JP4334455B2 - Solar cell module - Google Patents

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Description

本発明は、太陽電池セルおよび太陽電池モジュールに関し、特に、半導体基板の裏面上に電極が形成された裏面接合型の太陽電池セルおよび太陽電池モジュールに関する。   The present invention relates to a solar battery cell and a solar battery module, and more particularly to a back junction solar cell and a solar battery module in which an electrode is formed on the back surface of a semiconductor substrate.

近年、エネルギー資源の枯渇の問題や大気中のＣＯ2増加のような地球環境問題などを解決する観点から、クリーンなエネルギーの開発が望まれており、特に、太陽電池セルを複数接続して構成される太陽電池モジュールを用いた太陽光発電が新しいエネルギー源として開発、実用化され、発展の道を歩んでいる。 In recent years, the development of clean energy has been desired from the viewpoint of solving the problem of depletion of energy resources and global environmental problems such as the increase in CO 2 in the atmosphere. Solar power generation using solar cell modules is being developed and put into practical use as a new energy source, and is on the path of development.

太陽電池モジュールを構成する太陽電池セルとしては、従来から、シリコン基板の主表面のうち太陽光が入射する側の面（受光面）上とその反対側にある裏面上とにそれぞれ電極が形成されるものと、シリコン基板の裏面上のみに互いに異なる導電型の不純物領域に接続される２種類の電極が形成されるもの（裏面接合型セル）とが知られている。   Conventionally, as solar cells constituting the solar cell module, electrodes are formed on the main surface of the silicon substrate on the surface (light receiving surface) on which sunlight is incident and on the back surface on the opposite side, respectively. And those having two types of electrodes connected to different impurity regions of different conductivity type only on the back surface of the silicon substrate (back junction cell) are known.

シリコン基板の受光面上と裏面上とにそれぞれ電極が形成されるセルにおいては、たとえば単結晶または多結晶のシリコン基板の受光面側からシリコン基板の導電型と反対の導電型となる不純物を拡散することによってｐｎ接合が形成されている。また、シリコン基板の裏面側からシリコン基板と同じ導電型の不純物を高濃度で拡散することによって、裏面電界効果による高出力化を図ることも従来から行なわれている。   In a cell in which electrodes are formed on the light receiving surface and the back surface of the silicon substrate, for example, an impurity having a conductivity type opposite to that of the silicon substrate is diffused from the light receiving surface side of the monocrystalline or polycrystalline silicon substrate. By doing so, a pn junction is formed. In addition, it has been conventionally practiced to increase the output by the back surface field effect by diffusing impurities having the same conductivity type as the silicon substrate at a high concentration from the back surface side of the silicon substrate.

しかしながら、このように受光面上に電極が形成される太陽電池セルにおいては、該電極が入射する太陽光を遮るため、太陽電池セルの出力が低下し、結果として太陽電池モジュールの出力が低下する場合がある。   However, in the solar battery cell in which the electrode is formed on the light receiving surface in this manner, the output of the solar battery cell is lowered and the output of the solar battery module is lowered as a result because the sunlight is blocked by the electrode. There is a case.

これに対し、シリコン基板の裏面上のみに電極が形成される裏面接合型太陽電池セルが従来から用いられている。裏面接合型太陽電池セルにおいては、受光面上で入射光が電極により遮られることはないが、シリコン基板の裏面側からしか電力を取り出すことができないため、その電極の構造は太陽電池セルおよびこれらを複数接続して構成される太陽電池モジュールの出力向上の観点から非常に重要である。   On the other hand, a back junction solar cell in which an electrode is formed only on the back surface of a silicon substrate has been conventionally used. In the back junction solar cell, incident light is not blocked by the electrode on the light receiving surface, but power can be taken out only from the back side of the silicon substrate. This is very important from the viewpoint of improving the output of a solar cell module constituted by connecting a plurality of solar cells.

図１４，図１５は、従来の裏面接合型太陽電池セルの一例を示した図である。なお、図１４は太陽電池セルの断面図であり、図１５は該太陽電池セルの上面図である。   14 and 15 are views showing an example of a conventional back junction solar cell. 14 is a cross-sectional view of the solar battery cell, and FIG. 15 is a top view of the solar battery cell.

図１４を参照して、ｐ型のシリコン基板１０１の受光面側（図１４における上側）の主表面上にパッシベーション膜１０９が形成される。シリコン基板１０１の裏面側（図１４における下側）の主表面上に、ｎ＋不純物層１０５とｐ＋不純物層１０６とがパッシベーション膜１１０を挟んで交互に所定の間隔を空けて形成される。そして、ｐ＋不純物層１０６上にはフィンガーｐ電極１１１が形成され、ｎ＋不純物層１０５上にはフィンガーｎ電極１１２が形成されている。   Referring to FIG. 14, passivation film 109 is formed on the main surface on the light receiving surface side (upper side in FIG. 14) of p-type silicon substrate 101. On the main surface on the back surface side (the lower side in FIG. 14) of the silicon substrate 101, n + impurity layers 105 and p + impurity layers 106 are alternately formed with a predetermined interval therebetween with the passivation film 110 interposed therebetween. A finger p electrode 111 is formed on the p + impurity layer 106, and a finger n electrode 112 is formed on the n + impurity layer 105.

この裏面接合型太陽電池セルの受光面に太陽光が入射すると、シリコン基板１０１の受光面近傍で生じたキャリアが裏面に形成されたｐｎ接合にまで到達し、フィンガーｐ電極１１１およびフィンガーｎ電極１１２に電流として収集される。この電流が外部に取り出されて太陽電池モジュールの出力となる。   When sunlight is incident on the light receiving surface of the back junction solar cell, carriers generated in the vicinity of the light receiving surface of the silicon substrate 101 reach the pn junction formed on the back surface, and the finger p electrode 111 and the finger n electrode 112. Collected as current. This electric current is taken out and becomes the output of the solar cell module.

図１５を参照して、太陽電池セルの出力を向上させる観点から、フィンガーｐ電極１１１とフィンガーｎ電極１１２とがシリコン基板１０１の裏面上のほぼ全体を覆うように形成されている。そして、シリコン基板１０１の裏面上における端部（図１５における左右両端部）に、フィンガーｐ電極１１１と交差する方向に延在するバスバーｐ電極１１３（ｂｕｓｂａｒ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）と、フィンガーｎ電極１１２と交差する方向に延在するバスバーｎ電極１１４とがそれぞれ形成されている。   Referring to FIG. 15, finger p electrode 111 and finger n electrode 112 are formed so as to cover almost the entire back surface of silicon substrate 101 from the viewpoint of improving the output of the solar battery cell. A bus bar p electrode 113 (busbar electrode) extending in a direction intersecting the finger p electrode 111 and a finger n electrode 112 are intersected at end portions (left and right end portions in FIG. 15) on the back surface of the silicon substrate 101. Bus bar n-electrodes 114 extending in the direction are formed.

上述した太陽電池セルの電極１１１〜１１４の形成方法としては、たとえば高真空中における電子ビーム加熱による電極材料の蒸着、電極材料を含むペーストのスクリーン印刷または電極材料のメッキなどの手段が用いられる。   As a method for forming the above-described solar cell electrodes 111 to 114, for example, means such as vapor deposition of an electrode material by electron beam heating in high vacuum, screen printing of a paste containing the electrode material, or plating of the electrode material is used.

なお、半導体基板の裏面上に電極部が形成された太陽電池セルの構造は、たとえば特開２００３−２９８０７８号公報などに記載されている。
特開２００３−２９８０７８号公報 In addition, the structure of the photovoltaic cell in which the electrode part was formed on the back surface of the semiconductor substrate is described, for example in Unexamined-Japanese-Patent No. 2003-298078.
JP 2003-298078 A

しかしながら、上記のような太陽電池セルにおいては、以下のような問題があった。 However, the solar cell as described above has the following problems.

太陽電池セルおよび太陽電池モジュールの出力を向上させる観点から、半導体基板の裏面に形成されるフィンガー電極（フィンガーｐ電極１１１およびフィンガーｎ電極１１２）の抵抗を低くすることが要請される。該抵抗を比較的低くすることで、太陽電池セルから効率よく電力を取出すことができる。なお、太陽電池セルの面積が大きくなるにつれて、上記抵抗も高くなり、上記課題がより顕著に認められるようになる。   From the viewpoint of improving the output of the solar battery cell and the solar battery module, it is required to reduce the resistance of the finger electrodes (finger p electrode 111 and finger n electrode 112) formed on the back surface of the semiconductor substrate. By making the resistance relatively low, it is possible to efficiently extract electric power from the solar battery cell. In addition, as the area of the solar battery cell increases, the resistance increases, and the above problem is recognized more remarkably.

これに対し、フィンガーｐ電極１１１およびフィンガーｎ電極１１２の抵抗を低くするために、該フィンガー電極の断面積（幅（Ｗ）×高さ（Ｈ））を大きくすることが考えられる。しかしながら、フィンガー電極の幅（Ｗ）を大きくした場合は、フィンガーｐ電極１１１とフィンガーｎ電極１１２との間のピッチが大きくなり、シリコン基板１０１内におけるキャリアの移動距離が大きくなり、結果として太陽電池セルの出力が低下することになる。また、一定のフィンガー電極の幅（Ｗ）に対する該電極の高さ（Ｈ）についても一定の限界値がある。したがって、フィンガー電極の断面積を大きくするのみでは、必ずしも有効に上記課題が解決されない。   On the other hand, in order to reduce the resistance of the finger p electrode 111 and the finger n electrode 112, it is conceivable to increase the cross-sectional area (width (W) × height (H)) of the finger electrode. However, when the width (W) of the finger electrode is increased, the pitch between the finger p electrode 111 and the finger n electrode 112 is increased, and the moving distance of carriers in the silicon substrate 101 is increased, resulting in a solar cell. The output of the cell will be reduced. There is also a certain limit value for the height (H) of the electrode relative to the width (W) of the certain finger electrode. Therefore, the above-mentioned problem is not necessarily effectively solved only by increasing the cross-sectional area of the finger electrode.

本発明は、上記のような問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、太陽電池セルの面積が比較的大きくなった場合においてもフィンガー電極の抵抗を抑制することができる裏面接合型の太陽電池セルおよび太陽電池モジュールを提供することにある。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is a back surface junction that can suppress the resistance of finger electrodes even when the area of a solar battery cell is relatively large. The object is to provide a solar cell and solar cell module of the type.

本発明に係る太陽電池モジュールに含まれる太陽電池セルは、半導体基板と、半導体基板の主表面上に形成された電極部とを備え、電極部は、第１母線部と、半導体基板の主表面上において第１母線部と隣り合う位置に間隔を空けて形成された第２母線部と、第１母線部から第２母線部に向けて延びる第１フィンガー部と、第２母線部から第１母線部に向けて延び、第１フィンガー部の近傍に達する第２フィンガー部とを有し、第１と第２母線部は、第１と第２フィンガー部を形成する際に併せて形成され、第１と第２フィンガー部および第１と第２母線部は単層構造を有し、第１と第２母線部の少なくとも一方が半導体基板の主表面上で複数形成され、第１と第２母線部が交互に形成される。 A solar cell included in a solar cell module according to the present invention includes a semiconductor substrate and an electrode portion formed on the main surface of the semiconductor substrate, and the electrode portion includes a first busbar portion and a main surface of the semiconductor substrate. A second busbar portion formed at a position adjacent to the first busbar portion at an interval above, a first finger portion extending from the first busbar portion toward the second busbar portion, and a first from the second busbar portion. A second finger portion extending toward the busbar portion and reaching the vicinity of the first finger portion, the first and second busbar portions are formed together when forming the first and second finger portions, The first and second finger portions and the first and second busbar portions have a single-layer structure, and at least one of the first and second busbar portions is formed on the main surface of the semiconductor substrate. Busbar portions are alternately formed.

これにより、フィンガー電極の長さを比較的小さくすることができるので、該電極の抵抗を抑制することができる。結果として、太陽電池セルの出力が向上する。   Thereby, since the length of a finger electrode can be made comparatively small, resistance of this electrode can be controlled. As a result, the output of the solar battery cell is improved.

第１と第２母線部は、半導体基板の主表面上において同数形成され、第１母線部から半
導体基板の周縁部までの距離と第２母線部から半導体基板の周縁部における該半導体基板の端部までの距離とが等しい。 The same number of first and second bus bars are formed on the main surface of the semiconductor substrate, and the distance from the first bus bar to the peripheral edge of the semiconductor substrate and the edge of the semiconductor substrate at the peripheral edge of the semiconductor substrate from the second bus bar. and the distance to the part is equal.

これにより、複数の太陽電池セルの直列接続が行ないやすくなる。   Thereby, it becomes easy to perform a series connection of a plurality of photovoltaic cells.

本発明に係る太陽電池モジュールは、互いに電気的に接続された上述の太陽電池セルを複数含む太陽電池モジュールであって、１つの局面では、太陽電池セルにおける半導体基板の裏面上に形成される第１導電型の第１不純物領域および第２導電型の第２不純物領域を備え、第１フィンガー部は、第１不純物領域上に形成され、第１母線部は、半導体基板の裏面上において第１フィンガー部に交差する方向に形成され、第２フィンガー部は、第２不純物領域上に形成され、第２母線部は、半導体基板の裏面上において第２フィンガー部に交差する方向に第１母線部と同数形成され、太陽電池セルにおける第１母線部の端部と他の太陽電池セルにおける第２母線部の端部とが向かい合うように複数の太陽電池セルが配置され、第１と第２母線部が接続部材により電気的に接続されている。 The solar cell module according to the present invention is a solar cell module including a plurality of the above-described solar cells electrically connected to each other. In one aspect, the solar cell module is formed on the back surface of the semiconductor substrate in the solar cell. 1st conductivity type 1st impurity region and 2nd conductivity type 2nd impurity region are provided, a 1st finger part is formed on a 1st impurity region, and a 1st busbar part is a 1st on the back surface of a semiconductor substrate. The second finger part is formed on the second impurity region, and the second bus part is formed on the back surface of the semiconductor substrate in the direction crossing the second finger part. and the same number form a plurality of solar cells as the end face of the second bus portion at the end and the other solar battery cell of the first bus portion is arranged in a solar cell, the first and second bus Part It is electrically connected by a connection member.

