JP4261634B2 - ステージ装置、露光装置ならびにデバイス製造方法 - Google Patents
ステージ装置、露光装置ならびにデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4261634B2 JP4261634B2 JP14209098A JP14209098A JP4261634B2 JP 4261634 B2 JP4261634 B2 JP 4261634B2 JP 14209098 A JP14209098 A JP 14209098A JP 14209098 A JP14209098 A JP 14209098A JP 4261634 B2 JP4261634 B2 JP 4261634B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stage
- wafer
- column vector
- measurement
- position measuring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、高速高精度の位置決めステージ装置に関するもので、例えば半導体露光装置のレチクル移動ステージ装置やウエハ移動ステージに適用して好適なものである。また、係る位置決めステージ装置を有することを特徴とする露光装置、およびこの露光装置を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイス製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体露光装置に用いられている位置決めステージ装置は、ウエハやレチクルなどの位置制御対象物を搭載し、高精度な位置決め精度を必要とされるため、分解能の高いレーザ干渉計とレーザミラーを組み合わせたステージ位置計測手段が広く用いられていた。
【0003】
しかしながら、位置制御対象点と位置計測対象点が一致しないために、その間の温度変化や応力変化による変形が位置計測誤差を発生するという問題があった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
これに対して特開平4−291910号公報では、図8に示すように、位置計測対象であるレーザミラー101と位置制御対象であるウエハ102との距離変動を電気マイクロメータ106で計測し、この計測値を位置決めレーザ目標値に加味することで、位置制御対象点と位置計測対象点の距離変動を補正する方法を提案している。
【0005】
しかし、この方法でも電気マイクロメータ106をトップテーブル104に固定する固定治具105の変形や傾斜による計測誤差までは補正できないという問題があった。つまり、追加の測長センサを用いる限り、結局は計測誤差を完全には補正できないため、追加の測長センサを用いることなく位置制御対象点と位置計測点の距離変動を正確に補正する必要があった。
【0006】
このうち温度変化による計測誤差については、低熱膨張材料の使用や温度調節装置などによって防止できるが、移動時間の短縮化を目的としたステージの高速化は弾性変形による計測誤差を増大させるため、特にステージの弾性変形による当該距離の変動を補正する必要性が高まってきた。
【0007】
【課題を解決するための手段】
かかる課題を解決するため本発明のステージ装置は、物体を搭載して移動させるステージと、
前記ステージの位置を計測する第1位置計測手段と、
前記第1位置計測手段とは別に設けられた第2位置計測手段と、
前記ステージの駆動力またはこれに比例する物理量を計測するセンサと、
前記第2位置計測手段によって得られた位置計測値に基づいた列ベクトルと前記センサの計測値に基づいた列ベクトルと前記第1位置計測手段によって得られた位置計測値と指令値との差に基づいた列ベクトルとから算出された係数行列を取得し、前記列ベクトルにされたセンサの計測値に前記係数行列を乗じることで算出された補正ベクトルを取得し、前記補正ベクトルによって前記ステージの駆動に起因した前記第1位置計測手段の計測誤差を補正する手段と、を有することを特徴とする。
【0010】
【発明の実施の形態】
本発明は、センサによってステージに作用する主たる力またはこれに比例した物理量、例えばステージを駆動するモータの電流値のモニタ値や、モータの駆動反力を受ける部分に設置されたロードセルや歪ゲージなどの計測値などのいずれかを計測し、このセンサの計測値に適切なる係数行列を乗じて得たベクトルによって位置制御対象点と位置計測対象点との距離変動を予測し、これを補正することを特徴とする。
このとき、適切なる係数行列を正確に推定する方法が重要であるため、この係数行列を推定する方法について詳細に述べる。
【0011】
本発明では、ステージ駆動力が白色ノイズや正弦波掃引の波形になるように指令信号を与え、ステージ駆動力変動またはこれに比例した物理量とステージ位置計測計、さらに別の評価用位置計測計で同時に位置も計測する。
【0012】
半導体露光装置の場合、露光光軸を基準としてウエハの位置を計測するアライメント計測装置を有しているので、評価用位置計測計にアライメント計測装置を用いると都合がよい。
【0013】
こうすると、評価用位置計測計の計測値ベクトルは(1)式で表わされる。
Dx+dx=Dx0 +dx0 +A(Fe +fe )+dxe (1)
ここで、
Dx:評価用位置計測計の値の平均を示す列ベクトル
dx:評価用位置計測計の値の変動を示す列ベクトル
