JP4305736B2 - 磁気共鳴撮影装置および温度情報生成方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、勾配磁場の形成による発熱量を予め推定する磁気共鳴撮影装置、およびこの磁気共鳴撮影装置における温度情報生成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
磁気共鳴撮影(Magnetic Resonance Imaging:MRI)装置は、静磁場中の被検体に被検体の原子核のスピンの中心軸を回転させる回転磁場を印加し、この回転磁場の印加を停止したときの被検体からの磁気共鳴信号に基づいて画像を生成する撮影装置である。
MRI装置においては、上述の磁気共鳴信号に位置情報を付与するために、被検体に勾配磁場を印加する。この勾配磁場は、撮影時間(スキャン時間)の経過に応じて変化させられる。撮影時間を短縮するためには勾配磁場の変化のスピードを速める必要があり、このため勾配磁場を発生する勾配磁場発生部への負荷が増大する傾向にある。勾配磁場発生部への負荷の増加に伴い、勾配磁場発生部からの発熱量が増加する傾向にある。
勾配磁場発生部の発熱は勾配磁場発生部の性能や撮影環境に影響を及ぼすため、発熱を所定の範囲内に抑えることが望まれている。
【0003】
勾配磁場発生部からの発熱を所定の範囲内に抑えるために、従来は、たとえば特許文献1に記載されているように静磁場空間内に温度センサーを設置しておき、温度センサーの測定値が所定の閾値を越えたときに勾配磁場発生部の駆動を停止していた。
他の方法として、スキャンにおける勾配磁場発生部の駆動波形から勾配磁場発生部に流れる平均電流を計算し、この平均電流に基づいて計算される仕事量が所定値以下となるように、スキャン開始前に回転磁場印加の繰返し時間等のスキャンの条件の範囲に制限を設けていた。
【0004】
【特許文献1】
特開平9−19411号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、温度センサーの測定値が閾値を越えたときに勾配磁場発生部の駆動を停止させるような手法では、スキャンの途中で測定値が閾値を越えると、スキャンが途中で停止してしまう。このため、撮影画像を得ることができず、停止したスキャンによって得ていたデータ、および撮影時間が無駄となる場合がある。
勾配磁場発生部に流れる平均電流による仕事量に基づいてスキャンの条件を制限したのでは、仕事量が同じであればスキャン時間の長短は考慮されずに同じ制限が設けられる。このため繰返し時間を一定時間以下に設定することができない。その結果、たとえば、仕事量は多いものの時間が短くスキャン終了時点においては閾値まで勾配磁場発生部が温度上昇しないようなスキャンを実行することができず、勾配磁場発生部の能力を十分に活用することができなかった。
【0006】
本発明の目的は、勾配磁場発生部の能力を十分に活用して撮影を行なうことができる磁気共鳴撮影装置を提供することにある。
また、本発明の別の目的は、磁気共鳴撮影装置の勾配磁場発生部の能力を十分に活用して撮影を行なわせるための温度情報生成方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る磁気共鳴撮影装置は、被検体からの磁気共鳴信号に基づいて前記被検体の被検部位を撮影する磁気共鳴撮影装置であって、前記磁気共鳴信号に位置情報を付与するための勾配磁場を発生する勾配磁場発生部と、前記勾配磁場の発生により温度上昇する前記勾配磁場発生部の温度上昇量を予め推定し推定値を出力する温度推定部と、前記推定値が所定の閾値を越えているか否かを判断する判断部とを有する。
【0008】
また、本発明に係る温度情報生成方法は、被検体からの磁気共鳴信号に位置情報を付与するための勾配磁場を発生し該勾配磁場の発生により温度上昇する勾配磁場発生部の温度上昇量を予め推定し推定値を計算する推定ステップと、前記推定値が所定の閾値を越えているか否かを判断する判断ステップとを有する温度情報生成方法である。
【0009】
本発明においては、勾配磁場発生部が、被検体からの磁気共鳴信号に位置情報を付与するための勾配磁場を発生する。勾配磁場発生部は、勾配磁場を発生することにより温度上昇する。
