JP4326889B2 - 半導体装置、ledプリントヘッド、画像形成装置、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の構成を概略的に示す斜視図である。また、図2は、図1の半導体装置のドライバICチップ、メタル層、及びLEDエピタキシャルフィルムを示す斜視図であり、図3は、図1の半導体装置をS3−S3線で切る面を概略的に示す断面図である。
図7は、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の構成を概略的に示す斜視図である。また、図8は、図7の半導体装置をS8−S8線で切る面を概略的に示す断面図である。
図9は、本発明の第3の実施形態に係るLEDプリントヘッドの構成を概略的に示す断面図である。
図10は、本発明の第4の実施形態に係る画像形成装置の構成を概略的に示す断面図である。
11a,51a ユニット基板の電極パッド、
12,52 ドライバICチップ(Si基板、駆動回路基板)、
12a,52a ドライバICチップの個別電極端子、
12b,52b ドライバICチップの電極端子、
13 メタル層、
14,54 LEDエピタキシャルフィルム(半導体薄膜)
14a,54a 発光部(個別動作領域、LED)、
14b,54b 素子分離領域、
21,61 n−GaAsコンタクト層、
22,62 n−AlxGa1−xAsクラッド層、
23,63 AlyGa1−yAs活性層、
24,64 p−AlzGa1−zAsクラッド層、
25,65 p−GaAsコンタクト層、
31,71 層間絶縁膜、
31a,71a 層間絶縁膜の開口部、
32,72 個別配線層(薄膜配線)、
33,73 ボンディングワイヤ、
52c ドライバICチップの共通電極端子、
53 接着剤、
73 共通電極パッド、
74 共通配線層(薄膜配線)
100 LEDプリントヘッド、
102a 半導体装置、
200 画像形成装置、
203c 露光装置。
Claims (14)
- 基板と、前記基板にボンディングされた半導体薄膜とを有する半導体装置であって、
前記半導体薄膜が、複数の個別動作領域と、前記複数の個別動作領域を互いに分離する素子分離領域とを有し、
前記素子分離領域は、前記半導体薄膜の厚さよりも浅い深さまで前記半導体薄膜が除去されていて、前記複数の個別動作領域よりも薄い領域であり、
前記個別動作領域上から前記素子分離領域上を経て前記基板上に至る個別配線層をさらに有する
ことを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体薄膜のボンディング面積が、前記複数の個別動作領域の合計面積よりも広いことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記基板が、集積回路を有する駆動回路基板であることを特徴とする請求項1又は2のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記半導体薄膜が、前記基板側から順に下側コンタクト層、下側クラッド層、活性層、上側クラッド層、及び上側コンタクト層を備えた半導体エピタキシャル積層構造を有し、
前記素子分離領域が、前記下側コンタクト層と、前記下側クラッド層の一部とから構成される
ことを特徴とする請求項1から3までのいずれかに記載の半導体装置。 - 前記半導体薄膜が、前記基板側から順に下側コンタクト層、下側クラッド層、活性層、上側クラッド層、及び上側コンタクト層を備えた半導体エピタキシャル積層構造を有し、
前記素子分離領域が、前記下側コンタクト層の一部から構成される
ことを特徴とする請求項1から3までのいずれかに記載の半導体装置。 - 基板と、前記基板にボンディングされた半導体薄膜とを有する半導体装置であって、
前記半導体薄膜が、複数の個別動作領域と、前記複数の個別動作領域を互いに分離する素子分離領域とを有し、
前記素子分離領域は、前記半導体薄膜の厚さよりも浅い深さまで前記半導体薄膜が除去されていて、前記複数の個別動作領域よりも薄い領域であり、
前記半導体薄膜が、前記基板側から順に下側コンタクト層、下側クラッド層、活性層、上側クラッド層、及び上側コンタクト層を備えた半導体エピタキシャル積層構造を有し、
前記素子分離領域が、前記下側コンタクト層の一部から構成され、
前記素子分離領域の前記下側コンタクト層上から前記基板上に至る共通配線層をさらに有する
ことを特徴とする半導体装置。 - 前記基板と前記半導体薄膜との間にメタル層を介在させたことを特徴とする請求項1から5までのいずれかに記載の半導体装置。
- 前記半導体薄膜が接着剤を用いてボンディングされていることを特徴とする請求項1から6までのいずれかに記載の半導体装置。
- 前記複数の個別動作領域のそれぞれが発光素子を構成し、前記複数の発光素子が規則的に配列されていることを特徴とする請求項1から8までのいずれかに記載の半導体装置。
- 前記請求項9に記載の半導体装置と、該半導体装置を保持するホルダとを有することを特徴とするLEDプリントヘッド。
- 前記請求項10に記載のLEDプリントヘッドと、該LEDプリントヘッドに対向して設けられた感光体とを有することを特徴とする画像形成装置。
- 第1の基板上に複数の個別動作領域を有する半導体薄膜を剥離可能に形成する工程と、
前記第1の基板から剥離された前記半導体薄膜を第2の基板上にボンディングする工程と、
前記第2の基板上にボンディングされた前記半導体薄膜の前記複数の個別動作領域以外の領域を、前記半導体薄膜の厚さよりも浅い深さまで除去することによって、前記複数の個別動作領域を互いに分離する素子分離領域を形成する工程と
を有し、
前記第2の基板が、集積回路を有する駆動回路基板であり、
前記個別動作領域上から前記素子分離領域上を経て前記第2の基板上に至る個別配線層を形成する工程をさらに有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記半導体薄膜を第2の基板上にボンディングする工程の前に、前記第2の基板上にメタル層を形成する工程をさらに有し、
前記半導体薄膜を第2の基板上にボンディングする工程において、前記半導体薄膜は前記メタル層上にボンディングされる
ことを特徴とする請求項12に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体薄膜が接着剤を用いてボンディングされることを特徴とする請求項12に記載の半導体装置の製造方法。
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