Dx0 :ステージ位置計測計の値と指令値の差、つまり位置偏差の平均値を示す列べクトル
dx0 :位置偏差の変動分を示す列ベクトル
A:係数行列
Fe :ステージ駆動力またはこれに比例した物理量を示す列べクトルの平均値
fe :ステージ駆動力またはこれに比例した物理量を示す列べクトルの変動分
dxe :その他の誤差
【0014】
次に、(1)式の両辺から定数項を除去すると(2)式となる。
dx=dx0 +Afe +dxe (2)
このとき、係数行列の推定値Aは補正残差dxe の自乗和が最小になるように求める。
【0015】
具体的には、疑似逆行列を用いた次式(3)などで求めることができる。
A=(dx−dx0 )* pinv(fe ) (3)
ここで、
pinv(* ):疑似逆行列を示す
【0016】
こうして求めた係数行列Aと、センサによって常に計測しているステージ駆動力またはこれに比例した物理量を示す列ベクトルの積によって求められる補正ベクトルによって、ステージの弾性変形を原因とするステージ位置計測値の誤差を取り除くことができる。
【0017】
なお、センサによるステージ駆動力またはこれに比例した物理量の計測と、ステージ位置計測のタイミングに時間差があると補正は不正確になるので、両者の計測は同時に行うことが好ましい。
【0018】
以上のように、本来計測すべき位置計測目標点と実際に計測している位置計測対象点の間に距離があり、ステージ駆動力による弾性変形によってこの距離が変化してしまう位置決めステージにおいて、少なくともステージ駆動力による計測誤差を補正する。
【0019】
この場合、ステージの固有振動を励起する高周波領域では補正できない場合があるが、ステージ可動体の固有振動数が十分に高い場合、また、ステージ可動体の固有振動数が低い場合でもステージ駆動力が作用しない状態に移行し高周波の振動が減衰した状態、つまり、ステージが静止したり一定速度で移動している状態では、ステージ変形による計測誤差の高周波成分は小さくなるので、実用上は大きな問題にはならない。
【0020】
本実施の形態では誤差成分を予測できるため、重ね合わせ精度を維持したままスループットの向上を図ることもできる。さらに、本手段を用いることにより、構造体に要求される性能が、高剛性という観点よりも、再現性が良いという観点に重点が置かれることになり、ステージ構造体における必要以上の重量アップを防ぐことが出来るようになる。
【0021】
本発明の実施に当たっては、ステージ駆動力またはそれに比例する物理量を計測するセンサの取り付けと計測制御ソフトの改良だけで対応できるため、大幅な設計変更は不要であり、実施は簡単である。
【0022】
【実施例】
以下により具体的な実施例を説明する。
【0023】
図1と図2、図3に示す第1の実施例は、投影露光装置のウエハステージに適用し、評価用位置計測計にアライメント用TTL−オフアクシススコープを用いて補正係数を推定した例である。
【0024】
図1において、1は投影レンズ、2は本体構造体、3はウエハステージ用レーザ干渉計、4はTTL−オフアクシススコープ、5はウエハステージ、6はTTL−オフアクシススコープ用マークである。また上述したような、ステージに作用する力またはこれに比例した物理量を計測する不図示のセンサが設けられている。同図のウエハステージ5を詳細に示したものが、図2と図3である。
【0025】
図2において、7はウエハ、8はX軸用レーザ干渉計ミラー、9はY軸用レーザ干渉計ミラー、10はウエハステージ天板、18はX軸スライダ、19はY軸スライダ、20はY軸駆動リニアモータ可動子、21はY軸駆動リニアモータ固定子、22はウエハステージ定盤である。
【0026】
図3において、11はZチルトアクチュエータ、12はθzステージ、13は板バネガイド、14はθzアクチュエータ、15はXYステージ、16はX軸駆動リニアモータ可動子、17はX軸駆動リニアモータ固定子である。
【0027】
このような形態において、まず係数行列Aの推定について説明する。
まず、ウエハ7上に書き込まれたマーク6が、TTL−オフアクシススコープで計測できる位置まで移動させる。この状態から各軸のアクチュエータ、つまりX軸リニアモータ、Y軸リニアモータ、θz軸アクチュエータ、Ζチルト軸を1軸づつ振動させ、各軸の駆動電流値とTTL−オフアクシススコープのX軸とY軸の計測値、X軸レーザ干渉計3の偏差、不図示のY軸レーザ干渉計偏差、および不図示のθz軸レーザ干渉計偏差を計測する。
【0028】
これらの値を(3)式に適用すれば比例定数行列Aが求められ、これにセンサの計測値を乗じた補正ベクトルを用いればステージ駆動力による弾性変形を原因とするウエハステージ各軸レーザ干渉計の計測誤差を補正できる。
なお、係数行列は、ウエハショット位置によって変化するので、代表的なショット位置で求めた係数行列をショット位置に応じて補間近似して用いる。
【0029】
図4に示す第2の実施例は、第1の実施例におけるTTL−オフアクシススコープに代わって、投影レンズを介さない23のオフアクシススコープを用いた場合である。
この場合、レーザ干渉計の補正は、24のオフアクシススコープ用マークを用いてグローバルアライメントを計測する際に使用される。
【0030】
図5に示す第3の実施例は、走査型投影露光装置のレチクルステージに適用した例である。
図5において、25はレチクルステージ用レーザ干渉計、26はレーザ干渉計ミラー、27はレチクルアライメントスコープ用マーク、28はレチクルアライメントスコープ、29はレチクル、30はリニアモータ固定子、31はリニアモータ可動子、32はレチクルステージ、33は照明系である。
