JP4324247B2 - 遊技機 - Google Patents
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Description
電源切断時に電力を供給するための第1バックアップ電源及び第2バックアップ電源と、前記処理部に搭載されて前記第1バックアップ電源から電力の供給を受ける第1半導体素子及び前記第2バックアップ電源から電力の供給を受ける第2半導体素子と、前記メモリモジュールの取り外しの有無を判定する判定部と、を備え、
前記第1バックアップ電源から前記第1半導体素子への電力の供給線の少なくとも一部は前記メモリモジュール内を経由するように配置され、
前記第2バックアップ電源から前記第2半導体素子への電力の供給線は前記メモリモジュール内を経由しないように配置され、
前記第2バックアップ電源は、前記第1バックアップ電源よりも容量が小さいものであり、
前記第1半導体素子又は前記第2半導体素子の一方は、電源電圧が低下したときにそのことを示すフラグをセットするか又は信号を出力する電圧低下検出半導体素子であり、他方は揮発性記憶素子であり、
前記判定部は、
電源切断時に前記揮発性記憶素子のデータの特徴値を求め、これを電源切断時の特徴値として保持し、電源投入時に前記揮発性記憶素子のデータの特徴値を求め、これを前記電源切断時の特徴値と比較することにより電圧低下の有無を判定し、
電源投入時に前記電圧低下検出半導体素子の前記フラグ又は前記信号に基づき電圧低下の有無を判定し、
前記揮発性記憶素子に関する電圧低下の判定結果と前記電圧低下検出半導体素子に関する電圧低下の判定結果とに基づき前記メモリモジュールの取り外しの有無を判定するものである。
電源切断時に電力を供給するための第1バックアップ電源及び第2バックアップ電源と、前記処理部に搭載されて前記第1バックアップ電源から電力の供給を受ける第1半導体素子及び前記第2バックアップ電源から電力の供給を受ける第2半導体素子と、前記メモリモジュールの取り外しの有無を判定する判定部と、を備え、
前記第1バックアップ電源から前記第1半導体素子への電力の供給線の少なくとも一部は前記メモリモジュール内を経由するように配置され、
前記第2バックアップ電源から前記第2半導体素子への電力の供給線は前記メモリモジュール内を経由しないように配置され、
前記第2バックアップ電源は、前記第1バックアップ電源よりも容量が小さいものであり、
前記第1半導体素子又は前記第2半導体素子の一方は、電源電圧が低下したときにそのことを示すフラグをセットするか又は信号を出力する電圧低下検出半導体素子であり、他方は揮発性記憶素子であり、
前記判定部は、
電源切断時に前記揮発性記憶素子の全部又は一部のデータを退避させ、電源投入時に前記揮発性記憶素子の全部又は一部のデータを読み取り、これを退避させたデータと比較することにより電圧低下の有無を判定し、
電源投入時に前記電圧低下検出半導体素子の前記フラグ又は前記信号に基づき電圧低下の有無を判定し、
前記揮発性記憶素子に関する電圧低下の判定結果と前記電圧低下検出半導体素子に関する電圧低下の判定結果とに基づき前記メモリモジュールの取り外しの有無を判定するものである。
電源切断時に電力を供給するための第1バックアップ電源及び第2バックアップ電源と、前記処理部に搭載されて前記第1バックアップ電源から電力の供給を受ける第1半導体素子及び前記第2バックアップ電源から電力の供給を受ける第2半導体素子と、前記メモリモジュールの取り外しの有無を判定する判定部と、を備え、
前記第1バックアップ電源から前記第1半導体素子への電力の供給線の少なくとも一部は前記メモリモジュール内を経由するように配置され、
前記第2バックアップ電源から前記第2半導体素子への電力の供給線は前記メモリモジュール内を経由しないように配置され、
前記第2バックアップ電源は、前記第1バックアップ電源よりも容量が小さいものであり、
前記第1半導体素子又は前記第2半導体素子の一方は、電源電圧が低下したときにそのことを示すフラグをセットするか又は信号を出力する電圧低下検出半導体素子であり、他方は揮発性記憶素子であり、
前記判定部は、
前記揮発性記憶素子の予め定められたアドレスに予め定められたデータを書き込み、電源投入時に前記揮発性記憶素子の前記予め定められたアドレスのデータを読み出し、これを前記予め定められたデータと比較することにより電圧低下の有無を判定し、
電源投入時に前記電圧低下検出半導体素子の前記フラグ又は前記信号に基づき電圧低下の有無を判定し、
前記揮発性記憶素子に関する電圧低下の判定結果と前記電圧低下検出半導体素子に関する電圧低下の判定結果とに基づき前記メモリモジュールの取り外しの有無を判定するものである。
前記第1バックアップ電源から前記第1半導体素子への電力の供給線を、少なくとも一度は前記第1バックアップ電源から前記メモリモジュールに入り、前記メモリモジュールを経由して前記処理部に戻り、前記第1半導体素子に接続されるように配置する。
前記第1バックアップ電源から前記第1半導体素子への電力の供給線を、前記メモリモジュールから前記処理部に入り、前記第1半導体素子に接続されるように配置する。
好ましくは、前記第2半導体素子に関する判定結果が電圧低下を示しているとき、前記第1半導体素子に関する判定結果にかかわらず、不正行為と判定しない。
この発明の実施の形態に係る遊技機について図面を参照して説明する。
図1は遊技機(スロットマシン、回胴式遊技機とも呼ばれる)の正面図である。
スロットマシン10で遊技を楽しもうとする遊技者は、まずメダル貸機(図示しない)等から遊技媒体であるメダルを借り、メダル投入装置のメダル投入口100に直接メダルを入れる。メダル投入口100は、スロットマシン10の正面で略中央の高さに設けられている。
このメモリモジュール3は、メモリモジュールの基板3bと、これに搭載されるひとつ又は複数の半導体メモリ(ROM)3aと、メモリモジュール3をサブ基板2に電気的に接続するためのメモリモジュール3側のコネクタ6とを備える。サブ基板2にはメモリモジュール3と電気的接続を行うためのコネクタ2aが設けられている。コネクタ2aはメモリモジュール3のコネクタ6と結合する。図3の例では、メモリモジュール3はサブ基板2に対して垂直になるようにコネクタ2aに取り付けられる。
上記例ではメモリモジュール3経由でバックアップ電源を供給する素子(第1半導体素子)に電圧低下検出半導体素子(RTC)を適用し、メモリモジュール3を経由せずにバックアップ電源を供給する素子(第2半導体素子)に揮発性記憶素子(RAM)を適用したが、本発明はこれに限定されない。図12に示すように、メモリモジュール3経由でバックアップ電源を供給する素子(第1半導体素子)に揮発性記憶素子(RAM)を適用し、メモリモジュール3を経由せずにバックアップ電源を供給する素子(第2半導体素子)に電圧低下検出半導体素子(RTC)を適用するようにしてもよい。
発明の実施の形態1の変形例も、発明の実施の形態1と同様の作用効果を奏する。
発明の実施の形態1ではバックアップ電源2b−1をサブ基板2に搭載したが、本発明はこれに限定されない。例えば、図13に示すようにメモリモジュール3にバックアップ電源2b−1を搭載するようにしてもよい。図13の構成でもバックアップ電源2b−1からRTC2c−1への電力の供給線の少なくとも一部をメモリモジュール3内を経由するように配置することができる。図13の構成でも発明の実施の形態1と同様の作用効果を奏する。
発明の実施の形態1では揮発性記憶素子の内容の特徴値を利用して電源電圧の低下を検出したが、特徴値を求めることなくデータそのものを比較することにより同様の検出を行うこともできる。その例を列挙する。なお、以下の例は発明の実施の形態1の変形例にも適用できる。
電源切断時にRAM2c−2の全データを読み取り、これらを他のRAM又は不揮発性記憶素子に書き込む。電源投入時にRAM2c−2の全データを読み取り、これを退避したデータと比較する。比較の結果、全部又は一部のデータについて不一致が生じたとき、電源電圧が低下したと判定する。
電源切断時にRAM2c−2の一部のデータを読み取り、これらを他のRAM又は不揮発性記憶素子に書き込む。電源投入時にRAM2c−2の一部のデータ(電源切断時と同じアドレスのもの)を読み取り、これを退避したデータと比較する。比較の結果、全部又は一部のデータについて不一致が生じたとき、電源電圧が低下したと判定する。なお、ひとつのアドレスのデータのみを退避するようにしてもよい。電源断によりRAMの全てのアドレスのデータが影響を受けるので、ひとつのアドレスのデータを監視するだけでも判定可能である。
RAMの特定のアドレスに特定の値を書き込んでおき、電源投入時にそれが維持されているかどうか判断するようにしても、上記発明の実施の形態1乃至3と同様の効果を奏する。RAMの特定のアドレスは、少なくとも電源断時において常に特定の値であると決めておき、電源投入時にそれが維持されていなければ電源電圧が低下したと判断するのである。この場合、特徴値を求める必要はないし、電源断時にRAMの内容を読み取る必要もない。
2 サブ基板
2a コネクタ
2a−1 第1端子
2a−2 第2端子
2b−1 第1バックアップ電源
2b−2 第2バックアップ電源
2c−1 RTC(電圧低下検出半導体素子、図4で第1半導体素子、図12で第2半導体素子)
2c−2 RAM(揮発性記憶素子、図4で第1半導体素子、図12で第2半導体素子)
2d 判定部
2e ダイオード
3 メモリモジュール
3a 記憶素子(半導体メモリ、ROM)
3b メモリモジュール基板
3c メモリモジュール内のバックアップ電力の供給線
6 コネクタ
6−1 第1端子
6−2 第2端子
10 スロットマシン
11 筐体
12 表示窓
13 図柄表示窓
16 ベットスイッチ
17 精算スイッチ
30 スタートスイッチ
40 回転リール
42 リールテープ
50 ストップスイッチ
60 リールユニット
61 図柄
62 液晶表示部
70 リール駆動部
71 リール位置検出回路
80 ホッパー駆動部
81 ホッパー
82 メダル検出部
100 メダル投入口
200 液晶制御基板
201 スピーカ
202 LED基板
304 メダル払い出し口
311 メダル受け部(下皿)
Claims (8)
- 基板と、前記基板上に搭載された記憶素子とを含んで構成され、CPUを含む処理部に着脱可能なメモリモジュールを備える遊技機において、
電源切断時に電力を供給するための第1バックアップ電源及び第2バックアップ電源と、前記処理部に搭載されて前記第1バックアップ電源から電力の供給を受ける第1半導体素子及び前記第2バックアップ電源から電力の供給を受ける第2半導体素子と、前記メモリモジュールの取り外しの有無を判定する判定部と、を備え、
前記第1バックアップ電源から前記第1半導体素子への電力の供給線の少なくとも一部は前記メモリモジュール内を経由するように配置され、
前記第2バックアップ電源から前記第2半導体素子への電力の供給線は前記メモリモジュール内を経由しないように配置され、
前記第2バックアップ電源は、前記第1バックアップ電源よりも容量が小さいものであり、
前記第1半導体素子又は前記第2半導体素子の一方は、電源電圧が低下したときにそのことを示すフラグをセットするか又は信号を出力する電圧低下検出半導体素子であり、他方は揮発性記憶素子であり、
前記判定部は、
電源切断時に前記揮発性記憶素子のデータの特徴値を求め、これを電源切断時の特徴値として保持し、電源投入時に前記揮発性記憶素子のデータの特徴値を求め、これを前記電源切断時の特徴値と比較することにより電圧低下の有無を判定し、
電源投入時に前記電圧低下検出半導体素子の前記フラグ又は前記信号に基づき電圧低下の有無を判定し、
前記揮発性記憶素子に関する電圧低下の判定結果と前記電圧低下検出半導体素子に関する電圧低下の判定結果とに基づき前記メモリモジュールの取り外しの有無を判定することを特徴とする遊技機。 - 前記判定部は、前記特徴値を得るために、前記揮発性記憶素子の全データ又は一部のデータについてチェックサムを求めること、論理積、論理和又は排他的論理和を含む論理演算を行うこと、又は、ハッシュ関数によりハッシュ値を求めることの少なくとも何れかを行うことを特徴とする請求項1記載の遊技機。
- 基板と、前記基板上に搭載された記憶素子とを含んで構成され、CPUを含む処理部に着脱可能なメモリモジュールを備える遊技機において、
電源切断時に電力を供給するための第1バックアップ電源及び第2バックアップ電源と、前記処理部に搭載されて前記第1バックアップ電源から電力の供給を受ける第1半導体素子及び前記第2バックアップ電源から電力の供給を受ける第2半導体素子と、前記メモリモジュールの取り外しの有無を判定する判定部と、を備え、
前記第1バックアップ電源から前記第1半導体素子への電力の供給線の少なくとも一部は前記メモリモジュール内を経由するように配置され、
前記第2バックアップ電源から前記第2半導体素子への電力の供給線は前記メモリモジュール内を経由しないように配置され、
前記第2バックアップ電源は、前記第1バックアップ電源よりも容量が小さいものであり、
前記第1半導体素子又は前記第2半導体素子の一方は、電源電圧が低下したときにそのことを示すフラグをセットするか又は信号を出力する電圧低下検出半導体素子であり、他方は揮発性記憶素子であり、
前記判定部は、
電源切断時に前記揮発性記憶素子の全部又は一部のデータを退避させ、電源投入時に前記揮発性記憶素子の全部又は一部のデータを読み取り、これを退避させたデータと比較することにより電圧低下の有無を判定し、
電源投入時に前記電圧低下検出半導体素子の前記フラグ又は前記信号に基づき電圧低下の有無を判定し、
前記揮発性記憶素子に関する電圧低下の判定結果と前記電圧低下検出半導体素子に関する電圧低下の判定結果とに基づき前記メモリモジュールの取り外しの有無を判定することを特徴とする遊技機。 - 基板と、前記基板上に搭載された記憶素子とを含んで構成され、CPUを含む処理部に着脱可能なメモリモジュールを備える遊技機において、
電源切断時に電力を供給するための第1バックアップ電源及び第2バックアップ電源と、前記処理部に搭載されて前記第1バックアップ電源から電力の供給を受ける第1半導体素子及び前記第2バックアップ電源から電力の供給を受ける第2半導体素子と、前記メモリモジュールの取り外しの有無を判定する判定部と、を備え、
前記第1バックアップ電源から前記第1半導体素子への電力の供給線の少なくとも一部は前記メモリモジュール内を経由するように配置され、
前記第2バックアップ電源から前記第2半導体素子への電力の供給線は前記メモリモジュール内を経由しないように配置され、
前記第2バックアップ電源は、前記第1バックアップ電源よりも容量が小さいものであり、
前記第1半導体素子又は前記第2半導体素子の一方は、電源電圧が低下したときにそのことを示すフラグをセットするか又は信号を出力する電圧低下検出半導体素子であり、他方は揮発性記憶素子であり、
前記判定部は、
前記揮発性記憶素子の予め定められたアドレスに予め定められたデータを書き込み、電源投入時に前記揮発性記憶素子の前記予め定められたアドレスのデータを読み出し、これを前記予め定められたデータと比較することにより電圧低下の有無を判定し、
電源投入時に前記電圧低下検出半導体素子の前記フラグ又は前記信号に基づき電圧低下の有無を判定し、
前記揮発性記憶素子に関する電圧低下の判定結果と前記電圧低下検出半導体素子に関する電圧低下の判定結果とに基づき前記メモリモジュールの取り外しの有無を判定することを特徴とする遊技機。 - 前記第1バックアップ電源は前記処理部に搭載され、
前記第1バックアップ電源から前記第1半導体素子への電力の供給線は、少なくとも一度は前記第1バックアップ電源から前記メモリモジュールに入り、前記メモリモジュールを経由して前記処理部に戻り、前記第1半導体素子に接続されるように配置されたことを特徴とする請求項1乃至請求項4いずれかに記載の遊技機。 - 前記第1バックアップ電源は前記メモリモジュールに搭載され、
前記第1バックアップ電源から前記第1半導体素子への電力の供給線は、前記メモリモジュールから前記処理部に入り、前記第1半導体素子に接続されるように配置されたことを特徴とする請求項1乃至請求項4いずれかに記載の遊技機。 - 前記第1半導体素子に関する判定結果が電圧低下を示し、かつ、前記第2半導体素子に関する判定結果が電圧低下を示していないとき前記メモリモジュールの取り外しが有ったと判定し、エラー報知又は遊技停止のうちの少なくともいずれかを行うことを特徴とする請求項1乃至請求項6いずれかに記載の遊技機。
- 前記第2半導体素子に関する判定結果が電圧低下を示しているとき、前記第1半導体素子に関する判定結果にかかわらず、不正行為と判定しないことを特徴とする請求項1乃至請求項7いずれかに記載の遊技機。
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