JP4263206B2 - 熱処理方法、熱処理装置及び気化装置 - Google Patents
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Description
キャリアガスにより純水を霧化し、これに熱を加えて水蒸気を得る第一の気化工程と、前記水蒸気を網状構造体からなる薄膜に通じて未気化の純水ミストを捕捉し、当該薄膜において気化させる第二の気化工程と、前記薄膜を通過した水蒸気を反応容器内に供給して当該反応容器内の基板に対して熱処理を行う工程と、
を含むことを特徴とする。
気密に構成された霧化室と、
純水をキャリアガスにより噴霧して前記霧化室内に供給するために、前記霧化室の上部に設けられた純水霧化部と、
前記霧化室内に噴霧された純水ミストを気化させるために、前記霧化室内を加熱する第一の加熱手段と、
前記霧化室の側面に接続され、前記純水ミストを霧化室から排出するための排出ポートと、
この排出ポートに設けられ、未気化の純水ミストを捕捉するための網状構造体からなる薄膜と、
前記薄膜を加熱して、前記薄膜において捕捉された純水ミストを気化させるための第二の加熱手段と、を備えたことを特徴とする。
前記薄膜は、非金属材料からなることが好ましく、更に、フッ素樹脂またはセラミックスであることが好ましい。
次に、1℃〜200℃/分の昇温速度で反応容器3内を600℃まで昇温し、真空度53200Pa(400Torr)で60分保持する。この工程によってポリシラザン膜中に残っていたOH基が除去される。
その後1℃/分〜200℃/分の昇温速度で反応容器3内を800℃まで昇温し、真空度53200Pa(400Torr)で30分保持する。この工程によって二酸化ケイ素膜は緻密化される。
(参考例)
前記第一の気化部6のみを用いた装置において、ウェハW上にパーティクルの発生する原因を解明するため、ベアシリコンウェハを用いて実験を行った。ウェハWをウェハボートの上段、中段、下段に保持し、反応容器内に水蒸気を供給してウェハWを水蒸気雰囲気に5分間曝し、ウェハWを反応容器から搬出した後、ウェハWの表面に生成したパーティクルの数を各サイズ毎にカウントした。
(実施例)
上述の実施の形態に示した熱処理装置を用い、ベアシリコンウェハをウェハボート45の上段、中段、下段に保持し、反応容器3内に水蒸気を供給してウェハWを水蒸気雰囲気に5分間曝し、ウェハWを反応容器3から搬出した後、ウェハWの表面に生成したパーティクルを各サイズ毎にカウントした。
尚、この時捕捉気化部73を設置したことによりウェハWへの金属成分の溶出が発生するか確認したところ、薄膜75を使用しない場合と同じレベルであり、問題無きことがわかった。
即ちこの例では、水蒸気排出ポート91は、霧化室62の側面から概ね同じ口径で外に伸びる第一排出路92、この第一排出路92の先端から急激に拡径し続いて急激に縮径する第二排出路93及びこの第二排出路93の先端から前記第一排出路92よりも口径の小さい第三排出路94を有している。またこの水蒸気排出ポート91には、周囲に第二の加熱手段をなすヒータ95が設けられており、内部の捕捉気化部73を加熱できるように構成されている。そして前記捕捉気化部73は、第一排出路92の先端に設けられており、この捕捉気化部73と水蒸気排出ポート91とにより第二の気化部7が構成されている。尚、この例では、霧化室62の側壁に埋設された既述のヒータ63は、第1の加熱手段を構成している。
その後、このガス流は既述の加熱炉1に送られて、ウェハWの熱処理が行われる。
また、霧化室62内に下部ブロック83を配置して、ガス流を均等に加熱するように構成したが、下部ブロック83を設置しなくとも良い。
更に、この気化装置80の下流側に、既述の第二の気化部7を設けるようにしても良い。即ち、この気化装置80を既述の実施の形態における第一の気化部6に置き換えても良い。
7 第二の気化部
73 捕捉気化部
75 薄膜
80 気化装置
83 下部ブロック
91 水蒸気排出ポート
Claims (13)
- 反応容器内の基板に対して加熱雰囲気下で水蒸気により処理を行う熱処理方法において、
キャリアガスにより純水を霧化し、これに熱を加えて水蒸気を得る第一の気化工程と、前記水蒸気を網状構造体からなる薄膜に通じて未気化の純水ミストを捕捉し、当該薄膜において気化させる第二の気化工程と、前記薄膜を通過した水蒸気を反応容器内に供給して当該反応容器内の基板に対して熱処理を行う工程と、
を含むことを特徴とする熱処理方法。 - 前記薄膜は、非金属材料からなることを特徴とする請求項1に記載の熱処理方法。
- 前記非金属材料は、フッ素樹脂またはセラミックスであることを特徴とする請求項2に記載の熱処理方法。
- 前記薄膜は、加熱されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一つに記載の熱処理方法。
- キャリアガスを第一の気化部に導入する前に加熱する工程を含むことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一つに記載の熱処理方法。
- 反応容器内の基板に対して加熱雰囲気下で水蒸気により処理を行うための熱処理装置において、
キャリアガスにより純水を霧化し、これに熱を加えて水蒸気を得る第一の気化部と、この第一の気化部にて気化された水蒸気を前記反応容器内に供給するためのガス供給路と、このガス供給路に設けられ、未気化の純水ミストを捕捉して気化させるための網状構造体からなる薄膜を備えた第二の気化部と、を備えていることを特徴とする熱処理装置。 - 前記薄膜は、非金属材料からなることを特徴とする請求項6に記載の熱処理装置。
- 前記薄膜は、フッ素樹脂またはセラミックスであることを特徴とする請求項7に記載の熱処理装置。
- 前記第二の気化部は、前記薄膜を加熱する加熱手段を備えていることを特徴とする請求項6ないし8のいずれか一つに記載の熱処理装置。
- 前記キャリアガスを第一の気化部に導入する前に加熱する加熱手段を備えていることを特徴とする請求項6ないし9のいずれか一つに記載の熱処理装置。
- 気密に構成された霧化室と、
純水をキャリアガスにより噴霧して前記霧化室内に供給するために、前記霧化室の上部に設けられた純水霧化部と、
前記霧化室内に噴霧された純水ミストを気化させるために、前記霧化室内を加熱する第一の加熱手段と、
前記霧化室の側面に接続され、前記純水ミストを霧化室から排出するための排出ポートと、
この排出ポートに設けられ、未気化の純水ミストを捕捉するための網状構造体からなる薄膜と、
前記薄膜を加熱して、前記薄膜において捕捉された純水ミストを気化させるための第二の加熱手段と、を備えたことを特徴とする気化装置。 - 前記薄膜は、非金属材料からなることを特徴とする請求項11に記載の気化装置。
- 前記非金属材料は、フッ素樹脂またはセラミックスであることを特徴とする請求項12に記載の気化装置。
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