また上述したような、ステージに作用する力またはこれに比例した物理量を計測する不図示のセンサが設けられている。
【0031】
このような形態において、まず係数行列Aの推定について説明する。
まず、レチクル29上に書き込まれたレチクルアライメントスコープ用マーク27が、レチクルアライメントスコープ28で計測できる位置まで移動させる。この状態から各軸のアクチュエータ、つまりY軸リニアモータを振動させ、その駆動電流値とレチクルアライメントスコープのY軸レーザ干渉計偏差を計測する。
【0032】
これらの値を(3)式に適用すれば、比例定数行列Aが求められ、これにセンサの計測値を乗じた補正ベクトルを用いれば、ステージ駆動力による弾性変形を原因とするレチクルステージY軸レーザ干渉計の計測誤差を補正できる。
【0033】
(デバイス生産方法の実施例)
次に上記説明した露光装置を利用したデバイスの生産方法の実施例を説明する。
図6は微小デバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造のフローを示す。ステップ1(回路設計)ではデバイスのパターン設計を行なう。ステップ2(マスク製作)では設計したパターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷(ステップ7)される。
【0034】
図7は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸化させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ13(電極形成)ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオン打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ16(露光)では上記説明した露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ17(現像)では露光したウエハを現像する。ステップ18(エッチング)では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
本実施例の生産方法を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造することができる。
【0035】
【発明の効果】
本発明によれば、従来のように距離センサを追加しなくても、ステージ駆動力による弾性変形を原因とするステージ位置計測誤差を正確に除くことができるため、容易にステージの高精度化が図れる。
【0036】
また、ステージの高速化によってステージ駆動力が増大しても、ステージ構造体を高剛性化する必要がないので、ステージの高精度化と高速化を高いレベルで両立することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 第1の実施例である半導体露光装置の図である。
【図2】 第1の実施例である半導体露光装置のステージ正面図である。
【図3】 第1の実施例である半導体露光装置のステージ断面図である。
【図4】 第2の実施例である半導体露光装置の図である。
【図5】 第3の実施例である半導体露光装置の図である。
【図6】 微小デバイスの製造のフロー図である。
【図7】 ウエハプロセスの詳細なフロー図である。
【図8】 従来技術の例である。
【符号の説明】
1:投影レンズ、2:本体構造体、3:ウエハステージ用レーザ干渉計、4:TTL−オフアクシススコープ、5:ウエハステージ、6:TTL−オフアクシススコープ用マーク、7:ウエハ、8:X軸用レーザ干渉計ミラー、9:Y軸用レーザ干渉計ミラー、10:ウエハステージ天板、11:Ζチルトアクチュエータ、12:θzステージ、13:板バネガイド、14:θzアクチュエータ、15:XYステージ、16:X軸駆動リニアモータ可動子、17:X軸駆動リニアモータ固定子、18:X軸スライダ、19:Y軸スライダ、20:Y軸駆動リニアモータ可動子、21:Y軸駆動リニアモータ固定子、22:ウエハステージ定盤、23:オフアクシススコープ、24:オフアクシススコープ用マーク、25:レチクルステージ用レーザ干渉計、26:レーザ干渉計ミラー、27:レチクルアライメントスコープ用マーク、28:レチクルアライメントスコープ、29:レチクル、30:Y軸リニアモータ固定子、31:Y軸リニアモータ可動子、32:レチクルステージ、33:照明系、101:レーザ干渉計ミラー、102:ウエハ、103:ウエハ保持回転機構、104:トップテーブル、105:固定治具、106:電気マイクロメータ。
Claims (11)
- 物体を搭載して移動させるステージと、
前記ステージの位置を計測する第1位置計測手段と、
前記第1位置計測手段とは別に設けられた第2位置計測手段と、
前記ステージの駆動力またはこれに比例する物理量を計測するセンサと、
前記第2位置計測手段によって得られた位置計測値に基づいた列ベクトルと前記センサの計測値に基づいた列ベクトルと前記第1位置計測手段によって得られた位置計測値と指令値との差に基づいた列ベクトルとから算出された係数行列を取得し、前記列ベクトルにされたセンサの計測値に前記係数行列を乗じることで算出された補正ベクトルを取得し、前記補正ベクトルによって前記ステージの駆動に起因した前記第1位置計測手段の計測誤差を補正する手段と、を有することを特徴とするステージ装置。 - 前記第2位置計測手段は、前記物体の位置を計測することを特徴とする請求項1に記載のステージ装置。
