JP4331630B2 - Magnetic sensor - Google Patents

Magnetic sensor Download PDF

Info

Publication number
JP4331630B2
JP4331630B2 JP2004029657A JP2004029657A JP4331630B2 JP 4331630 B2 JP4331630 B2 JP 4331630B2 JP 2004029657 A JP2004029657 A JP 2004029657A JP 2004029657 A JP2004029657 A JP 2004029657A JP 4331630 B2 JP4331630 B2 JP 4331630B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
magnetic
magnetic field
layer
magnetization
sensor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2004029657A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2005221383A (en
Inventor
太好 高
進 白内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tohoku Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Tohoku Ricoh Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tohoku Ricoh Co Ltd filed Critical Tohoku Ricoh Co Ltd
Priority to JP2004029657A priority Critical patent/JP4331630B2/en
Publication of JP2005221383A publication Critical patent/JP2005221383A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4331630B2 publication Critical patent/JP4331630B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Measuring Magnetic Variables (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)

Description

本発明は、薄膜磁気抵抗効果素子を用いた磁気センサに関する。 The present invention relates to a magnetic sensor using a thin film magnetoresistive element.

従来、この種の磁気センサとしては、磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）、磁気インピーダンス素子（ＭＩ素子）、フラックスゲートセンサ、半導体ホール効果センサ等が用いられている。このうち、近年開発されたＭＩセンサによれば、ＭＩ素子という磁気抵抗素子を用いることで薄膜化・小型化が容易なため、近年その改良も盛んである。また、ＭＲ素子の場合もこのＭＲ素子に高周波電流を流した場合のその高周波インピーダンスの磁界による変化をもって磁界強度を検知することができる。   Conventionally, as this type of magnetic sensor, a magnetoresistive effect element (MR element), a magnetic impedance element (MI element), a fluxgate sensor, a semiconductor Hall effect sensor, and the like are used. Among these, recently developed MI sensors have been actively improved in recent years because they can be easily thinned and miniaturized by using magnetoresistive elements called MI elements. In the case of an MR element, the magnetic field strength can be detected by a change in the high frequency impedance caused by a magnetic field when a high frequency current is passed through the MR element.

このような磁気センサに対して、最近では、磁性薄膜層が絶縁層を介して複数層形成され、伝導に関わる電子がスピンを維持しながら絶縁層をトンネル現象によって伝導されることから、この際の磁化の状態によってトンネル透過係数が異なることを利用して磁界検知を行なう原理のトンネル型磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ素子）が提案されている。強磁性体トンネル効果は非常に高い磁場感度を有するため、超高密度磁気記録におけるＨＤＤ用磁気再生ヘッドとしての利用可能性がある。この他、モータ用磁界測定装置、ナビゲーション用地磁気センサ等の磁気センサや、いわゆるＭＲＡＭと称される磁気固体メモリデバイス等への利用も可能といえる。   Recently, for such a magnetic sensor, a plurality of magnetic thin film layers are formed via an insulating layer, and electrons related to conduction are conducted through the insulating layer by a tunnel phenomenon while maintaining spin. A tunnel type magnetoresistive element (TMR element) based on the principle of performing magnetic field detection utilizing the fact that the tunnel transmission coefficient differs depending on the state of magnetization of the magnetic field has been proposed. Since the ferromagnetic tunnel effect has a very high magnetic field sensitivity, it can be used as a magnetic reproducing head for HDD in ultra high density magnetic recording. In addition, it can be used for a magnetic sensor such as a magnetic field measuring device for a motor, a geomagnetic sensor for navigation, or a magnetic solid-state memory device called a so-called MRAM.

このようなＴＭＲ素子に関しては、静磁気相互作用の動作の向上を図った提案例がある（例えば、特許文献１参照）。   With respect to such a TMR element, there is a proposal example in which the operation of the magnetostatic interaction is improved (see, for example, Patent Document 1).

また、ＭＲ素子一般を方位計に用いる場合、磁界感度の鋭敏さとヒステリシスのために補助磁界を与えて高感度化を図るようにした提案例がある（例えば、特許文献２参照）。   In addition, when an MR element is generally used for an azimuth meter, there is a proposed example in which an auxiliary magnetic field is provided for high sensitivity due to the sharpness and hysteresis of magnetic field sensitivity (see, for example, Patent Document 2).

さらに、センス電流に関しては、従来からある巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）についても電流を膜面に平行に流すようにした提案例はある（例えば、特許文献２参照）。   Furthermore, with regard to the sense current, there is a proposal example in which a current is flowed in parallel with the film surface of a conventional giant magnetoresistive element (GMR element) (see, for example, Patent Document 2).

また、地磁気センサ方式例として、外部から補助磁界を与えることで検知感度を上げる例があり、中でも、補助磁界の極性を反転させる提案例がある（例えば、特許文献４参照）。   Further, as an example of the geomagnetic sensor system, there is an example in which the detection sensitivity is increased by applying an auxiliary magnetic field from the outside, and among them, there is a proposal example in which the polarity of the auxiliary magnetic field is reversed (see, for example, Patent Document 4).

特許第３００４００５号公報Japanese Patent No. 3004005 特開平５−１５７５６６号公報Japanese Patent Laid-Open No. 5-155766 特開２００２−１５１７５９公報JP 2002-151759 A 特開２００２−３５０１３６公報JP 2002-350136 A

ところが、特許文献１の場合、積層化により静磁気相互作用の動作の向上を図っているもので、本質的な解決法とはいえず、コスト高にもつながる対応策である。   However, in the case of Patent Document 1, the operation of the magnetostatic interaction is improved by stacking, which is not an essential solution but a countermeasure that leads to high costs.

また、特許文献２に関しては、例えば方位センサを実現する上で、ＭＲ素子のように補助磁界を与えて高感度化を図るのもあまり得策とはいえない。   With respect to Patent Document 2, for example, in realizing an azimuth sensor, it is not very advantageous to increase the sensitivity by applying an auxiliary magnetic field like an MR element.

特許文献３に関しては、ＴＭＲ素子の場合にセンス電流を膜面に対して垂直として積極的にセンサデバイスの検知性能を上げ得るものではない。   With respect to Patent Document 3, in the case of a TMR element, it is not possible to positively improve the detection performance of the sensor device by setting the sense current perpendicular to the film surface.

また、特許文献４の場合、外部磁界を与えるに際して、専用のコイル等が必要であり、その分、素子サイズが大きい、コイル作製に手間がかかり、コスト高となる等の欠点を有する。   In addition, in the case of Patent Document 4, a dedicated coil or the like is required when applying an external magnetic field, and accordingly, there are disadvantages such as a large element size, time and labor for coil production, and high costs.

結局、これらの従来技術を考察した場合、地磁気方位センサ等のように微弱な磁界を検知する上で必要な磁界検知方法として、フラックスゲートセンサ、ＭＩセンサ等が知られているが、何れも、薄膜部、バルク部で構成されている検知用素子部の外部検知性能は地磁気強度には遠く及ばず、外部コイルにより補助磁界を発生させることで検知することを原理としており、このような従来の磁気センサ類では、小型・軽量・低コスト化の点及び感度的な面でまだ十分とはいえず、改良の余地が多分にある。   Eventually, when considering these conventional techniques, flux gate sensors, MI sensors, etc. are known as magnetic field detection methods necessary for detecting a weak magnetic field such as a geomagnetic direction sensor. The external sensing performance of the sensing element composed of a thin film part and a bulk part is not far from the geomagnetic strength, and is based on the principle of detecting by generating an auxiliary magnetic field by an external coil. Magnetic sensors are not yet sufficient in terms of small size, light weight, low cost, and sensitivity, and there is much room for improvement.

特に、磁性薄膜が持っている保磁力程度かそれよりも小さな磁界変化時にも対応可能にしたい要求には対処できない現状にある。   In particular, it is in the present situation that it is not possible to cope with a demand to make it possible to cope with a change in magnetic field that is about the coercive force of a magnetic thin film or smaller.

そこで、本発明は、小型・軽量で地磁気程度の磁界オーダの微弱な磁界についても高感度に検知可能な磁気センサを提供することを目的とする。   SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a magnetic sensor that is small and light and can detect a weak magnetic field on the order of geomagnetism with high sensitivity.

特に、磁性薄膜が持っている保磁力程度かそれよりも小さな磁界変化時にも対応できる磁気センサを提供することを目的とする。   In particular, an object of the present invention is to provide a magnetic sensor that can cope with a change in magnetic field that is about the coercive force of a magnetic thin film or smaller.

併せて、このような磁気センサを利用することで地磁気検知等の精度を向上させることができ、ナビゲーションシステム等に有効な方位検知システム、携帯通信端末、磁気エンコーダ、磁気検知装置を提供することを目的とする。   In addition, by using such a magnetic sensor, it is possible to improve the accuracy of geomagnetic detection and the like, and to provide an azimuth detection system, a portable communication terminal, a magnetic encoder, and a magnetic detection device that are effective for a navigation system and the like. Objective.

特に、磁気エンコーダに関しては、従来の非接触型磁気エンコーダの限界である数１０００パルス／回転（回転エンコーダの場合）を超えて高分解能化を実現することを目的とする。   In particular, with regard to the magnetic encoder, it is an object to realize high resolution exceeding the limit of several thousand pulses / rotation (in the case of a rotary encoder), which is the limit of the conventional non-contact type magnetic encoder.

