JP4268852B2 - Plasma processing equipment - Google Patents

Description

この発明は、プラズマ処理装置に関し、特にガラス基材等の保熱性の小さい被処理物に対しプラズマＣＶＤ（成膜）等の処理を施すのに適した装置に関する。   The present invention relates to a plasma processing apparatus, and more particularly to an apparatus suitable for performing a process such as plasma CVD (film formation) on an object to be processed such as a glass substrate having low heat retention.

処理ガスを一対の電極間でプラズマ化して被処理物に吹付け、プラズマＣＶＤ等の処理を行なう装置は、公知である（特許文献１等）。   An apparatus for performing processing such as plasma CVD by converting a processing gas into a plasma between a pair of electrodes and spraying it on an object to be processed is known (Patent Document 1, etc.).

熱ＣＶＤでは、被処理物としてシリコンウェハーを載せた多数のセッタを一列に並べてコンベアで搬送しながら処理を行なうものが知られている（特許文献２）。コンベアの下方には均熱板とヒータを設け、搬送中ひいては処理中のセッタをコンベア越しに加熱するようになっている。   In thermal CVD, a process is known in which a large number of setters on which silicon wafers are placed as objects to be processed are arranged in a row and processed while being conveyed by a conveyor (Patent Document 2). A soaking plate and a heater are provided below the conveyor, and the setter being processed and thus being processed are heated through the conveyor.

特許文献３に記載の装置は、ガラス基材を被処理物とし、これを１枚ずつ１台の往復キャリアで搬送するようになっている。この往復キャリアの往路方向に沿って予備加熱部と処理部と冷却部が順次並べて配置されている。往路の始点でキャリアに載せられたガラス基材は、加熱部で予備加熱され、処理部で所定温度まで加熱されるとともに処理され、冷却部で冷却される。この文献３の装置は、１枚のガラス基材の処理を終えた後に、往復キャリアを戻して、次のガラス基材の処理を開始するものであるので、多くの枚数を処理するのに時間がかかる。１枚の処理時間が長ければ長いほど、全体の処理に膨大な時間を要する。その点で、文献２の装置のように、多数のセッタをコンベアに一列に並べて連続的に処理するほうが効率的である。   The apparatus described in Patent Document 3 uses a glass substrate as an object to be processed, and conveys it one by one by one reciprocating carrier. A preheating unit, a processing unit, and a cooling unit are sequentially arranged along the forward direction of the reciprocating carrier. The glass substrate placed on the carrier at the starting point of the forward path is preheated by the heating unit, heated to a predetermined temperature by the processing unit, processed, and cooled by the cooling unit. Since the apparatus of this document 3 finishes the processing of one glass substrate and returns the reciprocating carrier to start the processing of the next glass substrate, it takes time to process a large number of sheets. It takes. The longer the processing time for one sheet, the more time is required for the entire processing. In that respect, it is more efficient to process a large number of setters in a row on a conveyor and continuously process them as in the apparatus of Document 2.

特開平９−９２４９３号公報（第１頁）Japanese Patent Laid-Open No. 9-92493 (first page) 特開昭６１−１９１１７号公報（第１頁）Japanese Patent Laid-Open No. 61-19117 (first page) 特開平６−１０１０５０号公報（第１頁）JP-A-6-101050 (first page)

一般に、プラズマ処理において、被処理物は、反応の促進等のために所定の温度まで加熱されたうえで処理に付される。しかし、加熱部から処理部への移動中や処理中に冷めてしまうことがある。特に、ガラスは、保熱性が低く簡単に冷めてしまい温度維持が容易でない。上掲の熱ＣＶＤの文献２、３では、処理中もそれと同時併行して加熱する構成になっているが、加熱手段が搬送手段で遮られたり（文献２）、それを回避するために構成が煩雑（文献３）になったりしている。   In general, in plasma processing, an object to be processed is heated to a predetermined temperature in order to promote a reaction, and then subjected to processing. However, it may be cooled during movement from the heating unit to the processing unit or during processing. In particular, glass has a low heat retention and is easily cooled, so that the temperature cannot be easily maintained. In the above-mentioned thermal CVD documents 2 and 3, heating is performed simultaneously with the processing, but the heating means is blocked by the conveying means (reference 2). Is complicated (Reference 3).

本発明は、多数のセッタを一列に並べて搬送しながら順次プラズマ処理するものであって、構成の複雑化を招くことなく、被処理物の温度低下を確実に防止できるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。   The present invention provides a plasma processing apparatus that sequentially performs plasma processing while conveying a large number of setters in a line, and can reliably prevent a temperature drop of an object to be processed without complicating the configuration. With the goal.

本発明は、ガラス基材やシリコンウェハーなどの被処理物を載せた複数のセッタを一列に連ねて搬送しながら処理部にてプラズマＣＶＤ等のプラズマ処理を行なう装置であって、被処理物を所定温度まで加熱する加熱部と、前記処理部と、被処理物を冷却する冷却部とが、搬送ラインに沿って前段側から順次配置されており、前記処理部には、プラズマ処理のためのガスを吹出す処理ユニットと、この処理ユニットの前段側と後段側にそれぞれ配置されて被処理物を再加熱する補助ヒータとが備えられ、前記処理ユニットが、プラズマ生成のための複数の電極と、これら電極間の空間に連なる吹出し口が開口されるとともに被処理物と対向すべき面とを有し、この面が、被処理物又はセッタからの輻射熱を反射する輻射熱反射材にて構成されていることを特徴とする。これによって、加熱部で加熱した被処理物が温度低下しようとしても前段の補助ヒータで再加熱でき、処理ユニットにより良好な処理を施すことができる。しかも、後段の補助ヒータで再加熱されることにより、温度低下を一層確実に防止でき、一層良好な処理を施すことができる。また、多数の基材を連続的に処理でき、時間短縮を図ることができる。さらに、処理ユニットと補助ヒータは搬送ラインに沿ってずらして配置すればよく、搬送ラインの同一位置に干渉を回避する工夫をして配置する必要がなく、配置構成の簡素化を図ることができる。
本発明は、ガラス基材等の保熱性の低いものを被処理物とする場合に特に効果的である。被処理物がガラス基材である場合、前記セッタは、アルミナ製であることが好ましい。
The present invention is an apparatus for performing plasma processing such as plasma CVD in a processing section while transporting a plurality of setters carrying processing objects such as glass substrates and silicon wafers in a row. A heating unit that heats up to a predetermined temperature, the processing unit, and a cooling unit that cools an object to be processed are sequentially arranged along the transfer line from the front side, and the processing unit includes a plasma processing unit. A processing unit that blows out the gas, and an auxiliary heater that is disposed on each of the front side and the rear side of the processing unit to reheat the object to be processed, and the processing unit includes a plurality of electrodes for generating plasma. , has a surface and to be opposed to the object to be processed with the blowout connected to the space between the electrodes is opened, this surface is constituted by radiation heat reflective material that reflects radiant heat from the object to be treated or setter And said that you are. As a result, even if the temperature of the workpiece heated by the heating unit is about to decrease, it can be reheated by the auxiliary heater in the previous stage, and good processing can be performed by the processing unit. In addition, by being reheated by the auxiliary heater at the subsequent stage, the temperature drop can be prevented more reliably and a better treatment can be performed. In addition, a large number of substrates can be processed continuously, and the time can be reduced. Furthermore, the processing unit and the auxiliary heater need only be shifted along the transfer line, and it is not necessary to devise a device for avoiding interference at the same position on the transfer line, thereby simplifying the arrangement configuration. .
The present invention is particularly effective when an object having a low heat retention such as a glass substrate is used as an object to be processed. When the object to be processed is a glass substrate, the setter is preferably made of alumina.

前記処理部には、前記処理ユニットが前記搬送ラインに沿って複数並んで設けられ、隣り合う処理ユニットの間と、先頭（最前段）の処理ユニットの前段側と末尾（最後段）の処理ユニットの後段側に、それぞれ前記補助ヒータが配置されていることが望ましい。これによって、プラズマ処理を複数段階にわたって実行できるとともに、各処理段階で被処理物の温度低下を確実に防止できる。   The processing unit is provided with a plurality of the processing units arranged along the transfer line, between the adjacent processing units, and at the front side and the last (last stage) processing unit of the top (frontmost) processing unit. It is desirable that the auxiliary heaters are respectively disposed on the rear stage side. Accordingly, plasma processing can be performed in a plurality of stages, and temperature reduction of the workpiece can be reliably prevented at each processing stage.

前記補助ヒータが、熱源と、被処理物に対向すべき面とを有し、この面が、前記熱源の熱を受けて遠赤外線を輻射する遠赤外線輻射材にて構成されていることが望ましい。これによって、被処理物およびセッタを内部まで十分に加熱でき、被処理物の温度低下を確実に抑えることができる。遠赤外線輻射材としては、例えば、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、ＣｏＯ等の金属酸化物が挙げられる。遠赤外線輻射材からなる面は、輻射効率の向上のために粗面であることが好ましい。熱源の構成は、特に限定がなく、一般的な形式のヒータを用いることができ、例えば、抵抗加熱方式のラバーヒータやステンレスヒータやセラミックヒータ等を用いることができる。 It is desirable that the auxiliary heater has a heat source and a surface to be opposed to the object to be processed, and this surface is made of a far-infrared radiation material that radiates far-infrared rays by receiving heat from the heat source. . As a result, the object to be processed and the setter can be sufficiently heated to the inside, and the temperature decrease of the object to be processed can be reliably suppressed. Examples of the far-infrared radiation material include metal oxides such as Al ₂ O ₃ , ZrO ₂ , and CoO. The surface made of the far-infrared radiation material is preferably a rough surface for improving the radiation efficiency. The configuration of the heat source is not particularly limited, and a general type heater can be used. For example, a resistance heating type rubber heater, a stainless steel heater, a ceramic heater, or the like can be used.

ここで、前記補助ヒータが、前記熱源を収容したハウジングを有し、このハウジングの被処理物に対向すべき板部に、前記遠赤外線輻射材が被膜されていてもよい。この遠赤外線輻射材の膜は、例えば、前記金属酸化物等からなる粉末をバインダ（結合剤）と混合してハウジングに塗布し、焼結させることにより、形成することができる。ハウジング２１は、好ましくは良熱伝導性の金属（Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ等）にて構成されているが、これに限定されるものではなく、ステンレス等で構成されていてもよい。   Here, the auxiliary heater may include a housing that houses the heat source, and the far-infrared radiation material may be coated on a plate portion of the housing that should face the object to be processed. The film of the far-infrared radiation material can be formed, for example, by mixing the powder made of the metal oxide or the like with a binder (binder), applying it to the housing, and sintering it. The housing 21 is preferably made of a metal having good heat conductivity (Al, Cu, Au, etc.), but is not limited to this, and may be made of stainless steel or the like.

あるいは、前記補助ヒータが、前記熱源を収容したハウジングを有し、このハウジングの少なくとも被処理物に対向すべき板部が、前記遠赤外線輻射材にて構成されていてもよい。この場合、遠赤外線輻射材の被膜は、勿論不要である。   Alternatively, the auxiliary heater may include a housing that houses the heat source, and at least a plate portion of the housing that should face the object to be processed may be formed of the far-infrared radiation material. In this case, the far infrared radiation material coating is of course unnecessary.

前記ハウジングの被処理物に対向すべき板部の内面に前記熱源が設けられ、この熱源より背部側のハウジング内部には断熱材が装填されていることが望ましい。これによって、熱源の熱が、被処理物とは逆側に放散されるのを防止できる。   It is desirable that the heat source is provided on the inner surface of the plate portion facing the object to be processed of the housing, and a heat insulating material is loaded inside the housing on the back side of the heat source. Thereby, the heat of the heat source can be prevented from being dissipated to the side opposite to the object to be processed.

さらに、前記処理ユニットが、プラズマ生成のための複数の電極と、これら電極間の空間に連なるプラズマ吹出し口が開口されるとともに被処理物に対向すべき面とを有し、この面が、被処理物からの輻射熱を反射する輻射熱反射材にて構成されていることによって、被処理物やセッタから処理ユニットに輻射された熱を反射でき、処理ユニットに被処理物の熱が奪われるのを防止でき、被処理物の温度低下を防止できる。輻射熱反射材としては、Ａｌが挙げられる。
Further, the processing unit has a plurality of electrodes for generating plasma, and a surface that is open to a plasma blowing port connected to a space between the electrodes and that should face the object to be processed. By being composed of a radiant heat reflector that reflects the radiant heat from the treatment object, the heat radiated from the treatment object or setter to the treatment unit can be reflected, and the heat of the treatment object is taken away by the treatment unit. prevention can, Ru can prevent a temperature drop of the workpiece. Examples of the radiant heat reflecting material include Al.

前記処理ユニットにおける被処理物に対向すべき構成部材に、前記輻射熱反射材が被膜
されていることによって、構成部材については、セラミックやステンレスなどの適切な材質を用いることができ、その一方で、輻射熱反射作用を確保できる。
前記補助ヒータと処理ユニットとの間に通気ダクトが介在され、前記通気ダクトが、被処理物と対向すべき面を有し、この面が、被処理物又はセッタからの輻射熱を反射する輻射熱反射膜にて構成されていることが望ましい。
By coating the radiant heat reflecting material on the component member that should face the object to be processed in the processing unit, for the component member, an appropriate material such as ceramic or stainless steel can be used, The radiant heat reflection effect can be secured.
A ventilation duct is interposed between the auxiliary heater and the processing unit, and the ventilation duct has a surface to be opposed to the object to be processed, and this surface reflects the radiant heat from the object to be processed or the setter. It is desirable that the film is composed of a film.

本発明は、略常圧（大気圧近傍の圧力）の環境でのプラズマ処理に好適である。本発明における略常圧とは、１．３３３×１０⁴〜１０．６６４×１０⁴Ｐａの範囲を言う。中でも、９．３３１×１０⁴〜１０．３９７×１０⁴Ｐａの範囲は、圧力調整が容易で装置構成が簡便になり、好ましい。 The present invention is suitable for plasma processing in an environment of substantially normal pressure (pressure near atmospheric pressure). The substantially normal pressure in the present invention refers to a range of 1.333 × 10 ^{4 to} 10.664 × 10 ⁴ Pa. Among these, the range of 9.331 × 10 ^{4 to} 10.9797 × 10 ⁴ Pa is preferable because pressure adjustment is easy and the apparatus configuration is simple.

本発明によれば、加熱部で加熱した被処理物が温度低下しようとしても前段の補助ヒータで再加熱でき、処理ユニットにより良好な処理を施すことができる。しかも、後段の補助ヒータで再加熱されることにより、温度低下を一層確実に防止でき、一層良好な処理を施すことができる。処理ユニットと補助ヒータは搬送ラインに沿ってずらして配置すればよく、搬送ラインの同一位置に干渉を回避する工夫をして配置する必要がなく、配置構成の簡素化を図ることができる。   According to the present invention, even if the temperature of the workpiece heated by the heating unit is lowered, it can be reheated by the auxiliary heater in the previous stage, and a good process can be performed by the processing unit. In addition, by being reheated by the auxiliary heater at the subsequent stage, the temperature drop can be prevented more reliably and a better treatment can be performed. The processing unit and the auxiliary heater need only be shifted along the transfer line, and it is not necessary to devise a way to avoid interference at the same position on the transfer line, so that the arrangement configuration can be simplified.

図１は、本発明の一実施形態に係る連続式常圧プラズマＣＶＤ装置Ｍ１を示したものである。プラズマＣＶＤ装置Ｍ１は、ローラコンベア１と、加熱ユニット２（加熱部）と、処理部３と、冷却ユニット４（冷却部）を備えている。   FIG. 1 shows a continuous atmospheric plasma CVD apparatus M1 according to an embodiment of the present invention. The plasma CVD apparatus M1 includes a roller conveyor 1, a heating unit 2 (heating unit), a processing unit 3, and a cooling unit 4 (cooling unit).

ローラコンベア１は、水平な一方向に沿って延在され、「搬送ライン」を構成している。ローラコンベア１上には、多数のセッタ５が隙間なく一列に並べられる。セッタ５は、アルミナにて構成され、四角形の板状をなしている。図２に示すように、セッタ５の上面には、浅い四角形の凹部５ａが形成されている。各セッタ５の凹部５ａに、被処理物としてガラス基材Ｗが、それぞれ収容載置されている。ローラコンベア１は、一列をなすセッタ５ひいてはガラス基材Ｗを連続的に搬送する。ローラコンベア１の前端部（図１において左端）には、新たなガラス基材Ｗを載せたセッタ５が順次継ぎ足される。ローラコンベア１の後端部（図１において右端）では、処理済みのガラス基材Ｗを載せたセッタ５が順次取り出される。   The roller conveyor 1 extends along one horizontal direction and constitutes a “conveyance line”. On the roller conveyor 1, a large number of setters 5 are arranged in a line without any gaps. The setter 5 is made of alumina and has a rectangular plate shape. As shown in FIG. 2, a shallow rectangular recess 5 a is formed on the upper surface of the setter 5. A glass substrate W is accommodated and placed in the recess 5a of each setter 5 as an object to be processed. The roller conveyor 1 continuously conveys the setter 5 and the glass substrate W in a row. A setter 5 on which a new glass substrate W is placed is sequentially added to the front end portion (left end in FIG. 1) of the roller conveyor 1. At the rear end portion (right end in FIG. 1) of the roller conveyor 1, the setter 5 on which the processed glass substrate W is placed is sequentially taken out.

図１に示すように、ローラコンベア１の上方には、前記加熱ユニット２と、処理部３と、冷却ユニット４が、前段側から順次配置されている。   As shown in FIG. 1, the heating unit 2, the processing unit 3, and the cooling unit 4 are sequentially disposed above the roller conveyor 1 from the front side.

詳細な図示は省略するが、最前段の加熱ユニット２は、ローラコンベア１ひいては搬送中のセッタ上に被さるフード２ａと、このフード２ａ内とセッタとの間に循環風を形成する風循環手段と、この循環風を加熱する加熱手段とを有している。フード２ａ内の加熱された循環風により、搬送中のセッタ５およびガラス基材Ｗを成膜に適した所定温度まで加熱するようになっている。なお、この所定温度は、２００〜５００℃程度が好ましい。この温度範囲でないと、成膜がなされず、成膜されたとしても良好な膜質を得ることができない。所定温度は、３５０℃付近がより好ましい。   Although the detailed illustration is omitted, the heating unit 2 in the foremost stage includes a hood 2a that covers the roller conveyor 1 and thus the setter that is being transported, and wind circulation means that forms circulating air between the hood 2a and the setter. And heating means for heating the circulating air. The setter 5 and the glass substrate W being conveyed are heated to a predetermined temperature suitable for film formation by the heated circulating air in the hood 2a. The predetermined temperature is preferably about 200 to 500 ° C. If it is not within this temperature range, no film is formed, and even if a film is formed, good film quality cannot be obtained. The predetermined temperature is more preferably around 350 ° C.

また、最後段の冷却ユニット４は、ローラコンベア１ひいては搬送中のセッタ上に被さるフード４ａと、このフード４ａ内とセッタとの間に循環風を形成する風循環手段とを有している。フード４ａ内の常温循環風により、セッタ５およびガラス基材Ｗを冷却するようになっている。   The cooling unit 4 at the last stage includes a hood 4a that covers the roller conveyor 1 and thus the setter that is being transported, and wind circulation means that forms a circulating air between the hood 4a and the setter. The setter 5 and the glass substrate W are cooled by normal temperature circulating air in the hood 4a.

加熱ユニット２と冷却ユニット４との間の処理部３には、２つ（複数）の成膜ユニット１０（処理ユニット）と、３つ（複数）の補助ヒータ２０と、６つ（複数）の通気ダクト３０が設けられている。   The processing unit 3 between the heating unit 2 and the cooling unit 4 includes two (plural) film forming units 10 (processing units), three (plural) auxiliary heaters 20, and six (plural). A ventilation duct 30 is provided.

２つの成膜ユニット１０は、ローラコンベア１に沿って前後に離間されている。   The two film forming units 10 are separated forward and backward along the roller conveyor 1.

補助ヒータ２０は、前側（先頭）の成膜ユニット１０の更に前段側と、前後の成膜ユニット１０の間と、後側（末尾）の成膜ユニット１０の更に後段側に、それぞれ配置されている。   The auxiliary heaters 20 are arranged on the further front side of the front (first) film forming unit 10, between the front and rear film forming units 10, and further on the rear side of the rear (final) film forming unit 10. Yes.

通気ダクト３０は、成膜ユニット１０と補助ヒータ２０の間にそれぞれ介在されている。更に、加熱ユニット２と前側補助ヒータ２０の間（加熱ユニット２と処理部３の境）と、後側補助ヒータ２０と冷却ユニット４との間（処理部３と冷却ユニット４の境）にもそれぞれ介在されている。（通気ダクト３０は、各成膜ユニット１０を前後から挟むように設けられると共に、各補助ヒータ２０を前後から挟むように設けられている。）   The ventilation duct 30 is interposed between the film forming unit 10 and the auxiliary heater 20, respectively. Furthermore, between the heating unit 2 and the front auxiliary heater 20 (between the heating unit 2 and the processing unit 3) and between the rear auxiliary heater 20 and the cooling unit 4 (between the processing unit 3 and the cooling unit 4). Each intervenes. (The air duct 30 is provided so as to sandwich each film forming unit 10 from the front and back, and is provided so as to sandwich each auxiliary heater 20 from the front and back.)

加熱ユニット２のフード２ａと処理部３の各構成要素１０，２０，３０と冷却ユニット４のフード４ａは、前後に隣接するものどうしがぴったりとくっついて一列をなしている。また、処理部３の各構成要素１０，２０，３０の下面（セッタ５およびガラス基材Ｗと対向すべき面）どうしは、互いに面一をなしている。この処理部３の下面とローラコンベア１上のセッタ５の列との間に、前後細長の薄厚空間１００が形成されるようになっている。空間１００の上下厚さは、いわゆるワーキングディスタンス（後記吹出し口１０ｆ，１０ｍ，１０ｒとガラス基材Ｗとの距離）に相当するものであり、非常に薄く、例えば４ｍｍである。なお、空間１００の左右幅方向の両側は、チャンバー壁９（図４）でほぼ塞がれている。   The hood 2a of the heating unit 2, each component 10, 20, 30 of the processing unit 3 and the hood 4a of the cooling unit 4 are closely aligned with each other adjacent to each other in the front and rear to form a line. Further, the lower surfaces (surfaces to be opposed to the setter 5 and the glass substrate W) of the constituent elements 10, 20, and 30 of the processing unit 3 are flush with each other. Between the lower surface of the processing unit 3 and the row of setters 5 on the roller conveyor 1, a thin space 100 that is elongated in the front-rear direction is formed. The upper and lower thickness of the space 100 corresponds to a so-called working distance (the distance between the blowout ports 10f, 10m, and 10r described later and the glass substrate W), and is very thin, for example, 4 mm. Note that both sides of the space 100 in the left-right width direction are substantially closed by the chamber walls 9 (FIG. 4).

処理部３の各構成体１０，２０，３０の具体構造を詳述する。
図２に示すように、各成膜ユニット１０は、上側のガス均一導入部１２と、下側の電極部１３と、これらを囲む外筐１１とを有している。 A specific structure of each component 10, 20, and 30 of the processing unit 3 will be described in detail.
As shown in FIG. 2, each film forming unit 10 includes an upper gas uniform introduction portion 12, a lower electrode portion 13, and an outer casing 11 that surrounds them.

図２および図４に示すように、外筐１１は、平面視長方形状の外枠１４と、この外枠１４の前後の長片部に一体に設けられた一対の排気ダクト１５（吸気口）とを有している。これら外枠１４と排気ダクト１５は、ステンレスなどの金属によって構成されている。   As shown in FIGS. 2 and 4, the outer casing 11 includes an outer frame 14 having a rectangular shape in plan view, and a pair of exhaust ducts 15 (intake ports) integrally provided on the front and rear long portions of the outer frame 14. And have. The outer frame 14 and the exhaust duct 15 are made of metal such as stainless steel.

排気ダクト１５は、下方に開口するとともに左右（搬送ラインと直交する方向、図２において紙面と直交する方向）に延びている。排気ダクト１５の上端部は、吸引管７ａを介して排気ポンプ７に接続されている。   The exhaust duct 15 opens downward and extends left and right (in a direction orthogonal to the transport line, a direction orthogonal to the paper surface in FIG. 2). An upper end portion of the exhaust duct 15 is connected to the exhaust pump 7 via a suction pipe 7a.

排気ダクト１５より前後外側の外枠１４には、カーテンガス吹出し路１４ａが形成されている。カーテンガス吹出し路１４ａは、スリット状をなして左右に延び、外枠１４の下端面に開口している。なお、カーテンンガス吹出し孔は、左右に並べられた多数の小孔であってもよい。カーテンガス吹出し路１４ａの上端部は、カーテンガス供給管６ｆを介してカーテンガス供給源６Ｃに接続されている。カーテンガス供給源６Ｃには、カーテンガスとして例えばＮ_２が貯えられている。 A curtain gas blowing path 14 a is formed in the outer frame 14 outside the front and rear sides of the exhaust duct 15. The curtain gas outlet 14 a extends in a slit shape from side to side and opens at the lower end surface of the outer frame 14. The curtain gas outlet holes may be a large number of small holes arranged on the left and right. The upper end of the curtain gas outlet 14a is connected to a curtain gas supply source 6C through a curtain gas supply pipe 6f. For example, N ₂ is stored as curtain gas in the curtain gas supply source 6C.

図２に示すように、ガス均一導入部１２には、３つのガス均一化路１２ｆ，１２ｍ，１２ｒが前後に並んで形成されている。詳細な図示は省略するが、ガス均一導入部１２は、アルミニウムなどの金属からなる複数の平板を上下に積層することによって構成されている。各金属板には、左右に分散配置された多数の小孔や左右に延びるスリット状チャンバー等が前後に３列ずつ並んで形成されている。上下に重ねられた金属板どうしにおいて、各列の小孔やチャンバー等が互いに連なり、これにより、ガス均一化路１２ｆ，１２ｍ，１２ｒが構成されている。   As shown in FIG. 2, the gas uniform introduction section 12 is formed with three gas uniformization paths 12 f, 12 m, and 12 r arranged side by side. Although not shown in detail, the gas uniform introduction section 12 is configured by stacking a plurality of flat plates made of a metal such as aluminum on the top and bottom. Each metal plate is formed with a large number of small holes dispersed in the left and right, slit-like chambers extending in the left and right, etc. arranged in three rows in the front and rear. In the metal plates stacked one above the other, small holes and chambers in each row are connected to each other, and thereby gas uniformization paths 12f, 12m, and 12r are configured.

中央のガス均一化路１２ｍの上端部には、ソースガス供給源６Ａからのソースガス供給管６ｄが接続されている。前後両側のガス均一化路１２ｆ，１２ｒには、被プラズマガス供給源６Ｂからの被プラズマガス供給管６ｅが分岐して接続されている。   A source gas supply pipe 6d from the source gas supply source 6A is connected to the upper end portion of the central gas uniformizing path 12m. A plasma gas supply pipe 6e from a plasma gas supply source 6B is branched and connected to the gas equalization paths 12f and 12r on both the front and rear sides.

ここで、２種類の処理ガス供給源６Ａ，６Ｂのうち、ソースガス供給源６Ａは、シリコンソースとドーパンソースとキャリアガスを別々に貯えるとともに所定の流量比で混合してソースガスを生成し、ガス供給管６ｄへ送出するようになっている。元の状態が液体のソースは、気化器を用いて気化させる。独立に気化させた後混合してもよく、液体のまま混合したのち気化させてもよい。   Here, of the two types of processing gas supply sources 6A and 6B, the source gas supply source 6A stores the silicon source, the dopan source, and the carrier gas separately and mixes them at a predetermined flow rate ratio to generate the source gas. The gas is supplied to the gas supply pipe 6d. The original liquid source is vaporized using a vaporizer. They may be mixed after being vaporized independently, or may be vaporized after being mixed in a liquid state.

シリコンソースとしては、例えばＴＭＯＳ、ＴＥＯＳ、ＭＴＭＯＳなどのアルコキシ化合物、ＨＭＤＳＯ、ＴＭＣＴＳなどのシロキサン化合物などが用いられる。   As the silicon source, for example, alkoxy compounds such as TMOS, TEOS, and MTMOS, and siloxane compounds such as HMDSO and TMCTS are used.

ドーパンソースとしては、例えばＴＥＯＰ、ＴＭＯＰなどのリン酸エステル、ＴＭＰ、ＴＥＰなどの亜リン酸エステル、ＴＥＢ、ＴＭＢなどのアルキルボレート、ＴＭＧｅ、ＴＥＧｅなどのアルコキシゲルマニウムなどが用いられる。   Examples of the dopan sauce include phosphate esters such as TEOP and TMOP, phosphite esters such as TMP and TEP, alkyl borates such as TEB and TMB, and alkoxygermanium such as TMGe and TEGe.

キャリアガスとしては、例えばＯ_２、Ｎ_２、Ｎ_２Ｏが用いられる。なお、キャリアガスと前記カーテンガスが同一物質の場合には、それらのガスタンクを共有させてもよい。 For example, O ₂ , N ₂ , or N ₂ O is used as the carrier gas. When the carrier gas and the curtain gas are the same substance, these gas tanks may be shared.

もう一種類の処理ガス供給源である被プラズマガス供給源６Ｂには、電界印加によりプラズマ化される被プラズマガスが貯えられている。
被プラズマガスとしては、例えばＯ_２、Ｎ_２Ｏ、ＮＯ_２、ＮＯ、Ｈ_２Ｏ、Ｏ_３の何れか１つ、またはこれらの中から複数選んで混合したものが用いられる。 A plasma gas supply source 6B, which is another type of processing gas supply source, stores a plasma gas that is turned into plasma by application of an electric field.
As the plasma gas, for example, any one of O ₂ , N ₂ O, NO ₂ , NO, H ₂ O, and O ₃ , or a mixture selected from a plurality of these is used.

各処理ガス供給源６Ａ，６Ｂから供給管６ｄ，６ｅを経てガス均一導入部１２のガス均一化路１２ｆ，１２ｍ，１２ｒへ導かれた処理ガス（ソースガスおよび被プラズマガス）は、これら路１２ｆ，１２ｍ，１２ｒを構成する上記小孔やチャンバー等を順次流通する過程でそれぞれ左右方向に均一化されるようになっている。   The processing gases (source gas and plasma target gas) guided from the processing gas supply sources 6A and 6B to the gas uniformization paths 12f, 12m, and 12r of the gas uniform introduction section 12 through the supply pipes 6d and 6e are the paths 12f. , 12m, and 12r are made uniform in the left-right direction in the course of sequentially circulating the small holes, chambers, and the like.

さらに、ガス均一導入部１２には、図示しないヒータ（温度調節手段）が付設されている。これにより、ガス均一導入部１２は、例えば５０〜２００℃程度の範囲で加温（温度調節）されるようになっている。５０℃未満では、気化させたシリコンソースやドーパンソースが再液化するおそれがあり、２００℃を超えると熱反応を起こすおそれがある。   Further, the gas uniform introduction section 12 is provided with a heater (temperature adjusting means) (not shown). Thereby, the gas uniform introduction part 12 is heated in the range of about 50 to 200 ° C. (temperature adjustment), for example. If it is less than 50 degreeC, there exists a possibility that the vaporized silicon source and dopan sauce may re-liquefy, and if it exceeds 200 degreeC, there exists a possibility of causing a thermal reaction.

次に、成膜ユニット１０の電極部１３について説明する。
図２および図３に示すように、電極部１３は、４つ（複数）の電極１８Ｈ，１８Ｅと、これら電極１８Ｈ，１８Ｅを絶縁しつつ収容保持するホルダ１６と、このホルダ１６を収容保持するケーシング１７を有している。 Next, the electrode part 13 of the film forming unit 10 will be described.
As shown in FIGS. 2 and 3, the electrode section 13 includes four (plural) electrodes 18 </ b> H and 18 </ b> E, a holder 16 that accommodates and holds the electrodes 18 </ b> H and 18 </ b> E while insulating and holds the holder 16. A casing 17 is provided.

ケーシング１７は、ステンレス等の剛性金属によって構成され、上下両側に開口する左右細長の箱状をなしている。ケーシング１７の上端部に、ガス均一導入部１２がボルト（図示せず）などによって固定されている。ケーシング１７の下端外周には、全周にわたって段差１７ａが形成されており、この段差１７ａが、前記外筐１１の内フランジ１９に引っ掛けられている。これによって、電極部１３およびガス均一導入部１２が、外筐１１に支持されている。   The casing 17 is made of a rigid metal such as stainless steel, and has a left and right elongated box shape that opens on both upper and lower sides. The gas uniform introduction portion 12 is fixed to the upper end portion of the casing 17 with a bolt (not shown) or the like. A step 17 a is formed on the entire outer periphery of the lower end of the casing 17, and the step 17 a is hooked on the inner flange 19 of the outer casing 11. Thus, the electrode portion 13 and the gas uniform introduction portion 12 are supported by the outer casing 11.

各電極１８Ｈ，１８Ｅは、幅方向を上下に向けた左右に細長い板状をなしている。電極１８Ｈ，１８Ｅの材質としては、例えばステンレスが用いられているが、これに限定されるものではなく、アルミニウムなどの他の導電金属を用いてもよい。   Each of the electrodes 18H and 18E has a plate shape elongated in the left and right directions with the width direction facing up and down. For example, stainless steel is used as the material of the electrodes 18H and 18E, but the material is not limited to this, and other conductive metals such as aluminum may be used.

４つの電極１８Ｈ，１８Ｅは、前後に間隔を置いて並べられている。隣り合う電極１８Ｈ，１８Ｅ間に、左右細長状の空間１８ｆ，１８ｍ，１８ｒが形成されている。これら電極間空間１８ｆ，１８ｍ，１８ｒの厚さ（電極１８Ｈ，１８Ｅ間の距離）は、０．１〜５０ｍｍが好ましく、５ｍｍ以下がより好ましい。   The four electrodes 18H and 18E are arranged at intervals in the front-rear direction. Between the adjacent electrodes 18H and 18E, left and right elongated spaces 18f, 18m, and 18r are formed. The thickness of these interelectrode spaces 18f, 18m, and 18r (distance between the electrodes 18H and 18E) is preferably 0.1 to 50 mm, and more preferably 5 mm or less.

図３に示すように、パルス電源８（電界印加手段）から給電線８ｈが延び、中央の２つの電極１８Ｈの一端部に接続されている。これによって、中央の２つの電極１８Ｈは、電界印加電極となっている。したがって、中央の電極間空間１８ｍには、電界が印加されないようになっている。   As shown in FIG. 3, a feed line 8h extends from the pulse power supply 8 (electric field applying means) and is connected to one end of two electrodes 18H at the center. Thus, the central two electrodes 18H are electric field application electrodes. Therefore, an electric field is not applied to the central inter-electrode space 18m.

ここで、パルス電源８は、パルス状の電圧を出力するようになっている。このパルスの立上がり時間及び／又は立下り時間は、１０μｓ以下、パルス継続時間は、２００μｓ以下、電界強度は１〜１０００ｋＶ／ｃｍ、周波数は０．５ｋＨｚ以上であることが望ましい。   Here, the pulse power supply 8 outputs a pulse voltage. It is desirable that the rise time and / or fall time of this pulse is 10 μs or less, the pulse duration is 200 μs or less, the electric field strength is 1-1000 kV / cm, and the frequency is 0.5 kHz or more.

前後両側の２つの電極１８Ｅの他端部には、接地線８ｅが接続されている。この接地線８ｅが接地されることにより、両側の電極１８Ｅは、接地電極となっている。これによって、両側の電極間空間１８ｆ，１８ｒは、電源８からの電圧供給で電界が印加され、プラズマ化空間となるようになっている。   A ground wire 8e is connected to the other end of the two electrodes 18E on the front and rear sides. By grounding the ground line 8e, the electrodes 18E on both sides serve as ground electrodes. As a result, electric fields are applied to the interelectrode spaces 18f and 18r on both sides by the voltage supply from the power supply 8 to become plasmatized spaces.

詳細な図示は省略するが、各電極１８Ｈ，１８Ｅのプラズマ化空間１８ｆ，１８ｒ形成面並びに上面及び下面には、固体誘電体層が例えば溶射にて被膜されている。この固体誘電体の誘電率は、２以上であることが好ましく、１０以上であることがより好ましい。固体誘電体の材質としては、ポリテトラフルオロエチレンなどの樹脂、Ａｌ_２Ｏ_３などの金属酸化物、ＢａＴｉＯ_３などの複酸化物が用いられる。固体誘電体層は、単層でもよく、複数の層の積層構造でもよい。例えば、電極１８Ｈ，１８Ｅを構成する金属面の側にＢａＴｉＯ_３の層を被膜し、その外側にＡｌ_２Ｏ_３の層を被膜すると、誘電率を確実に１０以上にすることができ、好ましい。 Although detailed illustration is omitted, a solid dielectric layer is coated by, for example, thermal spraying on the surface where the plasmatized spaces 18f and 18r are formed and the upper and lower surfaces of the electrodes 18H and 18E. The dielectric constant of the solid dielectric is preferably 2 or more, and more preferably 10 or more. As the material of the solid dielectric, a resin such as polytetrafluoroethylene, a metal oxide such as Al ₂ O ₃ , or a double oxide such as BaTiO ₃ is used. The solid dielectric layer may be a single layer or a laminated structure of a plurality of layers. For example, it is preferable to coat a BaTiO ₃ layer on the side of the metal surfaces constituting the electrodes 18H and 18E and coat an Al ₂ O ₃ layer on the outer side thereof to ensure a dielectric constant of 10 or more.

図示は省略するが、各電極１８Ｈ，１８Ｅには、温調用の冷媒路が形成されており、これに冷媒を通すことにより例えば５０〜２００℃程度の範囲で電極１８Ｈ，１８Ｅの加熱（温度調節）ができるようになっている。５０℃未満では、気化させたシリコンソースやドーパンソースが再液化するおそれがある。上限の２００℃は、電極１８Ｈ，１８Ｅを構成するステンレスと固体誘電体層との熱膨張差を考慮したものである。   Although illustration is omitted, a temperature control refrigerant path is formed in each of the electrodes 18H and 18E, and heating the electrodes 18H and 18E (temperature adjustment) in a range of about 50 to 200 ° C., for example, by passing the refrigerant through the electrodes. ) Is now possible. If it is less than 50 degreeC, there exists a possibility that the vaporized silicon source and dopan sauce may reliquefy. The upper limit of 200 ° C. takes into account the difference in thermal expansion between the stainless steel constituting the electrodes 18H and 18E and the solid dielectric layer.

図２〜図４に示すように、電極部１３のホルダ１６は、４つの電極１８Ｈ，１８Ｅの上側の面間に跨るアッパープレート１６Ａと、下側の面間に跨るロアプレート１６Ｂと、前後両側に配置されたサイドプレート１６Ｃと、左右両側に配置されたエンドキャップ１６Ｄとを有している。   As shown in FIGS. 2 to 4, the holder 16 of the electrode unit 13 includes an upper plate 16 </ b> A that straddles between the upper surfaces of the four electrodes 18 </ b> H and 18 </ b> E, a lower plate 16 </ b> B that straddles between the lower surfaces, Side plates 16C and end caps 16D arranged on the left and right sides.

図３に示すように、絶縁樹脂からなる左右のエンドキャップ１６Ｄには、３つの板状スペーサ１６Ｅが設けられている。このスペーサ１６Ｅが、隣り合う電極１８Ｈ，１８Ｅ間の隙間に挿入されることにより、それら電極１８Ｈ，１８Ｅ間の間隔が維持されている。   As shown in FIG. 3, three plate spacers 16E are provided on the left and right end caps 16D made of insulating resin. By inserting the spacer 16E into the gap between the adjacent electrodes 18H and 18E, the distance between the electrodes 18H and 18E is maintained.

ホルダ１６の上下前後の各プレート１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃは、アルミナ等のセラミック（絶縁材料）にて構成されている。これによって、電極１８Ｈ，１８Ｅが絶縁されている。なお、セラミックの材質に特に限定はないが、誘電率は、２０以下が好ましく、１０以下がより好ましい。誘電率が２０を超えると、周辺の金属部材に局部的に電流がリークするおそれがある。   Each plate 16A, 16B, 16C before and after the holder 16 is made of ceramic (insulating material) such as alumina. As a result, the electrodes 18H and 18E are insulated. The material of the ceramic is not particularly limited, but the dielectric constant is preferably 20 or less, and more preferably 10 or less. When the dielectric constant exceeds 20, current may leak locally to the surrounding metal members.

ホルダ１６のアッパープレート１６Ａは、左右細長の板状をなしている。図２に示すように、アッパープレート１６Ａは、ガス均一導入部１２と電極１８Ｈ，１８Ｅとによって上下から挟持されている。アッパープレート１６Ａには、３つのガス導入路１３ｆ，１３ｍ，１３ｒが形成されている。これら導入路１３ｆ，１３ｍ，１３ｒは、図２の紙面と直交する左右方向に延びるとともに、互いに前後に離れて配置されている。前側の導入路１３ｆは、ガス均一導入部１２の前側のガス均一化路１２ｆに連なるとともに下に向かって後方へ傾き、前側の電極間空間１８ｆに連なっている。中央の導入路１３ｍは、ガス均一導入部１２の中央のガス均一化路１２ｍに連なるとともに真下へ延び、中央の電極間空間１８ｍに連なっている。後側の導入路１３ｒは、ガス均一導入部１２の後側のガス均一化路１２ｒに連なるとともに下に向かって前方へ傾き、後側の電極間空間１８ｒに連なっている。   The upper plate 16A of the holder 16 has an elongated plate shape on the left and right. As shown in FIG. 2, the upper plate 16A is sandwiched from above and below by the gas uniform introduction section 12 and the electrodes 18H and 18E. Three gas introduction paths 13f, 13m, and 13r are formed in the upper plate 16A. These introduction paths 13f, 13m, and 13r extend in the left-right direction orthogonal to the paper surface of FIG. 2 and are spaced apart from each other. The front introduction path 13f is continuous with the gas uniformization path 12f on the front side of the gas uniform introduction section 12, and is inclined rearward downward, and is continuous with the front interelectrode space 18f. The central introduction path 13m is continuous with the central gas uniformization path 12m of the gas uniform introduction section 12 and extends directly below, and is continuous with the central inter-electrode space 18m. The rear introduction path 13r is continuous with the gas uniformization path 12r on the rear side of the gas uniform introduction section 12 and is inclined forward and is continued with the rear inter-electrode space 18r.

ホルダ１６のセラミック製ロアプレート１６Ｂ（吹出し口構成部材）は、左右細長の板状をなしている。ロアプレート１６Ｂの上面には、浅い凹部１６ｇが形成されている。この凹部１６ｇに、電極１８Ｈ，１８Ｅの下端部が収容、載置されている。（電極１８Ｈ，１８Ｅの下端面（被処理物側の面）にロアプレート１６Ｂが宛がわれている。）ロアプレート１６Ｂの周縁部には、段差が形成され、この段差がケーシング１７の下端の内周面の段差に引っ掛けられている。これによって、ロアプレート１６Ｂが、ケーシング１７に支持されている。   The ceramic lower plate 16 </ b> B (blowout port constituent member) of the holder 16 has a long and narrow plate shape. A shallow recess 16g is formed on the upper surface of the lower plate 16B. The lower ends of the electrodes 18H and 18E are accommodated and placed in the recess 16g. (The lower plate 16B is addressed to the lower end surfaces (surfaces on the workpiece) of the electrodes 18H and 18E.) A step is formed at the peripheral edge of the lower plate 16B. It is caught by a step on the inner peripheral surface. Thus, the lower plate 16B is supported by the casing 17.

図２および図４に示すように、ロアプレート１６Ｂには、上下厚さ方向に貫通する３つの吹出し口１０ｆ，１０ｍ，１０ｒが形成されている。これら吹出し口１０ｆ，１０ｍ，１０ｒは、スリット状をなして左右に延びるとともに、互いに前後に離れて配置されている。前側の被プラズマガス吹出し口１０ｆは、前側の電極間空間１８ｆに連なっている。中央のソースガス吹出し口１０ｍは、中央の電極間空間１８ｍに連なっている。後側の被プラズマガス吹出し口１０ｒは、後側の電極間空間１８ｒに連なっている。吹出し口１０ｆ，１０ｍ，１０ｒは、成膜ユニット１０の下面に開口している。
なお、ロアプレート１６Ｂに、中央の電極間空間１８ｍからのソースガスと両側の電極間空間１８ｆ，１８ｒからの被プラズマガスを合流させる合流路を設け、この合流路に連なる単一の吹出し口をロアプレート１６Ｂの下面に開口させてもよい。 As shown in FIGS. 2 and 4, the lower plate 16B is formed with three outlets 10f, 10m, and 10r penetrating in the vertical thickness direction. These outlets 10f, 10m, and 10r are slit-shaped and extend left and right, and are spaced apart from each other. The front plasma gas outlet 10f is connected to the front inter-electrode space 18f. The central source gas outlet 10m is connected to the central inter-electrode space 18m. The rear plasma gas outlet 10r is connected to the rear inter-electrode space 18r. The outlets 10f, 10m, and 10r are opened on the lower surface of the film forming unit 10.
The lower plate 16B is provided with a joint channel for joining the source gas from the central inter-electrode space 18m and the plasma target gas from the inter-electrode spaces 18f and 18r on both sides, and a single outlet is connected to the joint channel. You may make it open in the lower surface of the lower plate 16B.

成膜ユニット１０の下面（ガラス基材Ｗと対向すべき面）は、セッタ５やガラス基材Ｗからの輻射熱を反射する輻射熱反射材にて構成されている。   The lower surface (surface to be opposed to the glass substrate W) of the film forming unit 10 is composed of a radiant heat reflecting material that reflects radiant heat from the setter 5 and the glass substrate W.

詳述すると、図２および図４に示すように、成膜ユニット１０におけるガラス基材Ｗと対向すべき構成部材、すなわちロアプレート１６Ｂとケーシング１７と外筐１１の各々の下面には、輻射熱反射膜Ａ_１６，Ａ_１７，Ａ_１４，Ａ_１９がそれぞれ被膜されている。 More specifically, as shown in FIGS. 2 and 4, radiant heat reflection is applied to constituent members to be opposed to the glass substrate W in the film forming unit 10, that is, lower surfaces of the lower plate 16 </ b> B, the casing 17, and the outer casing 11. Films A ₁₆ , A ₁₇ , A ₁₄ , A ₁₉ are respectively coated.

ロアプレート１６Ｂの輻射熱反射膜Ａ_１６は、該プレート１６Ｂの下面の全域に隈なく及んでいる。勿論、吹出し口１０ｆ，１０ｍ，１０ｒの部分には設けられていない。 Radiant heat reflective film _{A 16} of the lower plate 16B is extends without Kuma the entire lower surface of the plate 16B. Of course, it is not provided in the portions of the outlets 10f, 10m, and 10r.

ケーシング１７の輻射熱反射膜Ａ_１７は、該ケーシング１７の下端露出部分の全域に隈なく及んでいる。内フランジ１９に引っ掛けられる段差１７ａには、被膜されていないが、被膜してもよい。 The radiant heat reflecting film A ₁₇ of the casing 17 extends over the entire exposed portion of the lower end of the casing 17. The step 17a hooked on the inner flange 19 is not coated, but may be coated.

外筐１１の輻射熱反射膜Ａ_１４，Ａ_１９は、該外筐１１の下端面の全域に隈なく及んでいる。すなわち、外枠１４の下端面の全域に膜Ａ_１４が被膜され、内フランジ１９の下端面の全域に膜Ａ_１９が被膜されている。勿論、外枠１４の膜Ａ_１４は、カーテンガス吹出し路１４ａの部分には設けられていない。外枠１４の外側面やダクト１５の内周面にも被膜を及ぼすことにしてもよい。
これによって、輻射熱反射膜Ａ_１６，Ａ_１７，Ａ_１４，Ａ_１９が、成膜ユニット１０の下面の全域に隈なく及んでいる。 The radiant heat reflecting films A ₁₄ and A ₁₉ of the outer casing 11 extend over the entire lower end surface of the outer casing 11. That is, the film A ₁₄ is coated on the entire lower end surface of the outer frame 14, and the film A ₁₉ is coated on the entire lower end surface of the inner flange 19. Of course, the film A ₁₄ of the outer frame 14 is not provided in the curtain gas outlet path 14a. A coating may also be applied to the outer surface of the outer frame 14 and the inner peripheral surface of the duct 15.
As a result, the radiant heat reflection films A ₁₆ , A ₁₇ , A ₁₄ , and A ₁₉ extend over the entire area of the lower surface of the film forming unit 10.

これら輻射熱反射膜Ａ_１６，Ａ_１７，Ａ_１４，Ａ_１９は、良好な輻射熱反射材であるアルミニウムにて構成されている。膜Ａ_１６，Ａ_１７，Ａ_１４，Ａ_１９は、蒸着、溶射、接着等の貼付け手段で各基板対向部材１６Ｂ，１７，１１に被膜されている。膜Ａ_１６，Ａ_１７，Ａ_１４，Ａ_１９の表面（下面）は、滑らかな鏡面になっている。なお、輻射熱反射材として、シリカやセラミックの粉末を用い、この粉末をバインダで混合して各基板対向部材１６Ｂ，１７，１１に塗布し、焼結することにより、輻射熱反射膜Ａ_１６，Ａ_１７，Ａ_１４，Ａ_１９を構成してもよい。 These radiant heat reflecting films A ₁₆ , A ₁₇ , A ₁₄ and A ₁₉ are made of aluminum which is a good radiant heat reflecting material. The films A ₁₆ , A ₁₇ , A ₁₄ , and A ₁₉ are coated on the substrate facing members 16 B, 17, and 11 by a pasting means such as vapor deposition, thermal spraying, and adhesion. The surfaces (lower surfaces) of the films A ₁₆ , A ₁₇ , A ₁₄ and A ₁₉ are smooth mirror surfaces. As radiant heat reflective material, a silica or ceramic powder, each substrate opposing member 16B by mixing the powder with a binder, was applied to 17,11, by sintering, radiant heat reflective film A _16, A ₁₇ , A ₁₄ , A ₁₉ may be configured.

次に、補助ヒータ２０について、その具体構造を説明する。
図５に示すように、補助ヒータ２０は、ハウジング２１と、このハウジング２１に収容された熱源２２を有している。ハウジング２１は、平面視四角形の扁平容器状をなしている。図４に示すように、ハウジング２１の左右長さは、成膜ユニット１０の左右長さと同寸法になっている。図１に示すように、ハウジンング２１の前後長さは、成膜ユニット１０の前後長さ程度かそれよりやや小さくなっている。なお、前側補助ヒータ２０のハウジング２１の前後長さは、中央及び後側の補助ヒータ２０より大きくなっているが、これに限定されるものではない。ハウジング２１は、良好な熱伝導性金属であるアルミニウムにて構成されているが、これに限定されるものではなく、ＣｕやＡｕ等の他の良熱伝導性金属にて構成してもよく、或いは、ステンレスにて構成していてもよい。 Next, the specific structure of the auxiliary heater 20 will be described.
As shown in FIG. 5, the auxiliary heater 20 has a housing 21 and a heat source 22 accommodated in the housing 21. The housing 21 is in the shape of a flat container having a square shape in plan view. As shown in FIG. 4, the left and right length of the housing 21 is the same as the left and right length of the film forming unit 10. As shown in FIG. 1, the front-rear length of the housing 21 is about the front-rear length of the film forming unit 10 or slightly smaller. In addition, although the front-back length of the housing 21 of the front side auxiliary heater 20 is larger than the center and rear side auxiliary heaters 20, it is not limited to this. The housing 21 is made of aluminum which is a good heat conductive metal, but is not limited to this, and may be made of other good heat conductive metal such as Cu or Au. Or you may comprise with stainless steel.

図５に示すように、補助ヒータ２０の熱源２２は、パネル状をなし、ハウジング２１の底板の上面（ガラス基材Ｗに対向すべき板部の内面）に添えられている。熱源２２としては、例えばラバーヒータが用いられているが、これに限定されるものではなく、ステンレスヒータやセラミックヒータ等の他の抵抗加熱方式のヒータを用いてもよく、その他の方式のヒータを用いてもよい。   As shown in FIG. 5, the heat source 22 of the auxiliary heater 20 has a panel shape and is attached to the upper surface of the bottom plate of the housing 21 (the inner surface of the plate portion that should face the glass substrate W). For example, a rubber heater is used as the heat source 22. However, the heater is not limited to this, and other resistance heating heaters such as a stainless steel heater and a ceramic heater may be used. It may be used.

熱源２２より上側（背部側）のハウジング２１の内部は、間仕切り板２３によって上下２つの室２１ａ，２１ｂに分けられている。各室２１ａ，２１ｂには、断熱材２４が装填されている。断熱材２４は、発塵が少なく耐熱性の高い材料であることが好ましく、そのような材料として例えばグラスウールにて構成されているが、これに限定されるものでない。間仕切り板２３は、熱反射率の高い材料にて構成され、熱源２２の熱が上側へ逃げるのを防止している。   The interior of the housing 21 on the upper side (back side) from the heat source 22 is divided into two upper and lower chambers 21 a and 21 b by a partition plate 23. Each chamber 21a, 21b is filled with a heat insulating material 24. The heat insulating material 24 is preferably a material that generates little dust and has high heat resistance, and is made of, for example, glass wool as such a material, but is not limited thereto. The partition plate 23 is made of a material having high heat reflectivity, and prevents the heat of the heat source 22 from escaping upward.

図２に示すように、この補助ヒータ２０の下面は、熱源２２の熱を受けて遠赤外線を輻射する遠赤外線輻射材にて構成されている。詳述すると、図４および図５に示すように、ハウジング２１の底板の下面には、遠赤外線輻射膜Ｂ_２１が被膜されている。遠赤外線輻射膜Ｂ_２１は、例えば、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、ＣｏＯ等の金属酸化物からなる粉末をバインダと混合してハウジング２１に塗布し、焼結させることにより、形成されている。この遠赤外線輻射膜Ｂ２１の表面（下面）は、輻射効率の向上のために粗面になっている。 As shown in FIG. 2, the lower surface of the auxiliary heater 20 is made of a far-infrared radiation material that radiates far-infrared rays by receiving heat from the heat source 22. More specifically, as shown in FIGS. 4 and 5, a far-infrared radiation film B ₂₁ is coated on the lower surface of the bottom plate of the housing 21. The far-infrared radiation film B ₂₁ is formed, for example, by mixing powder made of a metal oxide such as Al ₂ O ₃ , ZrO ₂ , CoO, etc. with a binder, applying it to the housing 21, and sintering it. The surface (lower surface) of the far-infrared radiation film B21 is rough to improve radiation efficiency.

次に、通気ダクト３０の具体構造を説明する。
図４および図６に示すように、通気ダクト３０は、長手方向を左右に向け、幅方向を上下に向けた細長容器状をなすダクト本体３１を有している。ダクト本体３１の左右長さは、成膜ユニット１０と同寸法になっている。ダクト本体３１の前後厚さは、極めて薄く、例えば２０ｍｍ程度である。ダクト本体３１の上側部には、外部連通部材３２が前後に突出するようにして設けられている。外部連通部材３２は、ダクト本体３１の全長にわたって左右（図６の紙面と直交する方向）に延びている。外部連通部材３２の突出端面は、全面開口され、通気ダクト３０内を処理部３の上側の外部空間に連ねる外部連通口３２ａとなっている。外部連通部材３２の内端部には、左右全長にわたって延びるスリット状の絞り部３２ｃが形成されている。この絞り部３２ｃを介して、外部連通部材３２の内部（通気室３２ｂ）と、ダクト本体３１の上側部の内部（通気室３１ａ）が連なっている。 Next, a specific structure of the ventilation duct 30 will be described.
As shown in FIGS. 4 and 6, the ventilation duct 30 has a duct main body 31 having an elongated container shape with the longitudinal direction facing left and right and the width direction facing up and down. The left and right lengths of the duct body 31 are the same as those of the film forming unit 10. The front and rear thickness of the duct body 31 is extremely thin, for example, about 20 mm. An external communication member 32 is provided on the upper side of the duct body 31 so as to protrude forward and backward. The external communication member 32 extends to the left and right (in the direction orthogonal to the paper surface of FIG. 6) over the entire length of the duct body 31. The projecting end surface of the external communication member 32 is opened all over, and serves as an external communication port 32 a that connects the inside of the ventilation duct 30 to the external space above the processing unit 3. At the inner end portion of the external communication member 32, a slit-shaped throttle portion 32c extending over the entire length on the left and right is formed. The inside of the external communication member 32 (ventilation chamber 32b) and the inside of the upper portion of the duct body 31 (ventilation chamber 31a) are connected via the throttle portion 32c.

ダクト本体３１の下側部には、縦長幅細の略Ｕ字状断面をなして左右に延びる整流板３３が収容されている。整流板３３の一対の板部とダクト本体３１の前後の側壁との間に、それぞれ縦細をなして左右に延びる通気室３０ｂが形成されている。整流板３３の一対の板部の上端部は、それぞれ前後に折曲されている。これら上端折曲部とダクト本体３１の前後の側壁との間に、左右に延びるスリット状の絞り部３０ａがそれぞれ形成されている。この絞り部３０ａを介して上下の通気室３１ａ，３０ｂどうしが連なっている。   A rectifying plate 33 is accommodated in the lower portion of the duct body 31 and extends in the left-right direction with a vertically long and narrow U-shaped cross section. Between the pair of plate portions of the rectifying plate 33 and the front and rear side walls of the duct main body 31, a ventilation chamber 30b is formed that is vertically thin and extends left and right. The upper ends of the pair of plate portions of the rectifying plate 33 are bent forward and backward, respectively. Between these upper end bent portions and the front and rear side walls of the duct body 31, slit-like throttle portions 30a extending left and right are formed. The upper and lower ventilation chambers 31a and 30b are connected to each other through the throttle portion 30a.

ダクト本体３１の底部は開口され、そこに整流板３３の底部が臨んでいる。これにより、通気ダクト３０の左右に延びる２条のスリット状の絞り部３０ｃ（通気の出入口）が形成されている。各絞り部３０ｃは、通気室３０ｂにそれぞれ連なるとともに薄厚空間１００に連なり、通気ダクト３０の薄厚空間１００への連通口となっている。
したがって、薄厚空間１００は、通気ダクト３０の絞り部３０ｃ、通気室３０ｂ、絞り部３０ａ、通気室３１ａ、絞り部３２ｃ、通気室３２ｂ、連通口３２ａを順次経て、処理部３の上側の外部空間に連なっている。 The bottom of the duct body 31 is opened, and the bottom of the rectifying plate 33 faces the opening. As a result, two slit-shaped throttle portions 30c (ventilation entrances) extending to the left and right of the ventilation duct 30 are formed. Each throttle portion 30c is connected to the ventilation chamber 30b and is connected to the thin space 100, and serves as a communication port to the thin space 100 of the ventilation duct 30.
Therefore, the thin space 100 passes through the throttle portion 30c, the vent chamber 30b, the throttle portion 30a, the vent chamber 31a, the throttling portion 32c, the vent chamber 32b, and the communication port 32a of the vent duct 30 in order, and then the external space above the processing portion 3. It is connected to.

通気ダクト３０の下面（ガラス基材に対向すべき面）は、成膜ユニット１０および補助ヒータ２０の下面と同一水平面上に位置している。この通気ダクト３０の下面にも、成膜ユニット１０と同様に輻射熱反射膜Ａ_３０が被膜されている。 The lower surface of the ventilation duct 30 (the surface that should face the glass substrate) is located on the same horizontal plane as the lower surfaces of the film forming unit 10 and the auxiliary heater 20. The radiant heat reflecting film A ₃₀ is also coated on the lower surface of the ventilation duct 30 as in the film forming unit 10.

上記構成の連続式常圧プラズマＣＶＤ装置Ｍ１の動作を説明する。
処理すべきガラス基材Ｗを載せた新たなセッタ５がローラコンベア１上のセッタ列の最前部に継ぎ足される。このセッタ５は、先ず加熱ユニット２に通される。これにより、セッタ５とその上のガラス基材Ｗを、所定温度まで温風加熱できる。 The operation of the continuous atmospheric plasma CVD apparatus M1 having the above configuration will be described.
A new setter 5 on which the glass substrate W to be processed is placed is added to the forefront portion of the setter row on the roller conveyor 1. The setter 5 is first passed through the heating unit 2. Thereby, the setter 5 and the glass base material W on it can be heated with warm air to a predetermined temperature.

次に、セッタ５は、前側補助ヒータ２０の下方に通され、再加熱される。これによって、保熱性の低いガラス基材Ｗが温度低下しようとしても、これを阻止することができる。しかも、補助ヒータ２０の膜Ｂ_２０から遠赤外線が輻射されるので、ガラス基材Ｗを内部まで十分に加熱でき、温度低下を確実に防止できる。また、セッタ５をも内部まで十分に加熱できるので、セッタ５からガラス基材Ｗに熱供給することができ、ガラス基材Ｗの温度低下を一層確実に防止できる。 Next, the setter 5 is passed under the front auxiliary heater 20 and reheated. As a result, even if the glass substrate W with low heat retention attempts to lower the temperature, this can be prevented. Moreover, since the far infrared rays are radiated from the film B ₂₀ of the auxiliary heater 20, a glass substrate W to the inside it can be sufficiently heated, can be reliably prevented a temperature drop. Moreover, since the setter 5 can also be heated sufficiently to the inside, heat can be supplied from the setter 5 to the glass substrate W, and a temperature drop of the glass substrate W can be prevented more reliably.

次に、セッタ５は、前側成膜ユニット１０の下方に通される。これによって、ガラス基材Ｗにプラズマ成膜が施される。
詳述すると、供給源６Ｂからの被プラズマガスが、管６ｅを経て、前側成膜ユニット１０の前後のガス均一化路１２ｆ，１２ｒにて左右に均一化された後、導入路１３ｆ，１３ｒを通り、前後の電極間空間１８ｆ，１８ｒに導入される。また、パルス電源８からのパルス電圧が、電極１８Ｈ，１８Ｅ間に印加される。これによって、前後の異極電極１８Ｈ，１８Ｅどうし間の空間１８ｆ，１８ｒにパルス電界が発生してグロー放電が起き、被プラズマガスがプラズマ化（励起、活性化）される。プラズマ化した被プラズマガスは、前後の吹出し口１０ｆ，１０ｒから略閉鎖空間１００へ吹出される。被プラズマガスは、膜の原料を含んでいないので、プラズマ化しても電極１８Ｈ，１８Ｅの電極間空間１８ｆ，１８ｒ形成面に付着することはない。 Next, the setter 5 is passed under the front film forming unit 10. Thereby, plasma film formation is performed on the glass substrate W.
More specifically, the plasma target gas from the supply source 6B is homogenized to the left and right in the gas homogenization paths 12f and 12r before and after the front film forming unit 10 through the pipe 6e, and then introduced into the introduction paths 13f and 13r. As described above, it is introduced into the front and rear inter-electrode spaces 18f and 18r. Further, a pulse voltage from the pulse power supply 8 is applied between the electrodes 18H and 18E. As a result, a pulse electric field is generated in the spaces 18f and 18r between the front and rear electrodes 18H and 18E, glow discharge occurs, and the plasma gas is turned into plasma (excited and activated). The plasma-treated plasma gas is blown out to the substantially closed space 100 from the front and rear outlets 10f and 10r. Since the gas to be plasma does not contain the raw material of the film, it does not adhere to the interelectrode space 18f, 18r formation surface of the electrodes 18H, 18E even if it is converted to plasma.

被プラズマガスの流通と同時併行して、供給源６Ａからのソースガスが、管６ｄを経て、前側成膜ユニット１０の中央のガス均一化路１２ｍにて左右に均一化された後、導入路１３ｍを通り、中央の同極電極間空間１８ｍに導入される。この電極間空間１８ｍでは電界が印加されないため、ソースガスは、プラズマ化されることなくそのまま通過する。したがって、電極１８Ｈの空間１８ｍ形成面に膜が付着することはない。   Simultaneously with the flow of the plasma gas, the source gas from the supply source 6A is homogenized to the left and right in the central gas homogenization path 12m of the front film forming unit 10 via the pipe 6d, and then the introduction path It passes through 13 m and is introduced into the central interpolar electrode space 18 m. Since no electric field is applied in the interelectrode space 18m, the source gas passes through without being converted into plasma. Therefore, no film adheres to the space 18m formation surface of the electrode 18H.

中央の電極間空間１８ｍを通過したソースガスは、中央の吹出し口１０ｍから略閉鎖空間１００へ吹出され、前後２手に分流し、吹出し口１０ｆ，１０ｒからのプラズマ化された被プラズマガスと接触する（図２の矢印線参照）。これにより、ソースガスの反応が起き、ガラス基材Ｗの上面（表側面）にアモルファスシリコン等の膜を形成することができる。   The source gas that has passed through the central inter-electrode space 18m is blown out from the central blowout port 10m to the substantially closed space 100, is divided into two front and rear hands, and comes into contact with plasmaized gas from the blowout ports 10f and 10r. (Refer to the arrow line in FIG. 2). Thereby, a reaction of the source gas occurs, and a film such as amorphous silicon can be formed on the upper surface (front side surface) of the glass substrate W.

また、供給源６Ｃからのカーテンガスが、管６ｆを経て、前側成膜ユニット１０の外筐１１のカーテンガス吹出し路１４ａから吹出される。これにより、ユニット１０の前後の縁部とガラス基材Ｗとの間にガスカーテンを形成でき、処理ガスの漏れを防止できる。
処理済みのガスや反応副生成物は、排気ダクト１５に吸込まれ、排気ポンプ７にて排気される。 Further, the curtain gas from the supply source 6C is blown out from the curtain gas blowing path 14a of the outer casing 11 of the front film forming unit 10 through the pipe 6f. Thereby, a gas curtain can be formed between the front and rear edges of the unit 10 and the glass substrate W, and leakage of the processing gas can be prevented.
The treated gas and reaction by-products are sucked into the exhaust duct 15 and exhausted by the exhaust pump 7.

前述したように、この前側成膜ユニット１０での成膜工程に付されるガラス基材Ｗは、前側補助ヒータ２０にて所定温度に維持されながら送られて来るので、成膜の効率を高めることができ、膜質を良好にすることができる。しかも、前側成膜ユニット２０の後段には、中央補助ヒータ２０が有るので、成膜中のガラス基材Ｗから熱が後方に逃げるのを防止でき、成膜効率を一層確実に高めることができ、一層良好な膜質を得ることができる。   As described above, since the glass substrate W subjected to the film forming process in the front film forming unit 10 is sent while being maintained at a predetermined temperature by the front auxiliary heater 20, the film forming efficiency is increased. The film quality can be improved. In addition, since the central auxiliary heater 20 is provided at the rear stage of the front film formation unit 20, heat can be prevented from escaping backward from the glass substrate W during film formation, and the film formation efficiency can be further improved. A better film quality can be obtained.

一方、前側成膜ユニット１０での成膜中、所定温度に加熱されたガラス基材Ｗからユニット１０へ向けて輻射熱が放射される。この輻射熱は、成膜ユニット１０の下面のアルミニウム膜Ａ_１６，Ａ_１７，Ａ_１４，Ａ_１９によってガラス基材Ｗへ反射することができる。したがって、ガラス基材Ｗの熱が成膜ユニット１０に奪われるのを防止できる。これにより、成膜効率を確実に高めることができ、膜質を一層良好にすることができる。なお、通気ダクト３０の下面被膜Ａ_３０の作用も同様である。 On the other hand, during film formation in the front film forming unit 10, radiant heat is radiated from the glass substrate W heated to a predetermined temperature toward the unit 10. This radiant heat can be reflected to the glass substrate W by the aluminum films A ₁₆ , A ₁₇ , A ₁₄ , A _{19 on} the lower surface of the film forming unit 10. Therefore, it is possible to prevent the film forming unit 10 from taking heat of the glass substrate W. Thereby, the film formation efficiency can be reliably increased, and the film quality can be further improved. The same applies to the action of the lower surface film _{A 30} of the ventilation duct 30.

前側成膜ユニット１０を通過後のセッタは、中央補助ヒータ２０の下方に通され、再加熱される。これによって、後側成膜ユニット１０へ移動中のガラス基材２０の温度低下を阻止でき、所定温度に維持できる。また、たとえ前側成膜ユニット１０での成膜中にガラス基材Ｗの温度が低下しても所定温度まで戻すことができる。前側補助ヒータ２０と同様に、遠赤外線によりガラス基材Ｗやセッタ５の内部まで十分に加熱できることは言うまでもない。   The setter after passing through the front film forming unit 10 is passed under the central auxiliary heater 20 and reheated. As a result, the temperature drop of the glass substrate 20 moving to the rear film forming unit 10 can be prevented and maintained at a predetermined temperature. Further, even if the temperature of the glass substrate W decreases during film formation in the front film formation unit 10, it can be returned to a predetermined temperature. It goes without saying that, similarly to the front auxiliary heater 20, it is possible to sufficiently heat the glass substrate W and the setter 5 by far infrared rays.

次に、セッタ５は、後側成膜ユニット１０の下方に通される。これによって、ガラス基材Ｗへの成膜を重ねて行なうことができる。中央補助ヒータ２０を経て送られて来たものであり、しかも後段には後側補助ヒータ２０が有り、更に輻射熱が膜Ａ_１６，Ａ_１７，Ａ_１４，Ａ_１９，Ａ_３０によって反射されるので、温度低下を確実に防止でき、良好な膜質を得られることは、前段での成膜時と同様である。 Next, the setter 5 is passed below the rear film forming unit 10. Thereby, the film formation on the glass substrate W can be performed repeatedly. Since it is sent through the central auxiliary heater 20 and there is the rear auxiliary heater 20 in the subsequent stage, and the radiant heat is reflected by the films A ₁₆ , A ₁₇ , A ₁₄ , A ₁₉ and A ₃₀ . As in the previous film formation, the temperature drop can be reliably prevented and good film quality can be obtained.

その後、セッタ５は、後側補助ヒータ２０の下方を経て、冷却ユニット４に通される。これによって、成膜処理済みのガラス基材Ｗとセッタ５をハンドリング可能な温度まで通風冷却できる。   Thereafter, the setter 5 passes through the cooling unit 4 through the lower side of the rear auxiliary heater 20. Thereby, the glass substrate W and the setter 5 that have been subjected to the film formation treatment can be cooled by ventilation to a temperature at which they can be handled.

常圧プラズマＣＶＤ装置Ｍ１では、多数のガラス基材Ｗをコンベア１で順次送りながら連続的に成膜処理でき、全体の処理時間の短縮を図ることができる。
成膜ユニット１０の前段と後段で再加熱することにより、成膜中の加熱を不要にすることができる。成膜ユニット１０と再加熱用の補助ヒータ２０は、搬送ラインに沿って前後にずらして配置すればよく、搬送ラインの同一位置に干渉を回避する工夫をして配置する必要がなく、配置構成の簡素化を図ることができる。 In the atmospheric pressure plasma CVD apparatus M1, film formation can be continuously performed while sequentially feeding a large number of glass substrates W by the conveyor 1, and the entire processing time can be shortened.
By performing reheating at the front stage and the rear stage of the film forming unit 10, heating during film formation can be made unnecessary. The film forming unit 10 and the auxiliary heater 20 for reheating need only be shifted back and forth along the transfer line, and it is not necessary to devise to avoid interference at the same position on the transfer line. Can be simplified.

成膜ユニット１０の基材対向部材であるロアプレート１６Ｂ自体については、アルミニウム（輻射熱反射材）ではなくアルミナ等のセラミックにて構成することにより、電極１８Ｈ，１８Ｅを確実に絶縁でき、ガラス基材Ｗにアークが落ちるのを防止できる一方、該プレート１６Ｂの下面にアルミニウムを被膜することによって上記輻射熱の反射作用を確保することができる。また、ケーシング１７や外筐１１自体については、それぞれステンレスにて構成することによって、剛性を確保し撓みを防止する一方、それらの下面にアルミニウムを被膜することによって上記輻射熱の反射作用を確保することができる。   The lower plate 16B itself, which is a base material facing member of the film forming unit 10, is made of ceramic such as alumina instead of aluminum (radiant heat reflecting material), so that the electrodes 18H and 18E can be reliably insulated, and the glass base material. While it is possible to prevent the arc from falling on W, the effect of reflecting the radiant heat can be secured by coating aluminum on the lower surface of the plate 16B. The casing 17 and the outer casing 11 themselves are made of stainless steel to ensure rigidity and prevent bending, while the lower surface of these casings is coated with aluminum to ensure the reflection of radiant heat. Can do.

補助ヒータ２０のハウジング２１自体についてはアルミニウムにて構成することによって、熱伝導性を確保できる一方、その下面に遠赤外線輻射膜Ｂ_２１を被膜することにより、ガラス基材Ｗの再加熱作用を十分に確保することができる。また、ハウジング２１全体を遠赤外線輻射材で構成するよりも、材料コストを大幅に削減することができる。 The housing 21 itself of the auxiliary heater 20 can be made of aluminum to ensure thermal conductivity. On the other hand, the far-infrared radiation film B ₂₁ is coated on the lower surface of the auxiliary heater 20 to sufficiently reheat the glass substrate W. Can be secured. Further, the material cost can be greatly reduced as compared with the case where the entire housing 21 is made of the far-infrared radiation material.

連続式常圧プラズマＣＶＤ装置Ｍ１における処理部３とセッタ５の列との間の薄厚空間１００には、成膜ユニット１０の吹出し口１０ｆ，１０ｍ，１０ｒからガスが吹出されるだけでなく、それと同時に排気ダクト１５では吸気がなされ、吹出し路１４ａからはカーテンガスの吹出しがなされる。更には、前端部の加熱ユニット２や後端部の冷却ユニット４から循環風が流れ込んだりする。一方、処理部３には、薄厚空間１００と外部を連ねる通気ダクト３０が設けられている。これにより、各吹出し口１０ｆ，１０ｍ，１０ｒからの吹出し流が、前記吸気等の他のガス流の影響を受けるのを緩和することができる。この結果、各成膜ユニット１０の直下で成膜される膜厚の均一性を確保することができる。   In the thin space 100 between the processing unit 3 and the row of setters 5 in the continuous atmospheric plasma CVD apparatus M1, not only gas is blown out from the blowing ports 10f, 10m, 10r of the film forming unit 10, but also At the same time, intake air is taken in the exhaust duct 15, and curtain gas is blown out from the blow-out passage 14a. Furthermore, circulating air flows from the heating unit 2 at the front end and the cooling unit 4 at the rear end. On the other hand, the processing unit 3 is provided with a ventilation duct 30 that connects the thin space 100 and the outside. Thereby, it is possible to alleviate the influence of the blowout flow from each of the blowout ports 10f, 10m, and 10r from the influence of other gas flows such as the intake air. As a result, it is possible to ensure the uniformity of the film thickness formed directly under each film forming unit 10.

また、補助ヒータ２０の熱源２２の熱は、ハウジング２１の底板から側板に伝わり通気ダクト３０に伝達される。これによって、通気ダクト３０の内部を加温することができる。したがって、外気が通気ダクト３０に取り込まれた場合、通気ダクト３０内で加温されたうえで薄厚空間１００に流れ込むようにすることができる。しかも、通気ダクト３０には、狭い絞り部３０ｃ，３０ａ，３２ｃを出入口とする通気室３２ｂ，３１ａ，３０ｂが設けられているため、入って来た外気の流れを抑制して通気室３２ｂ，３１ａ，３０ｂ内に長く留まるようにすることができ、この滞留の間に十分に加温したうえで薄厚空間１００に流れ込むようにすることができる。この結果、ガラス基材Ｗの温度低下を一層確実に防止でき、膜厚の均一性を確実に確保でき、成膜特性を確実に安定化させることができる。   The heat of the heat source 22 of the auxiliary heater 20 is transmitted from the bottom plate of the housing 21 to the side plate and is transmitted to the ventilation duct 30. Thereby, the inside of the ventilation duct 30 can be heated. Therefore, when outside air is taken into the ventilation duct 30, it can be heated in the ventilation duct 30 and then flow into the thin space 100. In addition, since the ventilation duct 30 is provided with ventilation chambers 32b, 31a, and 30b having the narrow throttle portions 30c, 30a, and 32c as entrances and exits, the flow of the outside air that has entered is suppressed and the ventilation chambers 32b and 31a. , 30b for a long period of time, and can be made to flow into the thin space 100 after sufficiently warming during this stay. As a result, the temperature drop of the glass substrate W can be more reliably prevented, the film thickness uniformity can be reliably ensured, and the film formation characteristics can be reliably stabilized.

連続式常圧プラズマＣＶＤ装置Ｍ１では、ガラス基材Ｗを再加熱するための補助ヒータ３０が通気ダクト２０の加熱手段を兼ねており、通気ダクト３０にそれ専用の加熱手段を設ける必要がないので、構成の合理化を図ることができ、コストの削減を図ることができる。   In the continuous atmospheric plasma CVD apparatus M1, the auxiliary heater 30 for reheating the glass substrate W also serves as a heating means for the ventilation duct 20, and it is not necessary to provide a dedicated heating means for the ventilation duct 30. The configuration can be rationalized and the cost can be reduced.

本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、種々の改変が可能である。
例えば、処理部３の成膜ユニット１０は、搬送ラインに沿って３つ以上並設してもよく、１つだけにしてもよい。勿論、３つ以上の場合は、隣り合う前後の成膜ユニット１０の間に補助ヒータ２０をそれぞれ設け、各補助ヒータ２０とその前後の成膜ユニット１０の間に通気ダクト３０を設けるとよい。 The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made.
For example, three or more film forming units 10 of the processing unit 3 may be provided in parallel along the transfer line, or only one may be provided. Of course, in the case of three or more, the auxiliary heaters 20 may be provided between the adjacent front and rear film forming units 10, and the ventilation duct 30 may be provided between each auxiliary heater 20 and the front and rear film forming units 10.

成膜ユニット１０の輻射熱反射材や補助ヒータ２０の遠赤外線輻射材は、一定の厚さを有する板状をなしていてもよい。ケーシング１７や外筐１１等の処理ヘッド下端構成部材自体を、ステンレス等の輻射熱吸収材に代えて、アルミニウム等の輻射熱反射材で構成してもよい。
補助ヒータ２０のハウジング２１自体を、遠赤外線輻射材にて構成してもよい。ハウジング２１全体ではなく、少なくともガラス基材Ｗに対向すべき底板部だけでも遠赤外線輻射材にて構成することにしてもよい。 The radiant heat reflecting material of the film forming unit 10 and the far infrared ray radiating material of the auxiliary heater 20 may have a plate shape having a certain thickness. The processing head lower end constituting member itself such as the casing 17 and the outer casing 11 may be made of a radiant heat reflecting material such as aluminum instead of the radiant heat absorbing material such as stainless steel.
You may comprise the housing 21 itself of the auxiliary heater 20 with a far-infrared radiation material. Instead of the entire housing 21, at least the bottom plate portion that should face the glass substrate W may be made of a far-infrared radiation material.

補助ヒータ２０や通気ダクト３０等は、上記に限定されるものではなく、種々の形態を採用可能である。
通気ダクト３０の加熱手段として、補助ヒータ２０を兼用するのではなく、専用のものを設けることにしてもよい。 The auxiliary heater 20, the ventilation duct 30, and the like are not limited to the above, and various forms can be adopted.
As a heating means for the ventilation duct 30, the auxiliary heater 20 may not be used, but a dedicated one may be provided.

本発明は、グロー放電に限らず、コロナ放電や沿面放電によるプラズマ処理にも適用でき、略常圧下に限らず、減圧下でのプラズマ処理にも適用でき、プラズマＣＶＤ（成膜）に限らず、洗浄、表面改質、エッチング、アッシングなどの種々のプラズマ処理にあまねく適用できる。   The present invention is not limited to glow discharge, but can be applied to plasma processing using corona discharge or creeping discharge, and is not limited to plasma pressure (deposition). It can be applied to various plasma treatments such as cleaning, surface modification, etching and ashing.

本発明の一実施形態に係る連続式常圧プラズマＣＶＤ装置の概略構成図である。1 is a schematic configuration diagram of a continuous atmospheric pressure plasma CVD apparatus according to an embodiment of the present invention. 前記装置の処理部の成膜ユニットを中心とする断面図である。It is sectional drawing centering on the film-forming unit of the process part of the said apparatus. 図２のIII−III線に沿う前記成膜ユニットの電極部の平面断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional plan view of an electrode portion of the film forming unit along line III-III in FIG. 2. 前記処理部の成膜ユニットを中心とする底面図である。It is a bottom view centering on the film-forming unit of the said process part. 前記処理部の補助ヒータの断面図である。It is sectional drawing of the auxiliary heater of the said process part. 前記処理部の通気ダクトの断面図である。It is sectional drawing of the ventilation duct of the said process part.

符号の説明Explanation of symbols

Ｗ ガラス基材（被処理物）
Ｍ１ 連続式常圧プラズマＣＶＤ装置（プラズマ処理装置）
１ ローラコンベア（搬送ライン）
２ 加熱ユニット（加熱部）
２ａ フード
３ 処理部
４ 冷却ユニット（冷却部）
４ａ フード
５ セッタ
１０ 成膜ユニット（処理ユニット）
１０ｆ，１０ｍ，１０ｒ 処理ガス吹出し口
１１ 外筐（被処理物と対向すべき構成部材）
１４ａ カーテンガス吹出し路（カーテンガス吹出し口）
１５ 排気ダクト（吸気口）
１６Ｂ ロアプレート（被処理物と対向すべき構成部材、吹出し口構成部材）
１７ ケーシング（被処理物と対向すべき構成部材）
１８Ｈ，１８Ｅ 電極
１８ｆ，１８ｍ，１８ｒ 電極間空間
２０ 補助ヒータ
２１ ハウジング
２２ 熱源
２４ 断熱材
３０ 通気ダクト
３０ｂ，３１ａ，３２ｂ 通気室
３０ａ，３０ｃ，３２ｃ 絞り部
Ａ_１４，Ａ_１６，Ａ_１７，Ａ_１９，Ａ_３０ 輻射熱反射膜
Ｂ_２０ 遠赤外線輻射膜 W Glass substrate (object to be treated)
M1 Continuous atmospheric pressure plasma CVD equipment (plasma processing equipment)
1 Roller conveyor (conveyance line)
2 Heating unit (heating unit)
2a Hood 3 Processing unit 4 Cooling unit (cooling unit)
4a Hood 5 Setter 10 Deposition unit (processing unit)
10f, 10m, 10r Process gas outlet 11 Outer casing (component to be opposed to object to be processed)
14a Curtain gas outlet (curtain gas outlet)
15 Exhaust duct (intake port)
16B Lower plate (component to be treated, component to be blown out)
17 Casing (component to be opposed to workpiece)
18H, 18E electrodes 18f, 18m, 18r inter-electrode space 20 auxiliary heater 21 housing 22 heat source 24 heat insulating material 30 ventilation ducts 30b, 31a, 32b venting chamber 30a, 30c, 32c throttle section _{A 14, A 16, A 17} , A 19 , A ₃₀ Radiant heat reflective film B ₂₀ Far infrared radiation film

Claims (8)

被処理物を載せた複数のセッタを一列に連ねて搬送しながら処理部にてプラズマ処理する装置であって、被処理物を所定温度まで加熱する加熱部と、前記処理部と、被処理物を冷却する冷却部とが、搬送ラインに沿って前段側から順次配置されており、前記処理部には、プラズマ処理のためのガスを吹出す処理ユニットと、この処理ユニットの前段側と後段側にそれぞれ配置されて被処理物を再加熱する補助ヒータとが備えられ、前記処理ユニットが、プラズマ生成のための複数の電極と、これら電極間の空間に連なる吹出し口が開口されるとともに被処理物と対向すべき面とを有し、この面が、被処理物又はセッタからの輻射熱を反射する輻射熱反射材にて構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。 An apparatus for performing plasma processing in a processing unit while conveying a plurality of setters carrying processing objects in a row, a heating unit for heating the processing object to a predetermined temperature, the processing unit, and the processing object Are arranged in order from the front side along the transfer line, and the processing unit includes a processing unit that blows out a gas for plasma processing, and a front side and a rear side of the processing unit. And an auxiliary heater that reheats the object to be processed, and the processing unit includes a plurality of electrodes for generating plasma, and a blowout opening that is connected to a space between these electrodes. A plasma processing apparatus comprising a surface to be opposed to an object, and the surface is made of a radiant heat reflecting material that reflects radiant heat from an object to be processed or a setter . 前記処理ユニットにおける被処理物と対向すべき構成部材に、前記輻射熱反射材が被膜されていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。  The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the radiant heat reflecting material is coated on a constituent member that should face the object to be processed in the processing unit. 前記補助ヒータと処理ユニットとの間に通気ダクトが介在され、前記通気ダクトが、被処理物と対向すべき面を有し、この面が、通気の出入口を有し、かつ被処理物又はセッタからの輻射熱を反射する輻射熱反射膜にて構成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。  A ventilation duct is interposed between the auxiliary heater and the processing unit, and the ventilation duct has a surface to be opposed to the object to be processed, and this surface has an inlet / outlet for ventilation, and the object to be processed or the setter. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the plasma processing apparatus includes a radiant heat reflecting film that reflects radiant heat from the radiant heat. 前記処理部には、前記処理ユニットが前記搬送ラインに沿って複数並んで設けられ、隣り合う処理ユニットの間と、先頭の処理ユニットの前段側と末尾の処理ユニットの後段側に、それぞれ前記補助ヒータが配置されていることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載のプラズマ処理装置。 The processing unit is provided with a plurality of processing units arranged along the transfer line, and the auxiliary units are provided between adjacent processing units, on the front side of the first processing unit and on the rear side of the last processing unit, respectively. The plasma processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein a heater is disposed. 前記補助ヒータが、熱源と、被処理物に対向すべき面とを有し、この面が、前記熱源の熱を受けて遠赤外線を輻射する遠赤外線輻射材にて構成されていることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載のプラズマ処理装置。 The auxiliary heater has a heat source and a surface to be opposed to the object to be processed, and the surface is made of a far-infrared radiation material that radiates far-infrared rays by receiving heat from the heat source. The plasma processing apparatus according to any one of claims 1 to 4 . 前記補助ヒータが、前記熱源を収容したハウジングを有し、このハウジングの被処理物に対向すべき板部に、前記遠赤外線輻射材が被膜されていることを特徴とする請求項５に記載のプラズマ処理装置。 The auxiliary heater has a housing containing the heat source, the plate portion to be opposed to the object to be treated in the housing, according to claim 5, wherein the far-infrared radiation material, characterized in that it is coated Plasma processing equipment. 前記補助ヒータが、前記熱源を収容したハウジングを有し、このハウジングの少なくとも被処理物に対向すべき板部が、前記遠赤外線輻射材にて構成されていることを特徴とす
る請求項５に記載のプラズマ処理装置。 The auxiliary heater has a housing containing the heat source, the plate portion to be opposed to at least the treatment of this housing, in claim 5, characterized in that it is constituted by the far-infrared radiation material The plasma processing apparatus as described. 前記ハウジングの被処理物に対向すべき板部の内面に前記熱源が設けられ、この熱源より背部側のハウジング内部には断熱材が装填されていることを特徴とする請求項６または７に記載のプラズマ処理装置。 The heat source to the inner surface of the plate portion to be opposed is provided to be treated of the housing, according to claim 6 or 7 in the housing interior of the back side of the heat source, characterized in that the heat insulating material is loaded Plasma processing equipment.

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