- 前記第2位置計測手段によって得られた位置計測値に基づいた列ベクトルは、前記第2位置計測手段の計測値の変動分を示す列ベクトルであり、
前記センサの計測値に基づいた列ベクトルは、前記計測値を示す列ベクトルの変動分であり、
前記第1位置計測値と指令値との差に基づいた列ベクトルは、前記差の変動分を示す列ベクトルであることを特徴とする請求項1または2に記載のステージ装置。 - 前記センサは前記ステージを駆動したときの前記ステージ駆動力またはこれに比例する物理量を計測することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のステージ装置。
- 前記係数行列は前記ステージを移動させた時の各軸のステージ駆動力の変動量またはこれに比例した物理量と、前記第1および第2位置計測手段の計測差分値の回帰分析とに基づいて求められることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のステージ装置。
- 前記センサは、ステージを駆動するモータの電流値をモニタする手段、モータの駆動反力を受ける部分に設置されたロードセルや歪ゲージのいずれかであることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載のステージ装置。
- 前記センサによる計測と前記第1位置計測手段による計測とは同時に行なわれることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載のステージ装置。
- レチクルのパターンをウエハに露光する露光装置であって、
前記レチクルのパターンをウエハに投影する投影光学系と、
請求項1に記載のステージ装置と、を有し
前記ステージ装置はウエハまたはレチクルを搭載することを特徴とする露光装置。 - 前記ステージ装置はウエハを搭載し、
前記第1位置計測手段はレーザ干渉計であり、
前記第2位置計測手段はオフアクシススコープであることを特徴とする請求項8に記載の露光装置。 - 前記ステージ装置はレチクルを搭載し、
前記第1位置計測手段はレーザ干渉計であり、
前記第2位置計測手段はレチクルアライメントスコープであることを特徴とする請求項8 に記載の露光装置。 - 請求項8〜10のいずれか1項に記載された露光装置を用いてウエハを露光する工程と、前記ウエハを現像する工程とを備えることを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14209098A JP4261634B2 (ja) | 1998-05-11 | 1998-05-11 | ステージ装置、露光装置ならびにデバイス製造方法 |
US09/289,721 US6330052B1 (en) | 1997-06-13 | 1999-04-12 | Exposure apparatus and its control method, stage apparatus, and device manufacturing method |
US09/983,483 US6741328B2 (en) | 1997-06-13 | 2001-10-24 | Exposure apparatus and its control method, stage apparatus, and device manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14209098A JP4261634B2 (ja) | 1998-05-11 | 1998-05-11 | ステージ装置、露光装置ならびにデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11330210A JPH11330210A (ja) | 1999-11-30 |
JP4261634B2 true JP4261634B2 (ja) | 2009-04-30 |
Family
ID=15307207
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14209098A Expired - Fee Related JP4261634B2 (ja) | 1997-06-13 | 1998-05-11 | ステージ装置、露光装置ならびにデバイス製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4261634B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4675047B2 (ja) * | 2004-02-02 | 2011-04-20 | 株式会社ミツトヨ | 三次元測定機の測定座標補正方法及び三次元測定システム |
JP4540505B2 (ja) * | 2005-03-04 | 2010-09-08 | パナソニック株式会社 | 三次元形状測定装置 |
CN100461365C (zh) * | 2006-06-12 | 2009-02-11 | 上海微电子装备有限公司 | 高精度硅片台及其定位方法 |
-
1998
- 1998-05-11 JP JP14209098A patent/JP4261634B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH11330210A (ja) | 1999-11-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6330052B1 (en) | Exposure apparatus and its control method, stage apparatus, and device manufacturing method | |
KR0139039B1 (ko) | 노광장치와 이것을 이용한 디바이스 제조방법 | |
JP5485321B2 (ja) | リソグラフィ装置、リソグラフィ装置をキャリブレーションする方法、およびデバイス製造方法 | |
JP4434372B2 (ja) | 投影露光装置およびデバイス製造方法 | |
JP2000049066A (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
JP3595707B2 (ja) | 露光装置および露光方法 | |
US7190456B2 (en) | Alignment method, alignment apparatus, exposure apparatus using the same, and device manufactured by using the same | |
KR100914181B1 (ko) | 노광장치 및 디바이스 제조방법 | |
JPH10289943A (ja) | ステージ装置およびデバイス製造方法 | |
US20100302526A1 (en) | Drive control method for moving body, exposure method, robot control method, drive control apparatus, exposure apparatus and robot apparatus | |
JPH10321515A (ja) | 半導体露光装置 | |
JP3907275B2 (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
JP2003249439A (ja) | ステージ位置決め装置及びその制御方法、露光装置、半導体デバイスの製造方法 | |
JP4261634B2 (ja) | ステージ装置、露光装置ならびにデバイス製造方法 | |
JP3445102B2 (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
JP3244783B2 (ja) | 位置合わせ装置及び方法、並びにこれを用いた露光装置と半導体デバイス製造方法 | |
JP3919592B2 (ja) | ステージ装置及びその制御方法並びに露光装置 | |
JP4289713B2 (ja) | ステージ装置、露光装置およびデバイス製造方法 | |
JPH06302498A (ja) | 位置決め装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 | |
JP4298002B2 (ja) | 投影露光装置 | |
JP3526174B2 (ja) | 半導体露光装置およびデバイス製造方法 | |
JP4229348B2 (ja) | 投影露光方法および装置 | |
JP2009206203A (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
JP3337951B2 (ja) | 投影露光装置および方法 | |
JPH1187233A (ja) | 投影露光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040113 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A132 Effective date: 20061220 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070219 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070314 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070509 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081112 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090113 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20090113 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090204 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090206 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120220 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130220 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140220 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |