JP4334897B2

JP4334897B2 - フッ素ゴム成形体の製造方法

Info

Publication number: JP4334897B2
Application number: JP2003082972A
Authority: JP
Inventors: 直也九澤; 勝美渡辺; 光行中野
Original assignee: Nichias Corp
Current assignee: Nichias Corp
Priority date: 2003-03-25
Filing date: 2003-03-25
Publication date: 2009-09-30
Anticipated expiration: 2023-03-25
Also published as: US20040220293A1; EP1462477A1; JP2004292486A; EP1462477B1; DE602004020008D1

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フッ素ゴムからなる成形体の製造方法に関し、特に、純粋性、低溶出金属、低放出ガス、耐プラズマ性、耐オゾン性、耐薬品性、耐熱性等が要求される部位に用いられるゴム成形体、特に半導体搬送装置や半導体製造装置に使用されるゴム成形体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造、液晶製造等の製造工程では、真空下やプラズマ雰囲気下、薬品雰囲気下、オゾン雰囲気下等の様々な環境が用いられる。また、高温に晒されることもあり、このような用途に使用されるゴムとしてフッ素系ゴム組成物が多用されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、半導体、液晶製造においては、歩留まり向上のため製造工程における不純物の管理が非常に重要であり、製造装置に用いられるゴム材料には、材料からのアウトガスが少ないこと、溶出分が少ないこと、パーティクルが少ないこと等の純粋性が求められている。そのため、発明者らは既に特願２００１−２９３８８８に示すように、テトラフロロエチレン／プロピレン共重合体からなるフッ素ゴム中の金属元素含有量を１．５重量％以下に低減させ、架橋剤、架橋助剤等の架橋系薬品を使用せず、その他の配合材料も一切用いないか、用いたとしても必要最小限にとどめて予備成形体を作製し、この予備成形体に電離性放射線を照射して得られるフッ素ゴム成形体を提案している。
【０００４】
ところが、このフッ素ゴム成型体は引張強さや硬さといったゴムの機械的特性が十分とはいえず、特に可動部用途に使用した場合、ねじれや切れといった問題を生じる可能性があることが判った。
【特許文献１】
特開２０００−１１９４６８号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、ゴム材料からのアウトガスおよび溶出分、パーティクル等の純粋性や耐熱性に優れ、且つ機械的特性も優れているフッ素ゴム成形体並びにゴム材料を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記のような課題を解決すべく検討を重ねたところ、共重合体中の金属元素含有量が１．５重量％以下であるテトラフロロエチレン／プロピレン共重合体からなる原料ゴムに、一次粒子径が０．５μｍ以下であり、且つ表面を疎水化処理した高純度シリカを添加し、γ線を照射し、加熱して得られるフッ素ゴム成形体が、ゴム材料からのアウトガスおよび溶出分、パーティクル等の純粋性や耐熱性に優れ、且つ機械的特性も優れていることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００７】
即ち、上記課題を解決するために、本発明は以下のフッ素ゴム成形体の製造方法を提供する。
（１）共重合体中の金属元素含有量が１．５重量％以下であるテトラフロロエチレン／プロピレン共重合体からなる原料ゴムに、一次粒子径が０．５μｍ以下であり、且つ表面を疎水化処理した高純度シリカ及びトリアリルイソシアヌレートを添加してゴム組成物を調製し、前記ゴム組成物を加熱雰囲気中で所望の形状に予備成形した後、得られた予備成形体にγ線を１０〜５００ｋＧｙの線量にて照射して架橋させ、さらに５０℃〜３００℃の温度で０．１〜１０時間加熱処理することを特徴とするフッ素ゴム成形体の製造方法。
（２）高純度シリカの含有量が原料ゴム１００重量部に対し１〜３０重量部であることを特徴とする上記（１）に記載のフッ素ゴム成形体の製造方法。
（３）トリアリルイソシアヌレートが原料ゴム１００重量部に対し０．１〜２０重量部添加されることを特徴とする上記（１）または（２）記載のフッ素ゴム成形体の製造方法。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に関して詳細に説明する。
【０００９】
本発明における原料ゴムは、共重合体中の金属元素含有量が１．５重量％以下であるテトラフロロエチレン／プロピレン共重合体からなるゴムである。テトラフロロエチレン／プロピレン共重合体の組成は制限されるものではないが、（テトラフロロエチレン／プロピレン）比で（４０：６０）〜（６０：４０）が好ましい。より好ましくは（５０：５０）〜（６０：４０）である。
【００１０】
高純度シリカは、一次粒子径が０．５μm以下であり、且つ表面を疎水化処理したものが使用される。このような高純度シリカは、例えば日本アエロジル（株）製アエロジルＲ２０２、Ｒ８０５、Ｒ８１２、Ｒ８１２Ｓとして市場より入手可能である。また、高純度シリカの含有量は、原料ゴム１００重量部に対して１〜３０重量部とすることが好ましい。含有量が１重量部未満では、機械的強度の増強効果が得られず、３０重量部を超える場合はゴム弾性を低下させるとともにパーティクルとなって外部を汚染する可能性がある。
【００１１】
また、共架橋剤としてトリアリルイソシアヌレートを添加する。トリアリルイソシアヌレートは公知のものが使用でき、例えば日本化成（株）製タイク、日本化成（株）製タイクプレポリマーとして市場からも入手可能である。このトリアリルイソシアヌレートの添加量は、原料ゴム１００重量部に対して０．１〜２０重量部が好ましく、この範囲の添加量とすることで良好な架橋が施された成形体が得られる。
【００１２】
上記のゴム組成物を所定形状に成形し、得られた予備成形体にγ線を照射して架橋させることにより、本発明のフッ素ゴム成形体が得られる。γ線を使用することにより、架橋と同時に滅菌処理も行うことができ、特に食品分野での利用に好適である。
【００１３】
γ線の照射量は、予備成形体の厚さ方向全体にわたり浸透するのに充分なエネルギー量が必要である。照射線量が不足すると、架橋不足となり、成形体に充分な機械的強度、圧縮永久歪み等の物性を付与できなくなる。一方、照射線量が過大になると、フッ素ゴム分子の崩壊反応が進行し、低分子化して機械的強度等の物性が低下する。本発明においては、照射線量の総量で１０〜５００ｋＧｙにすれば、ほぼ十分な架橋を施すことが出来る。
【００１４】
γ線の照射雰囲気は、真空中、大気中、不活性ガス雰囲気中等任意の雰囲気で照射することができる。特に好ましくは、真空中、不活性ガス中等の酸素を極力排除した雰囲気で照射する。照射雰囲気に酸素が存在すると架橋反応を阻害し、成形体の機械的強度が不十分となったり、成形体表面がベタベタするといった問題が発生するおそれがある。
【００１５】
更に、本発明においては、上記の如く得られたフッ素ゴム成形体を加熱する。これにより成形体の安定性が向上するとともに、揮発成分が除去されて純粋性が更に向上する。加熱処理は、５０℃〜３００℃の温度で０．１〜１０時間行われる。好ましくは１５０℃〜２５０℃の温度で１〜２時間行われるのが良い。フッ素ゴムの加熱方法は特に限定するものではなく、酸素雰囲気下または減圧雰囲気下、還元雰囲気下の電気炉内のほか、温水内、水蒸気内、油内等何れも使用可能である。
【００１６】
本発明のフッ素ゴム成形体は、耐熱性、機械的強度、圧縮永久歪等の機械的特性も良好であることから、半導体製造分野、医療分野、食品分野等の純粋性が要求される分野で使用されるゴム材料に好適に使用できる。例えば半導体製造分野では、ウェット洗浄装置、プラズマエッチング装置、プラズマアッシング装置、プラズマＣＶＤ装置、イオン注入装置、スパッタリング装置等の半導体製造装置、及びこれら装置の付属機器であるウェハ搬送機器等に使用できる。
【００１７】
但し、上記用途において、純粋性よりも幾何的特性が重視される場合には、その他の共架橋剤及び充填材を併用することも可能である。但し、その場合もその使用量を極力抑えることが好ましい。また、本発明のフッ素ゴム成形体は、原料ゴムをテトラフロロエチレン／プロピレン共重合体の単体とするが、本発明の効果を損なわない範囲で他のフッ素系ゴムを配合してもよい。例えば、フッ化ビニリデン／ヘキサフロロプロピレン共重合体、フッ化ビニリデン／ヘキサフロロプロピレン／テトラフロロエチレン共重合体、フッ化ビニリデン／ヘキサフロロプロピレン／パーフロロメチルビニルエーテル共重合体、エチレン／テトラフロロエチレン／パーフロロメチルビニルエーテル共重合体等が挙げられる。
【００１８】
【実施例】
以下、実施例により本発明を詳しく説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００１９】
（実施例１、比較例１〜５）
実施例及び比較例の試験片の成形方法、評価方法は以下の通りである。
＜成形方法＞
表１に示す配合の原料ゴムをオープンロールで１０分間混練し、得られたゴム組成物を金型にセットし、熱プレスを用いて金型温度が１７０℃となるまで予熱した後、加圧し１分間程度保持する。次に熱プレスより金型を取り出し、金型温度５０℃以下となるまで冷却した後、脱型して予備成形体を得た。そして、予備成形体に１２０ｋＧｙのγ線を照射して試験片を得た。また、実施例１については、得られた試験片を酸素雰囲気下の電気炉を用いて２００℃で２時間加熱処理を施した。
【００２０】
また、実施例及び比較例で用いたフッ素ゴム、並びに架橋剤、充填材の詳細は以下の通りである。
フッ素ゴム：テトラフロロエチレン／プロピレン共重合体（旭硝子(株)製アフラス１５０Ｃ）を精製して含有金属量を１重量％以下に低減させたフッ素ゴム。
共架橋剤：日本化成（株）製タイク
シリカ▲１▼：日本アエロジル（株）製アエロジルＲ２０２
シリカ▲２▼：日本アエロジル（株）製アエロジル＃２００
シリカ▲３▼：日本シリカ工業（株）製ニップシールＳＳ−１０
【００２１】
＜評価方法＞
・引張強さ：JIS K 6251に準じた。
・硬さ：JIS K 6253に準じた。
・圧縮永久歪み：JIS K 6262に準じた。但し、条件は200℃×70時間である。
・耐プラズマ性：プラズマ照射実験を行った。照射条件は以下の通りである。
プラズマガス種：酸素
ガス流量：２０ＳＣＣＭ
高周波周波数：１３．５６ＭＨｚ
高周波出力：１５０Ｗ
照射時間：２時間
評価方法：単位面積当たりの重量減少量を測定した。パーティクルの発生状況から、殆ど出ない「○」、多少出る「△」、多い「×」とした。
【００２２】
結果を表１に併記する。
【００２３】
【表１】

【００２４】
実施例１に示した本発明にかかる試験片は、比較例１の試験片に比べて耐プラズマ性が良く、また比較例２の試験片に比べて引張強さ、耐プラズマ性が良くなっている。更に、圧縮永久歪みが格段に向上することが分かる。
【００２５】
一方、比較例３の試験片は、高純度シリカの含有量が少ないため機械的強度の増強効果が見られず、比較例４の試験片は、高純度シリカの含有量が過多であるため破断伸びが小さく、耐プラズマ性も著しく低下している。
【００２６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のフッ素ゴム成形体は、純粋性および耐熱性に優れ、プラズマ状況下で重量減少が少なく、且つ機械的特性も優れていることから半導体製造装置用ゴム材料として好適に使用できる。

Claims

共重合体中の金属元素含有量が１．５重量％以下であるテトラフロロエチレン／プロピレン共重合体からなる原料ゴムに、一次粒子径が０．５μｍ以下であり、且つ表面を疎水化処理した高純度シリカ及びトリアリルイソシアヌレートを添加してゴム組成物を調製し、前記ゴム組成物を加熱雰囲気中で所望の形状に予備成形した後、得られた予備成形体にγ線を１０〜５００ｋＧｙの線量にて照射して架橋させ、さらに５０℃〜３００℃の温度で０．１〜１０時間加熱処理することを特徴とするフッ素ゴム成形体の製造方法。
高純度シリカの含有量が原料ゴム１００重量部に対し１〜３０重量部であることを特徴とする請求項１に記載のフッ素ゴム成形体の製造方法。
トリアリルイソシアヌレートが原料ゴム１００重量部に対し０．１〜２０重量部添加されることを特徴とする請求項１または２記載のフッ素ゴム成形体の製造方法。