本発明は、少なくとも磁界検知用軟磁性体層と磁化固定層とを含む磁性薄膜の積層構造を有して膜面に垂直にセンス電流を流すことにより前記磁界検知用軟磁性体層の磁化の変化を当該素子の抵抗値の違いとして検知する薄膜磁気抵抗効果素子を用いた磁気センサであって、前記磁界検知用軟磁性体層の磁化の変化の検知に、当該磁界検知用軟磁性体層の膜面内における所望の磁界方向の領域においてマイナーループ領域を含む領域を用い、前記磁化固定層と前記磁界検知用軟磁性体層の磁気異方性軸の方向とを互いに直角方向に設定した。そして、前記センス電流に直流消去用電流を付加する付加手段を設けた（請求項１）。あるいは、前記センス電流に交流消去用電流を付加する付加手段を設けた（請求項２）。あるいは、前記センス電流を流すための引き出し線の一部をバイパスさせて、当該引き出し線とこの引き出し線が引き出された一方の磁性薄膜との総抵抗値と、中間のトンネル層の抵抗値と、の差に見合うように、直流消去用電流又は交流消去用電流を付加する付加手段を設けた（請求項３）。 The present invention has a laminated structure of magnetic thin films including at least a magnetic field detecting soft magnetic layer and a magnetization fixed layer, and the magnetization of the magnetic field detecting soft magnetic layer is caused to flow by flowing a sense current perpendicularly to the film surface. A magnetic sensor using a thin film magnetoresistive effect element for detecting a change as a difference in resistance value of the element, wherein the magnetic field detecting soft magnetic layer is used to detect a change in magnetization of the magnetic field detecting soft magnetic layer. Using a region including a minor loop region in a region of a desired magnetic field direction in the film surface, the magnetization pinned layer and the magnetic anisotropy axis direction of the magnetic field detecting soft magnetic layer were set to be perpendicular to each other . An additional means for adding a DC erasing current to the sense current is provided. Alternatively, an adding means for adding an AC erasing current to the sense current is provided. Alternatively, by bypassing a part of the lead line for flowing the sense current, the total resistance value of the lead line and one magnetic thin film from which the lead line is drawn, and the resistance value of the intermediate tunnel layer, An additional means for adding a direct current erasing current or an alternating current erasing current is provided so as to meet the difference.

本発明によれば、基本的に、磁界検知用軟磁性体層の磁化の変化の検知に、当該磁界検知用軟磁性体層の膜面内における所望の磁界方向の領域においてマイナーループ領域を含む領域を用いるようにしたので、所望の磁化方位方向においてマイナーループ領域としても常に異方性磁界を受けることとなり、磁化回転モードによる磁化反転が主流となる磁気センサを提供することができ、よって、バルクハウゼンノイズの発生を抑制することができ、かつ、残留磁化自体の値を小さくすることができるので、相対的に磁化の変動がマイナーループ領域でも小さくすることができ、磁化のドリフトを小さくすることができる。よって、小型・軽量で地磁気程度の磁界オーダの微弱な磁界についても高感度に検知可能な磁気センサを提供することができる。この際、磁性薄膜が持っている保磁力程度かそれよりも小さな磁界変化時にも対応できる磁気センサを提供することができる。   According to the present invention, basically, the detection of the change in magnetization of the magnetic field detecting soft magnetic layer includes a minor loop region in the region of the desired magnetic field direction in the film surface of the magnetic field detecting soft magnetic layer. Since the region is used, an anisotropic magnetic field is always received as a minor loop region in a desired magnetization orientation direction, and a magnetic sensor in which magnetization reversal by the magnetization rotation mode is mainstream can be provided. Since the generation of Barkhausen noise can be suppressed and the value of remanent magnetization itself can be reduced, the fluctuation of magnetization can be relatively reduced even in the minor loop region, and the drift of magnetization can be reduced. be able to. Therefore, it is possible to provide a magnetic sensor that is small and lightweight and can detect a weak magnetic field on the order of geomagnetism with high sensitivity. At this time, it is possible to provide a magnetic sensor that can cope with a change in magnetic field that is about the coercive force of the magnetic thin film or smaller.

また、このような磁気センサを利用することで地磁気検知等の精度を向上させることができ、ナビゲーションシステム等に有効な方位検知システム、携帯通信端末、磁気エンコーダ、磁気検知装置を提供することができる。特に、磁気エンコーダに関しては、従来の非接触型磁気エンコーダの限界である数１０００パルス／回転（回転エンコーダの場合）を超えて高分解能化を実現することができる。   Further, by using such a magnetic sensor, it is possible to improve the accuracy of geomagnetic detection and the like, and it is possible to provide an orientation detection system, a portable communication terminal, a magnetic encoder, and a magnetic detection device that are effective for a navigation system and the like. . In particular, with regard to the magnetic encoder, it is possible to achieve high resolution exceeding the limit of several thousand pulses / rotation (in the case of a rotary encoder), which is the limit of the conventional non-contact type magnetic encoder.

本発明を実施するための最良の形態（第二の実施の形態〜第七の実施の形態）について図面を参照して説明する。 The best mode for carrying out the present invention (second embodiment to seventh embodiment) will be described with reference to the drawings.

［第一の実施の形態］
第一の実施の形態を図１ないし図９に基づいて説明する。本実施の形態の磁気センサ１は、基本的には、図４に示すように、絶縁性の基板２上に積層させた硬磁性体層による磁化固定層３と、この磁化固定層３上に位置する絶縁層４と、絶縁層４を介して磁化固定層３上に位置する磁界検知用軟磁性体層５とよりなる。ここに、磁界検知用軟磁性体層５は、例えば複数に分割されることにより個別に設けられた磁界検知用の複数の個別磁性層５ａ〜５ｆとされており、磁化固定層３と各個別磁性層５ａ〜５ｆとの積層構造部分により複数のセンサ部６ａ〜６ｆが並列配置させた状態で形成されている。ここに、各センサ部６ａ〜６ｆとしては、金属磁性体層／非磁性体絶縁層／金属磁性体層の積層構造を含むトンネル型磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ素子）構造や磁性体層／非磁性体絶縁層／金属磁性体層の積層構造を含むＣＰＰ型巨大磁気抵抗効果素子（ＣＰＰ型ＧＭＲ素子）構造を採ることができ、何れにしても膜面に垂直にセンス電流を流すことにより磁界検知用軟磁性体層５の磁化の変化を当該磁気センサ１の抵抗値の違いとして検知する方式のものである。 [First embodiment]
A first embodiment will be described with reference to FIGS. As shown in FIG. 4, the magnetic sensor 1 according to the present embodiment basically has a magnetization fixed layer 3 made of a hard magnetic layer laminated on an insulating substrate 2, and a magnetization fixed layer 3 on the magnetization fixed layer 3. The insulating layer 4 is positioned, and the magnetic field detecting soft magnetic layer 5 positioned on the magnetization fixed layer 3 with the insulating layer 4 interposed therebetween. Here, the magnetic field detection soft magnetic layer 5 is divided into, for example, a plurality of individual magnetic layers 5a to 5f for magnetic field detection that are individually provided by being divided into a plurality of layers. A plurality of sensor portions 6a to 6f are formed in a state of being arranged in parallel by a laminated structure portion with the magnetic layers 5a to 5f. Here, as each of the sensor units 6a to 6f, a tunnel type magnetoresistive effect element (TMR element) structure including a laminated structure of a metal magnetic layer / non-magnetic insulating layer / metal magnetic layer or a magnetic layer / non-magnetic layer is used. CPP type giant magnetoresistive effect element (CPP type GMR element) structure including a laminated structure of a body insulating layer / metal magnetic layer can be adopted, and in any case, a magnetic field is detected by flowing a sense current perpendicularly to the film surface. In this method, a change in magnetization of the soft magnetic layer 5 is detected as a difference in resistance value of the magnetic sensor 1.

