロジー添加剤としてこの系中で適切である。従って本発明は一般に粘度を与える成分として水性の系中でのケイ酸の使用に関する。これは全ての水で希釈可能な、塗膜形成性の塗料、ゴム状〜硬質の被覆、接着剤、封止用コンパウンドおよび注型材料ならびにこれらに匹敵するその他の系に関する。
もう1つの対象は、本発明によるケイ酸または本発明による方法により製造された金属酸化物、ケイ酸、有利にはケイ酸を含有するエマルションである。
表面変性された金属酸化物、ケイ酸、有利には表面変性されたケイ酸はさらに、固体が安定化されたエマルションの意味でのエマルションの安定化のために使用することができることを特徴とする。油中水型(w/o)エマルションも、水中油型(o/w)エマルションも安定化することができる。
該エマルションはケイ酸以外にその他の有機もしくは無機乳化剤を含有していてもよく、有利には該エマルションは本発明によるケイ酸以外にその他の乳化剤を含有していない。
該エマルションにおける本発明によるケイ酸の含有率は20質量%より少なく、有利には10質量%より少なく、特に有利には5質量%より少ない。
別の対象は、本発明による金属酸化物、ケイ酸、有利には本発明によるケイ酸、または本発明による方法により製造した金属酸化物、ケイ酸、有利にはケイ酸を含有しているトナーおよび液状および粉末状の系のレオロジーを制御するための添加剤である。
表面変性された金属酸化物、ケイ酸、有利にはケイ酸はさらに、粉末状の系中でたとえば湿度の影響下でケーキングまたは凝集を防止するが、しかし再凝集の傾向を有しておらず、ひいては不所望の分離を生じることなく、粉末は流動性のままであり、従って負荷に対して安定しており、かつ貯蔵安定性である混合物が可能であることを特徴とする。これは特に非磁性および磁性トナーおよび現像剤および電荷制御用の添加剤における使用に関して、たとえば1成分系および2成分系であってよい非接触型または電子写真印刷−/複製法における使用に関して該当する。このことは塗装系として使用される粉末状の樹脂においても該当する。
表面変性された金属酸化物、ケイ酸、有利にはケイ酸はさらに、ケイ酸が溶剤ベースおよび溶剤不含の非水性系、たとえば:
−エポキシ系
−ポリウレタン系(PUR)
−ビニルエステル樹脂
−不飽和ポリエステル樹脂
−粉末形で、たとえば被覆成分として適用される溶剤不含の樹脂
においてレオロジー制御のために使用することができることを特徴とする。
この場合、バインダーは一般に、無極性樹脂、つまりケイ酸の表面と相互作用することができる官能基、たとえばカルボニル基、エステル基またはOH基を有していないか、または少なくともごくわずかに有しているにすぎない樹脂であることを特徴とする。
金属酸化物、ケイ酸、有利にはケイ酸はレオロジー添加剤としてこの系中で要求される必要な粘度、構造粘度、チキソトロピーおよび垂直面での安定性(Standvermoegen)を満足する降伏点を生じる。
ケイ酸の製造および特性決定
参考例1
不活性ガスN下に温度25℃で、1%より少ない湿分および100ppmより小さいHCl含有率および200m/g(DIN66131および66132によるBET法により測定)を有する親水性ケイ酸(Wacker−Chemie社(ドイツ国ミュンヘン在)からWACKER
HDK N20で市販)100gに一物質ノズル(圧力5バール)による噴霧によって、H
0.37gおよびMeOH 1.33gおよびジメチルジクロロシラン2.86gからなる混合物1.70gを添加した。こうして負荷したケイ酸を滞留時間2時間で100lの乾燥室中250℃でN下に反応させた。分析データは第1表に記載されている。
例2
連続的な装置中、温度30℃で不活性ガスN下に、1%より低い湿分および100ppmより小さいHCl含有率を有し、かつ300m/gの比表面積(DIN66131および66132によりBET法によって測定)を有する親水性ケイ酸(Wacker Chemie社(ドイツ国ミュンヘン在)から商品名WACKER HDK T30でから市販)を有する親水性ケイ酸1500g/hの質量流に、微細に分散させた形で脱塩水20g/hを噴霧し、かつヘキサメチルジシラザン40g/hを液状の、微細に分散した形で一物質ノズルによる噴霧(圧力10バール)によって添加した。こうして負荷したケイ酸を滞留時間4時間、温度80℃で反応させ、かつその際、さらに撹拌することによって流動化し、かつ引き続き乾燥器中、150℃および滞留時間2時間で精製した。均質なシリル化剤層を有する疎水性の白色ケイ酸粉末が得られる。分析データは第1表に記載されている。
例3
連続的な装置中、温度30℃で不活性ガスN下に、1%より低い湿分および100ppmより小さいHCl含有率を有し、かつ150m/gの比表面積(DIN66131および66132によりBET法によって測定)を有する親水性ケイ酸(Wacker Chemie社(ドイツ国ミュンヘン在)から商品名WACKER HDK V15で市販)を有する親水性ケイ酸1500g/hの質量流に、微細に分散させた形で脱塩水10g/hを噴霧し、かつヘキサメチルジシラザン20g/hを液状の、微細に分散した形で一物質ノズルによる噴霧(圧力10バール)によって添加した。こうして負荷したケイ酸を滞留時間4時間、温度80℃で反応させ、かつその際、さらに撹拌することによって流動化し、かつ引き続き乾燥器中、150℃および滞留時間2時間で精製した。均質なシリル化剤層を有する疎水性の白色ケイ酸粉末が得られる。分析データは第1表に記載されている。
例4
連続的な装置中、温度30℃で不活性ガスN下に、1%より低い湿分および100ppmより小さいHCl含有率を有し、かつ200m/gの比表面積(DIN66131および66132によりBET法によって測定)を有する親水性ケイ酸(Wacker Chemie社(ドイツ国ミュンヘン在)から商品名WACKER HDK N20で市販)1000g/hの質量流に、粘度25℃で40mPasを有し、かつOH含有率4質量%を有するOH末端のポリジメチルシロキサン10g/hを微細に分散させた液状の形で一物質ノズルによる噴霧(圧力10バール)によって添加した。こうして負荷したケイ酸を滞留時間4時間で、温度300℃で反応させ、かつその際、さらに撹拌することによって流動化し、かつ引き続き乾燥器中、150℃および滞留時間2時間で精製した。均質なシリル化剤層を有する疎水性の白色ケイ酸粉末が得られる。分析データは第1表に記載されている。
参考例5
温度25℃で不活性ガスN下に、1%より小さい湿分および100ppmより小さいHCl含有率を有し、かつ比表面積200m/g(DIN66131および66132によるBET法により測定)を有するする親水性ケイ酸(Wacker
Chemie社(ドイツ国ミュンヘン在)から商品名WACKER HDK N20で市販)100gに、25℃で粘度40mPasを有し、かつOH含有率4質量%を有するOH末端のポリジメチルシロキサン2.00gを一物質ノズルによる噴霧(圧力5バール)によって添加した。こうして負荷したケイ酸を滞留時間3時間で、温度300℃で100lの乾燥器中N下で反応させた。分析データは第1表に記載されている。
Figure 0004359136
分析法の記載
1.炭素含有率(%C)
− 炭素上の元素分析;O流中、1000℃以上での試験体の燃焼、生じたCOの、IRによる検出および定量化;装置 LECO 244、
2.シリル化されていないケイ酸−シラノール基の残留含有率
− 方法:水/メタノール=50:50中に懸濁させたケイ酸の酸塩基滴定;等電点のpH範囲を上回り、かつケイ酸の溶解のpH範囲を下回る範囲での滴定;
− SiOH(ケイ酸表面のシラノール基)100%を有する未処理のケイ酸:SiOH−phil=2SiOH/nm
− シリル化したケイ酸:SiOH−silyl
− ケイ酸基のシラノール含有率:%SiOH=SiOH−silyl/SiOH−phil100%(G. W. Sears, Anal. Chem., 28(12), (1950),1981と同様に)
3.水による湿潤性の試験(イエス/ノー)(WT):
同体積のケイ酸と同体積の水の振とう;
− 濡れる(親水性)の場合にはケイ酸は沈降する:イエス; − 濡れない(疎水性)場合、ケイ酸は浮遊する:ノー、
4.水−メタノール混合物による湿潤性の試験(水中、MeOHの体積%)=メタノール価(MZ):同体積のケイ酸と同体積の水−メタノール混合物の振とう
− メタノール0%から出発、
− 濡れない場合、ケイ酸は浮遊する:MeOH含有率が5体積%高い混合物を使用する、
− 濡れる場合、ケイ酸は沈降する:水中のMeOHの割合(%)はMZである(MZ=メタノール価)。
ケイ酸で安定化したエマルションの製造および特性決定
参考例6
ケイ酸分散液の製造:
脱塩水中のNaClの0.01モル溶液10mlを参考例1からのケイ酸2質量%に添加し、かつ氷冷下で5分間、超音波ピーク(Ultraschallspitze)で処理した(10W、40kHz)。
エマルションの製造:
上記の水性分散液5mlにトルエン5mlを添加し、かつウルトラツラックス(IKA Labortechnik)を用いて3000rpmで2分間、均質化した。安定したエマルションが形成された。
該エマルションの分析データは第2表にまとめられている。
参考例7
参考例6で記載した水性分散液5mlに粘度η=1000mPas(Wacker−Chemie社(ドイツ国ブルクハウゼン在)から商品名AK
1000で市販)を有するトリメチルシリル末端のポリジメチルシロキサン5mlを添加し、かつウルトラツラックス(IKA
Labortechnik)を用いて3000rpmで2分間、均質化した。安定したエマルションが形成された。
該エマルションの分析データは第2表にまとめられている。
参考例8
参考例6で記載した水性分散液5mlに粘度η=1000mPasを有するOH末端のポリジメチルシロキサン(Wacker−Chemie社(ドイツ国ブルクハウゼン在)から商品名OH−Polymer
1000で市販)5mlを添加し、かつウルトラツラックス(IKA Labortechnik)を用いて3000rpmで2分間、均質化した。安定したエマルションが形成された。
該エマルションの分析データは第2表にまとめられている。
例9
参考例6で記載した参考例1からのケイ酸に代えて、例3からのケイ酸の水性分散液3mlに粘度η=1000mPasを有するOH末端のポリジメチルシロキサン(Wacker−Chemie社(ドイツ国ブルクハウゼン在)から商品名OH−Polymer
1000で市販)7mlを添加し、かつウルトラツラックス(IKA Labortechnik)を用いて3000rpmで2分間、均質化した。安定したエマルションが形成された。
該エマルションの分析データは第2表にまとめられている。
Figure 0004359136
例10
w/oおよびw/o/w多層エマルションの例
工程1
トルエン80mlに、炭素含有率1.8質量%および表面シラノール基の含有率0.83ミリモル/g(出発ケイ酸に対して51%の表面シラノール基の残留含有率に相応)を有する疎水性の、ジメチルシロキシ基によりシリル化された熱分解法ケイ酸(Wacker−Chemie社から商品名Wacker HDK H30で市販)(BET表面積300m/gを有する熱分解法ケイ酸のシリル化により製造)1gを添加し、かつ引き続き超音波発生装置(Sonics&Material社、10Wで20kHz)で2分間分散させた。引き続き、脱塩水20mlを添加し、かつウルトラツラックスのローター・ステーター均質化装置(直径1.8cm)を用いて13000rpmで2分間、乳化させた。
安定したw/oエマルションが得られ、ひいてはw/oエマルションも製造された。
工程2:w/o/w多層エマルションの製造
脱塩水80mlに、例2により得られるケイ酸1gを添加し、かつ引き続き超音波発生装置(Sonics&Material、10Wで20kHz)を用いて2分間、分散させた。引き続き、上記のw/oエマルション20mlを添加し、かつウルトラツラックスのローター・ステーター均質化装置(直径1.8cm)を用いて11000rpmで10秒間乳化した。
15ヶ月間にわたり、かつ剪断に対して安定したw/o/w多層エマルションが得られ、該エマルションは凝集を示さなかった。
光の屈折による滴の大きさ(Malvern MasterSizer MS20)
(o)中の内部(w)の液滴 0.9μm
(w)中の外側(w/o)の液滴 28μm
測定法の説明のための図 測定法の説明のための図 粒子の表面エネルギーγのための尺度としての臨界表面張力γcritのグラフを示す図。

Claims (7)

  1. 部分的に疎水性のケイ酸の製造方法において、ケイ酸を
    I)式
    SiX4−n
    [式中、
    n=1、2または3を表し、
    は1〜24個の炭素原子を有する、飽和またはモノ不飽和もしくはポリ不飽和の一価の、ハロゲン化されていてもよい炭化水素基であり、かつその際、同じか、または異なっていてもよく、かつ
    Xはハロゲン、窒素基、OR、OCOR、O(CHORであり、その際、Rは水素または1〜12個の炭素原子を有する一価の炭化水素基を表し、かつx=1、2、3を表す]のオルガノシランまたは該オルガノシランからなる混合物
    または
    II)式
    (R SiO1/2)および/または
    (R SiO2/2)および/または
    (RSiO3/2
    [式中、Rは上記のものを表し、その際、オルガノシロキサン中のこれらの単位の数は少なくとも2である]の単位から構成されているオルガノシロキサンによりシリル化し、その際、I)式で表されるオルガノシランまたは該オルガノシランからなる混合物、および、II)式の単位から構成されているオルガノシロキサンを、ケイ酸のBET表面積100m/g(DIN66131および66132によるBET法により測定)あたり、0.015ミリモル/g〜0.15ミリモル/g使用し、前記シリル化の反応が、(1)20℃〜120℃の温度でのシリル化剤の物理的吸収、(2)50℃〜330℃の温度での反応および(3)100℃〜400℃の温度での精製の工程からなり、15以下のメタノール価を有するケイ酸が得られることを特徴とする、部分的に疎水性のケイ酸の製造方法。
  2. ケイ酸が熱分解法ケイ酸である、請求項1記載の部分的に疎水性のケイ酸の製造方法。
  3. 部分的に疎水性のケイ酸において、その粒子は空気中で水に対する接触角θが180゜より小さく、その際、シリル化剤基によるケイ酸表面の被覆度τが全ケイ酸粒子の表面積に対して1%<τ<50%であり、その際、表面シラノール基SiOHの密度は粒子表面積nmあたりSiOHが最小0.9から最大1.7の間で変動し、かつ0.1〜2.0質量%の炭素含有率を有し、ならびに0のメタノール価を有することを特徴とする、請求項1記載の方法により製造される部分的に疎水性のケイ酸。
  4. 請求項3記載のケイ酸または請求項1から2までのいずれか1項記載の方法により製造されるケイ酸を含有することを特徴とする、レオロジーを制御するための添加剤。
  5. 請求項3記載のケイ酸または請求項1から2までのいずれか1項記載の方法により製造されるケイ酸を含有することを特徴とするトナーまたは現像剤。
  6. 請求項3記載のケイ酸または請求項1から2までのいずれか1項記載の方法により製造されるケイ酸を含有することを特徴とするエマルション。
  7. 乳化剤を含有していない、請求項6記載のエマルション。
JP2003421211A 2002-12-20 2003-12-18 部分的に疎水性のケイ酸、系のレオロジーを制御するための添加剤、ならびに部分的に疎水性のケイ酸を含有するトナー、現像剤およびエマルション Expired - Fee Related JP4359136B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10260323A DE10260323A1 (de) 2002-12-20 2002-12-20 Wasserbenetzbare silylierte Metalloxide

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004203735A JP2004203735A (ja) 2004-07-22
JP4359136B2 true JP4359136B2 (ja) 2009-11-04

Family

ID=32404135

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003421211A Expired - Fee Related JP4359136B2 (ja) 2002-12-20 2003-12-18 部分的に疎水性のケイ酸、系のレオロジーを制御するための添加剤、ならびに部分的に疎水性のケイ酸を含有するトナー、現像剤およびエマルション

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8333946B2 (ja)
EP (1) EP1433749B1 (ja)
JP (1) JP4359136B2 (ja)
CN (1) CN1326861C (ja)
DE (2) DE10260323A1 (ja)

Families Citing this family (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10349082A1 (de) 2003-10-22 2005-05-25 Wacker-Chemie Gmbh Wässrige Polymerdispersionen
DE102004010756A1 (de) * 2004-03-05 2005-09-22 Degussa Ag Silanisierte Kieselsäuren
DE102004014704A1 (de) * 2004-03-25 2005-10-13 Wacker-Chemie Gmbh Partikelstabilisierte Emulsionen
DE102004039212A1 (de) * 2004-08-12 2006-03-02 Wacker-Chemie Gmbh Rheologiesteuerung von Pickering-Emulsion durch Elektrolyte
DE102004063762A1 (de) * 2004-12-29 2006-07-13 Wacker Chemie Ag Reaktive Kieselsäuresuspensionen
US20060155010A1 (en) * 2005-01-11 2006-07-13 Mclaughlin Joanne S Surface treatment of metallic fillers for organic resins
JP2006219668A (ja) * 2005-01-14 2006-08-24 Shin Etsu Chem Co Ltd 熱硬化性フルオロポリエーテル系組成物
DE102005007753A1 (de) * 2005-02-18 2006-08-31 Wacker Chemie Ag Partikel mit geringer spezifischer Oberfläche und hoher Verdickungswirkung
DE102005012409A1 (de) * 2005-03-17 2006-09-21 Wacker Chemie Ag Wäßrige Dispersionen teilhydrophober Kieselsäuren
US20070090052A1 (en) * 2005-10-20 2007-04-26 Broske Alan D Chromatographic stationary phase
DE102005061965A1 (de) 2005-12-23 2007-07-05 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Oxidische Agglomeratpartikel, Verfahren zur Herstellung von Nanokompositen sowie deren Verwendung
WO2007084245A2 (en) * 2006-01-19 2007-07-26 Dow Corning Corporation Systems and methods for functionalizing particulates silane-containing materials
DE102006014875A1 (de) 2006-03-30 2007-10-04 Wacker Chemie Ag Partikel mit strukturierter Oberfläche
EP2023899A1 (en) * 2006-05-10 2009-02-18 Evonik Degussa GmbH Use of roll compacted pyrogenically produced silicon dioxide in pharmaceutical compositions
DE102007024099A1 (de) * 2007-05-22 2008-11-27 Evonik Degussa Gmbh Klebstoffe
DE102007024096A1 (de) * 2007-05-22 2008-11-27 Evonik Degussa Gmbh Klebstoffe
DE102007035956A1 (de) * 2007-07-30 2009-02-05 Evonik Degussa Gmbh Oberflächenmodifizierte, pyrogen hergestellte Kieselsäuren
DE102007035955A1 (de) * 2007-07-30 2009-02-05 Evonik Degussa Gmbh Oberflächenmodifizierte, pyrogen hergestellte Kieselsäuren
DE102007035952A1 (de) * 2007-07-30 2009-04-09 Evonik Degussa Gmbh Oberflächenmodifizierte, pyrogen hergestellte Kieselsäuren
DE102007035951A1 (de) * 2007-07-30 2009-02-05 Evonik Degussa Gmbh Oberflächenmodifizierte, pyrogen hergestellte Kieselsäuren
DE102008000499A1 (de) * 2008-03-04 2009-09-10 Evonik Degussa Gmbh Kieselsäure sowie Epoxidharze
DE102008041466A1 (de) * 2008-08-22 2010-02-25 Wacker Chemie Ag Wäßrige Dispersionen hydrophober Kieselsäuren
DE102008064284A1 (de) * 2008-12-20 2010-06-24 Evonik Degussa Gmbh Niedrigoberflächiges, pyrogen hergestelltes Siliciumdioxidpulver
DE102009001595A1 (de) 2009-03-17 2010-09-23 Evonik Goldschmidt Gmbh Kompatibilisierungsmittel zur Verbesserung der Lagerstabilität von Polyolmischungen
DE102010062839A1 (de) 2010-12-10 2012-06-14 Wacker Chemie Ag Wässrige, vernetzbare Dispersionen auf der Basis von Organosiliciumverbindungen
WO2013061700A1 (ja) * 2011-10-24 2013-05-02 サンノプコ株式会社 消泡剤