温度推定部は、勾配磁場発生部の温度上昇量を予め推定し推定値を出力する。判断部は、温度推定部が出力した推定値が、所定の閾値を越えているか否かを判断する。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、添付図面を参照しながら述べる。
【0011】
第1実施形態
図1は本発明の第1実施形態に係る磁気共鳴撮影(MRI)装置の概略構成を示すブロック図であり、図2は図1に示すMRI装置のマグネットアセンブリの外観を示す斜視図である。
【0012】
図1に示すように、第1実施形態に係るMRI装置100は、マグネットアセンブリ1、勾配磁場駆動回路3、RF電力増幅器4、前置増幅器5、計算機7、シーケンス記憶回路8、ゲート変調回路9、RF発振回路10、A/D変換器11、位相検波器12、操作コンソール13、表示装置14、記憶部30を有する。
【0013】
マグネットアセンブリ1とMRI装置100のその他の構成要素とは、適宜離れて配置される。
本実施形態に係るマグネットアセンブリ1は、たとえば、それぞれ2つに分割した主磁場発生部32,32と勾配磁場発生部35,35とを筐体BDに収容した構成を有している。
2つで1組の主磁場発生部32,32および勾配磁場発生部35,35は、たとえば、筐体BDの上下に対向して配置される上側マグネットケース11aおよび下側マグネットケース11bの内部にそれぞれ片方ずつ収容される。
【0014】
上側マグネットケース11aと下側マグネットケース11bとの間が、被検体PTが搬入される撮影空間94となる。
図2に示すように、被検体PTは、移動可能なクレードル90によって撮影空間94内に搬入される。
【0015】
主磁場発生部32は、たとえば、永久磁石を用いて構成する。上下に対向配置された永久磁石による主磁場発生部32,32は、均一な主磁場を撮影空間94内に形成する。
主磁場発生部32,32が形成する主磁場は、被検体PTの撮影中常に磁界強度が一定で撮影空間94内において均一となるように保たれるため、静磁場とも呼ばれる。
【0016】
主磁場発生部32は、永久磁石の他に、超伝導磁石や常電導磁石等の他の磁石を用いて構成することもできる。なお、超伝導磁石または常電導磁石を用いる場合には、これらの磁石は電流供給のための電源に接続される。
【0017】
勾配磁場発生部35は、たとえばコイルを用いて構成する。上側マグネットケース11aおよび下側マグネットケース11bの内部に配置される勾配磁場発生部35,35は、後述する受信用コイルが検出する磁気共鳴信号に3次元の位置情報を持たせるために3系統のコイルを有する。
勾配磁場発生部35は勾配磁場駆動回路3に接続され、勾配磁場駆動回路3からの駆動信号に応じた勾配磁場を発生する。
【0018】
MRI装置100は、静磁場および勾配磁場が印加される被検体PTの被検部位に対して回転磁場を印加するための送信コイル37を有する。回転磁場は、被検部位の原子核のスピンをその中心軸を傾けて回転させるためのRF(Radio Frequency)帯の磁場である。
送信コイル37は、たとえば、マグネットケース11a,11bの内部に収容される。
送信コイル37はRF電力増幅器4に接続され、RF電力増幅器4から供給される電力に応じた回転磁場を被検部位に印加する。
【0019】
また、MRI装置100は、静磁場および勾配磁場中の被検部位への回転磁場の印加によるエコーとして発生する被検部位からの磁気共鳴信号を検出するための受信コイル39を有する。受信コイルとしては、たとえば、被検体PTの頭部や腹部や肩等の被検部位を部分的に覆うような専用のコイルを用いる。
受信コイル39は前置増幅器5に接続され、受信コイル39が検出した磁気共鳴信号が、前置増幅器5によって増幅される。
【0020】
シーケンス記憶回路8は、勾配磁場駆動回路3と、ゲート変調回路9と、A/D変換器11と、計算機7の後述する制御部21とに接続されている。
ゲート変調回路9は、RF電力増幅器4とRF発振回路10とにさらに接続されている。RF発振回路10は、前記増幅器5およびA/D変換器11に接続される位相検波器12にさらに接続される。
【0021】
シーケンス記憶回路8は、制御部21が生成した磁気共鳴画像取得のためのパルスシーケンスを記憶し、制御部21から撮影指令信号が入力されたときには記憶したパルスシーケンスに応じて勾配磁場駆動回路3、ゲート変調回路9およびA/D変換器11を駆動制御する。
【0022】
勾配磁場駆動回路3は、シーケンス記憶回路8からの制御に応じて、所定のパルス波形で勾配磁場発生部35を駆動する駆動信号を勾配磁場発生部35に出力する。
RF発振回路10は、所定周波数のRF信号を生成してゲート変調回路9および位相検波器12に出力する。ゲート変調回路9は、シーケンス記憶回路8からの制御を基に所定のタイミングでRF発振回路10からのRF信号を変調し、所定の波形のRF励起パルス信号を、RF電力増幅器4を介して送信コイル37に印加する。
【0023】
位相検波器12は、RF発振回路10から出力されるRF信号を参照信号とし、前置増幅器5からの出力信号(受信コイル39によって検出され、前置増幅器5により増幅された磁気共鳴信号)を位相検波したのちにA/D変換器11に出力する。A/D変換器11は、シーケンス記憶回路8からの制御に基づいて、位相検波器12による位相検波後のアナログ信号をデジタル信号に変換し、計算機7の処理部23に出力する。
【0024】
計算機7は、図1に示すように構成要素として制御部21、処理部23、温度推定部25および判断部27を有する。温度推定部25を、以下では単に推定部25と記述する場合もある。計算機7を構成するCPU(Central Processing Unit)等のハードウェアは、1つのハードウェアによって実現してもよいし、上記構成要素に対して適宜ハードウェアを割り当ててもよい。
A/D変換器11に接続される処理部23が制御部21に接続される。
また、制御部21は、推定部25および判断部27にも接続している。推定部25と判断部27とがさらに接続される。
また、たとえばRAM(Random Access Memory)やハードディスクドライブによって実現される記憶部30が、制御部21、推定部25および判断部27から適宜アクセスされるようになっている。
さらに、制御部21には、たとえばキーボードやマウスによって実現され、オペレータの操作に応じた信号を制御部21に出力するための操作コンソール13と、テレビモニター等の表示装置14とが接続される。
【0025】
処理部23は、A/D変換器11から送信されたデジタルデータに対して演算処理や画像処理等の所定の処理を施し、磁気共鳴画像を生成する。処理部23が生成した磁気共鳴画像は、制御部21を介して記憶部30に記憶される。
記憶部30には、磁気共鳴画像の他に、勾配磁場発生部35に関する直流抵抗、熱容量、放熱量の値等のパラメータも予め記憶されている。
【0026】
詳しくは後述するが、推定部25は記憶部30から読み出した上記パラメータと制御部21から送信されるパルスシーケンスの情報とに基づいて、勾配磁場発生部35の発熱量および温度上昇量の推定値を計算し、得られた推定値を判断部27に送信する。
判断部27は、推定部25からの推定値が所定の閾値を越えているか否かを判断し、判断結果を制御部21に送信する。前述の閾値は、たとえば、記憶部30に予め記憶させておく。オペレータの操作により、この閾値の値を変化させることも可能である。
【0027】
制御部21は、推定部25が計算した推定値が閾値を越えているという判断結果が判断部27から送信されてきたときには、その旨を報知する警告をたとえば表示装置14に表示させる。
また、制御部21は、処理部23が生成した画像および記憶部30に記憶させていた画像を適宜表示装置14に表示させる。
さらに、制御部21は操作コンソール13を介してオペレータから入力される種々の設定値に基づいて、所定位置の被検部位の撮影時間や撮影画像の種類を規定するパルスシーケンスを生成する。なお、撮影画像の種類は、たとえば、被検部位のどの断面を撮影するか、どの組織を強調するか等の設定により変化する。
制御部21は、生成したパルスシーケンスの情報を、シーケンス記憶回路8および推定部25に出力する。
制御部21は、出力したパルスシーケンスを実行させる制御指令をシーケンス記憶回路8に出力する前に、推定部25に勾配磁場発生部35の温度上昇量を推定させる。
【0028】
図1に示す、本発明の第1実施形態に係るMRI装置100の動作について、図3および図4を参照しながら述べる。
図3は、制御部21が生成するパルスシーケンスの一例を示すパルスシーケンス図であり、図4は、MRI装置100における温度情報作成の手順および作成した温度情報を用いた撮影の手順を示すフローチャートである。
【0029】
撮影に際しては、まず、オペレータはMRI装置100が実行すべきパルスシーケンスを制御部21に生成させる。このとき、オペレータはパルスシーケンスにおける繰返し時間TRを適宜設定する(ステップST1)。
【0030】
以下に詳細を述べる。図3の横軸は経過時間tを表わしており、各グラフは、図3の上から順にRF励起パルス送信シーケンスRF、スライス選択勾配磁場信号送信シーケンスG_slice、位相エンコード勾配磁場信号送信シーケンスG_phase、読み取り勾配磁場信号送信シーケンスG_read、磁気共鳴信号発生シーケンスSignalである。
【0031】
シーケンスRFは、ゲート変調回路9がRF電力増幅器4を介して送信コイル37に印加するRF励起パルス信号50の波形を示している。
シーケンスG_sliceは、被検部位の撮影スライスの選択に用いる勾配磁場を発生させるために勾配磁場駆動回路3が勾配磁場発生部35に印加するスライス選択勾配磁場信号51の波形を表わしている。
シーケンスG_phaseは、被検体の位相方向の位置情報のエンコーディングに用いる勾配磁場を発生させるために勾配磁場駆動回路3が勾配磁場発生部35に印加する位相エンコード勾配磁場信号52の波形を表わしている。
シーケンスG_readは、RF励起パルス信号50に基づく回転磁場が送信コイル37により印加された被検部位から磁気共鳴信号54を放出させる勾配磁場を発生させるために、勾配磁場駆動回路3が勾配磁場発生部35に印加する読み取り勾配磁場信号53の波形を表わしている。
シーケンスSignalは、被検部位から放出される磁気共鳴信号54を表わしている。
【0032】
本発明において勾配磁場発生部35に印加される駆動信号の一実施態様が、スライス選択勾配磁場信号51、位相エンコード勾配磁場信号52および読み取り勾配磁場信号53に相当する。
前述のように勾配磁場発生部35には3系統のコイルが存在する。しかし、3系統のコイルの組み合わせにより1つの勾配磁場が形成されるため、以下では、上記の各駆動信号は勾配磁場発生部35が全体として発生する勾配磁場のスライス選択成分、位相エンコーディング成分および読み取り成分をそれぞれ規定する信号であると考える。
【0033】
図3に示すように、RF励起パルス信号50の1つのパルスの中心からこのRF励起パルス信号50により発生する磁気共鳴信号54の中心までをエコー時間TEと言う。また、RF励起パルス信号50の1つのパルスの中心から次のパルスの中心までの時間を繰返し時間TRと言う。
【0034】
RF励起パルス信号50、スライス選択勾配磁場信号51、位相エンコード勾配磁場信号52および読み取り勾配磁場信号53の波形は、たとえば、グラディエントエコー法やスピンエコー法等のどのような撮影方法を用いて磁気共鳴信号54を得るかによって異なる。撮影に際して、オペレータはどのような撮影方法によって撮影を行なうかを、操作コンソール13を介して制御部21に指示する。このとき、繰返し時間TRは、オペレータが適宜設定することができる。オペレータは、繰返し時間TRについても、制御部21に指示を与えて設定する。
【0035】
オペレータが指示する撮影方法のパルスシーケンスの基本パターンは、たとえば、記憶部30に予め記憶させておく。制御部21は、オペレータから指示された撮影方法に対応するパルスシーケンスの基本パターンを記憶部30から呼び出し、この基本パターンと設定された繰返し時間TRとを用いて、撮影のためのパルスシーケンスを生成する。
たとえば、1枚の断層画像を得ることを1スキャンと言う。1スキャン中には、撮影方法に応じて繰返し時間TRが所定回数含まれる。
【0036】
撮影において図3に示すようなスライス選択勾配磁場信号51、位相エンコード勾配磁場信号52および読み取り勾配磁場信号53によって規定される電流が勾配磁場発生部35に実際に印加されると、勾配磁場発生部35からは熱が発生する。勾配磁場発生部35の発熱は勾配磁場発生部35の性能や撮影環境に影響を及ぼすため、発熱を所定の範囲内に抑えることが好ましい。本実施形態においては、撮影時間内における勾配磁場発生部35の温度上昇が所定の範囲内に抑まるか否かを判断するために、勾配磁場発生部35の温度上昇量を予め推定する。
【0037】
制御部21は、生成したパルスシーケンスを実行させる撮影指令信号をシーケンス記憶回路8に送信する前に、勾配磁場発生部35の温度上昇量を推定させる指令信号を温度推定部25に出力する。
推定部25は、以下に詳述するモデルに基づいて計算を行ない、温度上昇量の推定値を算出する。以下に述べる温度上昇量の推定モデルは計算を簡単化および高速化するためにある程度簡単化したモデルであるが、以下に述べるモデル以外のモデルに基づいて温度上昇量を計算してもよい。
【0038】
推定部25における処理について簡単に述べると、推定部25は生成されたパルスシーケンスの開始から終了までに勾配磁場発生部35の全ての勾配コイルに流れる電流に基づく発熱量を計算し、単位時間当たりの放熱量に基づき勾配磁場発生部35におけるパルスシーケンス開始から終了までの放熱量を計算し、得られた発熱量から放熱量を引いて求めた熱量から、パルスシーケンス終了時の温度上昇量を求める。
【0039】
温度上昇量の推定値計算のために、推定部25は推定モデルにおいて用いる勾配磁場発生部35の直流抵抗R、勾配磁場発生部35の定容熱容量C、勾配磁場発生部35からの単位時間当たりの放熱量Qc等のパラメータを記憶部30から呼出す(ステップST2)。
直流抵抗R、熱容量C、放熱量Qcは、たとえば、実験により予め測定して入手しておくことが可能である。本実施形態においては、単位時間当たりの放熱量Qcは所定の定数であるとする。
【0040】
上記各種パラメータを呼出した後に、推定部25は以下の推定モデルに基づいて勾配磁場発生部35の温度上昇量の推定値ΔTを計算する(ステップST3)。
熱力学第一法則に基づくと、まず、勾配磁場発生部35の内部エネルギーの変化ΔUは、勾配電流により勾配磁場発生部35に与えられる仕事量(発熱量)ΔWと、スキャン中の放熱により勾配磁場発生部35から除去される熱量Qctとにより、下記式(1)で表わされる。
【0041】
【数5】
ΔU=ΔW−Qct…(1)
【0042】
ここで、勾配電流とは、図3に示すスライス選択勾配磁場信号51、位相エンコード勾配磁場信号52および読み取り勾配磁場信号53に基づいて勾配磁場発生部35に印加される電流を意味する。
また、スキャン中の放熱としては、自然放熱や、空冷、水冷等の冷却による放熱がある。
【0043】
1スキャンにより推定値ΔTだけ勾配磁場発生部35が温度上昇したとすると、勾配磁場発生部35からの発熱量ΔQは、下記式(2)によって表わすことができる。
【0044】
【数6】
ΔQ=C・ΔT…(2)
【0045】
内部エネルギーの変化ΔUが全て発熱になると仮定すると、式(1)は式(2)から下記式(3)となる。
【0046】
【数7】
C・ΔT=ΔW−Qct…(3)
【0047】
式(3)から、スキャン後の勾配磁場発生部35の温度上昇量の推定値ΔTを、下記式(4)のように求めることができる。
【0048】
【数8】
ΔT=(ΔW−Qct)/C…(4)
【0049】
上式(4)におけるΔWおよびQctは、それぞれ下記式(5),(6)により求めることができる。
【0050】
【数9】
ΔW=Iave2・R・Tscan…(5)
Qct=Qc・Tscan…(6)
【0051】
ここで、前述したが、記号Rは勾配磁場発生部35の直流抵抗を表わし、記号Qcは勾配磁場発生部35からの単位時間当たりの放熱量を表わす。上式(5),(6)におけるスキャン時間Tscanは、制御部21が生成したパルスシーケンスから算出することができる。また、Iaveはスキャン時の勾配磁場発生部35に流れる平均電流であり、勾配磁場発生部35に流れる電流の変化を表わす関数Ig(t)と繰返し時間TRとにより下記式(7)を用いて計算することができる。
【0052】
【数10】
【0053】
関数Ig(t)は、スライス選択勾配磁場信号51、位相エンコード勾配磁場信号52および読み取り勾配磁場信号53の波形によって決まり、たとえば、これらの信号51〜53の波形を表わす関数の合成関数を関数Ig(t)として用いることができる。
式(7)を代入した式(5)と、式(6)とを式(4)に代入することにより、推定値ΔTは最終的に下記式(8)を用いて計算することができる。
【0054】
【数11】
【0055】
式(8)を用いて推定値ΔTを計算後、推定部25は算出した推定値ΔTのデータを判断部27に送信する。
判断部27は、予め定められている所定の閾値を記憶部30から呼出し、推定部25から受信した推定値ΔTがこの閾値を越えているか否かを判断し、判断結果を制御部21に送信する(ステップST4)。
【0056】
第1実施形態における閾値を閾値S1とする。推定値ΔTが閾値S1以下であるとの判断結果が判断部27から送信されてきた場合には、制御部21はシーケンス記憶回路に指令信号を出力し、記憶させたパルスシーケンスに従ってスキャンを実行させる(ステップST5)。
【0057】
推定値ΔTが閾値S1よりも大きいとの判断結果が判断部27から送信されてきた場合には、たとえば、制御部21は推定値ΔTが閾値S1を越えることをオペレータに報知する警告表示を表示装置14に表示させる(ステップST6)。
警告は、表示装置14における表示に限らず、たとえば、図示しないスピーカーから警告音を発生させて報知するようにしてもよい。
【0058】
繰返し時間TRを変更することにより推定値ΔTの値は変化するため、ステップST4において推定値ΔTが閾値S1を越えていたと判断された場合には、制御部21は繰返し時間TRを再設定する状態にし、オペレータは繰返し時間TRを再設定する(ステップST7)。
繰返し時間TRの再設定後にはステップST3に戻り、推定部25は新たに設定された繰返し時間TRに基づいて推定値ΔTを再び計算する。
以上のステップは、スキャンが実行されるまで繰返される。
【0059】
以上のように、第1実施形態においては、スキャンを実行する前に、勾配磁場発生部35の温度上昇量を予め推定する。このため、温度上昇量の推定値が所定の範囲内に抑えられるようにスキャンのパルスシーケンスを設定することができる。温度上昇量が所定範囲内に抑えられるパルスシーケンスにより実行するスキャンにおいては、温度を下げるためにスキャンを途中で停止する必要がなく、スキャン時間や採取したデータに無駄が生じない。
配磁場発生部35の温度上昇量は、予め入手した勾配磁場発生部35およびMRI装置100等のハードウェアの特性を用いて推定計算するため、推定のためにハードウェアに特別な変更を施す必要がない。
【0060】
また、本実施形態において用いる温度上昇量の推定値ΔTの計算式(8)はスキャン時間に対応したものであるため、平均電流Iaveが大きくともスキャン時間Tscanが短ければ温度上昇量は小さく推定される傾向にある。
これにより、従来は下記式(9)のようにデューティ・サイクルという概念により規定していた繰返し時間TRの制限値TRmin以下の繰返し時間TRを設定できるようになる。その結果、勾配磁場発生部35の能力を活用して、平均電流Iaveがある程度大きく、かつ、スキャン時間Tscanが短いスキャンを実行することができるようになる。
【0061】
【数12】
【0062】
式(9)において、時間Tseqはパルスシーケンスの中で勾配磁場が存在する区間の時間であり、たとえば、図3に示す時間Tseq1と時間Tseq2との和が時間Tseqとなる。また、式(9)における平均電流Idutyは、Wduty=(Iave)2/(Imax)2 により規定するデューティ・サイクルWdutyの値を越えないように制限した平均電流の値である。ここで、勾配電流Imaxは、勾配磁場の最大振幅を与える電流を意味する。
【0063】
第2実施形態
第1実施形態においては、駆動による勾配磁場発生部35の温度上昇量の推定値ΔTに基づいて警告を報知していた。以下に述べる第2実施形態においては、被検体PTの周囲の実際の雰囲気の温度を推定する。
そのために、第2実施形態に係るMRI装置200は、図5に示すように温度センサー40を有する。MRI装置200のその他の構成は第1実施形態に係るMRI装置100と同じであるため、同一構成要素には同一符号を付し、詳細な記述は省略する。
【0064】
本発明における温度測定手段の一実施態様が、温度センサー40である。温度センサー40としては、たとえば、熱電対やサーミスタを用いる。
温度センサー40は、たとえば、マグネットアセンブリ1の筐体BDの撮影空間94に連通する位置に設置される。これにより、温度センサー40は撮影空間94に搬入された被検体PTの周囲の雰囲気温度を測定する。
温度センサー40による雰囲気の測定温度Tは、たとえば、スキャンを実行しているか否かに関わらず常に制御部21に送信されるようにする。
【0065】
図6は、MRI装置200における温度情報作成の手順および作成した温度情報を用いた撮影の手順を示すフローチャートである。ただし、図6のフローチャートにおけるステップST1,2およびステップST4〜7は第1実施形態に係る図4のフローチャートの場合とほぼ同じであるため、詳細な記述は省略する。
【0066】
第2実施形態においては、たとえばステップST2の終了後に、推定部25は制御部21から温度センサー40による測定温度Tを入手する(ステップST2A)。
推定部25は、入手した測定温度Tを用いて、スキャン後の雰囲気温度の推定値(T+ΔT)を計算する(ステップST3A)。
ステップST3Aにおける勾配磁場発生部35の温度上昇量の推定値ΔTは、第1実施形態と同様に式(8)によって計算する。
【0067】
第2実施形態における閾値を閾値S2とすると、雰囲気温度推定値(T+ΔT)が閾値S2を越えているか否かをステップST4において判断し、ステップST5以下のステップに進む。
図6においては測定温度Tの入手の時点から繰返し時間TRの再設定の間に測定温度Tの値はほとんど変化しないと仮定してステップST7からステップST3Aへ戻っている。しかし、ステップST2Aへ戻り、できるだけ新しい測定温度Tの値を使用して雰囲気温度推定値(T+ΔT)を計算するようにしてもよい。
【0068】
以上のように、第2実施形態においては温度センサー40による測定温度Tを利用して被検体PTの周囲の雰囲気温度の推定値(T+ΔT)を計算する。このため、被検体PTの周囲の温度をより正確に推定することが可能になる。その結果、 第1実施形態における効果に加えて、MRI装置200をより細かく駆動制御することが可能になる。たとえば、測定温度Tが比較的高い場合には、勾配磁場発生部35の温度上昇量が比較的高くなると推定されるスキャンの実行を防止し、被検体PTが感じる温度を所定の範囲内に抑えることが可能になる。また、測定温度Tが比較的低い場合には、勾配磁場発生部35の能力を十分に活用したスキャンを実行することができるようになる。
【0069】
変形形態
第1、第2実施形態においては単位時間当たりの放熱量Qcを定数であるとしていたが、放熱量Qcの値を条件に応じたマップとして予め複数個記憶させておいてもよい。記憶部30が、この放熱量Qcのマップを記憶する。
【0070】
勾配磁場発生部35からの単位時間当たりの放熱量Qcは、勾配磁場発生部35およびその雰囲気温度と相関関係を有している。このため、第1実施形態に係るMRI装置100においては、たとえば、スキャンの繰返し回数に応じてマップから選択した放熱量Qcの値を用いて推定部25が推定値ΔTを計算する形態にすれば、より高精度に推定値ΔTを計算することができる。
第2実施形態に係るMRI装置200においては、たとえば、温度センサー40による測定温度Tに応じて推定部25が放熱量Qcの値をマップから選択して推定値ΔTを計算する形態にすれば、より高精度な推定値ΔTの計算が可能になる。
【0071】
以上のように、上記の変形形態によれば、推定値ΔTまたは雰囲気温度推定値(T+ΔT)の計算結果がより高精度になる。
その結果、MRI装置100またはMRI装置200を、さらに細かく駆動制御することが可能になる。
【0072】
なお、本発明は上記の実施形態および図面の記載に関わらず、特許請求の範囲内において適宜変更可能である。
たとえば、上記実施形態においては勾配磁場発生部35の3系統のコイルをまとめて取り扱ったが、3系統のコイルの個々のコイルについてそれぞれ温度上昇量の推定値ΔTを計算してもよい。
また、図2には撮影空間94の大部分が開放されているいわゆるオープンタイプのマグネットアセンブリを示したが、撮影空間が円筒形状をしており端部のみが開放されているいわゆるシリンドリカルタイプのマグネットアセンブリにも本発明は適用可能である。
【0073】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、勾配磁場発生部の能力を十分に活用して撮影を行なうことができる磁気共鳴撮影装置を提供することができる。
また、本発明によれば、磁気共鳴撮影装置の勾配磁場発生部の能力を十分に活用して撮影を行なわせるための温度情報生成方法を提供することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態に係るMRI装置の概略構成を示すブロック図である。
【図2】図1に示すMRI装置のマグネットアセンブリの外観を示す斜視図である。
【図3】図1に示すMRI装置の制御部が生成するパルスシーケンスの一例を示す図である。
【図4】本発明の第1実施形態に係る温度情報作成の手順および作成した温度情報を用いた撮影の手順を示すフローチャートである。
【図5】本発明の第2実施形態に係るMRI装置の概略構成を示すブロック図である。
【図6】本発明の第2実施形態に係る温度情報作成の手順および作成した温度情報を用いた撮影の手順を示すフローチャートである。
【符号の説明】
1……マグネットアセンブリ、21…制御部、23…処理部、25…推定部、27…判断部、30…記憶部、32…主磁場発生部、35…勾配磁場発生部、37…送信コイル、39…受信コイル、40…温度センサー、Iave…平均電流値、TR…繰返し時間、Qc…放熱量、Tscan…撮影時間
Claims (8)
- 被検体からの磁気共鳴信号に基づいて前記被検体の被検部位を撮影する磁気共鳴撮影装置であって、
前記磁気共鳴信号に位置情報を付与するための勾配磁場を発生する勾配磁場発生部と、
前記勾配磁場の発生により温度上昇する前記勾配磁場発生部の温度上昇量を予め推定し推定値を出力する温度推定部と、
前記推定値が所定の閾値を越えているか否かを判断する判断部とを有し、
前記温度推定部は、前記勾配磁場の発生のために前記勾配磁場発生部に印加される駆動信号の波形に基づく前記勾配磁場発生部に流れる平均電流値と、前記勾配磁場発生部の直流抵抗と、前記勾配磁場発生部の熱容量と、前記勾配磁場発生部からの放熱量と、前記被検部位の撮影に要する撮影時間とに基づいて前記推定値を推定し、
所定の条件に応じた複数の前記放熱量の値をマップとして記憶する記憶部をさらに有し、
前記温度推定部は、前記マップを用いて前記推定値を推定する
磁気共鳴撮影装置。 - 前記被検体の周囲の所定の位置の温度を測定する温度測定手段をさらに有し、
前記温度推定部は、前記温度測定手段による測定値と前記推定値とに基づいて雰囲気温度推定値を予め計算して出力し、
前記判断部は、前記温度推定部から出力された前記雰囲気温度推定値が所定の閾値を越えているか否かを判断する
請求項1又は請求項2に記載の磁気共鳴撮影装置。 - 前記温度推定部からの出力が前記閾値を越えていることを警告する警告手段を有する
請求項1〜3のいずれかに記載の磁気共鳴撮影装置。 - 被検体からの磁気共鳴信号に位置情報を付与するための勾配磁場を発生し該勾配磁場の発生により温度上昇する勾配磁場発生部の温度上昇量を予め推定し推定値を計算する推定ステップと、
前記推定値が所定の閾値を越えているか否かを判断する判断ステップと有し、
前記推定ステップにおいて、前記勾配磁場の発生のために前記勾配磁場発生部に印加される駆動信号の波形に基づく前記勾配磁場発生部に流れる平均電流値と、前記勾配磁場発生部の直流抵抗と、前記勾配磁場発生部の熱容量と、前記勾配磁場発生部からの放熱量と、前記磁気共鳴信号に基づく前記被検体の被検部位の撮影に要する撮影時間とに基づいて前記推定値を計算し、
さらに、前記推定ステップにおいて、所定の条件に応じて予め規定した複数の前記放熱量の値から前記条件に応じた値を用いて前記推定値を計算する
温度情報生成方法。 - 前記被検体の周囲の所定の位置の温度を測定し測定値を検出する測定ステップをさらに有し、
前記推定ステップにおいて前記測定値と前記推定値とに基づいて雰囲気温度推定値を予め計算し、
前記判断ステップにおいて前記雰囲気温度推定値が所定の閾値を越えているか否かを判断する
請求項5又は請求項6に記載の温度情報生成方法。 - 前記判断ステップにおいて前記推定ステップにおける計算結果が前記閾値を越えていると判断された場合には警告を報知する警告ステップをさらに有する
請求項5〜7のいずれかに記載の温度情報生成方法。
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