このような磁気センサ１に関する詳細構成をその作製方法を含めて順に説明する。まず、図１に示すような熱酸化膜１１付きのＳｉ基板等の基板２上に、磁化固定層３として、Ｃｏ５０Ｆｅ５０膜を成膜し、図２に示すように所定のパターン、例えば、１本の短冊状形状にパターンニングする。この際、基板２としては石英基板、ガラス基板等の絶縁性の基板であってもよい。また、磁化固定層３としては、ＦｅＭｎ，ＰｔＭｎ，ＩｒＭｎ等の反強磁性膜上にＣｏ５０Ｆｅ５０膜を成膜したスピンバルブ型などのＰＩＮ層の積層構造であってもよい（即ち、Ｃｏ５０Ｆｅ５０膜なる磁性膜が後述の個別磁性層側に位置する）。この他、ＰＩＮ層としては、セミハード磁性膜等を用いて形成したものでもよい。また、磁化固定層３としては、Ｃｏ５０Ｆｅ５０膜に限らず、例えば、Ｃｏ，Ｃｏ８５Ｃｒ１５等であってもよく、他の磁性層（個別磁性層５ａ〜５ｆ）より高保磁力膜となるように構成されていればよい。このような磁化固定層３の成膜法としては、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法を始めとして各種方法を用いることができる。そして、一般的な半導体作製工程に用いられるフォトリソグラフィ技術とＣＦ４＋Ｈ２を用いたＲＩＥにより、磁化固定層３のパターンニングを行えばよい。この場合、ガス種としては他のものを用いてもよい。また、エッチング処理としては、ウェットエッチング法であってもよい。この場合、エッチング液として王水を用いればよい。また、メタルマスク等を用いて最初から所望の形に成膜させる手法を用いるようにしてもよい。これらのプロセスは、以下のプロセスに関しても同様に採用し得る。 The detailed structure regarding such a magnetic sensor 1 is demonstrated in order including the preparation method. First, a Co50Fe50 film is formed as a magnetization fixed layer 3 on a substrate 2 such as a Si substrate with a thermal oxide film 11 as shown in FIG. 1, and a predetermined pattern, for example, one is shown as shown in FIG. Patterned into a strip shape. At this time, the substrate 2 may be an insulating substrate such as a quartz substrate or a glass substrate. The magnetization fixed layer 3 may have a laminated structure of a spin valve type PIN layer in which a Co50Fe50 film is formed on an antiferromagnetic film such as FeMn, PtMn, or IrMn (that is, a magnetic layer that forms a Co50Fe50 film). The film is located on the individual magnetic layer side described later). In addition, the PIN layer may be formed using a semi-hard magnetic film or the like. Further, the magnetization fixed layer 3 is not limited to the Co50Fe50 film, but may be, for example, Co, Co85Cr15 or the like, and is configured to be a higher coercive force film than the other magnetic layers (individual magnetic layers 5a to 5f). Just do it. As a method for forming the magnetization fixed layer 3, various methods such as a sputtering method, a vapor deposition method, and a CVD method can be used. Then, the magnetization fixed layer 3 may be patterned by a photolithography technique used in a general semiconductor manufacturing process and RIE using CF 4 + H 2 . In this case, other gas species may be used. Further, the etching process may be a wet etching method. In this case, aqua regia may be used as an etchant. Alternatively, a method of forming a film in a desired shape from the beginning using a metal mask or the like may be used. These processes can be similarly employed for the following processes.

次に、図３に示すように磁化固定層３上に絶縁層４を成膜する。ここに、センサ部６ａ〜６ｆがＴＭＲ素子構造の場合であれば、この絶縁層４としてはＡｌ−Ｏ，Ａｌ２Ｏ３等により形成される。また、ＣＰＰ型ＧＭＲ素子構造の場合であれば絶縁層４に先立ち、非磁性金属膜が成膜される。 Next, an insulating layer 4 is formed on the magnetization fixed layer 3 as shown in FIG. If the sensor portions 6a to 6f have a TMR element structure, the insulating layer 4 is made of Al—O, Al 2 O 3 or the like. In the case of the CPP type GMR element structure, a nonmagnetic metal film is formed prior to the insulating layer 4.

この後、図４に示すように、第３層として、磁化固定層３上に絶縁層４を介して、磁界検知用の軟磁性体層、Ｆｅ２０−Ｎｉ８０膜をスパッタリング法（めっき法、蒸着法、ＣＶＤ法等でもよい）により成膜し、フォトリソグラフィ法により個別磁性層５ａ〜５ｆに短冊状に分割されるようにパターンニングする。この場合、Ｆｅ２０−Ｎｉ８０膜以外に、Ｎｉ−Ｆｅ膜、ＣｕＭｏパーマロイ膜、ＣｏＦｅＢアモルファス膜、ＦｅＳｉＣｏＢアモルファス薄膜等でもよい。何れにしても、比較的低保磁力の膜構成であれば、個別に感じる個別磁性層５ａ〜５ｆを並列配置させることが可能であり、センサ部６ａ〜６ｆを並列配置させて形成することができる。   After that, as shown in FIG. 4, as a third layer, a soft magnetic layer for detecting a magnetic field and an Fe20-Ni80 film are formed on the fixed magnetization layer 3 via an insulating layer 4 by a sputtering method (plating method, vapor deposition method). , CVD method or the like may be used, and patterning may be performed so that the individual magnetic layers 5a to 5f are divided into strips by photolithography. In this case, in addition to the Fe20-Ni80 film, a Ni-Fe film, a CuMo permalloy film, a CoFeB amorphous film, a FeSiCoB amorphous thin film, or the like may be used. In any case, if the film configuration has a relatively low coercive force, it is possible to arrange the individual magnetic layers 5a to 5f that are individually felt in parallel, and to form the sensor portions 6a to 6f in parallel. it can.

なお、このような磁気センサ１の積層構造に関して、その積層順序は上下逆とし、例えば、個別磁性層５ａ〜５ｆ側を先に成膜・パターンニングして形成するようにしてもよい。   In addition, regarding the laminated structure of such a magnetic sensor 1, the lamination order may be reversed upside down. For example, the individual magnetic layers 5a to 5f may be formed and patterned first.

また、このような磁気センサ１を用いた、より実際的な検出方式としては、図５に示すように各々電極としても機能する個別磁性層５ａ〜５ｆに対して磁化固定層３との間には直流電源１２が接続されているとともに、各個別磁性層５ａ〜５ｆに対してスイッチング回路１３を介して電圧計１４が接続されており、各センサ部６ａ〜６ｆ毎に膜面に垂直方向に電流を流した場合の電圧変化を、スイッチング回路１３のスイッチング動作により各センサ部６ａ〜６ｆ毎に電圧計１４で検知する検知方式とされている。このような検知動作において、センサ部６ａ〜６ｆに対しては検知対象となる磁界発生手段からの磁界が印加される。即ち、例えば後述するような磁気エンコーダの場合であれば、各センサ部６ａ〜６ｆに対応するエンコーダからの外部磁界が印加される（実際は、個別磁性層５ａ〜５ｆに局所的に作用する）。もっとも、スイッチング回路１３を用いる方式に代えて、図６に示すように、電圧計アレイ１５を用いることで各センサ部６ａ〜６ｆに発生した電圧を個別に検知するようにしてもよい。   Further, as a more practical detection method using such a magnetic sensor 1, as shown in FIG. 5, between the individual magnetic layers 5a to 5f each functioning as an electrode, between the magnetization fixed layer 3 and A DC power source 12 is connected, and a voltmeter 14 is connected to each of the individual magnetic layers 5a to 5f via a switching circuit 13, and each sensor unit 6a to 6f is perpendicular to the film surface. It is a detection method in which a voltage change when a current is passed is detected by the voltmeter 14 for each of the sensor units 6 a to 6 f by a switching operation of the switching circuit 13. In such a detection operation, a magnetic field from a magnetic field generation unit to be detected is applied to the sensor units 6a to 6f. That is, for example, in the case of a magnetic encoder as described later, an external magnetic field is applied from the encoder corresponding to each of the sensor units 6a to 6f (actually acts locally on the individual magnetic layers 5a to 5f). However, instead of the method using the switching circuit 13, as shown in FIG. 6, the voltage generated in each of the sensor units 6 a to 6 f may be individually detected by using the voltmeter array 15.

このような磁気センサ１を例に、本発明の磁気センサの原理について説明する。まず、磁界検知用軟磁性体層５には成膜時に異方性を付けており、その磁化困難軸方向の磁化曲線としては異方性磁界が付与され、０．１〜０．１５Ｏｅ程度の大きさの磁界を持つ。この場合、異方性磁界に対して充分小さな保磁力を示しており、成膜条件を選べば、所望の磁界、例えば地磁気強度以下とすることも可能である。しかしながら、量産時においては、できるだけ緩やかな目標値とすることで低コスト化につながる面があるので、たとえ地磁気強度かやや保磁力が大きな領域においても、動作可能な構造を持つセンサを検討したところ、可能となることが実験を経て確認された。即ち、従来用いられている方位センサのように水平面を仮の基準面として測定に供する際の実際の角度を水平面より傾けた場合には、センサへはその都度の測定時における地磁気強度のベクトル各成分強度はその射影分相当である０．０５〜０．５Ｏｅ程度となるのが通常である。そこで、本発明は、このような磁界強度程度かそれより保磁力が大きな磁界検知用軟磁性体層５を有する磁気センサ１に関するものである。   Taking the magnetic sensor 1 as an example, the principle of the magnetic sensor of the present invention will be described. First, the magnetic field detecting soft magnetic layer 5 has anisotropy at the time of film formation, and an anisotropic magnetic field is applied as a magnetization curve in the direction of the hard axis, which is about 0.1 to 0.15 Oe. Has a large magnetic field. In this case, the coercive force is sufficiently small with respect to the anisotropic magnetic field, and if a film forming condition is selected, a desired magnetic field, for example, geomagnetic strength or less can be obtained. However, in mass production, there is an aspect that leads to lower costs by setting the target value as gradual as possible. Therefore, we examined a sensor with a structure that can operate even in a region where the geomagnetic strength is somewhat high or the coercive force is large. It was confirmed through experiments that this would be possible. That is, when the actual angle when the measurement is performed using the horizontal plane as a temporary reference plane as in the case of a conventionally used azimuth sensor is tilted from the horizontal plane, each vector of the geomagnetic intensity at the time of each measurement is sent to the sensor. The component intensity is usually about 0.05 to 0.5 Oe, which is equivalent to the projected amount. Therefore, the present invention relates to a magnetic sensor 1 having a magnetic field detecting soft magnetic layer 5 having such a magnetic field strength or a coercive force larger than that.

このような微小な磁界検知を行うことで、例えば、磁性インクを用いた印字物検知や磁気エンコーダの高パルス化が可能となる。   By performing such a minute magnetic field detection, for example, it is possible to detect a printed matter using magnetic ink and increase the pulse of the magnetic encoder.

また、ＰＩＮ層（磁化固定層３）と磁界検知用軟磁性体層５の磁気異方性軸の方向とを互いに直角方向に設定した場合、磁界検知用軟磁性体層５へはＰＩＮ層（磁化固定層３）からの交換相互作用や静磁気エネルギーによる影響（結合磁界の影響）があるので、磁界検知用軟磁性体層５には、当該磁界検知用軟磁性体層５自体の磁気異方性軸に対して、ほぼ直角方向にも異方性磁界を受けることとなり、２軸的な磁化容易軸を持つこととなる。従って、残留磁化はどの方向においても、１軸異方性における磁化容易方向の残留磁化は発生せず、小さな値となる。従って、本実施の形態の磁気センサ１においては、磁界検知用軟磁性体層５の磁化の変化の初期値は、バイアス磁界によって設定することができ、この場合のバイアス磁界としては、磁化固定層３からの静磁気結合磁界、交換結合磁界等の結合磁界を利用することができる。本発明は、基本的にこのような性質を利用するものである。   When the direction of the magnetic anisotropy axis of the PIN layer (magnetization pinned layer 3) and the magnetic field detecting soft magnetic layer 5 is set to be perpendicular to each other, the PIN layer ( Since there is an exchange interaction from the pinned magnetic layer 3) and an effect of magnetostatic energy (an influence of the coupling magnetic field), the magnetic field detecting soft magnetic layer 5 includes a magnetic difference of the magnetic field detecting soft magnetic layer 5 itself. The anisotropic magnetic field is also received in a direction substantially perpendicular to the direction of the isotropic axis, so that it has a biaxial easy axis. Therefore, the residual magnetization is small in any direction, with no residual magnetization in the easy magnetization direction in uniaxial anisotropy occurring. Therefore, in the magnetic sensor 1 of the present embodiment, the initial value of the change in magnetization of the magnetic field detecting soft magnetic layer 5 can be set by a bias magnetic field. In this case, the bias magnetic field is a magnetization fixed layer. A coupling magnetic field such as a magnetostatic coupling magnetic field from 3 and an exchange coupling magnetic field can be used. The present invention basically utilizes such a property.

そこで、本発明の磁気センサ１の場合の磁気ヒステリシス曲線の一例を図７に示し、参考として従来の磁気センサの場合の磁気ヒステリシス曲線の一例を図８に示す。まず、図７は、磁気センサ１をサンプルとする場合の磁界変化に対する磁気特性として、実線は磁化困難軸方向の磁気ヒステリシスループを示し、破線は磁化容易軸方向の磁気ヒステリシスループを示す。実線の磁気ヒステリシスループは飽和磁気曲線を示しており、マイナーループはこの内側の領域となり、破線の磁気ヒステリシスループはマイナーループとなる。ここに、マイナーループ（minor loop）とは、外部磁界を磁性体の飽和磁化まで印加し、飽和磁化曲線に対してその磁化曲線の途中で磁界を変えることにより描かれる小さなヒステリシスループを意味する。従来例を示す図８においても、実線は磁化困難軸方向の磁気ヒステリシスループを示し、破線は磁化容易軸方向の磁気ヒステリシスループを示す。ここに、図７と図８との対比からも明らかなように、本発明の場合と従来例とで異なるのは、破線で示す磁化容易軸方向の磁気ヒステリシスループの特性であり、本発明の場合、多少なりとも傾きを持ち、見掛け上、磁化容易軸方向においても異方性磁界があるような磁化曲線とされている。即ち、磁界検知用軟磁性体層５の磁化の変化の検知に、当該磁界検知用軟磁性体層５の膜面内における所望の磁化方向の領域においてマイナーループ領域を含む領域を用いる構成とされている。   An example of the magnetic hysteresis curve in the case of the magnetic sensor 1 of the present invention is shown in FIG. 7, and an example of the magnetic hysteresis curve in the case of the conventional magnetic sensor is shown in FIG. First, in FIG. 7, as magnetic characteristics with respect to a magnetic field change when the magnetic sensor 1 is used as a sample, a solid line indicates a magnetic hysteresis loop in the hard axis direction and a broken line indicates a magnetic hysteresis loop in the easy axis direction. The solid magnetic hysteresis loop indicates a saturation magnetic curve, the minor loop is the inner region, and the broken magnetic hysteresis loop is the minor loop. Here, the minor loop means a small hysteresis loop drawn by applying an external magnetic field to the saturation magnetization of the magnetic material and changing the magnetic field in the middle of the magnetization curve with respect to the saturation magnetization curve. Also in FIG. 8 showing the conventional example, the solid line shows the magnetic hysteresis loop in the hard axis direction, and the broken line shows the magnetic hysteresis loop in the easy axis direction. Here, as is clear from the comparison between FIG. 7 and FIG. 8, the difference between the case of the present invention and the conventional example is the characteristic of the magnetic hysteresis loop in the easy axis direction indicated by the broken line. In this case, the magnetization curve is somewhat inclined and apparently has an anisotropic magnetic field in the direction of the easy axis of magnetization. In other words, a region including a minor loop region is used in the region of the desired magnetization direction in the film surface of the magnetic field detecting soft magnetic layer 5 for detecting the change in magnetization of the magnetic field detecting soft magnetic layer 5. ing.

本発明では、このような磁化状態と、ＰＩＮ層（磁化固定層３）との磁化の相対角度の差によって、磁気センサ１としての感度差が得られ、磁化の磁界方向への追従性から方向を確定できるものである。また、図８に示す従来例の場合、破線で示す磁化容易軸方向の磁気ヒステリシスループの特性によれば、磁化容易軸方向の０磁界付近で磁化のジャンプが生じやすく、これがバルクハウゼンノイズの原因となりやすいのに対して、図７に示すような本実施の形態によれば、マイナーループ領域を利用するため、たとえ磁化容易軸方向の０磁界付近においても磁化のジャンプは生じにくく、バルクハウゼンノイズは発生し難い。さらには、何らかの原因で図７、図８中に一点鎖線で示すようなバイアス磁界がある場合でも、本実施の形態の場合にはマイナーループ領域上にあり問題なく動作可能であるのに対して、従来例では、場合によっては磁化飽和が生じてしまい、センサとして機能しないこととなってしまう。   In the present invention, a sensitivity difference as the magnetic sensor 1 is obtained by such a difference in the relative angle of magnetization between the magnetization state and the PIN layer (magnetization fixed layer 3). Can be determined. In the case of the conventional example shown in FIG. 8, according to the characteristic of the magnetic hysteresis loop in the easy axis direction indicated by the broken line, a magnetization jump is likely to occur near the zero magnetic field in the easy axis direction, which is the cause of Barkhausen noise. On the other hand, according to the present embodiment as shown in FIG. 7, since the minor loop region is used, a magnetization jump hardly occurs even in the vicinity of the zero magnetic field in the easy magnetization direction, and Barkhausen noise is generated. Is unlikely to occur. Furthermore, even if there is a bias magnetic field as indicated by the alternate long and short dash line in FIGS. 7 and 8 for some reason, the present embodiment is on the minor loop region and can operate without any problem. In the conventional example, magnetization saturation occurs in some cases, and the sensor does not function.

結局、本発明の磁気センサ１によれば、所望の磁化方位方向においてマイナーループ領域としても常に異方性磁界を受けているため、磁化回転モードによる磁化反転が主流であって、バルクハウゼンノイズの少ないものとなる。また、残留磁化自体の値を小さくできるので、相対的に磁化の変動がマイナーループ領域でも小さくできるため、磁化のドリフトを小さくすることができる。   After all, according to the magnetic sensor 1 of the present invention, since the anisotropic magnetic field is always received as the minor loop region in the desired magnetization direction, magnetization reversal by the magnetization rotation mode is mainstream, and Barkhausen noise It will be less. Further, since the value of the residual magnetization itself can be reduced, the fluctuation of magnetization can be relatively reduced even in the minor loop region, so that the magnetization drift can be reduced.

ところで、磁気センサ１を２個一組として、異方性の向きを９０度異なるように設置した場合の出力例（規格化出力）を図９に示す。位相差が丁度印加磁界のセンサに対する角度において９０度ずれるように出力が得られており、角度センサとして機能し得ることが判る。また、地磁気方位センサとしても十分に機能し、磁界の方向を検知するセンサ、さらには、例えば微小磁石と本発明の磁気センサとの相対位置を検知する用途への適用も可能であり、磁気的なリニアエンコーダ、ロータリエンコーダ等としても利用可能である。   By the way, FIG. 9 shows an output example (standardized output) in the case where two magnetic sensors 1 are installed as one set and the anisotropy directions are 90 degrees different from each other. It can be seen that the output is obtained so that the phase difference is shifted by 90 degrees at the angle of the applied magnetic field to the sensor, and it can function as an angle sensor. Also, it can function well as a geomagnetic direction sensor, and can be applied to a sensor that detects the direction of a magnetic field, and further, for example, to detect the relative position between a micro magnet and the magnetic sensor of the present invention. It can also be used as a linear encoder or rotary encoder.

［第二の実施の形態］
第二の実施の形態を図１０ないし図１３に基づいて説明する。第一の実施の形態で示した部分と同一部分は同一符号を用いて示し、説明も省略する（以降の実施の形態でも同様とする）。 [Second Embodiment]
A second embodiment will be described with reference to FIGS. The same parts as those shown in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is also omitted (the same applies to the following embodiments).

ＴＭＲ素子等の磁気抵抗効果素子に流す検知に必要なセンス電流の与え方によって、磁界検知用軟磁性体層５の初期状態は変化し得るので、これを直流（ＤＣ）の変化を利用して初期化を行うようにしたものである。   The initial state of the magnetic field detecting soft magnetic layer 5 can change depending on how to apply a sense current required for detection to flow through a magnetoresistive effect element such as a TMR element, and this can be changed by utilizing a change in direct current (DC). Initialization is performed.

図１０は本実施の形態の磁気センサ１の構成例を示し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）はそのセンサ部分の概略断面図である。   FIG. 10 shows a configuration example of the magnetic sensor 1 of the present embodiment, where (a) is a schematic plan view, and (b) is a schematic cross-sectional view of the sensor portion.

まず、本実施の形態の磁気センサ１は、磁気抵抗効果素子としてＴＭＲ素子（トンネル型磁気抵抗効果素子）をセンサ部６に用いたものであり、基本的には、絶縁性の基板２上に磁化固定層（磁性体層）３、非磁性体の絶縁層（トンネル層）４、磁界検知用軟磁性体層（磁性体層）５を各々所定パターンの薄膜構成で順次積層させた構成とされている。ここに、磁性体層３，５は電極としても機能し、磁性体層３から絶縁層４を介して磁性体層５にトンネル電流が流れる構造とされている。また、磁性体層３，５は各々保磁力が異なり、例えば、磁性体層３が中程度の保磁力を持つのに対して、磁性体層５は、磁化反転容易な保磁力を有する層として、他層に比べて低い保磁力を持たせてなる。これにより、印加される外部磁界によってこれらの磁化状態を所望のものとすることにより、目的の磁界強度を検知し得る磁気センサ１として利用可能なものである。   First, the magnetic sensor 1 according to the present embodiment uses a TMR element (tunnel type magnetoresistive effect element) as a magnetoresistive effect element in the sensor unit 6 and is basically formed on an insulating substrate 2. The magnetization fixed layer (magnetic layer) 3, the nonmagnetic insulating layer (tunnel layer) 4, and the magnetic field detecting soft magnetic layer (magnetic layer) 5 are sequentially laminated in a thin film configuration of a predetermined pattern. ing. Here, the magnetic layers 3 and 5 also function as electrodes, and a tunnel current flows from the magnetic layer 3 to the magnetic layer 5 via the insulating layer 4. The magnetic layers 3 and 5 have different coercive forces. For example, the magnetic layer 3 has a moderate coercive force, whereas the magnetic layer 5 has a coercive force that allows easy magnetization reversal. It has a lower coercive force than other layers. Thus, by making these magnetization states desired by an applied external magnetic field, it can be used as a magnetic sensor 1 that can detect a target magnetic field strength.

このようなＴＭＲ素子によるセンサ部６に対して、電極として機能する磁性体層３，５の一端間には検知用電流を流すための電源２１が接続され、磁性体層３，５の他端間にはＴＭＲ素子の出力電圧を検出するための電圧計２２が接続されている。ここに、電源２１は、直流電源２３と、この直流電源２３から磁性体層３，５間に流す検知用電流（センス電流）の向きを磁性体層３側から磁性体層５側、磁性体層５側から磁性体層３側となるように交互に反転切換えする電流極性切換手段２４とにより構成されている。   A power source 21 for flowing a detection current is connected between one end of the magnetic layers 3 and 5 functioning as electrodes with respect to the sensor unit 6 using such a TMR element, and the other ends of the magnetic layers 3 and 5 are connected. A voltmeter 22 for detecting the output voltage of the TMR element is connected between them. Here, the power source 21 has a DC power source 23 and the direction of the detection current (sense current) flowing from the DC power source 23 to the magnetic layers 3 and 5 from the magnetic layer 3 side to the magnetic layer 5 side. The current polarity switching means 24 is configured to alternately invert and switch from the layer 5 side to the magnetic layer 3 side.

このような構成において、磁性体層３側から絶縁層４を介して磁性体層５側に、又は、磁性体層５側から絶縁層４を介して磁性体層３側に、直流のトンネル電流を検知用電流として流した場合に、磁性体層３，５間に生ずる出力電圧の変化を電圧計２２により検出する。このように磁界検知動作において、ＴＭＲ素子に流す検知用電流の向きを電流極性切換手段２４により交互に反転切換えし、各々の向きの検知用電流を流したときに電圧計２２により検出される出力電圧の平均値をとることにより検知用電流が発生する磁界の影響による誤差を少なくして磁界検知が可能となる。よって、磁界検知の高感度化を外部コイルなしに簡単に実現することができる。   In such a configuration, a direct current tunnel current flows from the magnetic layer 3 side to the magnetic layer 5 side through the insulating layer 4 or from the magnetic layer 5 side to the magnetic layer 3 side through the insulating layer 4. Is detected as a current for detection, the change in the output voltage generated between the magnetic layers 3 and 5 is detected by the voltmeter 22. In this way, in the magnetic field detection operation, the direction of the detection current flowing through the TMR element is alternately inverted by the current polarity switching means 24, and the output detected by the voltmeter 22 when the detection current in each direction flows. By taking the average value of the voltage, it is possible to reduce the error due to the influence of the magnetic field generated by the detection current and detect the magnetic field. Therefore, high sensitivity of magnetic field detection can be easily realized without an external coil.

ここに、検知用電流として印加するＤＣ電流値による磁界で、図１１に示すように、磁化状態も変化する。従って、本実施の形態では、センス電流の変化をもって初期化を行う態様として、測定開始の初期にはＤＣ電流値によるＡ０値の磁界を磁性体層３，５間に与え（直流消去用電流の付加手段）、通常の測定時の測定値Ｂ０はマイナーループ領域であり、それよりも小さいと考えられるので、磁性体層（磁界検知用軟磁性体層）５の初期状態を一定にすることができる。   Here, as shown in FIG. 11, the magnetization state also changes due to the magnetic field generated by the DC current value applied as the detection current. Therefore, in this embodiment, as an aspect in which the initialization is performed by changing the sense current, a magnetic field of A0 value based on the DC current value is applied between the magnetic layers 3 and 5 at the beginning of the measurement (the DC erasing current is changed). Additional means), since the measured value B0 during normal measurement is a minor loop region and is considered to be smaller than that, it is possible to make the initial state of the magnetic layer (magnetic field detecting soft magnetic layer) 5 constant. it can.

なお、ＤＣ電流を利用して初期化する方式に限らず、図１２に示すようにＡＣ電流値を設定することでＡＣ電流の変化を利用して初期化を行うようにしてもよい。即ち、ＡＣ電流値の最大値Ａ１（±両極性）の磁界とした後、徐々にＡＣ電流値を小さくしていくことで（交流消去用電流の付加手段）、バイアス電流値による磁界をほぼ０に初期化することができる。到達磁界は測定値Ｂ１となる。   Note that the initialization is not limited to the method using the DC current, and the initialization may be performed using the change in the AC current by setting the AC current value as shown in FIG. That is, after setting the magnetic field of the AC current value to the maximum value A1 (± bipolarity), gradually reducing the AC current value (adding means for AC erasing current), the magnetic field due to the bias current value is almost zero. Can be initialized to The reaching magnetic field is the measured value B1.

この時の抵抗値を測定結果とすることで、高精度な磁気センサ１とすることができる。   By using the resistance value at this time as a measurement result, a highly accurate magnetic sensor 1 can be obtained.

ところで、本実施の形態の磁気センサ１では、磁化容易軸方向の磁気ヒステリシスループに関してもマイナーループを利用するわけであるが、このようなマイナーループを利用するメリットとしては図１３に示すようにも考えられる。即ち、マイナーループであり、かつ、磁化状態によって磁化反転していることとなるため、測定対象である外部磁界強度が飽和に達していない状態では、初期値は動かないと考えてよい（飽和磁化量が小さい）。   By the way, in the magnetic sensor 1 of the present embodiment, the minor loop is also used for the magnetic hysteresis loop in the easy magnetization axis direction. The merit of using such a minor loop is as shown in FIG. Conceivable. That is, since it is a minor loop and the magnetization is reversed depending on the magnetization state, the initial value may be considered not to move in the state where the external magnetic field strength to be measured has not reached saturation (saturation magnetization). Small amount).

