JP4284781B2

JP4284781B2 - Ｍｓｍ型フォトダイオード

Info

Publication number: JP4284781B2
Application number: JP28481299A
Authority: JP
Inventors: 康之三宅; 浩一星野
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 1999-10-05
Filing date: 1999-10-05
Publication date: 2009-06-24
Anticipated expiration: 2019-10-05
Also published as: JP2001111097A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体受光装置に係り、詳しくは、半導体上にショットキー金属を積層し、ショットキー接合構造を形成した、いわゆるＭＳＭ（金属−半導体−金属）型フォトダイオードに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
大容量通信技術の発展とともに光・電気変換デバイスである受光素子に、光に対して高速応答性の要求が高くなってきているが、半導体上にカソード電極とアノード電極を配置し、ショットキー接合を利用して動作させる、いわゆるＭＳＭ型フォトダイオードは、比較的静電容量が小さいため、ＣＲ時定数による応答速度の律則が小さく、注目されている受光素子である。
【０００３】
ＭＳＭ型フォトダイオードでは、その光応答性を向上するために、隣接する電極間の距離を狭め、キャリアの走行時間を小さくしている（特開平７−１６２０２８号公報）。
【０００４】
しかしながら、電極の間隔を縮小する微細加工技術には限界があり、現在の技術では再現性が低いという問題があった。つまり、電極の微細加工技術の限界に伴い光応答速度が律則されていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、この発明の目的は、新規な構成による光応答性に優れたＭＳＭ型フォトダイオードを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
従来のＭＳＭ型フォトダイオードにおいてショットキー電極から下方に離れた層（位置）で生成したキャリアは電極付近で生成したものと比較すると電極まで到達するのに時間がかかるため、下方で生成したキャリアは効率よく外部回路に取り出せず電流が少なかった。これに対し、請求項１に記載の発明によれば、ｎ型半導体層の下に挿入した応答性向上用半導体層において、光吸収によって生じたキャリアが、移動度が高く、かつ不純物によるキャリアの散乱の少ない状態で移動するため、光応答性に優れたものとなる。さらに、応答性向上用半導体層の下に挿入したｐ型半導体層において、伝導帯のエネルギーポテンシャルに傾斜が加えられ、応答性向上用半導体層に拡散する時間を低減することができる。つまり、従来のＭＳＭ型フォトダイオードと比較すると、光に対する応答速度の向上（受光感度の増大）が期待できる。
【００１４】
請求項２に記載のように、アノード側に、受光回路形成用のスタブおよび高周波伝送線路からなる整合回路を接続すると、外部に所望の周波数を持つ電気信号を取りだすことができる。
【００１５】
一方、基板全面に光反射を防止する膜を形成して感度をあげようとすると、一般的に半導体に光を照射すると抵抗が小さくなるが、半導体受光回路において、ＭＳＭ型フォトダイオード部分以外に光が照射されてしまうと、回路素子（例えば、抵抗成分）の特性を変化させてしまい、半導体受光回路から出力される電波信号の雑音となる。
【００１６】
そこで、請求項３に記載のように、基板の表面におけるＭＳＭ型フォトダイオード形成領域のみに反射防止膜を形成することによって、出力信号の雑音を低減することができる。つまり、ＭＳＭ型フォトダイオード以外の部分は空気と基板の屈折率差により、入射光を反射させる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
（第１の実施の形態）
以下、この発明を具体化した第１の実施の形態を図面に従って説明する。
【００１８】
図１には、本実施形態におけるＭＳＭ型フォトダイオードの断面構造を示す。
半絶縁性ＩｎＰ基板１上に、ｉ−Ｉｎ_0.52Ａｌ_0.48Ａｓバッファ層２が積層され、その上にｉ−Ｉｎ_0.80Ｇａ_0.20Ａｓキャリア走行層３が積層されている。また、キャリア走行層３上には光吸収層となるショットキーコンタクト層４が形成されている。このショットキーコンタクト層４は、ｎ型不純物をドーピングしたｎ型Ｉｎ_0.53Ｇａ_0.47Ａｓから構成されている。ＩｎＰ基板１上の各層２，３，４，５はエピタキシャル成長法により積層したものである。
【００１９】
ショットキーコンタクト層４上にはアノード電極５とカソード電極６が配置され、電極５，６はショットキー接触している。アノード電極５とカソード電極６はＴｉ／Ｐｔ／Ａｕによって構成されている。
【００２０】
このように、本ＭＳＭ型フォトダイオードは、ＩｎＰ基板１の上に、ｎ型半導体層としてのショットキーコンタクト層（光吸収層）４が積層されるとともに、このショットキーコンタクト層４の上に接するようにショットキー接合を有するショットキー金属（アノード・カソード電極）５，６が配置され、さらに、ショットキーコンタクト層４の下にはキャリア走行層３を挿入した構造となっている。
【００２１】
図２には、本ＭＳＭ型フォトダイオードの断面でのバンドダイアグラムを示す。図２において、ｉ−Ｉｎ_0.80Ｇａ_0.20Ａｓキャリア走行層３とｎ−Ｉｎ_0.53Ｇａ_0.47Ａｓショットキーコンタクト層４を比較すると、ｉ−Ｉｎ_0.80Ｇａ_0.20Ａｓキャリア走行層３の方が禁制帯幅（バンドギャップ）Ｅｇが狭い（Ｅｇ１＜Ｅｇ２）。つまり、電子親和力が大きい。
【００２２】
そして、例えば、図１の上方から波長が１．５５μｍの赤外光を照射すると、その光がショットキーコンタクト層４とキャリア走行層（電子走行層）３において吸収される。このとき、図２に示すように、Ｉｎ_0.80Ｇａ_0.20Ａｓの方が、Ｉｎ_0.53Ｇａ_0.47Ａｓに比べバンドギャップＥｇが狭いため（電子親和力が大きいため）、ショットキーコンタクト層４で生成した電子はＩｎ_0.80Ｇａ_0.20Ａｓ層３に拡散する。そして、アノード・カソード電極５，６間に生成したキャリアはＩｎ_0.80Ｇａ_0.20Ａｓ層３を走行する。このＩｎ_0.80Ｇａ_0.20Ａｓ層３は電子移動度がＩｎ_0.53Ｇａ_0.47Ａｓと比較すると高く、また、不純物によるキャリアの散乱が少ない。そのため、同層３を挿入しないときより、光に対する応答速度が向上する。
【００２３】
このように、本実施の形態は下記の特徴を有する。
（イ）光吸収層となるｎ型半導体層（ショットキーコンタクト層）４の下に、この層４よりも禁制帯幅が狭く、かつノンドープで電子移動度が高いキャリア走行層（応答性向上用半導体層）３を挿入したので、この層３において、光吸収によって生じたキャリアが、移動度が高く、かつ不純物によるキャリアの散乱の少ない状態で移動する。よって、光応答性に優れたものとなる。
（ロ）ｎ型半導体層４にＩｎ_0.53Ｇａ_0.47Ａｓを用いるとともに、応答性向上用半導体層３にＩｎ_0.80Ｇａ_0.20Ａｓを用いたので、波長が１．５５μｍの赤外光を照射した際に、光応答性に優れたものとなる。
（第２の実施の形態）
次に、第２の実施の形態を、第１の実施の形態との相違点を中心に説明する。
【００２４】
図３には、本実施形態におけるＭＳＭ型フォトダイオードの断面構造を示す。図４には断面でのバンドダイアグラムを示す。
半絶縁性ＩｎＰ基板１上に、ｉ−Ｉｎ_0.52Ａｌ_0.48Ａｓバッファ層２、例えばベリリウムをドーピングしたｐ型Ｉｎ_0.53Ｇａ_0.47Ａｓ光吸収層１０、ｉ−Ｉｎ_0.80Ｇａ_0.20Ａｓキャリア走行層３、例えばシリコンをドーピングしたｎ型Ｉｎ_0.53Ｇａ_0.47Ａｓショットキーコンタクト層４が順に積層されている。
【００２５】
ショットキーコンタクト層４の上には、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ等よりなるアノード電極５とカソード電極６が形成されている。
そして、例えば、図３の上方から波長が１．５５μｍの赤外光を照射すると、その光がショットキーコンタクト層４とキャリア走行層３およびｐ型光吸収層１０で吸収される。
【００２６】
ｐ型層１０において生成した電子は、図４に示す如く、伝導帯の底のエネルギーＥｃの傾斜によって、キャリア走行層３に拡散する。また、ショットキーコンタクト層４において生成したキャリアも、前述したようにキャリア走行層３の電子親和力が大きいために、同層３に拡散する。その結果、ドーピング不純物が存在せず、かつ、電子移動度が高い層３においてキャリアが走行するため、光に対する応答速度が高くなる。
【００２７】
また、半導体表面に形成したカソードおよびアノード電極５，６から、成膜方向に離れた層１０において生成した電子がキャリア走行層３に拡散する割合が伝導帯の底のエネルギーＥｃの傾斜によって増加するため、受光感度が増大する。
【００２８】
このように、本実施の形態は下記の特徴を有する。
（イ）第１の実施形態と同様に、ｎ型半導体層（ショットキーコンタクト層）４の下に、この層４よりも禁制帯幅が狭く、かつノンドープで電子移動度が高いキャリア走行層（応答性向上用半導体層）３を挿入し、さらに本例ではその下にｐ型半導体層（光吸収層）１０を挿入したので、応答性向上用半導体層３による効果に加え、伝導帯のエネルギーポテンシャルに傾斜が加えられ、応答性向上用半導体層３に拡散する時間を低減することができる。つまり、従来のＭＳＭ型フォトダイオードと比較すると、光に対する応答速度の向上（受光感度の増大）が期待できる。
（第３の実施の形態）
次に、第３の実施の形態を、第１の実施の形態との相違点を中心に説明する。
【００２９】
図５には、本実施形態におけるＭＳＭ型フォトダイオードの断面構造を示す。図６には断面でのバンドダイアグラムを示す。
図５の半絶縁性ＩｎＰ基板１上に、ｉ−Ｉｎ_0.52Ａｌ_0.48Ａｓバッファ層２、多重量子井戸層２０、ｎ型Ｉｎ_0.53Ｇａ_0.47Ａｓショットキーコンタクト層４が順に積層されている。多重量子井戸層２０は、図６のごとく、井戸層としてのｉ−Ｉｎ_0.80Ｇａ_0.20Ａｓ層と、障壁層としてのｉ−Ｉｎ_0.52Ａｌ_0.48Ａｓを交互に積層したものである。Ｉｎ_0.80Ｇａ_0.20Ａｓ層（井戸層）はｎ型Ｉｎ_0.53Ｇａ_0.47Ａｓショットキーコンタクト層４よりも禁制帯幅が狭い（Ｅｇ１０＜Ｅｇ１１）。
【００３０】
よって、多重量子井戸層２０の井戸層において光吸収によって生じたキャリアが、移動度が高く、かつ不純物によるキャリアの散乱の少ない状態で移動するので、光応答性に優れる。また、多重量子井戸構造によってキャリアの状態密度を上昇させ、キャリアの有効質量を低下させ、かつ吸収係数の増大を図ることによって受光感度を向上させることができる。なお、多重量子井戸層２０は、Ｉｎ_0.80Ｇａ_0.20Ａｓ層とＩｎ_0.53Ａｌ_0.47Ａｓを交互に積層したものを使用してもよい。
【００３１】
このように、本実施の形態は下記の特徴を有する。
（イ）光吸収層となるｎ型半導体層（ショットキーコンタクト層）４の下に、この層４よりも禁制帯幅が狭いノンドープ半導体層を井戸層とした多重量子井戸構造の半導体層２０を挿入した。よって、井戸層にて光吸収によって生じたキャリアが、移動度が高く、かつ不純物によるキャリアの散乱の少ない状態で移動するので、光応答性に優れたものとなる。また、多重量子井戸の障壁層の存在により正孔の有効質量を低減することができ、光応答性に優れたものとなる。さらに、励起子による光吸収を見込むことができ、そのため受光感度を向上することができる。
【００３２】
なお、図５，６では多重量子井戸構造の半導体層２０において障壁層の禁制帯幅Ｅｇ１２はｎ型半導体層４の禁制帯幅Ｅｇ１１よりも広くなっているが（Ｅｇ１２＞Ｅｇ１１）、Ｅｇ１２はＥｇ１１より小さくてもよい。
（第４の実施の形態）
次に、第４の実施の形態を、第１の実施の形態との相違点を中心に説明する。
【００３３】
図７には、本実施形態におけるＭＳＭ型フォトダイオードの断面構造を示す。図８には断面でのバンドダイアグラムを示す。
半絶縁性ＩｎＰ基板１上に、ｉ−Ｉｎ_0.52Ａｌ_0.48Ａｓバッファ層２、光吸収層３０、例えばシリコンをドーピングしたｎ型Ｉｎ_0.53Ｇａ_0.47Ａｓショットキーコンタクト層４が、順に積層されている。ショットキーコンタクト層４上には、例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ等による電極（カソード・アノード）５，６が形成されている。光吸収層３０は、Ｉｎ_1-xＧａ_xＡｓの組成をなし、図８に示すように、膜厚方向においてＧａ組成ｘを０．７０から０．２０まで連続的に変化させている。
【００３４】
Ｇａ組成ｘを０．７０から０．２０まで連続的に変化させたＩｎ_1-xＧａ_xＡｓ光吸収層３０は禁制帯幅がショットキーコンタクト層４よりも狭く（Ｅｇ２０＜Ｅｇ２１）、かつ、ショットキーコンタクト層４に近づくにつれて小さくなっている。換言すれば、Ｉｎ_1-xＧａ_xＡｓ光吸収層３０の電子親和力はｎ型半導体層４に近づくにしたがって大きくなっている。そのため、表面電極５，６との距離が長いＩｎ_1-xＧａ_xＡｓ光吸収層３０で生成した電子は、古典的に考えると、伝導帯の傾斜に沿ってショットキーコンタクト層４との境界付近に集まる。つまり、電極５，６から離れた位置で生成したキャリアも効率良く電極５，６に取り出すことができ、受光感度が向上する。また、ショットキーコンタクト層４との境界付近の電子移動度が高いために、光に対する高速応答性に優れている。
【００３５】
このように、本実施の形態は下記の特徴を有する。
（イ）ｎ型半導体層（ショットキーコンタクト層）４の下に、この層４よりも禁制帯幅が狭く、かつ禁制帯幅がＩｎＰ基板１側に向かって広がっている半導体層（光吸収層）３０を挿入したので、伝導帯のエネルギーポテンシャルに傾斜が加えられ、ショットキーコンタクト層４と半導体層（光吸収層）３０の界面付近に拡散する時間を低減することができる。つまり、従来のＭＳＭ型フォトダイオードと比較すると、光に対する応答速度の向上（受光感度の増大）が期待できる。また、バラツキの原因となる不純物を添加しなくてもよいため、再現性のよいデバイスを構成できる。
（第５の実施の形態）
次に、第５の実施の形態を、第１の実施の形態との相違点を中心に説明する。
【００３６】
図９には、本実施形態におけるＭＳＭ型フォトダイオードの平面構造および断面構造を示す。
（００１）半絶縁性ＩｎＰ基板４０上に、Ｉｎ_1-xＧａ_xＡｓ層４１と、ｎ型Ｉｎ_0.53Ｇａ_0.47Ａｓショットキーコンタクト層４２とが順に積層されている。ここで、半絶縁性ＩｎＰ基板４０の上面には多数のＶ溝４０ａが延設されており、各々のＶ溝４０ａは直線的に延び、この各Ｖ溝４０ａが並設されている。これは、平坦なＩｎＰ基板４０の上面に対し、塩酸とりん酸の混合溶液によってＶ溝形状にエッチングすることにより形成したものである。詳しくは、ＩｎＰ基板４０上にＳｉＯ₂によって＜０１１バー＞方向に延びるストライプ形状マスクを形成することによって達成できる。このＩｎＰ基板４０の上にはＩｎ_1-xＧａ_xＡｓ層４１が積層（エピ成長）されるが、Ｖ溝４０ａの谷の部分にＩｎリッチなＩｎ_1-xＧａ_xＡｓ部（量子細線）４１ａが形成される。
【００３７】
詳しくは、前述したように、ＩｎＰ基板４０の上面にＶ溝４０ａを加工した後にＩｎ_1-xＧａ_xＡｓを積層するが、このとき、ＩｎＧａＡｓはＩｎＡｓとＧａＡｓの混晶であるが、ＩｎＡｓの方が拡散係数が大きいため、Ｉｎ_0.52Ａｌ_0.48Ａｓ層（４１）でのＶ溝形状の底部分に多く積層される。つまり、Ｖ溝形状の底には自己組織化によってＩｎリッチなＩｎ_1-xＧａ_xＡｓ部４１ａが形成される。従って、同領域（Ｖ溝の谷の部分）は左右の領域と比較すると電子親和力が大きいため、量子細線構造を形成できる。
【００３８】
このＩｎ_1-xＧａ_xＡｓ層４１上に形成されたｎ型のＩｎ_0.53Ｇａ_0.47Ａｓショットキーコンタクト層４２の上には、櫛歯状のアノード電極４３および櫛歯状のカソード電極４４が形成されている。アノードおよびカソード電極（ショットキー金属）４３，４４はショットキー接合している。また、ショットキー金属４３，４４の延設方向と量子細線４１ａの延設方向とは直交している。
【００３９】
以上のような量子細線構造を形成することによって、光吸収層内のバンド構造を変化させ、キャリア（特に正孔）の有効質量を低減し、キャリアに移動度の向上を図ることができる。従って、従来のＭＳＭ型フォトダイオードと比較すると光応答性が優れている。
【００４０】
また、励起子による光吸収が生じるため、吸収係数が増大するというメリットがある。つまり、光に高速応答性（受光感度）に優れたＭＳＭ型フォトダイオードを実現できる。
【００４１】
このように、本実施の形態は下記の特徴を有する。
（イ）ｎ型半導体層（ｎ型Ｉｎ_0.53Ｇａ_0.47Ａｓショットキーコンタクト層）４２の下に、量子細線構造の半導体層４１を挿入したので、キャリアの状態密度が上昇するとともに、キャリアの有効質量が低下し、かつ吸収係数の増大が図られることによって光応答性に優れたものとなる。
（ロ）量子細線を、Ｖ溝４０ａにおける谷の部分に形成した。つまり、光吸収層４１の下層側をエッチングによってＶ型形状にした後に、Ｉｎ_1-xＧａ_xＡｓをエピタキシャル成長することによってＩｎＡｓとＧａＡｓの間の拡散速度の差によりＶ型形状の底の部分に他の領域よりもＩｎリッチなＩｎ_1-xＧａ_xＡｓを自己組織化現象によって形成したので、該Ｉｎリッチな半導体層は他の光吸収層と比較すると禁制帯幅が狭くなるため量子細線を構成することができる。
（ハ）ショットキー金属４３，４４の延設方向と量子細線４１ａの延設方向とを直交させたので、量子細線構造のメリットを生かすことができる。
【００４２】
応用例として、図１０に示すようにオフ基板を用いてもよい。つまり、表面（上面）が水平でない基板（オフ基板）５０を用いることによって量子細線構造を作製可能である。詳しくは、オフ基板５０の上にＩｎ_1-xＧａ_xＡｓ層５１を積層する際にオフ基板５０の段差部に量子細線５１ａを形成する。そして、その上にショットキーコンタクト層（光吸収層）５２を積層する。この手法ではＶ溝構造を作製するのと比較すると簡単に量子細線構造を構成できる。
（第６の実施の形態）
次に、第６の実施の形態を、第１〜５の実施の形態との相違点を中心に説明する。
【００４３】
図１１には、本実施の形態における半導体受光回路（ＯＥＩＣ）の回路構成を示す。つまり、これまで説明してきた各ＭＳＭ型フォトダイオードを用いて高周波伝送線路による出力整合回路をモノリシックに集積化している。
【００４４】
第１〜５の実施の形態で説明してきたＭＳＭ型フォトダイオード７０に対し、アノード電極には、コプレナー型高周波伝送線路７２およびスタブ７３から構成される出力整合回路７４が接続されている。さらに、スタブ７３およびダイオード７０のカソード電極にはコンデンサ７５，７１が高周波信号の接地用として接続されている。これらの各素子７０，７１，７２，７３，７５は同一基板の上に形成されている。
【００４５】
このように、入射する光の強度変調を行った場合、アノード側に出力整合回路７４を接続することによって所望の周波数信号のみを感度よく取り出すことができる。
【００４６】
このように、本実施の形態は下記の特徴を有する。
（イ）アノード側に、受光回路形成用のスタブ７３および高周波伝送線路７２からなる整合回路７４を接続したので、外部に所望の周波数を持つ電気信号を取りだすことができる。
（第７の実施の形態）
次に、第７の実施の形態を、第６の実施の形態との相違点を中心に説明する。
【００４７】
図１２には、本実施形態における、ＭＳＭ型フォトダイオードを具備したＯＥＩＣの断面構造を示す。
基板１の全面に光反射を防止する膜を形成して感度をあげようとすると、一般的に半導体に光を照射すると、抵抗が小さくなるが、半導体受光回路において、フォトダイオード部分以外に光が照射されてしまうと、回路素子（例えば、抵抗成分）の特性を変化させてしまい、半導体受光回路から出力される電波信号の雑音となる。
【００４８】
これに対し本例では、ＩｎＰ基板１の表面におけるフォトダイオードがある領域のみに反射防止膜８０を形成している。反射防止膜８０はＳｉＮ（誘電体）よりなる。つまり、基板１の上にＭＳＭ型フォトダイオードが形成されるが、基板１における光ファイバー８１から光の照射を受ける面でのフォトダイオード形成領域にのみ誘電体反射防止膜８０を配置している。
【００４９】
このように、半導体受光回路の基板表面におけるＭＳＭ型フォトダイオード形成領域のみに誘電体反射防止膜８０を形成することによって、出力信号の雑音を低減することができる。つまり、フォトダイオード以外の部分は空気とＩｎＰ基板１の屈折率差により入射光を反射させ、フォトダイオードの周囲に配置した電子デバイスに対する悪影響を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態におけるＭＳＭ型フォトダイオードを示す図。
【図２】バンドダイアグラムを示す図。
【図３】第２の実施形態におけるＭＳＭ型フォトダイオードを示す図。
【図４】バンドダイアグラムを示す図。
【図５】第３の実施形態におけるＭＳＭ型フォトダイオードを示す図。
【図６】バンドダイアグラムを示す図。
【図７】第４の実施形態におけるＭＳＭ型フォトダイオードを示す図。
【図８】バンドダイアグラムを示す図。
【図９】第５の実施形態におけるＭＳＭ型フォトダイオードを示す図。
【図１０】第５の実施形態におけるＭＳＭ型フォトダイオードを示す図。
【図１１】第６の実施形態におけるＯＥＩＣの回路構成図。
【図１２】第７の実施形態におけるＯＥＩＣの断面図。
【符号の説明】
１…ＩｎＰ基板、２…ｉ−Ｉｎ_0.52Ａｌ_0.48Ａｓバッファ層、３…ｉ−Ｉｎ_0.80Ｇａ_0.20Ａｓキャリア走行層、４…ショットキーコンタクト層、５…アノード電極、６…カソード電極、１０…ｐ型光吸収層、２０…多重量子井戸層、３０…光吸収層、４０…ＩｎＰ基板、４１…Ｉｎ_1-xＧａ_xＡｓ層、４２…ｎ型Ｉｎ_0.53Ｇａ_0.47Ａｓショットキーコンタクト層、４３…アノード電極、４４…カソード電極、５０…ＩｎＰ基板、７２…高周波伝送線路、７３…スタブ、７４…整合回路、８０…反射防止膜。

Claims

基板（１）の上に光吸収層となるｎ型半導体層（４）が積層されるとともに、このｎ型半導体層（４）の上に接するようにショットキー接合を有するショットキー金属（５，６）が配置されたＭＳＭ型フォトダイオードであって、
前記ｎ型半導体層（４）の下に、当該半導体層（４）よりも禁制帯幅が狭く、かつノンドープで電子移動度が高い応答性向上用半導体層（３）を挿入し、さらにその下にｐ型半導体層（１０）を挿入したことを特徴とするＭＳＭ型フォトダイオード。
請求項１に記載のＭＳＭ型フォトダイオードにおいて、
アノード側に、受光回路形成用のスタブ（７３）および高周波伝送線路（７２）からなる整合回路（７４）を接続したことを特徴とするＭＳＭ型フォトダイオード。
請求項１または請求項２に記載のＭＳＭ型フォトダイオードにおいて、
基板（１）の表面におけるＭＳＭ型フォトダイオード形成領域のみに反射防止膜（８０）を形成したことを特徴とするＭＳＭ型フォトダイオード。