上記太陽電池モジュールにおいて、他の局面では、複数の太陽電池セルにおける第１母線部の端部どうし、および、第２母線部の端部どうしが各々向かい合うように複数の太陽電池セルが配置され、第１母線部の端部どうし、および、第２母線部の端部どうしが各々接続部材により電気的に接続されている。 In the solar cell module, in another aspect, to what end of the first bus portion of the plurality of solar cells, and a plurality of solar cells so as to face end each other of the second bus bar portions each disposed , and how the end of the first bus portion and the end portion each other of the second bus portion are electrically connected by each connecting member.

上記いずれの局面においても、フィンガー部の抵抗が抑制され、結果として、太陽電池モジュールの出力を向上させることができる。 In any of the above aspects, the resistance of the finger portion is suppressed, and as a result, the output of the solar cell module can be improved.

本発明によれば、太陽電池セルおよび太陽電池モジュールの出力が向上する。   According to this invention, the output of a photovoltaic cell and a photovoltaic module is improved.

以下に、本発明に基づく太陽電池セルおよび太陽電池モジュールの実施の形態について、図１から図１３を用いて説明する。   Hereinafter, embodiments of a solar battery cell and a solar battery module according to the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 13.

なお、本願明細書において、「受光面」とは、太陽電池セルまたは太陽電池モジュールにおける半導体基板の太陽光が入射する側の主表面を意味し、「裏面」とは、上記半導体基板における受光面の反対側であって太陽光が入射しない側の主表面を意味する。   In the specification of the present application, the “light receiving surface” means a main surface of a semiconductor substrate in a solar cell or solar battery module on the side where sunlight enters, and the “back surface” means a light receiving surface in the semiconductor substrate. It means the main surface on the opposite side to which sunlight is not incident.

図１０は、本実施の形態に係る太陽電池セルを示した上面図である。本実施の形態に係る太陽電池セルにおいては、図１０に示すように、シリコン基板の裏面上にフィンガーｐ電極１１、フィンガーｎ電極１２、バスバーｐ電極１３およびバスバーｎ電極１４が形成されている。特徴的な構成として、バスバーｐ電極１３およびバスバーｎ電極１４は、太陽電池セル上において、それぞれ複数（２本ずつ）形成されている。   FIG. 10 is a top view showing the solar battery cell according to the present embodiment. In the solar cell according to the present embodiment, as shown in FIG. 10, finger p electrode 11, finger n electrode 12, bus bar p electrode 13 and bus bar n electrode 14 are formed on the back surface of the silicon substrate. As a characteristic configuration, the bus bar p-electrode 13 and the bus bar n-electrode 14 are formed in plural (two each) on the solar battery cell.

上記構成が得られるプロセスについて、以下に説明する。   A process for obtaining the above configuration will be described below.

図９は、上記太陽電池セルにおけるフィンガーｐ電極１１およびフィンガーｎ電極１２が形成された部分を示した断面図である。また、図１〜図８は、それぞれ、図９に示す太陽電池セルの製造工程における第１〜第８工程を示す断面図である。   FIG. 9 is a cross-sectional view showing a portion where the finger p electrode 11 and the finger n electrode 12 are formed in the solar battery cell. Moreover, FIGS. 1-8 is sectional drawing which shows the 1st-8th process in the manufacturing process of the photovoltaic cell shown in FIG. 9, respectively.

図１を参照して、シリコン結晶のインゴッドをスライスして得られる半導体基板としてのシリコン基板１においては、スライスの際にその表面近傍にダメージ層１ａが形成される。そこで、酸性またはアルカリ性の溶液を用いて、図２に示すように、ダメージ層１ａがエッチングされることが好ましい。なお、シリコン基板１の導電型はｎ型でもｐ型でもよく、シリコン基板１の大きさや厚みについても適宜変更が可能である。ただし、入射する太陽光の反射による損失を抑制するためにシリコン基板１の受光面にテクスチャと呼ばれるピラミッド状の微細構造を形成する場合には、シリコン基板１の受光面の面方位が（１００）程度であることが好ましい。   Referring to FIG. 1, in a silicon substrate 1 as a semiconductor substrate obtained by slicing an ingot of a silicon crystal, a damage layer 1a is formed in the vicinity of the surface at the time of slicing. Therefore, it is preferable that the damage layer 1a is etched using an acidic or alkaline solution as shown in FIG. The conductivity type of the silicon substrate 1 may be n-type or p-type, and the size and thickness of the silicon substrate 1 can be appropriately changed. However, when a pyramidal microstructure called a texture is formed on the light receiving surface of the silicon substrate 1 in order to suppress loss due to reflection of incident sunlight, the surface orientation of the light receiving surface of the silicon substrate 1 is (100). It is preferable that it is a grade.

図３を参照して、シリコン基板１の受光面の反対側にある裏面にｐ型不純物（たとえばボロン）を含むｐ型ペースト材２と、ｎ型不純物（たとえばリン）を含むｎ型ペースト材３とが所定のパターンで付着される。そして、シリコン基板１がたとえば１００℃〜２００℃程度の温度に加熱される。これにより、ペースト材２，３に含まれる有機溶媒成分が蒸発する。その後、ペースト材２，３が付着したシリコン基板１の裏面全体が拡散防止膜４で覆われる。ペースト材２，３を所定のパターンで付着する手段としては、たとえばスクリーン印刷やインクジェット印刷などが挙げられる。ここで、シリコン基板１内に発生する少数キャリアを効率良く収集するため、図３に示すように、ｐ型ペースト材２とｎ型ペースト材３とがシリコン基板１の裏面に沿って交互に間隔を空けて形成されることが好ましい。また、拡散防止膜４は、たとえば酸化シリコン膜などからなり、常圧ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法や酸化シリコンを含む塗布液を乾燥させることなどによって形成される。   Referring to FIG. 3, p-type paste material 2 containing p-type impurities (for example, boron) on the back surface opposite to the light-receiving surface of silicon substrate 1, and n-type paste material 3 containing n-type impurities (for example, phosphorus). Are attached in a predetermined pattern. Then, the silicon substrate 1 is heated to a temperature of about 100 ° C. to 200 ° C., for example. Thereby, the organic solvent component contained in the paste materials 2 and 3 evaporates. Thereafter, the entire back surface of the silicon substrate 1 to which the paste materials 2 and 3 are attached is covered with the diffusion prevention film 4. Examples of means for attaching the paste materials 2 and 3 in a predetermined pattern include screen printing and ink jet printing. Here, in order to efficiently collect minority carriers generated in the silicon substrate 1, the p-type paste material 2 and the n-type paste material 3 are alternately spaced along the back surface of the silicon substrate 1 as shown in FIG. 3. It is preferable that the gap is formed. The diffusion prevention film 4 is made of, for example, a silicon oxide film, and is formed by, for example, atmospheric pressure CVD (Chemical Vapor Deposition) or drying a coating solution containing silicon oxide.

次に、シリコン基板１は、たとえば９００℃〜１０００℃程度の温度に加熱された石英炉内に投入され、たとえば３０分〜６０分間石英炉内に置かれる。これにより、ｐ型ペースト材２に含まれるｐ型不純物（ボロン）およびｎ型ペースト材３に含まれるｎ型不純物（リン）がシリコン基板１中に拡散され、図４に示すように、シリコン基板１の裏面に沿って複数のｐ＋不純物層６およびｎ＋不純物層５が交互に間隔をあけて形成される。ここで、シリコン基板１の裏面には拡散防止膜４が形成されているため、ｐ型ペースト材２に含まれるｐ型不純物（ボロン）およびｎ型ペースト材３に含まれるｎ型不純物（リン）がシリコン基板１の外部に拡散することが防止される。   Next, the silicon substrate 1 is put into a quartz furnace heated to a temperature of, for example, about 900 ° C. to 1000 ° C., and placed in the quartz furnace, for example, for 30 minutes to 60 minutes. As a result, the p-type impurity (boron) contained in the p-type paste material 2 and the n-type impurity (phosphorus) contained in the n-type paste material 3 are diffused into the silicon substrate 1, and as shown in FIG. A plurality of p + impurity layers 6 and n + impurity layers 5 are alternately formed at intervals along the back surface of 1. Here, since the diffusion prevention film 4 is formed on the back surface of the silicon substrate 1, the p-type impurity (boron) contained in the p-type paste material 2 and the n-type impurity (phosphorus) contained in the n-type paste material 3. Is prevented from diffusing outside the silicon substrate 1.

次に、シリコン基板１は、たとえば水酸化ナトリウムや水酸化カリウムなどのアルカリとイソプロピルアルコール（ＩＰＡ：Ｉｓｏ−Ｐｒｏｐｙｌ Ａｌｃｏｈｏｌ）などとを含む高温水溶液に浸漬される。これにより、シリコン結晶方位に沿った異方性エッチングが進行し、図５に示すように、シリコン基板１の受光面にピラミッド状のテクスチャ構造８が形成される。ここで、シリコン基板１の裏面には拡散防止膜４が形成されているため、シリコン基板１の裏面はエッチングされない。   Next, the silicon substrate 1 is immersed in a high-temperature aqueous solution containing, for example, an alkali such as sodium hydroxide or potassium hydroxide and isopropyl alcohol (IPA: Iso-Propyl Alcohol). Thereby, anisotropic etching along the silicon crystal orientation proceeds, and a pyramidal texture structure 8 is formed on the light receiving surface of the silicon substrate 1 as shown in FIG. Here, since the diffusion prevention film 4 is formed on the back surface of the silicon substrate 1, the back surface of the silicon substrate 1 is not etched.

次に、シリコン基板１はフッ酸溶液などに浸される。これにより、図６に示すように、シリコン基板１の裏面の拡散保護膜４と、ｐ型ペースト材２およびｎ型ペースト材３とが除去される。その後、図７に示すように、シリコン基板１の受光面および裏面にキャリアの表面再結合を抑制するためのパッシベーション膜９，１０が形成される。パッシベーション膜９、１０としては、たとえば熱酸化により形成されるシリコン酸化膜やプラズマＣＶＤ法により形成されるシリコン窒化膜などが用いられる。パッシベーション膜９，１０を形成することによって、シリコン基板１の裏面上におけるキャリアの再結合を有効に抑制することができる。ここで、受光面に形成されるパッシベーション膜９としてシリコン窒化膜を用いた場合には、その屈折率が２．１程度となるため、該パッシベーション膜９は、受光面における太陽光の反射を抑制する反射防止膜としても用いることができる。   Next, the silicon substrate 1 is immersed in a hydrofluoric acid solution or the like. Thereby, as shown in FIG. 6, the diffusion protective film 4 on the back surface of the silicon substrate 1, the p-type paste material 2, and the n-type paste material 3 are removed. Thereafter, as shown in FIG. 7, passivation films 9 and 10 for suppressing surface recombination of carriers are formed on the light receiving surface and the back surface of the silicon substrate 1. As the passivation films 9 and 10, for example, a silicon oxide film formed by thermal oxidation or a silicon nitride film formed by plasma CVD is used. By forming the passivation films 9 and 10, carrier recombination on the back surface of the silicon substrate 1 can be effectively suppressed. Here, when a silicon nitride film is used as the passivation film 9 formed on the light receiving surface, the refractive index is about 2.1. Therefore, the passivation film 9 suppresses reflection of sunlight on the light receiving surface. It can also be used as an antireflection film.

次に、シリコン基板１の裏面のｐ＋不純物層６およびｎ＋不純物層５と電極との電気的接続を行なうために、図８に示すように、シリコン基板１の裏面に形成されたパッシベーション膜１０が所定のパターンで除去される。ここで、ｐ＋不純物層６およびｎ＋不純物層５の配列に応じてパッシベーション膜１０の除去パターン（たとえばドット状またはライン状などのパターン）が決定される。また、ｐ＋不純物層６およびｎ＋不純物層５以外の部分に電極が形成されることがないように、除去されるパッシベーション膜１０の幅は、ｐ＋不純物層６およびｎ＋不純物層５の幅よりも小さいことが好ましい。   Next, in order to make electrical connection between the p + impurity layer 6 and n + impurity layer 5 on the back surface of the silicon substrate 1 and the electrode, a passivation film 10 formed on the back surface of the silicon substrate 1 is formed as shown in FIG. It is removed in a predetermined pattern. Here, the removal pattern of the passivation film 10 (for example, a pattern such as a dot shape or a line shape) is determined according to the arrangement of the p + impurity layer 6 and the n + impurity layer 5. Further, the width of the passivation film 10 to be removed is smaller than the widths of the p + impurity layer 6 and the n + impurity layer 5 so that electrodes are not formed in portions other than the p + impurity layer 6 and the n + impurity layer 5. It is preferable.

次に、図９に示すように、パッシベーション膜１０が除去された部分に合わせて、ｐ＋不純物層６上にフィンガーｐ電極１１が形成されるとともに、ｎ＋不純物層５上にフィンガーｎ電極１２が形成される。フィンガーｐ電極１１およびフィンガーｎ電極１２を構成する素材としては、たとえば銀またはアルミニウムなどの高導電材料が用いられることが好ましい。これにより、太陽電池セルから発生する電流を、効率よく外部に取り出すことができる。また、フィンガーｐ電極１１およびフィンガーｎ電極１２を形成する手段としては、たとえば、高真空中における電子ビーム加熱による電極材料の蒸着、電極材料を含むペーストのスクリーン印刷または電極材料のメッキなどが挙げられる。また、シリコン基板１への電極材料の付着後に４００℃〜５００℃程度の熱処理が行なわれることが好ましい。これにより、シリコン基板１とフィンガーｐ電極１１およびフィンガーｎ電極１２との良好なオーミック接触が得られる。なお、フィンガー電極１１，１２を形成する際に、図１０に示すように、フィンガー電極１１，１２と交差する方向に延在する母線部としてのバスバー電極１３，１４も併せて形成される。   Next, as shown in FIG. 9, the finger p electrode 11 is formed on the p + impurity layer 6 and the finger n electrode 12 is formed on the n + impurity layer 5 in accordance with the portion from which the passivation film 10 has been removed. Is done. As a material constituting the finger p-electrode 11 and the finger n-electrode 12, it is preferable to use a highly conductive material such as silver or aluminum. Thereby, the electric current which generate | occur | produces from a photovoltaic cell can be taken out outside efficiently. Examples of the means for forming the finger p electrode 11 and the finger n electrode 12 include vapor deposition of an electrode material by electron beam heating in high vacuum, screen printing of a paste containing the electrode material, or plating of the electrode material. . Further, it is preferable that a heat treatment at about 400 ° C. to 500 ° C. is performed after the electrode material is attached to the silicon substrate 1. Thereby, good ohmic contact between the silicon substrate 1 and the finger p-electrode 11 and the finger n-electrode 12 is obtained. In addition, when forming the finger electrodes 11 and 12, as shown in FIG. 10, the bus-bar electrodes 13 and 14 as bus-bar parts extended in the direction which cross | intersects the finger electrodes 11 and 12 are also formed.

上記フィンガーｐ電極１１およびフィンガーｎ電極１２は、主として、太陽電池セルに発生した電流を収集する電極である。また、バスバー電極１３，１４は、フィンガー電極が収集した電流を集め、主に他の太陽電池セルとの接続に用いられる電極である。   The finger p electrode 11 and the finger n electrode 12 are electrodes that mainly collect current generated in the solar battery cell. The bus bar electrodes 13 and 14 are electrodes used to collect current collected by the finger electrodes and are mainly used for connection with other solar cells.

裏面接合型太陽電池セルにおいては、シリコン基板１の裏面側からしか電力を取り出すことができないため、フィンガー電極１１，１２の抵抗を低くすることは太陽電池セルの出力向上の観点から非常に重要である。   In the back junction solar cell, since power can be taken out only from the back surface side of the silicon substrate 1, it is very important to reduce the resistance of the finger electrodes 11 and 12 from the viewpoint of improving the output of the solar cell. is there.

本実施の形態に係る太陽電池セルにおいては、図１０に示すように、シリコン基板１の主表面上における周縁部に１対のバスバー電極１３，１４が形成されるとともに、シリコン基板１の主表面上における中央部にも１対のバスバー電極１３，１４が形成されている。すなわち、シリコン基板１の主表面上において、２対のバスバー電極１３，１４が形成されている。   In the solar cell according to the present embodiment, as shown in FIG. 10, a pair of bus bar electrodes 13, 14 are formed at the peripheral edge on the main surface of silicon substrate 1, and the main surface of silicon substrate 1 is formed. A pair of bus bar electrodes 13 and 14 are also formed in the upper central portion. That is, two pairs of bus bar electrodes 13 and 14 are formed on the main surface of silicon substrate 1.

図１０を参照して、シリコン基板１の裏面上において、複数のフィンガーｐ電極１１とフィンガーｎ電極１２とが、該裏面全体を覆うように交互に直線上に形成されている。上記のように、２対のバスバー電極１３，１４を形成することで、１対のバスバー電極１３，１４のみが形成される場合と比較して、太陽電池セルにおけるシリコン基板の幅（Ｌ）が同じ場合であっても、フィンガーｐ電極１１およびフィンガーｎ電極１２の長さ（Ｌ１）が小さくなる。この結果、フィンガーｐ電極１１およびフィンガーｎ電極１２のシリーズ抵抗を低く抑えることができる。したがって、フィンガーｎ電極１２およびフィンガーｐ電極１１の幅（Ｗ１）を小さくすることができ、フィンガーｐ電極１１とフィンガーｎ電極１２との間のピッチ（Ｐ１）を小さくすることができる。この結果、シリコン基板１内におけるキャリアの移動距離が長くなることが抑制され、フィンガー電極１１，１２におけるキャリアの収集効率を向上させることが可能になる。したがって、太陽電池セルの面積が大きくなった場合も、該セルの出力の低下を有効に抑止することができる。   Referring to FIG. 10, on the back surface of silicon substrate 1, a plurality of finger p-electrodes 11 and finger n-electrodes 12 are alternately formed on a straight line so as to cover the entire back surface. As described above, by forming two pairs of bus bar electrodes 13 and 14, the width (L) of the silicon substrate in the solar cell is smaller than when only one pair of bus bar electrodes 13 and 14 is formed. Even in the same case, the length (L1) of the finger p electrode 11 and the finger n electrode 12 is reduced. As a result, the series resistance of the finger p electrode 11 and the finger n electrode 12 can be kept low. Therefore, the width (W1) of the finger n electrode 12 and the finger p electrode 11 can be reduced, and the pitch (P1) between the finger p electrode 11 and the finger n electrode 12 can be reduced. As a result, it is possible to prevent the carrier moving distance in the silicon substrate 1 from being increased, and to improve the carrier collection efficiency in the finger electrodes 11 and 12. Therefore, even when the area of the solar battery cell is increased, it is possible to effectively suppress a decrease in the output of the cell.

また、シリコン基板の裏面上における外側に位置するバスバーｐ電極１３，バスバーｎ電極１４のシリコン基板端部からの距離（ＰＰ１，ＰＮ１）は互いに等しく、シリコン基板の裏面上における中央側に位置するバスバーｐ電極１３，バスバーｎ電極１４のシリコン基板端部からの距離（ＰＰ２，ＰＮ２）は互いに等しい。このようにすることで、後述する直列接続が行ないやすくなる。 Further, the distances (PP1, PN1) from the edge of the silicon substrate of the bus bar p- electrode 13 and the bus bar n- electrode 14 positioned on the outer side on the back surface of the silicon substrate are equal to each other, The distances (PP2, PN2) from the ends of the silicon substrate of the p electrode 13 and the bus bar n electrode 14 are equal to each other. By doing in this way, it becomes easy to perform the serial connection mentioned later.

図１１は、図１０に示す太陽電池セルの１つの変形例を示した上面図である。   FIG. 11 is a top view showing one modification of the solar battery cell shown in FIG.

図１１に示す例では、図１０に示すセルにおけるシリコン基板と同じ幅（Ｌ）を有するシリコン基板の裏面上に、３対のバスバー電極１３，１４が形成されている。したがって、フィンガーｐ電極１１およびフィンガーｎ電極１２の長さ（Ｌ１）は、図１０の場合と比較してさらに小さくなる。   In the example shown in FIG. 11, three pairs of bus bar electrodes 13 and 14 are formed on the back surface of a silicon substrate having the same width (L) as the silicon substrate in the cell shown in FIG. Therefore, the length (L1) of the finger p electrode 11 and the finger n electrode 12 is further reduced as compared with the case of FIG.

なお、フィンガーｐ電極１１およびフィンガーｎ電極１２の長さ（Ｌ１）は、太陽電池セルにおけるシリコン基板の幅（Ｌ：フィンガーｐ電極１１およびフィンガーｎ電極１２の延在方向におけるシリコン基板の長さ寸法）の１／２以下程度であることが好ましく、１／４以下程度であることがより好ましく、１／６以下程度であることがさらに好ましい。Ｌに対するＬ１の比が小さくなるほど、電極パターンは若干複雑になるが、太陽電池セルの出力低下を特に有効に抑止することができる。   In addition, the length (L1) of the finger p electrode 11 and the finger n electrode 12 is the width of the silicon substrate in the solar battery cell (L: the length dimension of the silicon substrate in the extending direction of the finger p electrode 11 and the finger n electrode 12). ) Is preferably about 1/2 or less, more preferably about 1/4 or less, and even more preferably about 1/6 or less. As the ratio of L1 to L becomes smaller, the electrode pattern becomes slightly complicated, but the output reduction of the solar battery cell can be particularly effectively suppressed.

なお、本願明細書において、フィンガー電極の長さ（Ｌ１）とは、図１０，図１１に示すように、フィンガー電極１１，１２とバスバー電極１３，１４との接点からフィンガー電極１１，１２の先端までの長さを意味する。また、シリコン基板の裏面上にフィンガー電極が複数形成される場合には、少なくともその一部の長さ（Ｌ１）が上記範囲にあれば一定の効果を奏するが、すべてのフィンガー電極の長さ（Ｌ１）が上記範囲にあることが好ましい。   In the present specification, the length (L1) of the finger electrode is the tip of the finger electrode 11, 12 from the contact point between the finger electrode 11, 12 and the bus bar electrode 13, 14, as shown in FIGS. It means the length up to. Further, when a plurality of finger electrodes are formed on the back surface of the silicon substrate, a certain effect can be obtained if at least a part of the length (L1) is within the above range, but the lengths of all finger electrodes ( L1) is preferably in the above range.

図１２は、複数の上記太陽電池セルを直列接続した状態を示す図である。   FIG. 12 is a diagram showing a state in which a plurality of the solar cells are connected in series.

図１２を参照して、隣り合う太陽電池セルのバスバーｐ電極１３とバスバーｎ電極１４とが直線形状を有するインターコネクタ１５によって接続（直列接続）されている。上述したように、バスバー電極１３，１４のシリコン基板端部からの距離をそろえることで、接続されるセルのうち一方のセルを１８０°回転させた後、双方のセルにおけるシリコン基板の端部をそろえるだけで、バスバーｐ電極とバスバーｎ電極とを直線状に並べることができる。したがって、直線形状を有するインターコネクタ１５を用いて簡単に直列接続を行なうことができる。   Referring to FIG. 12, bus bar p-electrode 13 and bus bar n-electrode 14 of adjacent solar cells are connected (in series connection) by an interconnector 15 having a linear shape. As described above, by aligning the distance of the bus bar electrodes 13 and 14 from the end of the silicon substrate, after rotating one of the connected cells by 180 °, the ends of the silicon substrate in both cells are moved. The bus bar p electrode and the bus bar n electrode can be arranged in a straight line simply by aligning them. Therefore, a series connection can be easily performed using the interconnector 15 having a linear shape.

図１３は、太陽電池セルを並列接続したセルユニットを直列接続した状態を示した上面図である。   FIG. 13 is a top view showing a state in which cell units in which solar cells are connected in parallel are connected in series.

図１３を参照して、隣り合う太陽電池セルにおけるバスバーｐ電極１３どうし／バスバーｎ電極１４どうしがインターコネクタ１５によって接続（並列接続）されている。このようにして形成されるセルユニットが複数準備され、一方のセルユニットを１８０°回転させた後、上記インターコネクタ１５によって一方のセルユニットにおけるバスバーｐ電極１３と他方のセルユニットにおけるバスバーｎ電極１４とが接続（直列接続）されている。すなわち、図１３に示す構造においては、並列接続と直列接続とが繰り返されている。   Referring to FIG. 13, bus bar p-electrodes 13 / bus bar n-electrodes 14 in adjacent solar cells are connected (in parallel) by interconnector 15. A plurality of cell units formed in this way are prepared, and after one cell unit is rotated 180 °, the interconnector 15 causes the bus bar p electrode 13 in one cell unit and the bus bar n electrode 14 in the other cell unit. And are connected (series connection). That is, in the structure shown in FIG. 13, parallel connection and series connection are repeated.

上述した内容について要約すると、以下のようになる。   The above contents are summarized as follows.

本実施の形態に係る太陽電池セルは、シリコン基板１（半導体基板）と、シリコン基板１の主表面上に形成された電極部とを備え、電極部は、バスバーｐ電極１３（第１母線部）と、シリコン基板１の主表面上においてバスバーｐ電極１３と隣り合う位置に間隔を空けて形成されたバスバーｎ電極１４と、バスバーｐ電極１３からバスバーｎ電極１４に向けて延びるフィンガーｐ電極１１（第１フィンガー部）と、バスバーｎ電極１４からバスバーｐ電極１３に向けて延び、フィンガーｐ電極１１の近傍に達するフィンガーｎ電極１２（第２フィンガー部）とを有し、バスバーｐ電極１３およびバスバーｎ電極１４がシリコン基板１の主表面上で複数形成され、バスバーｐ電極１３およびバスバーｎ電極１４が交互に形成されている。   The solar cell according to the present embodiment includes a silicon substrate 1 (semiconductor substrate) and an electrode portion formed on the main surface of the silicon substrate 1, and the electrode portion is a bus bar p-electrode 13 (first busbar portion). ), A bus bar n electrode 14 formed at a position adjacent to the bus bar p electrode 13 on the main surface of the silicon substrate 1, and a finger p electrode 11 extending from the bus bar p electrode 13 toward the bus bar n electrode 14. (First finger portion) and a finger n electrode 12 (second finger portion) extending from the bus bar n electrode 14 toward the bus bar p electrode 13 and reaching the vicinity of the finger p electrode 11, A plurality of bus bar n electrodes 14 are formed on the main surface of the silicon substrate 1, and bus bar p electrodes 13 and bus bar n electrodes 14 are alternately formed.

これにより、フィンガー電極の長さを比較的小さくすることができるので、該電極の抵抗を抑制することができる。結果として、太陽電池セルの出力が向上する。   Thereby, since the length of a finger electrode can be made comparatively small, resistance of this electrode can be controlled. As a result, the output of the solar battery cell is improved.

なお、上記太陽電池セルにおいて、バスバーｐ電極１３およびバスバーｎ電極１４の一方のみが複数形成される構造とすることも考えられる。   In addition, in the said photovoltaic cell, it is also considered that only one of the bus bar p electrode 13 and the bus bar n electrode 14 is formed.

バスバーｐ電極１３およびバスバーｎ電極１４は、シリコン基板１の主表面上において同数形成され、バスバーｐ電極１３からシリコン基板１の周縁部までの距離とバスバーｎ電極１４からシリコン基板１の周縁部までの距離とがほぼ等しいことが好ましい。   The bus bar p electrode 13 and the bus bar n electrode 14 are formed in the same number on the main surface of the silicon substrate 1, and the distance from the bus bar p electrode 13 to the peripheral edge of the silicon substrate 1 and from the bus bar n electrode 14 to the peripheral edge of the silicon substrate 1. It is preferable that the distance is substantially equal.

これにより、複数の太陽電池セルの直列接続が行ないやすくなる。   Thereby, it becomes easy to perform a series connection of a plurality of photovoltaic cells.

本実施の形態に係る太陽電池モジュールは、互いに電気的に接続された複数の太陽電池セルを含む太陽電池モジュールであって、１つの局面では、太陽電池セルにおけるシリコン基板１の裏面上に形成されるｐ型（第１導電型）のｐ＋不純物層６（第１不純物領域）およびｎ型（第２導電型）のｎ＋不純物層５（第２不純物領域）と、ｐ＋不純物層６上に形成されるフィンガーｐ電極１１（第１フィンガー電極）およびシリコン基板１の裏面上においてフィンガーｐ電極１１に交差する方向に形成されるバスバーｐ電極１３（第１母線電極）と、ｎ＋不純物層５上に形成されるフィンガーｎ電極１２（第２フィンガー電極）およびシリコン基板１の裏面上においてフィンガーｎ電極１２に交差する方向にバスバーｐ電極１３と同数形成されるバスバーｎ電極１４（第２母線電極）とを備え、太陽電池セルにおけるバスバーｐ電極１３の端部と他の太陽電池セルにおけるバスバーｎ電極１４の端部とが向かい合うように複数の太陽電池セルが配置され、バスバーｐ電極１３およびバスバーｎ電極１４がインターコネクタ１５（接続部材）により電気的に接続（すなわち、直列接続）されている。   The solar cell module according to the present embodiment is a solar cell module including a plurality of solar cells electrically connected to each other. In one aspect, the solar cell module is formed on the back surface of the silicon substrate 1 in the solar cell. P-type (first conductivity type) p + impurity layer 6 (first impurity region) and n-type (second conductivity type) n + impurity layer 5 (second impurity region), and p + impurity layer 6 are formed. Formed on the n + impurity layer 5 and the bus bar p electrode 13 (first bus electrode) formed in a direction intersecting the finger p electrode 11 on the back surface of the silicon substrate 1 and the finger p electrode 11 (first finger electrode). The same number of bus bar p electrodes 13 are formed in the direction intersecting the finger n electrode 12 on the finger n electrode 12 (second finger electrode) and the back surface of the silicon substrate 1. A plurality of solar cells are provided so that an end portion of the bus bar p-electrode 13 in the solar battery cell and an end portion of the bus bar n-electrode 14 in the other solar battery cells face each other. The bus bar p electrode 13 and the bus bar n electrode 14 are electrically connected (that is, connected in series) by an interconnector 15 (connection member).

上記太陽電池モジュールにおいて、他の局面では、複数の太陽電池セルにおけるバスバーｐ電極１３の端部どうし／バスバーｎ電極１４の端部どうしが向かい合うように複数の太陽電池セルが配置され、バスバーｐ電極１３の端部どうし／バスバーｎ電極１４の端部どうしがインターコネクタ１５により電気的に接続（すなわち、並列接続）されている。   In the above solar cell module, in another aspect, the plurality of solar cells are arranged so that the end portions of the bus bar p-electrode 13 and the end portions of the bus bar n-electrode 14 of the plurality of solar cells face each other, and the bus bar p-electrode The end portions of 13 and the end portions of the bus bar n-electrode 14 are electrically connected by the interconnector 15 (that is, connected in parallel).

また、複数の上記太陽電池セルが並列接続されたセルユニットを形成した後、該セルユニットを直列接続したり、複数の上記太陽電池セルが直列接続されたセルユニットを形成した後、該セルユニットを並列接続したりすることも考えられる。   In addition, after forming a cell unit in which a plurality of the solar cells are connected in parallel, the cell units are connected in series, or after forming a cell unit in which the plurality of solar cells are connected in series, the cell unit May be connected in parallel.

上記いずれの局面においても、フィンガー電極１３，１４の長さが小さくなることにより該電極の抵抗が抑制され、結果として、太陽電池モジュールの出力が向上する。   In any of the above aspects, the finger electrodes 13 and 14 are reduced in length, so that the resistance of the electrodes is suppressed, and as a result, the output of the solar cell module is improved.

以上、本発明の実施の形態について説明したが、今回開示された実施の形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。   Although the embodiments of the present invention have been described above, the embodiments disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.

本発明の１つの実施の形態に係る太陽電池セルの製造工程における第１工程を示した断面図である。It is sectional drawing which showed the 1st process in the manufacturing process of the photovoltaic cell which concerns on one embodiment of this invention. 本発明の１つの実施の形態に係る太陽電池セルの製造工程における第２工程を示した断面図である。It is sectional drawing which showed the 2nd process in the manufacturing process of the photovoltaic cell which concerns on one embodiment of this invention. 本発明の１つの実施の形態に係る太陽電池セルの製造工程における第３工程を示した断面図である。It is sectional drawing which showed the 3rd process in the manufacturing process of the photovoltaic cell which concerns on one embodiment of this invention. 本発明の１つの実施の形態に係る太陽電池セルの製造工程における第４工程を示した断面図である。It is sectional drawing which showed the 4th process in the manufacturing process of the photovoltaic cell which concerns on one embodiment of this invention. 本発明の１つの実施の形態に係る太陽電池セルの製造工程における第５工程を示した断面図である。It is sectional drawing which showed the 5th process in the manufacturing process of the photovoltaic cell which concerns on one embodiment of this invention. 本発明の１つの実施の形態に係る太陽電池セルの製造工程における第６工程を示した断面図である。It is sectional drawing which showed the 6th process in the manufacturing process of the photovoltaic cell which concerns on one embodiment of this invention. 本発明の１つの実施の形態に係る太陽電池セルの製造工程における第７工程を示した断面図である。It is sectional drawing which showed the 7th process in the manufacturing process of the photovoltaic cell which concerns on one embodiment of this invention. 本発明の１つの実施の形態に係る太陽電池セルの製造工程における第８工程を示した断面図である。It is sectional drawing which showed the 8th process in the manufacturing process of the photovoltaic cell which concerns on one embodiment of this invention. 本発明の１つの実施の形態に係る太陽電池セルを示した断面図である。It is sectional drawing which showed the photovoltaic cell which concerns on one embodiment of this invention. 本発明の１つの実施の形態に係る太陽電池セルを示した上面図である。It is the top view which showed the photovoltaic cell which concerns on one embodiment of this invention. 本発明の１つの実施の形態に係る太陽電池セルの変形例を示した上面図である。It is the top view which showed the modification of the photovoltaic cell which concerns on one embodiment of this invention. 図１０に示す太陽電池セルを直列接続した状態を示した上面図である。It is the top view which showed the state which connected the photovoltaic cell shown in FIG. 10 in series. 図１０に示す太陽電池セルを並列接続したセルユニットを直列接続した状態を示した上面図である。It is the top view which showed the state which connected in series the cell unit which connected the photovoltaic cell shown in FIG. 10 in parallel. 従来の太陽電池セルを示した断面図である。It is sectional drawing which showed the conventional photovoltaic cell. 従来の太陽電池セルを示した上面図である。It is the top view which showed the conventional photovoltaic cell.

符号の説明Explanation of symbols

１，１０１ シリコン基板、１ａ ダメージ層、２ ｐ型ペースト材、３ ｎ型ペースト材、４ 拡散防止膜、５，１０５ ｎ＋不純物層、６，１０６ ｐ＋不純物層、８ テクスチャ構造、９，１０，１０９，１１０ パッシベーション膜、１１，１１１ フィンガーｐ電極、１２，１１２ フィンガーｎ電極、１３，１１３ バスバーｐ電極、１４，１１４ バスバーｎ電極、１５ インターコネクタ。   1,101 Silicon substrate, 1a damage layer, 2 p-type paste material, 3 n-type paste material, 4 diffusion prevention film, 5,105 n + impurity layer, 6,106 p + impurity layer, 8 texture structure, 9, 10, 109 , 110 Passivation film, 11, 111 Finger p electrode, 12, 112 Finger n electrode, 13, 113 Bus bar p electrode, 14, 114 Bus bar n electrode, 15 Interconnector.

Claims (2)

半導体基板と、
前記半導体基板の主表面上に形成された電極部とを備え、
前記電極部は、第１母線部と、
前記半導体基板の主表面上において前記第１母線部と隣り合う位置に間隔を空けて形成された第２母線部と、
前記第１母線部から前記第２母線部に向けて延びる第１フィンガー部と、
前記第２母線部から前記第１母線部に向けて延び、前記第１フィンガー部の近傍に達する第２フィンガー部とを有し、
前記第１と第２母線部は、前記第１と第２フィンガー部を形成する際に併せて形成され、前記第１と第２フィンガー部および前記第１と第２母線部は単層構造を有し、
前記第１と第２母線部の少なくとも一方が前記半導体基板の主表面上で複数形成され、前記第１と第２母線部が交互に形成され、
前記第１と第２母線部は、前記半導体基板の主表面上において同数形成され、前記第１母線部から前記半導体基板の周縁部における該半導体基板の端部までの距離と前記第２母線部から前記半導体基板の周縁部における該半導体基板の端部までの距離とが等しい太陽電池セルを複数含み、前記太陽電池セルを互いに電気的に接続して構成した太陽電池モジュールであって、
前記太陽電池セルにおける半導体基板の裏面上に形成される第１導電型の第１不純物領域および第２導電型の第２不純物領域を備え、
前記第１フィンガー部は、前記第１不純物領域上に形成され、前記第１母線部は、前記半導体基板の裏面上において前記第１フィンガー部に交差する方向に形成され、
前記第２フィンガー部は、前記第２不純物領域上に形成され、前記第２母線部は、前記半導体基板の裏面上において前記第２フィンガー部に交差する方向に前記第１母線部と同数形成され、
前記太陽電池セルにおける前記第１母線部の端部と他の前記太陽電池セルにおける前記第２母線部の端部とが向かい合うように複数の前記太陽電池セルが配置され、前記第１と第２母線部が接続部材により電気的に接続された太陽電池モジュール。 A semiconductor substrate;
An electrode portion formed on the main surface of the semiconductor substrate,
The electrode portion includes a first busbar portion,
A second bus bar portion formed on the main surface of the semiconductor substrate at a position adjacent to the first bus bar portion,
A first finger portion extending from the first bus portion toward the second bus portion;
A second finger portion extending from the second bus portion toward the first bus portion and reaching the vicinity of the first finger portion;
The first and second busbar portions are formed together when forming the first and second finger portions, and the first and second finger portions and the first and second busbar portions have a single layer structure. Have
A plurality of at least one of the first and second busbar portions are formed on a main surface of the semiconductor substrate, and the first and second busbar portions are alternately formed;
The same number of first and second bus bars are formed on the main surface of the semiconductor substrate, and the distance from the first bus bar to the edge of the semiconductor substrate at the peripheral edge of the semiconductor substrate and the second bus bar A plurality of solar cells having the same distance from the periphery of the semiconductor substrate to the edge of the semiconductor substrate, and the solar cell module configured by electrically connecting the solar cells to each other,
A first conductivity type first impurity region and a second conductivity type second impurity region formed on the back surface of the semiconductor substrate in the solar cell;
The first finger part is formed on the first impurity region, and the first bus bar part is formed on the back surface of the semiconductor substrate in a direction intersecting the first finger part,
The second finger part is formed on the second impurity region, and the same number of the second bus bar parts as the first bus bar parts are formed on the back surface of the semiconductor substrate in a direction intersecting the second finger part. ,
The plurality of solar cells are arranged such that the end of the first bus bar in the solar cell faces the end of the second bus in other solar cells, and the first and second A solar cell module in which a busbar portion is electrically connected by a connecting member. 半導体基板と、
前記半導体基板の主表面上に形成された電極部とを備え、
前記電極部は、第１母線部と、
前記半導体基板の主表面上において前記第１母線部と隣り合う位置に間隔を空けて形成された第２母線部と、
前記第１母線部から前記第２母線部に向けて延びる第１フィンガー部と、
前記第２母線部から前記第１母線部に向けて延び、前記第１フィンガー部の近傍に達する第２フィンガー部とを有し、
前記第１と第２母線部は、前記第１と第２フィンガー部を形成する際に併せて形成され、前記第１と第２フィンガー部および前記第１と第２母線部は単層構造を有し、
前記第１と第２母線部の少なくとも一方が前記半導体基板の主表面上で複数形成され、前記第１と第２母線部が交互に形成され、
前記第１と第２母線部は、前記半導体基板の主表面上において同数形成され、前記第１母線部から前記半導体基板の周縁部における該半導体基板の端部までの距離と前記第２母線部から前記半導体基板の周縁部における該半導体基板の端部までの距離とが等しい太陽電池セルを複数含み、前記太陽電池セルを互いに電気的に接続して構成した太陽電池モジュールであって、
前記太陽電池セルにおける半導体基板の裏面上に形成される第１導電型の第１不純物領域および第２導電型の第２不純物領域を備え、
前記第１フィンガー部は、前記第１不純物領域上に形成され、前記第１母線部は、前記半導体基板の裏面上において前記第１フィンガー部に交差する方向に形成され、
前記第２フィンガー部は、前記第２不純物領域上に形成され、前記第２母線部は、前記半導体基板の裏面上において前記第２フィンガー部に交差する方向に前記第１母線部と同数形成され、
複数の前記太陽電池セルにおける前記第１母線部の端部どうし、および、前記第２母線部の端部どうしが各々向かい合うように複数の前記太陽電池セルが配置され、前記第１母線部の端部どうし、および、前記第２母線部の端部どうしが各々接続部材により電気的に接続された太陽電池モジュール。 A semiconductor substrate;
An electrode portion formed on the main surface of the semiconductor substrate,
The electrode portion includes a first busbar portion,
A second bus bar portion formed on the main surface of the semiconductor substrate at a position adjacent to the first bus bar portion,
A first finger portion extending from the first bus portion toward the second bus portion;
A second finger portion extending from the second bus portion toward the first bus portion and reaching the vicinity of the first finger portion;
The first and second busbar portions are formed together when forming the first and second finger portions, and the first and second finger portions and the first and second busbar portions have a single layer structure. Have
A plurality of at least one of the first and second busbar portions are formed on a main surface of the semiconductor substrate, and the first and second busbar portions are alternately formed;
The same number of first and second bus bars are formed on the main surface of the semiconductor substrate, and the distance from the first bus bar to the edge of the semiconductor substrate at the peripheral edge of the semiconductor substrate and the second bus bar A plurality of solar cells having the same distance from the periphery of the semiconductor substrate to the edge of the semiconductor substrate, and the solar cell module configured by electrically connecting the solar cells to each other,
A first conductivity type first impurity region and a second conductivity type second impurity region formed on the back surface of the semiconductor substrate in the solar cell;
The first finger part is formed on the first impurity region, and the first bus bar part is formed on the back surface of the semiconductor substrate in a direction intersecting the first finger part,
The second finger part is formed on the second impurity region, and the same number of the second bus bar parts as the first bus bar parts are formed on the back surface of the semiconductor substrate in a direction intersecting the second finger part. ,
And if the end of the first bus portion at a plurality of the solar cells, and, the end each other of the second bus portion are arranged a plurality of the solar cells so as to face each of the first bus portion and what end, and electrically connected solar cell modules by each connecting member end portion to each other is the second bus portion.
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