一方、外部磁界強度が大きくて飽和に達した場合、残留磁化状態が極わずかであるが、変動するので、センス電流の初期値により、発生させた磁界によって残留磁化量の初期値を決めてやれば、その後は、マイナーループ型であるので、微小磁界に対して充分な検知性能を発揮し、かつ、ダイナミックレンジをさらに大きくすることができる。   On the other hand, when the external magnetic field strength is large and reaches saturation, the residual magnetization state is very slight but fluctuates, so the initial value of the residual magnetization can be determined by the generated magnetic field based on the initial value of the sense current. After that, since it is a minor loop type, sufficient detection performance can be exhibited with respect to a minute magnetic field, and the dynamic range can be further increased.

なお、磁気センサ１におけるＴＭＲ素子等のセンサ部６に関して、磁性薄膜（磁性体層３，５）の少なくとも１層、例えば、磁性体層５の平面形状は、例えば図１４に示すように、楕円形状として形成してもよい。これによれば、磁性体層５の平面形状を矩形短冊状とした場合に比べ、楕円形状とすることで、その形状異方性に伴う磁気異方性の影響を少なくすることができ、磁界の方向検知に関してより一層高感度化を図ることが可能となる。   Regarding the sensor unit 6 such as a TMR element in the magnetic sensor 1, at least one of the magnetic thin films (magnetic layers 3 and 5), for example, the planar shape of the magnetic layer 5 is elliptical as shown in FIG. You may form as a shape. According to this, the influence of the magnetic anisotropy accompanying the shape anisotropy can be reduced by making the planar shape of the magnetic layer 5 into an elliptical shape compared to the case where the rectangular shape is a rectangular strip. It is possible to further increase the sensitivity with respect to the direction detection.

なお、磁性体層５の平面形状としては楕円形状に限らず、真円形状等を含む円形形状であればよく、或いは、ドーナツ形状であってもよい。   The planar shape of the magnetic layer 5 is not limited to an elliptical shape, and may be a circular shape including a perfect circle shape or the like, or may be a donut shape.

［第三の実施の形態］
第三の実施の形態を図１５に基づいて説明する。本実施の形態は、基本的には第二の実施の形態の初期化方式に準ずるが、その消去の仕方として、例えば図１５に示すように、磁性体層５に電流を流す際に、本来縦型（膜面に垂直）に流れるセンス電流（矢印ａ）を流すための引き出し線２５の一部をバイパスさせて（矢印ｂ）、当該引き出し線２５と磁性体層５との総抵抗値と絶縁層（トンネル層）４の抵抗値との差を考慮し、この差に見合うようにＤＣ消去用電流又はＡＣ消去用電流を付加するようにしたものである（付加手段）。これにより、より精密にバイアス磁界を発生させることができる。 [Third embodiment]
A third embodiment will be described with reference to FIG. This embodiment basically conforms to the initialization method of the second embodiment, but as an erasing method, for example, as shown in FIG. By bypassing a part of the lead line 25 (arrow b) for flowing a sense current (arrow a) flowing in the vertical type (perpendicular to the film surface) (arrow b), the total resistance value of the lead line 25 and the magnetic layer 5 is In consideration of the difference from the resistance value of the insulating layer (tunnel layer) 4, a DC erasing current or an AC erasing current is added to meet this difference (addition means). Thereby, a bias magnetic field can be generated more precisely.

［第四の実施の形態］
第四の実施の形態を図１６に基づいて説明する。本実施の形態は、前述した各実施の形態のような磁気センサ１を利用して構成した地磁気検知の方位検知システムへの適用例を示す。まず、例えば２つの磁気センサ１ａ，１ｂをｘｙｚ３軸ベクトルの方向中の任意の２面（ｘ，ｙ軸でもよく、ｙ，ｚ軸でもよく、ｚ，ｘ軸でもよい）＝直交平面上に独立して配置させた地磁気センサ３１が設けられている。これらの磁気センサ１ａ，１ｂの検知出力はデータ取り込み部３２を介して検知手段としての３磁気成分検知部３３に入力されている。この３磁気成分検知部３３は地磁気検知に関して、磁気センサ１ａ，１ｂの検知出力に基づき３軸ベクトル成分を検知する。一方、データ取り込み部３２を介して取り込まれた磁気センサ１ａ，１ｂの検知出力に関してその絶対値を算出する絶対値演算部３４と、この絶対値演算部３４により算出された絶対値の大きさを予め設定されている比較地磁気強度に測定マージンを加味した閾値と比較する比較部３５とによる異常検知手段３６が設けられている。比較部３５では算出された絶対値の大きさが閾値を超えている場合に検知結果に異常があると判断する。この比較部３５の出力側には異常検知出力に基づき動作する報知手段としての警報部３７が設けられている。 [Fourth embodiment]
A fourth embodiment will be described with reference to FIG. The present embodiment shows an application example to an azimuth detection system for geomagnetic detection configured using the magnetic sensor 1 as in each of the embodiments described above. First, for example, two magnetic sensors 1a and 1b are arranged in any two planes in the xyz three-axis vector direction (may be x and y axes, y and z axes, or z and x axes) = independent on an orthogonal plane. A geomagnetic sensor 31 is provided. The detection outputs of these magnetic sensors 1a and 1b are input to a three-magnetic component detection unit 33 as detection means via a data capturing unit 32. The three-magnetic component detector 33 detects a three-axis vector component based on the detection outputs of the magnetic sensors 1a and 1b with respect to geomagnetic detection. On the other hand, with respect to the detection outputs of the magnetic sensors 1a and 1b fetched via the data fetching unit 32, an absolute value calculating unit 34 for calculating the absolute value, and the magnitude of the absolute value calculated by the absolute value calculating unit 34 An anomaly detection means 36 is provided that includes a comparison unit 35 that compares a preset comparison geomagnetic intensity with a threshold value obtained by adding a measurement margin. The comparison unit 35 determines that the detection result is abnormal when the calculated absolute value exceeds the threshold value. On the output side of the comparison unit 35, an alarm unit 37 is provided as a notification unit that operates based on the abnormality detection output.

これにより、本実施の形態の方位検知システムによれば、通常は、地磁気の３軸のベクトル検知には３個以上のＴＭＲ素子が必要であるが、１素子で同一平面内の２軸のベクトル検知が可能な前述の実施の形態の磁気センサを利用することで、２つのＴＭＲ素子６（磁気センサ１ａ，１ｂ）を異なる直交平面上に配置させるだけの極めて簡単な構成で３軸のベクトル検知を実現することができる。   Thus, according to the azimuth detection system of the present embodiment, normally, three or more TMR elements are required for geomagnetic three-axis vector detection, but one element is a two-axis vector in the same plane. By using the magnetic sensor of the above-described embodiment capable of detection, three-axis vector detection with an extremely simple configuration in which two TMR elements 6 (magnetic sensors 1a and 1b) are arranged on different orthogonal planes. Can be realized.

また、測定済みの地磁気強度に測定マージンを加味して予め設定されている閾値を超えるような大きさの検知結果が得られた場合には、警報部３７を通じて測定値に異常がある旨を報知するので、誤った検知結果の利用を未然に防止できる。なお、より実際的には、３磁気成分検知部３３から得られる検知結果とともに、この警報部３７の出力も通信部３８を通じて当該システムの使用者に通信によって通知するシステム構成とすればよい。これにより、ＧＰＳシステムや後述の携帯電話等の通信システムのようなビジネス形態に利用することも可能となる。   In addition, if a detection result with a magnitude exceeding a preset threshold is obtained by adding a measurement margin to the measured geomagnetic intensity, an alarm unit 37 notifies that the measurement value is abnormal. Therefore, the use of erroneous detection results can be prevented. More practically, the system configuration may be such that the output of the alarm unit 37 is notified to the user of the system through communication through the communication unit 38 together with the detection result obtained from the three magnetic component detection unit 33. Thereby, it can also be used for business forms such as a GPS system and a communication system such as a cellular phone described later.

［第五の実施の形態］
第五の実施の形態を図１７に基づいて説明する。本実施の形態は、前述したような磁気センサ１を利用して構成したＧＰＳ対応の携帯通信端末としての携帯電話４１への適用例を示す。図１７は携帯電話４１の外観構成を示す概略正面図で、種々の構成例があるが、一例としてマイク部４２、入力操作部４３、スピーカ部４４、ＬＣＤ等による表示部４５等を備え、ヒンジ部４６により２つ折り構造とされている。 [Fifth embodiment]
A fifth embodiment will be described with reference to FIG. This embodiment shows an application example to a mobile phone 41 as a GPS-compatible mobile communication terminal configured using the magnetic sensor 1 as described above. FIG. 17 is a schematic front view showing an external configuration of the mobile phone 41, and there are various configuration examples. As an example, a microphone unit 42, an input operation unit 43, a speaker unit 44, a display unit 45 such as an LCD, and the like are provided. The part 46 has a two-fold structure.

このような基本的な構成に加え、本実施の形態では、ＧＰＳ機能を発揮させるための地磁気の方位検知に利用する磁気センサ１が表示部４５の裏面側に埋め込まれることにより搭載されている。磁気センサ１中、例えば、６はＴＭＲ素子相当部分であり、４８は制御用ＣＰＵ等の信号処理・制御部相当部分である。   In addition to such a basic configuration, in the present embodiment, the magnetic sensor 1 used for detecting the azimuth of geomagnetism for exhibiting the GPS function is mounted by being embedded on the back side of the display unit 45. In the magnetic sensor 1, for example, 6 is a portion corresponding to a TMR element, and 48 is a portion corresponding to a signal processing / control unit such as a control CPU.

従って、携帯電話４１等の実装面積が限られた携帯通信端末に関して、方位検知用の磁気センサ１を備えるＧＰＳ対応の機種の場合でもその実装面積の低減が見込まれる。特に、表示部４５の裏面側に埋め込み実装しているので、本実施の形態のような折り畳みタイプの携帯電話４１の場合であっても、表示面に近接又は一体化されるので、誤差が少なくなる。   Therefore, regarding a mobile communication terminal having a limited mounting area such as the mobile phone 41, the mounting area can be reduced even in the case of a GPS compatible model including the magnetic sensor 1 for detecting the direction. In particular, since it is embedded and mounted on the back side of the display unit 45, even in the case of the folding type mobile phone 41 as in the present embodiment, it is close to or integrated with the display surface, so there is little error. Become.

［第六の実施の形態］
第六の実施の形態を図１８に基づいて説明する。本実施の形態は、前述したような磁気センサ１と、所定のギャップを介してこの磁気センサ１の近傍に配置された磁界発生手段として交互に磁極の極性を反転させた磁性体５１とを備え、磁気センサ１によって磁性体５１による磁界を検知しその変化分を計数するタイプの磁気エンコーダ５２への適用例を示す。即ち、前述したような磁気センサ１によれば、磁性体５１との相対運動を磁界の強度の差として検知する磁気エンコーダ５２として用いることは充分可能である。
この場合、低磁界に対する感度を増加させることができ、磁性体５１が着磁された測定対象となる媒体の磁界強度が小さくても充分機能する。 [Sixth embodiment]
A sixth embodiment will be described with reference to FIG. The present embodiment includes the magnetic sensor 1 as described above, and a magnetic body 51 in which the polarity of the magnetic poles is alternately reversed as a magnetic field generating means disposed in the vicinity of the magnetic sensor 1 via a predetermined gap. An example of application to a magnetic encoder 52 of the type in which the magnetic sensor 1 detects a magnetic field generated by a magnetic body 51 and counts the amount of change is shown. That is, according to the magnetic sensor 1 as described above, it can be sufficiently used as the magnetic encoder 52 that detects the relative motion with the magnetic body 51 as a difference in magnetic field strength.
In this case, the sensitivity to a low magnetic field can be increased, and it functions sufficiently even if the magnetic field strength of the medium to be measured with the magnetic material 51 magnetized is small.

ここに、高パルス分解能の場合には、磁気センサ１を近接させないと媒体からの磁界は磁束が綴じてしまうので、同一ギャップでは検知に有効な磁束量は低下してしまう。磁界強度の低下によって磁気センサ１を充分飽和させることなしに機能させる場合でも本発明は有効であり、高パルス分解能の磁気エンコーダへの適応に向く。   Here, in the case of high pulse resolution, if the magnetic sensor 1 is not brought close to the magnetic field, the magnetic field from the medium is bound by the magnetic flux, so that the amount of magnetic flux effective for detection is reduced at the same gap. The present invention is effective even when the magnetic sensor 1 is caused to function without being sufficiently saturated due to a decrease in the magnetic field strength, and is suitable for application to a magnetic encoder having a high pulse resolution.

なお、図１８（ａ）は磁界強度大、媒体パルス数小の場合への適用例を示し、図１８（ｂ）は磁界強度小、媒体パルス大の場合への適用例を示す。   FIG. 18A shows an application example when the magnetic field strength is large and the number of medium pulses is small, and FIG. 18B shows an application example when the magnetic field strength is small and the medium pulse is large.

［第七の実施の形態］
第七の実施の形態を図１９に基づいて説明する。本実施の形態は、共振回路６１と信号処理部６２とを備える磁気検知装置６３に関して、キャパシタＣ成分（又は、インダクタンスＬ成分）を持つ外部素子６４とともに、前述したような磁気センサ１を共振回路６１中に配置させたものである。図示例では、共振回路６１は、例えばキャパシタＣ成分が固定の外部素子６４と磁気センサ１との組合せにより抵抗成分Ｒが可変のＣＲ共振回路構成とされている。つまり、磁気センサ１のＴＭＲ素子等のセンサ部６を磁界強度に応じて可変する抵抗成分Ｒとし、外部素子６４のキャパシタＣ成分（又は、インダクタ成分Ｌ）とでＣＲ共振回路（又は、ＣＬ共振回路）を構成し、その発振周波数の変化により磁界強度を検知するものである。 [Seventh embodiment]
A seventh embodiment will be described with reference to FIG. The present embodiment relates to a magnetic detection device 63 including a resonance circuit 61 and a signal processing unit 62, and the magnetic sensor 1 as described above together with an external element 64 having a capacitor C component (or inductance L component). 61. In the illustrated example, the resonance circuit 61 has a CR resonance circuit configuration in which the resistance component R is variable by, for example, a combination of the external element 64 having a fixed capacitor C component and the magnetic sensor 1. That is, the sensor unit 6 such as the TMR element of the magnetic sensor 1 is set to a resistance component R that varies according to the magnetic field strength, and the CR resonance circuit (or CL resonance) is composed of the capacitor C component (or inductor component L) of the external element 64. Circuit) and the magnetic field strength is detected by the change of the oscillation frequency.

即ち、共振回路６１中に前述したような磁気センサ１を設ける際に、その動作領域がマイナーループであっても充分に機能する。また、磁気センサ１に共振時に高周波の交互電流が流れることから、磁気センサ１の一部に交流磁界が働き、磁気センサ１の磁化曲線は一定のループを描くこととなる。このため、さらにドリフトの少ない磁気検知装置６３を実現できる。   That is, when the magnetic sensor 1 as described above is provided in the resonance circuit 61, it functions sufficiently even if the operation region is a minor loop. In addition, since a high-frequency alternating current flows through the magnetic sensor 1 at the time of resonance, an alternating magnetic field acts on a part of the magnetic sensor 1, and the magnetization curve of the magnetic sensor 1 draws a constant loop. For this reason, the magnetic detection device 63 with less drift can be realized.

第一の実施の形態の磁気センサの作製段階を示す縦断正面図である。It is a longitudinal front view showing a manufacturing step of the magnetic sensor of the first embodiment. 磁気センサの作製段階を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は縦断正面図である。The manufacturing stage of a magnetic sensor is shown, (a) is a plan view and (b) is a longitudinal sectional front view. 磁気センサの次の作製段階を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は縦断正面図である。The next production stage of a magnetic sensor is shown, (a) is a plan view and (b) is a longitudinal front view. 磁気センサを示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は縦断正面図である。The magnetic sensor is shown, (a) is a plan view, (b) is a longitudinal front view. 検出系回路構成を含めて示す平面図である。It is a top view shown including a detection system circuit configuration. その変形例を示す平面図である。It is a top view which shows the modification. 本発明の磁気ヒステリシスループ特性を示す特性図である。It is a characteristic view which shows the magnetic hysteresis loop characteristic of this invention. 参考例として従来の磁気ヒステリシスループ特性を示す特性図である。It is a characteristic view which shows the conventional magnetic hysteresis loop characteristic as a reference example. ９０度の角度を持たせたセンサ２個を一組とした場合の出力例を示す特性図である。It is a characteristic view which shows the example of an output at the time of making 2 sets of sensors which gave the angle of 90 degree | times into a set. 第二の実施の形態の磁気センサの構成例を示し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）はそのセンサ部分の概略断面図である。 The structural example of the magnetic sensor of 2nd embodiment is shown, (a) is a schematic plan view, (b) is a schematic sectional drawing of the sensor part. そのＤＣ消去用電流付加による初期化方式を説明するための磁気ヒステリシス特性図である。It is a magnetic hysteresis characteristic figure for demonstrating the initialization system by the addition of the electric current for DC erasure. そのＡＣ消去用電流付加による初期化方式を説明するための磁気ヒステリシス特性図である。FIG. 6 is a magnetic hysteresis characteristic diagram for explaining an initialization method by adding an AC erasing current. マイナーループ利用によるメリットを説明するための概略平面図である。It is a schematic plan view for demonstrating the merit by use of a minor loop. 磁気センサの変形例を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows the modification of a magnetic sensor. 第三の実施の形態の磁気センサのセンサ部分の構成例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional view showing a configuration example of a sensor portion of the magnetic sensor of the third embodiment. 第四の実施の形態の方位検知システムの構成例を示す模式図である。It is a schematic diagram showing a configuration example of the orientation detection system of the fourth embodiment. 第五の実施の形態の携帯電話の構成例を示す概略正面図である。It is a schematic front view showing a configuration example of a mobile phone of the fifth embodiment. 第六の実施の形態の磁気エンコーダの構成例を示す原理的側面図である。 It is a principle side view which shows the structural example of the magnetic encoder of 6th Embodiment. 第七の実施の形態の磁気検知装置の構成例を示す概略ブロック図である。It is a schematic block diagram showing a configuration example of a magnetic sensing device of the seventh embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

１ 磁気センサ
３ 磁性薄膜
５ 磁界検知用軟磁性体層
６ 薄膜磁気抵抗効果素子
１２ 付加手段
３３ 検知手段
３６ 異常検知手段
３７ 報知手段
４５ 表示部
５２ 磁気エンコーダ
６１ 共振回路
６３ 磁気検知装置
６４ 外部素子
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Magnetic sensor 3 Magnetic thin film 5 Soft magnetic material layer 6 for magnetic field detection 6 Thin film magnetoresistive effect element 12 Addition means 33 Detection means 36 Abnormality detection means 37 Notification means 45 Display part 52 Magnetic encoder 61 Resonance circuit 63 Magnetic detection apparatus 64 External element

Claims (3)

少なくとも磁界検知用軟磁性体層と磁化固定層とを含む磁性薄膜の積層構造を有して膜面に垂直にセンス電流を流すことにより前記磁界検知用軟磁性体層の磁化の変化を当該素子の抵抗値の違いとして検知する薄膜磁気抵抗効果素子を用いた磁気センサであって、
前記磁界検知用軟磁性体層の磁化の変化の検知に、当該磁界検知用軟磁性体層の膜面内における所望の磁界方向の領域においてマイナーループ領域を含む領域を用い、
前記磁化固定層と前記磁界検知用軟磁性体層の磁気異方性軸の方向とを互いに直角方向に設定し、
前記センス電流に直流消去用電流を付加する付加手段を備える、
ことを特徴とする磁気センサ。 A magnetic thin film layered structure including at least a magnetic field detection soft magnetic layer and a magnetization fixed layer, and a change in magnetization of the magnetic field detection soft magnetic layer by flowing a sense current perpendicular to the film surface. A magnetic sensor using a thin film magnetoresistive effect element that detects a difference in resistance value of
Using a region including a minor loop region in a desired magnetic field direction region in the film surface of the magnetic field detection soft magnetic layer for detecting the change in magnetization of the magnetic field detection soft magnetic layer,
The direction of the magnetic anisotropy axis of the magnetization fixed layer and the magnetic field detecting soft magnetic layer is set in a direction perpendicular to each other ,
Adding means for adding a DC erasing current to the sense current;
Magnetic sensor characterized by the above . 少なくとも磁界検知用軟磁性体層と磁化固定層とを含む磁性薄膜の積層構造を有して膜面に垂直にセンス電流を流すことにより前記磁界検知用軟磁性体層の磁化の変化を当該素子の抵抗値の違いとして検知する薄膜磁気抵抗効果素子を用いた磁気センサであって、
前記磁界検知用軟磁性体層の磁化の変化の検知に、当該磁界検知用軟磁性体層の膜面内における所望の磁界方向の領域においてマイナーループ領域を含む領域を用い、
前記磁化固定層と前記磁界検知用軟磁性体層の磁気異方性軸の方向とを互いに直角方向に設定し、
前記センス電流に交流消去用電流を付加する付加手段を備える、
ことを特徴とする磁気センサ。 A magnetic thin film layered structure including at least a magnetic field detection soft magnetic layer and a magnetization fixed layer, and a change in magnetization of the magnetic field detection soft magnetic layer by flowing a sense current perpendicular to the film surface. A magnetic sensor using a thin film magnetoresistive effect element that detects a difference in resistance value of
Using a region including a minor loop region in a desired magnetic field direction region in the film surface of the magnetic field detection soft magnetic layer for detecting the change in magnetization of the magnetic field detection soft magnetic layer,
The direction of the magnetic anisotropy axis of the magnetization fixed layer and the magnetic field detecting soft magnetic layer is set in a direction perpendicular to each other,
Adding means for adding an AC erasing current to the sense current;
Magnetic sensor characterized by the above . 少なくとも磁界検知用軟磁性体層と磁化固定層とを含む磁性薄膜の積層構造を有して膜面に垂直にセンス電流を流すことにより前記磁界検知用軟磁性体層の磁化の変化を当該素子の抵抗値の違いとして検知する薄膜磁気抵抗効果素子を用いた磁気センサであって、
前記磁界検知用軟磁性体層の磁化の変化の検知に、当該磁界検知用軟磁性体層の膜面内における所望の磁界方向の領域においてマイナーループ領域を含む領域を用い、
前記磁化固定層と前記磁界検知用軟磁性体層の磁気異方性軸の方向とを互いに直角方向に設定し、
前記センス電流を流すための引き出し線の一部をバイパスさせて、当該引き出し線とこの引き出し線が引き出された一方の磁性薄膜との総抵抗値と、中間のトンネル層の抵抗値と、の差に見合うように、直流消去用電流又は交流消去用電流を付加する付加手段を備える、
ことを特徴とする磁気センサ。 A magnetic thin film layered structure including at least a magnetic field detection soft magnetic layer and a magnetization fixed layer, and a change in magnetization of the magnetic field detection soft magnetic layer by flowing a sense current perpendicular to the film surface. A magnetic sensor using a thin film magnetoresistive effect element that detects a difference in resistance value of
Using a region including a minor loop region in a desired magnetic field direction region in the film surface of the magnetic field detection soft magnetic layer for detecting the change in magnetization of the magnetic field detection soft magnetic layer,
The direction of the magnetic anisotropy axis of the magnetization fixed layer and the magnetic field detecting soft magnetic layer is set in a direction perpendicular to each other,
The difference between the total resistance value of the lead wire and one of the magnetic thin films from which the lead wire is drawn and the resistance value of the intermediate tunnel layer is bypassed by a part of the lead wire for flowing the sense current. In order to meet the requirements, an additional means for adding a DC erasing current or an AC erasing current is provided.
Magnetic sensor characterized by the above .
JP2004029657A 2004-02-05 2004-02-05 Magnetic sensor Expired - Fee Related JP4331630B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004029657A JP4331630B2 (en) 2004-02-05 2004-02-05 Magnetic sensor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004029657A JP4331630B2 (en) 2004-02-05 2004-02-05 Magnetic sensor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005221383A JP2005221383A (en) 2005-08-18
JP4331630B2 true JP4331630B2 (en) 2009-09-16

Family

ID=34997136

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004029657A Expired - Fee Related JP4331630B2 (en) 2004-02-05 2004-02-05 Magnetic sensor

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4331630B2 (en)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1985970B1 (en) * 2006-01-30 2015-05-06 Kyocera Corporation Mobile electronic device and its direction display method
JP5055030B2 (en) * 2007-06-13 2012-10-24 株式会社リコー Magnetic sensing device
JP5233201B2 (en) * 2007-08-09 2013-07-10 Ｔｄｋ株式会社 Magnetic device and frequency detector
JP2009192429A (en) * 2008-02-15 2009-08-27 Tdk Corp Magnetic sensor and magnetic field strength measurement method
US10816615B2 (en) 2017-05-19 2020-10-27 Asahi Kasei Microdevices Corporation Magnetic sensor
EP3470861B1 (en) * 2017-10-10 2019-11-27 Melexis Technologies SA Redundant sensor fault detection
US11002806B2 (en) 2018-03-29 2021-05-11 Asahi Kasei Microdevices Corporation Magnetic field detection device
CN110108781B (en) * 2019-05-15 2023-11-10 中钞印制技术研究院有限公司 Mobile device, article authentication method, apparatus and system thereof, and storage medium

Also Published As

Publication number Publication date
JP2005221383A (en) 2005-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4433820B2 (en) Magnetic detection element, method of forming the same, magnetic sensor, and ammeter
US8552720B2 (en) Mobile information terminal apparatus and magnetic sensor, including magnetoresistive detecting device
US7808749B2 (en) Magnetoresistance effect element, substrate therefor and manufacturing method thereof
KR100687513B1 (en) Thin-film magnetic field sensor
WO2015033464A1 (en) Magnetic sensor element
JP2009535616A (en) Thin film type triaxial fluxgate and manufacturing method thereof
JP2009204435A (en) Thin-film magnetometric sensor
JP2003008101A (en) Tunneling magnetoresistive effect element and bearing detecting system using the same
EP3236276B1 (en) Magnetic field sensor with multiple axis sense capability
JP2006269955A (en) Magnetic field detecting device
JP6842741B2 (en) Magnetic sensor
JP4790448B2 (en) Magnetoresistive element and method for forming the same
JP2007024598A (en) Magnetic sensor
JP4331630B2 (en) Magnetic sensor
JP4833691B2 (en) Magnetic sensor and manufacturing method thereof
JP4084036B2 (en) Magnetic sensor and orientation detection system using the magnetic sensor
JP4575602B2 (en) Magnetic sensing element
JP4316836B2 (en) Magnetic sensor
JP2004184150A (en) Magnetic detecting device, direction detection system, and portable communication terminal
JPH11195824A (en) Magnetoresistance effect element and magnetoresistance effect type head
JP5660826B2 (en) Magnetoresistive element, magnetic field detector, position detector, rotation detector and current detector using the same
JP2004045119A (en) Magnetic sensor, azimuth detection system using the same, and mobile communication terminal
JP4954317B2 (en) Magnetic sensing element and azimuth sensing system using this element
JP2006253411A (en) Magnetic sensor
US20240103100A1 (en) Yoke structures for improved magnetometer performance

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060913

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090203

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090205

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090323

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090408

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090529

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090616

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090618

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120626

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120626

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150626

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150626

Year of fee payment: 6

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees