JP4259050B2 - Adhesive sheet for semiconductor substrate processing - Google Patents

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JP4259050B2 JP2002191970A JP2002191970A JP4259050B2 JP 4259050 B2 JP4259050 B2 JP 4259050B2 JP 2002191970 A JP2002191970 A JP 2002191970A JP 2002191970 A JP2002191970 A JP 2002191970A JP 4259050 B2 JP4259050 B2 JP 4259050B2
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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、各種半導体を製造する工程において使用する粘着テープに関し、さらに詳しくいえば、例えばパターンを形成したウエハを一つ一つのパターン毎に切断し半導体素子として分割する際に使用する半導体ウエハ固定用の放射線硬化性粘着テープに関するもので,帯電防止効果を有するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体ウエハおよび一括封止されたパッケージに貼着し、ダイシング、エキスパンティング等を行い、次いでピックアップすると同時にマウンティングする(パッケージの場合はトレイに収納される)際に用いる半導体加工用シートとして、紫外線及び/又は電子線に対し透過性を有する基材上に紫外線及び/又は電子線により重合硬化反応をする粘着剤層が塗布された粘着シートを用い、ダイシング後に紫外線及び/又は電子線を粘着剤層に照射し、粘着剤層を重合硬化反応をさせ、粘着力を低下せしめて半導体ウエハまたは切断されたパッケージをピックアップする方法が知られている。
例えば、特開昭60−196956号公報、特開昭60−223139号公報には、粘着剤層を構成する光重合性開始剤として、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、オリゴエステルアクリレート等の分子内に紫外線及び/又は電子線重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも2個以上有するアクリル樹脂系化合物を用いることが提案されている。
【0003】
しかしながら、近年半導体デバイスの高集積化に伴い回路が高詳細化し、帯電による製品破壊や作業上の不具合が問題が生じている。工程中懸念される帯電としては、シートをセパレータより剥離する際の剥離による帯電、ダイシング時のブレードとシートと摩擦による帯電、ダイシング後シートを吸着テーブルより取り外す際の剥離帯電、洗浄時に高圧吐出される洗浄液とシ−トとの摩擦による帯電、洗浄後乾燥時にテーブルを高速回転することによる発生する帯電、チップおよびパッケージをピックアップする際の剥離による帯電等などがある。
これら帯電により半導体デバイスの破壊や性能劣化が生じたり、以降の作業に不具合を生じるという問題が発生している。そのため、シート基材に帯電防止剤を練りこむ方法が行われている。
【0004】
シート基材に練りこむ帯電防止剤として一般的な低分子型帯電防止剤は、その作用機構が成形体表面へブリードアウトした帯電防止剤の導電層(単〜多分子層)形成であるために 成形初期に効果が発現されないことや、ダイシング時にチップの削りかすを水で高圧洗浄する際に、効果を消失することがある。
【0005】
一方、高分子型帯電防止剤は、樹脂マトリックスの中にミクロ層分離状態で存在し、成形時に樹脂表面で配向した導電層を形成することにより、 効果を発現する。そのため、低分子型に比べて添加量を多く必要とするが、成形直後から効果を発現し、ブリードアウトがないため、 接触物を汚染せず、洗浄しても効果を消失しない特長を持つ。この高分子型帯電防止剤として、一般的にはポリエーテルエステルアミドやポリエーテル/ポリオレフィンブロックポリマー等が知られている。
【0006】
また、エキスパンド工程は、粘着シートを引き伸ばし、チップ間隔を拡張する工程である。チップ間隔を拡げるエキスパンド工程の目的は、ピックアップの際にチップの認識性を高めることと、隣接するチップ同士が接触し、デバイスの破損を防止するためである。
現状のエキスパンド工程は、エキスパンド装置を用い、シートを引き伸ばすことで行われている。ところで、エキスパンド装置は、引き伸ばし量、引き伸ばし時のトルクが固定され、粘着シートの種類や、デバイスのサイズによって調整されていることが多い。
【0007】
このため、粘着シートが柔らかい場合には、ウエハ貼着部まで引伸応力が伝達せず、充分なチップ間隔が得られなくなり、一方シートが硬い場合には、装置のトルクが不足したり、あるいは粘着シートが裂けてしまう問題があった。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、上記問題点2点を解決し、半導体製造工程中における帯電の発生を防止し、該帯電による半導体デバイスの破壊および製品の劣化を防ぐことができ、尚且つエキスパンド性に優れた半導体加工用粘着シートを提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記の目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、基材フィルムの中にポリエーテルを有するものが、帯電の発生を防止すること、またポリプロピレン25〜75重量部と一般式(1)で示されるポリスチレンブロック(A)と一般式(2)で示されるビニルポリイソプレンブロック(B)からなるブロック共重合体75〜25重量部の混合物がエキスパンド性に優れることを見出し、この知見に基づき本発明をなすに至った。
【0010】
すなわち本発明は、
(1) ポリプロピレン25〜75重量部と、一般式(1)で示されるポリスチレンブロック(A)と一般式(2)で示されるビニルポリイソプレンブロック(B)とからなるブロック共重合体75〜25重量部と、ポリエーテルを主成分とする高分子型帯電防止剤1〜30量部との混合物からなるフィルム基材、およびベースポリマーと放射線重合性化合物と放射線重合性重合開始剤とからなる粘着剤層からなる半導体基板加工用粘着シート。
(2) ポリプロピレン25〜75重量部と、一般式(1)で示されるポリスチレンブロック(A)と一般式(2)で示されるビニルポリイソプレンブロック(B)からなるブロック共重合体75〜25重量部と、ポリエーテルを主成分とする高分子型帯電防止剤1〜30重量部との混合物からなるフィルムと他の樹脂フィルムとからなる複層フィルム基材、およびベースポリマーと放射線重合性化合物と放射線重合性重合開始剤とからなる粘着剤層からなる半導体基板加工用粘着シートである。
【0011】
【化3】

Figure 0004259050
(式(1)中、nは2以上の整数)
【0012】
【化4】
Figure 0004259050
(式(2)中、nは2以上の整数)
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。本発明に用いられるフィルム基材は、ポリプロピレン25〜75重量部と一般式(1)で示されるポリスチレンブロック(A)と一般式(2)で示されるビニルポリイソプレンブロック(B)からなるブロック共重合体75〜25重量部とポリエーテルを主成分とする高分子型帯電防止剤1〜30量部との混合物からなる。
ポリプロピレンの部数が75重量部より多いと、硬すぎて延びず、エキスパンドが難しくなり、次の工程に移送する際にウエハボックスに収納する際に収納できなかったり、あるいは収納されたウエハ同士が接したりし、汚染の原因になるという問題点がある。柔らかすぎてシートが伸びずチップ間隔を確保することが難しくなり、またチッピング性が悪く、チップをピックアップした後のシート上にウエハの欠けが存在する。
高分子型帯電防止剤の添加部数が、1重量部より少ないと帯電防止効果が無く、30重量部より多いとシート作成時に外観不良を起こす場合がある。
【0014】
また、高分子型帯電防止剤にはイオン導電性を高めるために、無機酸、有機スルフォン酸等のドーパントとの存在下で酸化重合剤を用いて、ポリマー化することができる。
上記のドーパントとしては、例えば塩素、臭素、ヨウ素のハロゲン類、五フッ化リン等のルイス酸、塩化水素、硫酸のプロトン酸、塩化第二鉄の遷移金属塩化物、過塩素酸銀、フッ化ホウ素銀等の遷移金属化合物やナトリウム、リチウム、カリウム等のアルカリ金属類が挙げられる。
【0015】
また、上記の酸化重合剤としては、過マンガン酸、過マンガン酸カリウム等の過マンガン酸(塩)類、三酸化クロム等のクロム酸類、硝酸銀等の硝酸塩類、塩素臭素、ヨウ素等のハロゲン類、過酸化水素、過酸化ベンゾイル等の過酸化物類、ペルオクソ二硫酸、ペルオクソ二硫酸カリウム等のペルオクソ酸(塩)類、次亜塩素酸、地亜塩素酸カリウム等の酸素酸塩類、塩化第二鉄等の遷移金属塩化物、酸化銀等の金属酸化物等が挙げられる。
【0016】
また本発明に用いられる基材フィルムは、ポリプロピレンに他の樹脂をブレンドした組成物からなる、ポリプロピレンを主たる成分とする樹脂組成物を用いることができる。ポリプロピレンにブレンドされる他の樹脂は、放射線透過性が良好な樹脂であれば、特に制限されるものではない。
例えば、低密度ポリエチレン、直鎖低密度ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリメチルペンテン、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−メタアクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、エチレン−メタアクリル酸エステル共重合体、エチレン−プロピレン−ジエン共重合体、スチレン−イソプレン共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−エチレン−ブテン共重合体などの単独重合体、共重合体等従来公知のものあるいはこれらの混合物、または他の樹脂及び、エラストマーとの混合物等が挙げられ基材フィルムの要求特性、コストなどの諸事情に応じて樹脂の種類、ブレンド比率を任意に選択することができる。
【0017】
本発明の樹脂を調整するために混合手段としては、加熱ロール、バンバリーミキサー、加圧ニーダー、二軸混練機等が一般に採用される。以上のような混合手段を用いると混合が容易であるとともに確実であるので得られた基材フィルムは折り曲げても白化現象はないという効果も有している。また、カレンダー成形、押し出し成形などの一般的かつ任意の成形方法により、シートとすることができる。
【0018】
また本発明において中心層となるポリプロピレン樹脂と他の樹脂からなるフィルムとの複層フィルムを中心として用いることができる。複層とするためのフィルムは、例えば、相溶性のある樹脂、相溶し難いが要求を満たす樹脂等従来公知のあるもの、あるいはこれらの化合物等からなるもので、基材フィルムの要求特性、コストなどの諸事情に応じて任意に選択される。また、このフィルムの厚みは、ポリプロピレン樹脂からなるフィルムの厚み以下で任意に選択することができる。
【0019】
この複層フィルムの製法としては、従来公知の共押出法、ラミネート法などが用いられ、この際通常のラミネートフィルムの製造で通常行われているように、複層フィルム間に接着剤を介在させても良い。このような接着剤としては、エチレン−酢酸ビニル共重合体またはこれをマレイン酸変性したもの等、従来公知の接着剤を使用することができる。
【0020】
基材フィルムの厚みは、強伸度特性、放射線透過性の観点から通常30〜300μmが適当である。基材フィルムの中心層の厚さ比率は、基材フィルムの要求特性に応じて任意に設定されるが、通常基材フィルムの総厚に対して10%以上が好ましく、50〜90%がより好ましい。
【0021】
本発明において、粘着剤に用いられるベースポリマーとしては、特に限定されるものではなく、例えば、アクリル酸、メタクリル酸及びそれらのエステルからなるポリマー、アクリル酸、メタクリル酸及びそれらのエステルと共重合可能な不飽和単量体、例えば、酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリルなどとの共重合体が用いられる。また本発明の粘着剤には、凝集力を高めるためにロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族共重合系石油樹脂等の粘着付与剤等を添加しても構わない。
【0022】
本発明において用いる放射線重合性化合物としては特に限定されるものではなく、例えばウレタンアクリレートやアクリレートモノマーなどが用いられる。
【0023】
ウレタンアクリレートとしては、分子内に2〜4個のアクリロイル基を有するウレタンアクリレートで、ジイソシアネート、ポリオール及びヒドロキシ(メタ)アクリレートとにより合成される化合物であり、好ましくは2個のアクリロイル基を有するウレタンアクリレートである。前記のイソシアネートとしては、例えばトルエンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、フェニレンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、キシレンジイソシアネート、テトラメチルキシレンジイソシアネート、ナフタレンジイソシアネート等を挙げることができる。前記のポリオールとしては、例えばエチレングリコール、プロピレングリコール、ブタンジオール、ヘキサンジオール等を挙げることができる。前記のヒドロキシ(メタ)アクリレートとしては、例えば、2−ヒドルキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドルキシプロピル(メタ)アクリレート等を挙げることができる。
【0024】
アクリレートモノマーとしては、例えばトリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールトテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート等を挙げることができる。
【0025】
放射線重合性重合開始剤としては、例えば、2-2-ジメトキシ-1,2-ジフェニルエタン-1-オン、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β-クロールアンスラキノンなどが挙げられる。
【0026】
本発明に用いる粘着剤において、放射線重合性化合物、放射線重合性重合開始剤の混合割合は、ベースポリマー100重量部に対して、放射線重合性化合物が50〜200重量部、放射線重合性重合開始剤0.03〜22.5重量部の混合割合である。放射線重合性化合物の割合が50重量部未満であると硬化後の粘着力の低下が十分でなくデバイスのピックアップが困難になり、200重量部を越えると粘着剤層の凝集力が不足し好ましくない。放射線重合性重合開始剤の割合が0.03重量部未満であると紫外線及び/又は電子線照射における放射線重合性化合物の硬化反応が乏しくなり粘着力の低下が不十分となり好ましくなく、22.5重量部を越えると熱あるいは蛍光灯下での安定性が悪くなり好ましくない。
【0027】
本発明において、前記粘着剤層の厚さは特に限定されるものではないが、5〜35μm程度であるのが好ましい。
本発明において、前記粘着剤層を前記基材上に形成し、半導体ウエハ加工用粘着紙とを製造するには、粘着剤層を構成する成分をそのまま、または適当な有機溶剤により溶液化し、塗布又は散布等により基材上に塗工し、例えば80〜100℃、30秒〜10分程度加熱処理等により乾燥させることにより得ることができる。
【0028】
本発明の半導体用粘着シートを使用するには公知の方法を用いることができ、例えば半導体加工用粘着シートを半導体ウエハに貼り付けて固定した後、回転丸刃で半導体デバイスを素子小片に切断する。その後、前記加工用粘着シートの基材側から紫外線及び/又は電子線を照射し、次いで専用治具を用いて前記加工用粘着シート放射状に拡大しチップ間を一定間隔に広げた後、デバイスをニードル等で突き上げるとともに、真空コレット、エアピンセット等で吸着する方法等によりピックアップすると同時にマウンティングまたはトレイに収納すればよい。
【0029】
【実施例】
以下、本発明を実施例及び比較例により更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定するものではない。
[実施例1]
アクリル酸ブチル70重量部とアクリル酸2−エチルヘキシル25重量部と酢酸ビニル5重量部とを共重合して得られた重量平均分子量500000の共重合体10重量部とアクリル酸2−エチルヘキシル50重量部とアクリル酸ブチル10重量部、酢酸ビニル37重量部、メタクリル酸2−ヒドロキシエチル3重量部とを共重合して得られた重量平均分子量300000の共重合体90重量部からなるベース樹脂100重量部に対し、放射線重合性化合物として分子量が11000の2官能ウレタンアクリレートを30重量部、分子量が500の5官能アクリレートモノマーを30重量部、放射線重合性重合開始剤として2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノンを5重量部、ポリイソシアネート系架橋剤を6重量部を配合した粘着剤層となる樹脂溶液を、剥離処理した厚さ38μmのポリエステルフィルムに乾燥後の厚さが10μmになるように塗工し、80℃5分間乾燥した。その後、 ポリプロピレン60重量部、ポリスチレンブロック(A)と一般式(2)で示されるビニルポリイソプレンブロック(B)からなるブロック共重合体40重量部、ポリエーテル/ポリオレフィンブロックポリマー ペレスタット300(株式会社 三洋化成工業製)15重量部を2軸混練機で混練した後、押出し機で押し出しし、作成した厚み90μmのシートをラミネートし、半導体加工用粘着シートを作製した。
なお以下の評価は、剥離処理したポリエステルフィルムを剥離した後に実施した。
得られた半導体加工用粘着シートを室温で7日以上成熟後、帯電時の減衰時間の測定、また実際に該シートを用い、パッケージを組み立てパッケージ破壊状況の有無を評価した。その結果を表1に示す。
【0030】
[比較例1]
ポリエーテル/ポリオレフィンポリマーを0.5重量部に変えた以外は実施例1と同様の方法でサンプルを作成し、評価した。
[比較例2]
ポリエーテル/ポリオレフィンポリマーを100重量部に変えた以外は実施例1と同様の方法でサンプルを作成し、評価した。
[比較例3]
シートの基材をポリプロピレン20重量部とハイブラー80重量部の配合のシートに変えた以外は、実施例1と同様の方法で試料を作製し、実施例1と同様の項目について試験した。その結果を表1に示す。
[比較例4]
シートの基材をポリプロピレン80重量部とハイブラー20重量部の配合のシートに変えた以外は、実施例1と同様の方法で試料を作製し、実施例1と同様の項目について試験した。その結果を表1に示す。
【0031】
【表1】
Figure 0004259050
【0032】
尚、実施例及び比較例の評価は、以下の評価方法を用いた。
・減衰時間の測定
electo−tech system社製のSTATIC DECAY METERを用い、シートに5kVの帯電処理を行い、その帯電が0Vまで減衰する時間を測定することにより評価を行った。
・パッケージ破壊試験
タブレット化したエポキシ樹脂を用い、低圧トランスファー成形機にて、175℃、射出圧70kgf/cm2 、保圧時間120秒の条件で半導体素子を80pQFP(14×20×2.7mm厚)に成形した後、175℃で8時間ポストキュアーして得た半導体装置を一般に用いられている工程でリード加工、外装メッキした後、素子の動作を確認した。全ての端子が問題なく作動するものを良品、正常に作動しない端子が含まれるものを不良品とした。
・チッピング性
半導体ウエハを、粘着シートに保持固定し、ダイシングソー(DISCO製 DAD-2H6M)を用いてスピンドル回転数30,000rpm、カッティングスピード120mm/min.でチップサイズにカット後、チップを粘着シートより剥離しその裏面の欠けの状態を実体顕微鏡で観察することにより評価した。
評価基準
良好:チップの欠けの幅が最大で30mm以下のもの
不良:チップの欠けの幅が最大で50mm以上のもの
・エキスパンド性
エキスパンダー(ヒューグル製)を使用し、20mmのストロークで10分間エキスパンドを行い評価した。
評価基準
良好:エキスパンド時にシートに裂けがないもの
不良:エキスパンド時にシートに裂けが認められるもの
【0033】
【発明の効果】
本発明の半導体加工用シートは、該フィルム基材がポリプロピレン25〜75重量部と一般式(1)で示されるポリスチレンブロック(A)と一般式(2)で示されるビニルポリイソプレンブロック(B)からなるブロック共重合体75〜25重量部とポリエーテルを主成分とする高分子型帯電防止剤1〜30重量部との混合物からなるフィルムあることを特徴としており、半導体製造工程中における帯電の発生を防止し、該帯電による半導体デバイスの破壊および製品の劣化を防ぐことができる。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an adhesive tape used in a process of manufacturing various semiconductors, and more specifically, for example, fixing a semiconductor wafer used when a wafer on which a pattern is formed is cut into individual patterns and divided into semiconductor elements. It relates to radiation curable adhesive tapes for use in anti-static effects.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, as a semiconductor processing sheet used when sticking to a semiconductor wafer and a package that has been encapsulated, dicing, expanding, etc., and then picking up and mounting (in the case of a package, it is stored in a tray) Using a pressure-sensitive adhesive sheet in which a pressure-sensitive adhesive layer that undergoes a polymerization and curing reaction by ultraviolet light and / or electron beam is coated on a substrate that is transparent to ultraviolet light and / or electron beam, ultraviolet light and / or electron beam is applied after dicing. There is known a method of picking up a semiconductor wafer or a cut package by irradiating the pressure-sensitive adhesive layer, causing the polymerization and curing reaction of the pressure-sensitive adhesive layer, and reducing the adhesive force.
For example, JP-A-60-196956 and JP-A-60-223139 disclose trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, polyethylene glycol diacrylate as photopolymerizable initiators constituting the pressure-sensitive adhesive layer. It has been proposed to use an acrylic resin compound having at least two ultraviolet and / or electron beam polymerizable carbon-carbon double bonds in the molecule, such as oligoester acrylate.
[0003]
However, in recent years, with the high integration of semiconductor devices, the circuit has become highly detailed, and there has been a problem of product destruction and operational troubles due to charging. Charges of concern during the process include charging due to peeling when the sheet is peeled off from the separator, charging due to friction between the blade and the sheet during dicing, peeling charging when removing the sheet after dicing from the suction table, and high-pressure discharge during cleaning. Charging due to friction between the cleaning liquid and the sheet, charging generated by rotating the table at a high speed during drying after cleaning, charging due to peeling when picking up the chip and package, and the like.
Such charging causes problems such as destruction of semiconductor devices and performance deterioration, and problems in subsequent operations. Therefore, a method in which an antistatic agent is kneaded into a sheet base material has been performed.
[0004]
A low molecular weight antistatic agent generally used as an antistatic agent to be kneaded into a sheet base material is because the action mechanism is the formation of a conductive layer (single to multimolecular layer) of the antistatic agent bleed out to the surface of the molded body. The effect may not be manifested in the initial stage of molding, and the effect may be lost when the chip shavings are washed with water at high pressure during dicing.
[0005]
On the other hand, the polymer type antistatic agent is present in a micro-layer separated state in the resin matrix, and exhibits an effect by forming a conductive layer oriented on the resin surface at the time of molding. Therefore, a large amount of addition is required compared to the low molecular weight type, but it has the advantage that it produces an effect immediately after molding and has no bleed-out, so it does not contaminate the contact material and does not lose its effect even after washing. As this polymer type antistatic agent, polyether ester amide, polyether / polyolefin block polymer and the like are generally known.
[0006]
The expanding step is a step of extending the pressure-sensitive adhesive sheet and extending the chip interval. The purpose of the expanding process to widen the chip interval is to improve chip recognition at the time of pick-up and to prevent damage to the device by contacting adjacent chips.
The current expanding process is performed by stretching a sheet using an expanding apparatus. By the way, in the expanding device, the amount of stretching and the torque at the time of stretching are fixed, and are often adjusted depending on the type of the adhesive sheet and the size of the device.
[0007]
For this reason, when the adhesive sheet is soft, the stretching stress is not transmitted to the wafer adhering portion and a sufficient chip interval cannot be obtained. On the other hand, when the sheet is hard, the torque of the apparatus is insufficient or the adhesive sheet is not adhesive. There was a problem that the sheet was torn.
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
The object of the present invention is to solve the above two problems, to prevent the occurrence of charging during the semiconductor manufacturing process, to prevent destruction of the semiconductor device and product deterioration due to the charging, and to have excellent expandability. Another object is to provide an adhesive sheet for semiconductor processing.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
As a result of intensive studies to achieve the above object, the inventors of the present invention have a polyether film in the base film to prevent the occurrence of electrification, and 25 to 75 parts by weight of polypropylene. It has been found that a mixture of 75 to 25 parts by weight of a block copolymer comprising a polystyrene block (A) represented by the general formula (1) and a vinyl polyisoprene block (B) represented by the general formula (2) is excellent in expandability. The present invention has been made based on this finding.
[0010]
That is, the present invention
(1) Block copolymer 75-25 comprising 25 to 75 parts by weight of polypropylene, a polystyrene block (A) represented by the general formula (1), and a vinyl polyisoprene block (B) represented by the general formula (2) A film substrate composed of a mixture of parts by weight and 1 to 30 parts by weight of a polymeric antistatic agent based on polyether, and an adhesive composed of a base polymer, a radiation polymerizable compound and a radiation polymerizable polymerization initiator An adhesive sheet for processing a semiconductor substrate comprising an agent layer.
(2) 25 to 75 parts by weight of polypropylene, and 75 to 25 parts by weight of a block copolymer comprising a polystyrene block (A) represented by the general formula (1) and a vinyl polyisoprene block (B) represented by the general formula (2) A multilayer film base material composed of a film comprising a mixture of 1 part and 30 parts by weight of a polymer-type antistatic agent mainly composed of polyether and another resin film, and a base polymer and a radiation-polymerizable compound A pressure-sensitive adhesive sheet for processing a semiconductor substrate comprising a pressure-sensitive adhesive layer comprising a radiation polymerizable polymerization initiator.
[0011]
[Chemical 3]
Figure 0004259050
(In formula (1), n is an integer of 2 or more)
[0012]
[Formula 4]
Figure 0004259050
(In formula (2), n is an integer of 2 or more)
[0013]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, the present invention will be described in detail. The film substrate used in the present invention is composed of 25 to 75 parts by weight of polypropylene, a block composed of a polystyrene block (A) represented by the general formula (1) and a vinyl polyisoprene block (B) represented by the general formula (2). It consists of a mixture of 75 to 25 parts by weight of a polymer and 1 to 30 parts by weight of a polymeric antistatic agent based on polyether.
If the number of parts of polypropylene is more than 75 parts by weight, it will be too hard to expand and difficult to expand, and will not be stored when stored in the wafer box when transferred to the next process, or the stored wafers will contact each other. There is a problem that it causes pollution. It is too soft and the sheet does not stretch and it is difficult to ensure the chip interval, chipping is poor, and wafer chips are present on the sheet after the chip is picked up.
When the added amount of the polymer type antistatic agent is less than 1 part by weight, there is no antistatic effect, and when it is more than 30 parts by weight, an appearance defect may occur at the time of sheet preparation.
[0014]
Further, in order to increase the ionic conductivity, the polymer type antistatic agent can be polymerized using an oxidation polymerization agent in the presence of a dopant such as an inorganic acid or an organic sulfonic acid.
Examples of the dopant include Lewis acids such as chlorine, bromine and iodine, phosphorus pentafluoride, hydrogen chloride, sulfuric acid protonic acid, ferric chloride transition metal chloride, silver perchlorate, fluoride Examples thereof include transition metal compounds such as silver boron and alkali metals such as sodium, lithium and potassium.
[0015]
Examples of the oxidation polymerization agent include permanganic acids (salts) such as permanganic acid and potassium permanganate, chromic acids such as chromium trioxide, nitrates such as silver nitrate, and halogens such as chlorine bromine and iodine. Peroxides such as hydrogen peroxide and benzoyl peroxide, peroxoacids (salts) such as peroxodisulfuric acid and potassium peroxodisulfate, oxyacid salts such as hypochlorous acid and potassium hypochlorite, Examples thereof include transition metal chlorides such as diiron and metal oxides such as silver oxide.
[0016]
Moreover, the base film used for this invention can use the resin composition which consists of a composition which blended other resin with the polypropylene and which uses a polypropylene as a main component. The other resin blended with polypropylene is not particularly limited as long as the resin has good radiation transmittance.
For example, low density polyethylene, linear low density polyethylene, polypropylene, ethylene-propylene copolymer, ethylene-vinyl acetate copolymer, polymethylpentene, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-methacrylic acid copolymer, Ethylene-acrylic acid ester copolymer, ethylene-methacrylic acid ester copolymer, ethylene-propylene-diene copolymer, styrene-isoprene copolymer, styrene-butadiene copolymer, styrene-ethylene-butene copolymer Conventional polymers such as homopolymers, copolymers, etc., or mixtures thereof, or other resins and mixtures with elastomers, etc. may be mentioned. The type and blend ratio can be selected arbitrarily.
[0017]
As a mixing means for adjusting the resin of the present invention, a heating roll, a Banbury mixer, a pressure kneader, a biaxial kneader or the like is generally employed. When the above mixing means is used, mixing is easy and reliable, so that the obtained base film has an effect that there is no whitening phenomenon even if it is bent. Moreover, it can be set as a sheet | seat by general and arbitrary shaping | molding methods, such as calendar shaping | molding and extrusion molding.
[0018]
Moreover, in this invention, it can use centering on the multilayer film of the polypropylene resin used as a center layer, and the film which consists of another resin. The film for making a multilayer is, for example, a compatible resin, a resin that is not compatible but satisfies the requirements, such as a conventionally known one, or a compound thereof. It is arbitrarily selected according to various circumstances such as cost. Moreover, the thickness of this film can be arbitrarily selected below the thickness of the film which consists of polypropylene resins.
[0019]
As a method for producing this multilayer film, conventionally known co-extrusion method, lamination method, etc. are used. At this time, an adhesive is interposed between the multilayer films as is usually done in the production of ordinary laminate films. May be. As such an adhesive, a conventionally known adhesive such as an ethylene-vinyl acetate copolymer or a maleic acid-modified one thereof can be used.
[0020]
The thickness of the substrate film is usually suitably from 30 to 300 μm from the viewpoint of strong elongation characteristics and radiation transparency. The thickness ratio of the center layer of the base film is arbitrarily set according to the required characteristics of the base film, but is usually preferably 10% or more, more preferably 50 to 90% with respect to the total thickness of the base film. preferable.
[0021]
In the present invention, the base polymer used for the pressure-sensitive adhesive is not particularly limited and can be copolymerized with, for example, a polymer composed of acrylic acid, methacrylic acid and esters thereof, acrylic acid, methacrylic acid and esters thereof. Copolymers with other unsaturated monomers such as vinyl acetate, styrene, acrylonitrile and the like are used. The pressure-sensitive adhesive of the present invention includes a rosin resin, a terpene resin, a coumarone resin, a phenol resin, a styrene resin, an aliphatic petroleum resin, an aromatic petroleum resin, and an aliphatic aromatic copolymer petroleum to increase the cohesive force. You may add tackifiers, such as resin.
[0022]
The radiation polymerizable compound used in the present invention is not particularly limited, and for example, urethane acrylate and acrylate monomer are used.
[0023]
The urethane acrylate is a urethane acrylate having 2 to 4 acryloyl groups in the molecule and synthesized by diisocyanate, polyol and hydroxy (meth) acrylate, and preferably urethane acrylate having 2 acryloyl groups. It is. Examples of the isocyanate include toluene diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, phenylene diisocyanate, dicyclohexylmethane diisocyanate, xylene diisocyanate, tetramethylxylene diisocyanate, and naphthalene diisocyanate. Examples of the polyol include ethylene glycol, propylene glycol, butanediol, hexanediol and the like. Examples of the hydroxy (meth) acrylate include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate and 2-hydroxypropyl (meth) acrylate.
[0024]
Examples of the acrylate monomer include trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, and the like.
[0025]
Examples of the radiation-polymerizable polymerization initiator include 2-2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one, benzophenone, acetophenone, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzyl diphenyl sulfide, Tetramethylthiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, dibenzyl, diacetyl, β-chloranthraquinone and the like can be mentioned.
[0026]
In the pressure-sensitive adhesive used in the present invention, the mixing ratio of the radiation-polymerizable compound and the radiation-polymerizable polymerization initiator is 50 to 200 parts by weight of the radiation-polymerizable compound with respect to 100 parts by weight of the base polymer. The mixing ratio is 0.03 to 22.5 parts by weight. If the ratio of the radiation-polymerizable compound is less than 50 parts by weight, the adhesive strength after curing is not sufficiently lowered and it becomes difficult to pick up the device, and if it exceeds 200 parts by weight, the cohesive force of the adhesive layer is insufficient, which is not preferable. . When the ratio of the radiation-polymerizable polymerization initiator is less than 0.03 parts by weight, the curing reaction of the radiation-polymerizable compound in the ultraviolet and / or electron beam irradiation becomes poor, and the decrease in the adhesive strength becomes insufficient. Exceeding parts by weight unfavorably deteriorates stability under heat or fluorescent light.
[0027]
In the present invention, the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited, but is preferably about 5 to 35 μm.
In the present invention, in order to produce the pressure-sensitive adhesive layer on the substrate and produce a pressure-sensitive adhesive paper for processing a semiconductor wafer, the components constituting the pressure-sensitive adhesive layer are applied as they are or in a solution with an appropriate organic solvent. Or it can apply | coat on a base material by dispersion | spreading etc., for example, can be obtained by making it dry by heat processing etc. about 80-100 degreeC and 30 second-about 10 minutes.
[0028]
A known method can be used to use the semiconductor pressure-sensitive adhesive sheet of the present invention. For example, after sticking and fixing a semiconductor processing pressure-sensitive adhesive sheet on a semiconductor wafer, the semiconductor device is cut into element pieces with a rotating round blade. . Then, after irradiating ultraviolet rays and / or electron beams from the substrate side of the pressure-sensitive adhesive sheet for processing, and then expanding the pressure-sensitive adhesive sheet for processing radially using a dedicated jig and spreading the chips at regular intervals, While picking up with a needle etc., it picks up by the method of adsorb | sucking with a vacuum collet, an air tweezers, etc., and it should just store in a mounting or a tray.
[0029]
【Example】
EXAMPLES Hereinafter, although an Example and a comparative example demonstrate this invention further in detail, this invention is not limited to these.
[Example 1]
10 parts by weight of a copolymer having a weight average molecular weight of 500,000 obtained by copolymerizing 70 parts by weight of butyl acrylate, 25 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate and 5 parts by weight of vinyl acetate, and 50 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate 100 parts by weight of a base resin comprising 90 parts by weight of a copolymer having a weight average molecular weight of 300,000 obtained by copolymerizing 10 parts by weight of butyl acrylate, 37 parts by weight of vinyl acetate and 3 parts by weight of 2-hydroxyethyl methacrylate In contrast, 30 parts by weight of a bifunctional urethane acrylate having a molecular weight of 11,000 as a radiation polymerizable compound, 30 parts by weight of a pentafunctional acrylate monomer having a molecular weight of 500, and 2,2-dimethoxy-2-phenyl as a radiation polymerizable polymerization initiator Viscosity containing 5 parts by weight of acetophenone and 6 parts by weight of polyisocyanate crosslinking agent The resin solution as the adhesive layer, the thickness after drying to a polyester film having a thickness of 38μm was release treatment is applied so that the 10 [mu] m, and dried 80 ° C. 5 min. Thereafter, 60 parts by weight of polypropylene, 40 parts by weight of a block copolymer comprising a polystyrene block (A) and a vinyl polyisoprene block (B) represented by the general formula (2), a polyether / polyolefin block polymer Pelestat 300 (Sanyo Corporation) 15 parts by weight (made by Kasei Kogyo Co., Ltd.) were kneaded with a biaxial kneader and then extruded with an extruder, and the prepared 90 μm thick sheet was laminated to produce an adhesive sheet for semiconductor processing.
In addition, the following evaluation was implemented after peeling the polyester film which carried out the peeling process.
The obtained adhesive sheet for semiconductor processing was matured at room temperature for 7 days or more, and then the decay time at the time of charging was measured, and the sheet was actually used to assemble a package and evaluated whether the package was broken or not. The results are shown in Table 1.
[0030]
[Comparative Example 1]
Samples were prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the polyether / polyolefin polymer was changed to 0.5 parts by weight.
[Comparative Example 2]
Samples were prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the polyether / polyolefin polymer was changed to 100 parts by weight.
[Comparative Example 3]
Samples were prepared in the same manner as in Example 1 except that the base material of the sheet was changed to a sheet of 20 parts by weight of polypropylene and 80 parts by weight of Hibler, and the same items as in Example 1 were tested. The results are shown in Table 1.
[Comparative Example 4]
A sample was prepared in the same manner as in Example 1 except that the sheet base material was changed to a sheet of 80 parts by weight of polypropylene and 20 parts by weight of Hiblar, and the same items as in Example 1 were tested. The results are shown in Table 1.
[0031]
[Table 1]
Figure 0004259050
[0032]
In addition, the following evaluation methods were used for the evaluation of Examples and Comparative Examples.
-Measurement of decay time Using a STATIC DECEY METER manufactured by electro-tech system, the sheet was subjected to a 5 kV charging treatment, and the time for which the charge decayed to 0 V was evaluated.
Package Destructive Test Using a tableted epoxy resin, 80 pQFP (14 x 20 x 2.7 mm thickness) of a semiconductor element on a low-pressure transfer molding machine under the conditions of 175 ° C, injection pressure 70 kgf / cm 2 , and pressure holding time 120 seconds. After the semiconductor device obtained by post-curing at 175 ° C. for 8 hours was subjected to lead processing and exterior plating in generally used processes, the operation of the element was confirmed. Those in which all terminals operated without any problems were regarded as non-defective products, and those including terminals that did not operate normally were regarded as defective products.
-A chipping semiconductor wafer is held and fixed to an adhesive sheet, and a dicing saw (DISCO DAD-2H6M) is used to rotate the spindle at 30,000 rpm and a cutting speed of 120 mm / min. Then, after cutting to chip size, the chip was peeled off from the adhesive sheet and evaluated by observing the chipped state on the back surface with a stereomicroscope.
Good evaluation criteria: Chip chip width of 30 mm or less is bad. Chip chip width is 50 mm or more. ・ Expandable expander (manufactured by Hugle) is used for 10 minutes with 20 mm stroke. Performed and evaluated.
Evaluation criteria Good: The sheet does not tear when expanded. Bad: The sheet is cracked when expanded. [0033]
【The invention's effect】
In the sheet for semiconductor processing of the present invention, the film base is 25 to 75 parts by weight of polypropylene, the polystyrene block (A) represented by the general formula (1), and the vinyl polyisoprene block (B) represented by the general formula (2). A film comprising a mixture of 75 to 25 parts by weight of a block copolymer consisting of 1 to 30 parts by weight of a polymer-type antistatic agent mainly composed of polyether. Generation | occurrence | production can be prevented and destruction of the semiconductor device and deterioration of a product by this charging can be prevented.

Claims (2)

ポリプロピレン25〜75重量部と、一般式(1)で示されるポリスチレンブロック(A)と一般式(2)で示されるビニルポリイソプレンブロック(B)とからなるブロック共重合体75〜25重量部と、ポリエーテル/ポリオレフィンブロックポリマーを主成分とする高分子型帯電防止剤1〜30重量部との混合物からなるフィルム基材並びにベースポリマーと放射線重合性化合物と放射線重合開始剤とからなる粘着剤層からなる半導体基板加工用粘着シート。
Figure 0004259050
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25 to 75 parts by weight of polypropylene, and 75 to 25 parts by weight of a block copolymer comprising a polystyrene block (A) represented by the general formula (1) and a vinyl polyisoprene block (B) represented by the general formula (2) , film substrate layer made of a mixture of a polymeric antistatic agent 1 to 30 parts by weight of a main component of polyether / polyolefin block polymer, and consists of a base polymer and a radiation-polymerizable compound and radiation polymerization initiator adhesive A pressure-sensitive adhesive sheet for processing a semiconductor substrate comprising an agent layer.
Figure 0004259050
Figure 0004259050
ポリプロピレン25〜75重量部と、一般式(1)で示されるポリスチレンブロック(A)と一般式(2)で示されるビニルポリイソプレンブロック(B)とからなるブロック共重合体75〜25重量部と、ポリエーテル/ポリオレフィンブロックポリマーを主成分とする高分子型帯電防止剤1〜30重量部との混合物からなるフィルムと他の樹脂フィルムとからなる複層フィルム基材並びにベースポリマーと放射線重合性化合物と放射線重合開始剤とからなる粘着剤層からなる半導体基板加工用粘着シート。
Figure 0004259050
Figure 0004259050
25 to 75 parts by weight of polypropylene, and 75 to 25 parts by weight of a block copolymer comprising a polystyrene block (A) represented by the general formula (1) and a vinyl polyisoprene block (B) represented by the general formula (2) , multilayer film substrate layer consisting of consisting of a mixture film and other resin films and the polymeric antistatic agent 1 to 30 parts by weight of a main component of polyether / polyolefin block polymer, as well as a base polymer and a radiation polymerization A semiconductor substrate processing pressure-sensitive adhesive sheet comprising a pressure-sensitive adhesive layer comprising a functional compound and a radiation polymerization initiator.
Figure 0004259050
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