US8993707B2 (en) 2012-08-23 2015-03-31 Wacker Chemical Corporation Aqueous epoxy and organo-substituted branched organopolysiloxane emulsions
CN103342902B (zh) * 2013-07-26 2015-03-11 资源县天盛新型材料开发有限公司 一种疏水性石英微粉及其一体化生产工艺和应用
DE102013224210A1 (de) 2013-11-27 2015-05-28 Wacker Chemie Ag Silanisierte hochhydrophobe Kieselsäuren
DE102015214883A1 (de) 2015-08-04 2017-02-09 Wacker Chemie Ag Verfahren zur Herstellung von Formkörpern
DE102015216505A1 (de) 2015-08-28 2017-03-02 Wacker Chemie Ag Silica Formkörper mit geringer thermischer Leitfähigkeit
WO2017081028A1 (de) 2015-11-09 2017-05-18 Wacker Chemie Ag Siliconzusammensetzungen zur herstellung elastomerer formteile mittels ballistischer verfahren
JP2018532006A (ja) 2015-11-26 2018-11-01 ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフトWacker Chemie AG 弾道形成法によりエラストマー形成部品を製造するための高粘度シリコーン組成物
KR102140008B1 (ko) * 2016-02-19 2020-08-03 와커 헤미 아게 실리카-코팅된 실리콘 고무 입자 및 화장품
EP3436545B1 (de) 2016-04-01 2020-06-03 Wacker Chemie AG Verfahren zur beschichtung von stützmitteln mit modifizierten reaktivharzzusammensetzungen, beschichte stütztmittel und verwendung der beschichteten stützmittel in fracking-förderverfahren
KR102163003B1 (ko) 2016-08-26 2020-10-08 와커 헤미 아게 성형체의 제조 방법
JP2019525850A (ja) 2017-02-23 2019-09-12 ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフトWacker Chemie AG ワックス製支持材料を使用した成型体を製造するための生成法
DE102017209782A1 (de) 2017-06-09 2018-12-13 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Wärmedämmung eines evakuierbaren Behälters
EP3428135A1 (de) 2017-07-14 2019-01-16 Evonik Degussa GmbH Wärmedämm-materialien auf basis hochverdickender kieselsäuren
KR20200027549A (ko) 2017-08-09 2020-03-12 와커 헤미 아게 수성 분산액, 수성 분산액의 제조 방법, 수-중-유 유형 에멀젼, 수-중-유 유형 에멀젼의 제조 방법, 및 디자인 방법
US10689491B2 (en) * 2017-09-29 2020-06-23 Lawrence Livermore National Security, Llc Silicone formulations for 3D printing
US20210107210A1 (en) 2018-03-28 2021-04-15 Wacker Chemie Ag Additive method of producing molded bodies
JP7060443B2 (ja) 2018-05-21 2022-04-26 旭化成ワッカーシリコーン株式会社 水中油型エマルジョンおよび水中油型エマルジョンの製造方法。
EP3597615A1 (en) 2018-07-17 2020-01-22 Evonik Operations GmbH Granular mixed oxide material and thermal insulating composition on its basis
MX2021000626A (es) 2018-07-18 2021-03-25 Evonik Operations Gmbh Procedimiento de hidrofobizacion de cuerpos de material de aislamiento conformados a base de silice a presion ambiental.
EP3663365A1 (de) 2018-12-07 2020-06-10 Evonik Operations GmbH Hydrophiles siliziumdioxid und silanol haltige wässrige dispersion und lackzubereitung
US11180670B2 (en) 2019-03-28 2021-11-23 Lawrence Livermore National Security, Llc Three-dimensional porous siloxanes using leachable porogen particles
KR102057036B1 (ko) * 2019-10-04 2019-12-18 박희대 소수성 나노실리카가 배합된 접착력이 우수한 열가소성 핫멜트 필름
WO2021083514A1 (de) 2019-10-30 2021-05-06 Wacker Chemie Ag Formulierung von cnt-haltigen siloxanen enthaltend kieselsäure
KR102082090B1 (ko) * 2019-12-09 2020-02-26 박희대 소수성 나노실리카가 배합된 열가소성 폴리우레탄 코팅 원사
JP2023510085A (ja) 2019-12-17 2023-03-13 ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフト 架橋コアを有するシリコーン粒子及びその製造
KR20220113441A (ko) 2019-12-17 2022-08-12 와커 헤미 아게 미분 수성 입자 안정화된 피커링 에멀젼과 이로부터 제조된 입자
KR20220127856A (ko) 2020-01-14 2022-09-20 에보니크 오퍼레이션즈 게엠베하 개질된 표면 활성을 갖는 발연 실리카
EP3870537A1 (en) 2020-01-14 2021-09-01 Evonik Operations GmbH Silica-based hydrophobic granular material with an increased polarity
CN115485326A (zh) * 2020-03-13 2022-12-16 迈图高新材料有限责任公司 官能化硅石颗粒及其用途
JP2024506276A (ja) 2021-02-11 2024-02-13 エボニック オペレーションズ ゲーエムベーハー シラノール基密度が低減されたヒュームドシリカ粉末
WO2023110106A1 (de) 2021-12-16 2023-06-22 Wacker Chemie Ag Metalloxid-beschichtete thermoplastische micropartikel mit biologischer abbaubarkeit

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5278204A (en) * 1987-10-20 1994-01-11 Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. Heat-resistant rubber compositions
JP3111492B2 (ja) * 1991-03-28 2000-11-20 三菱化学ポリエステルフィルム株式会社 ポリエステルフィルム
GB2284609B (en) * 1993-12-10 1998-04-15 Gen Electric High application rate extrudable polymers
DE4419234A1 (de) * 1994-06-01 1995-12-07 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zur Silylierung von anorganischen Oxiden
FR2720752B1 (fr) 1994-06-07 1996-10-31 Rhone Poulenc Chimie Composition silicone réticulable ou réticulée, antiadhérente et imprimable.
US5623028A (en) * 1995-12-01 1997-04-22 General Electric Company Heat cured rubbers
US6191122B1 (en) 1996-03-29 2001-02-20 DEGUSSA HüLS AKTIENGESELLSCHAFT Partially hydrophobic precipitated silicas
IN191468B (ja) 1996-03-29 2003-12-06 Degussa
US6736891B1 (en) 1999-08-19 2004-05-18 Ppg Industries Ohio, Inc. Process for producing hydrophobic particulate inorganic oxides
CA2317056A1 (en) 2000-08-25 2002-02-25 Universite Laval Formation of hydrophilic sites in partially silylated micelle templated silica
DE10145162A1 (de) 2001-09-13 2003-04-10 Wacker Chemie Gmbh Kieselsäure mit geringem Gehalt an Kieselsäure-Silanolgruppen

Also Published As

Publication number Publication date
EP1433749A1 (de) 2004-06-30
DE50302885D1 (de) 2006-05-18
CN1326861C (zh) 2007-07-18
CN1513857A (zh) 2004-07-21
DE10260323A1 (de) 2004-07-08
US8333946B2 (en) 2012-12-18
EP1433749B1 (de) 2006-04-05
US20040131527A1 (en) 2004-07-08
JP2004203735A (ja) 2004-07-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4359136B2 (ja) 部分的に疎水性のケイ酸、系のレオロジーを制御するための添加剤、ならびに部分的に疎水性のケイ酸を含有するトナー、現像剤およびエマルション
JP4729558B2 (ja) 粒子安定化エマルション
JP4688895B2 (ja) シリカのシラノール基含有率が低いシリカ
JP4751391B2 (ja) 電解質によるPickeringエマルションのレオロジー制御
JP4090836B2 (ja) アミノ基で表面変性された固体物質
JP3787593B2 (ja) 均一なシリル化剤層を有する珪酸
US20080194855A1 (en) Metal Oxides Having A Permanent Positive Surface Charge Over A Wide Ph Range
KR101172146B1 (ko) 양의 표면 전하가 큰 고분산성 금속 산화물
JP5394390B2 (ja) 酸化条件下でのシリカの疎水化法
JP2006206413A (ja) 表面処理シリカ微粒子
JP4235169B2 (ja) 水性分散液
EP4291528A1 (en) Fumed silica powder with reduced silanol group density

Legal Events

Date Code Title Description
RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20040805

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20040811

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20040811

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070814

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20071114

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20071119

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20071214

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20071219

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080115

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080603

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080901

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090106

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090331

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090728

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090807

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120814

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4359136

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120814

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130814

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees