JP4308805B2 - 薄膜圧電共振子 - Google Patents
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Description
クを用いてエッチングを行う。続いて、シリコン基板の下面に形成されたマスク材(19)をマスクとしてシリコン基板をエッチングすることによって共振用空洞を形成する。この後、圧電膜および上部電極を覆うようにして有機樹脂材料を塗布して有機樹脂膜(21)を形成することにより、薄膜圧電素子が完成する。
としての所望の特性を満たさないこととなる。したがって、圧電膜をエッチング
することなく不要な金属膜を完全に除去するようにエッチングを行う必要がある。しかし、金属膜のエッチングを完了するまでの時間は、金属膜の厚みの僅かなばらつきや、エッチング液の温度変化などに起因して、エッチングを行う都度変化する。したがって、従来の薄膜圧電素子の製造方法には、圧電膜をエッチングすることなく不要な金属膜を完全に除去して上部電極を形成するのが困難であるという問題点が存在する。
ZT)または窒化アルミニウム(AlN)などで形成された圧電性を有する薄膜であり、その厚みが5μm以下となるように形成されている。この場合、この薄膜圧電共振子1では、一例として、その結合係数が比較的大きいことで知られている酸化亜鉛(ZnO)によって圧電膜4が厚み0.8μm程度に形成されている。また、薄膜圧電共振子1には、圧電膜4および保護層5を貫通するようにして4つの貫通孔7,7,7,7が形成されて、図3に示すように、下部電極3の表面に対するボンディングワイヤW1〜W4等の接続(ボンディング)が可能に構成されている。
層3bを形成する。マスク形成装置65は、塗布装置65a、露光装置65bおよび現像装置65cを備えて、電極材料層3bの上にマスクM2(図11参照)を形成する。エッチング装置66は、ウェットエッチング法によって電極材料層3bおよび接着層3aをエッチングすることによって下部電極3を形成する。
チング装置63が、下部バリア層12をエッチングする。これにより、図9に示すように、下部バリア層12の中央部(後に振動空間2aが形成される部位)が除去される。
て、除去すべき電極材料層6bおよび接着層6aが部分的に残留しないように十分にエッチング液に浸すことが容易となる結果、図17に示すように、エッチング不足に起因する不要な電極材料層6bなどの残留を招くことなく必要な上部電極6のみが保護層5の上に形成される。
フィルタなどの電子部品を構成することにより、所望の電気的特性を満たす電子部品を提供することができる。
分に薄く形成することができる。このため、高い共振周波数を有する薄膜圧電共振子1Aを製造することができる。また、上部電極6と圧電膜4との間に保護層が存在しないため、上部電極6と圧電膜4とを直接接触させることができる結果、結合係数が大きい薄膜圧電共振子1Aを製造することができる。
い。例えば、図23に示すように、共振子としての機能に影響を及ぼさない部位には保護層5を形成せずに、下部電極3および上部電極6で挟まれた部位を含む比較的狭い範囲の圧電膜4(所定範囲の圧電膜4)を保護し得る部位に保護層5を形成して薄膜圧電共振子1Cを構成することができる。
め、衝撃等による破損を回避し得る薄膜圧電共振子1Eを製造することができる。
Claims (4)
- 基板上に形成された圧電膜と、
前記圧電膜の上下に設けられた少なくとも一対の電極と、
前記基板から遠い側の前記圧電膜の表面領域のうち、前記基板から遠い側の電極が設けられていない領域を覆う保護層と
を備え、
前記保護層が、前記基板から遠い側の電極が設けられていない圧電膜表面領域のうち、前記基板に近い側の電極が設けられている領域に対応する領域にのみ設けられている
ことを特徴とする薄膜圧電共振子。 - 前記保護層がSiO2であることを特徴とする請求項1に記載の薄膜圧電共振子。
- 前記圧電膜がZnOであることを特徴とする請求項1に記載の薄膜圧電共振子。
- 前記電極材料がAlまたはAuであることを特徴とする請求項1に記載の薄膜圧電共振子。
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