JP4237163B2 - アクチュエータの速度制御装置及び記憶装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の一実施の態様の記憶装置の上面図、図2は、その記憶装置の断面図、図3及び図4は、そのランプ部材の構成図、図5は、記憶装置のブロック図である。この例では、記憶装置として、ハードディスク装置を例にしてある。
・・ロード/アンロード処理・・
図6は、図5のVCM駆動回路に設けられたVCM逆起電圧検出回路の回路図である。
ここで、VCMの逆起電圧をVbとすると、両端電圧Aは、下記式で示される。
これを(1)式に代入すると、下記(3)式を得る。
Va=G〔(Rs・R2/R1ーRv)IvーVb〕 (3)
(3)式から、VCM電流Ivは、駆動指示電流値であり、既知であるため、検出電圧Vaから、逆起電圧を検出できる。VCM逆起電圧は、力定数と速度の積で求まるため、検出したVCM逆起電圧から速度を検出することができる。
ここで、Keは、力定数から得られる補正係数であり、Kは、(3)式の(Rs・R2/R1ーRv)である。但し、ゲインGは、「1」とする。
次に、このようなVCMの逆起電圧による速度の検出を短いサンプル期間で実行できる方法を説明する。図9は、VCMコイル両端電圧の説明図、図10は、従来のVCM電流更新タイミングの説明図、図11は、本発明による速度検出処理フロー図、図12は、図11のためのVCM過渡応答モデルの説明図、図13は、図11のサンプル間隔の説明図、図14は、本発明によるVCM電流更新タイミングの説明図である。
・・キャリブレーションを含むロード/アンロード処理・・
次に、前述の(4)式において、速度オフセット係数Kは、抵抗値、即ち、(Rs・R2/R1ーRv)で規定される。理想的には、速度オフセット係数Kを「0」が望ましいが、速度オフセット係数Kは、各VCM逆起電圧検出回路13ー1の抵抗値及び温度変化によるVCM逆起電圧検出回路13ー1及びVCMの抵抗値により変化する。このため、速度オフセット係数Kをキャリブレーションする必要がある。
(S23)このように、速度オフセット係数Kは、キャリブレーションした後、MPU19は、VCM3により、ヘッド4を磁気ディスク6の方向に駆動する。先ず、MPU19は、ランプ部材11の凹み11ー2を乗り越えるため、インナー方向の一定の打ち出し電流をVCM3に流す。これにより、リフトタブ12は、ランプ部材11の凹み11ー2を乗り越える。
(S30)MPU19は、アンロードコマンドを受けると、先ず、キャリブレーションを実行する。即ち、VCM3により、磁気ヘッド4を磁気ディスク6の第1のシリンダ位置に移動する。次に、VCM3により、磁気ヘッド4を磁気ディスク6の第2のシリンダ位置に移動を開始する。
4 磁気ヘッド
5 スピンドルモータ
6 磁気ディスク
11 ランプ部材
13 VCM駆動回路
13−1 逆起電圧検出回路
19 MPU
Claims (5)
- アクチュエータの逆起電圧から、前記アクチュエータの速度を検出して、前記アクチュエータを速度制御するアクチュエータの速度制御装置において、
前記アクチュエータの逆起電圧を検出する逆起電圧検出回路と、
前記逆起電圧検出回路の出力から前記アクチュエータの移動速度を検出し、前記アクチュエータの駆動電流を更新して、速度制御する制御部と、
予め単位ステップの指示電流値を前記アクチュエータに供給し、且つ前記アクチュエータの両端電圧値を測定して得た過渡応答モデルを格納するメモリとを有し、
前記制御部は、サンプル毎に、前記検出した移動速度に従い、前記アクチュエータの駆動電流を更新するとともに、前記駆動電流を更新した後、前記逆起電圧検出回路の検出電圧値をサンプルして、読み取り、前記メモリの過渡応答モデルから、前記逆起電圧検出回路の検出電圧のサンプル時点の前記過渡応答電圧値を求め、前記検出電圧値から、前記アクチュエータの求めた過渡応答電圧値を差し引き、前記アクチュエータの逆起電圧を算出し、前記逆起電圧から前記アクチュエータの移動速度を算出することを
特徴とするアクチュエータの速度制御装置。 - 前記逆起電圧検出回路は、
抵抗とインダクタンスを有する前記アクチュエータのコイルのセンス抵抗と、
前記センス抵抗と並列に設けられ、前記センス抵抗に対応した逆起電圧を検出するための第1の抵抗と、
前記第1の抵抗と直列接続され、前記アクチュエータの抵抗に対応した逆起電圧を検出するための第2の抵抗と、
前記センス抵抗の電位から前記第1及び第2の抵抗の中点の電位を差し引くアンプと、
前記アクチュエータの抵抗の電位と、前記アンプの出力電位との差をとる差動アンプとを有することを
特徴とする請求項1のアクチュエータの速度制御装置。 - 記憶媒体を少なくとも読み取るヘッドと、
前記ヘッドを前記記憶媒体の所定位置に位置づけるアクチュエータと、
前記記憶媒体外の位置に設けられ、前記ヘッドを支持するランプ部材と、
前記アクチュエータの逆起電圧を検出する逆起電圧検出回路と、
予め単位ステップの指示電流値を前記アクチュエータに供給し、且つ前記アクチュエータの両端電圧値を測定して得た前記アクチュエータの過渡応答モデルを格納する格納手段と、
前記アクチュエータを駆動制御する制御部とを有し、
前記制御部は、
前記ヘッドを、前記記憶媒体から前記ランプ部材の位置にアンロードし、且つ、前記ヘッドを、前記ランプ部材から前記記憶媒体にロードするとともに、
該アンロード又はロード時に、サンプル毎に、検出した移動速度に従い、前記アクチュエータの駆動電流を更新するとともに、前記駆動電流を更新した後、前記逆起電圧検出回路の検出電圧値をサンプルして、読み取り、前記格納手段の過渡応答モデルから得た前記逆起電圧検出回路の検出電圧のサンプル時点の前記過渡応答電圧値を求め、前記検出電圧値から、前記アクチュエータの過渡応答電圧値を差し引き、前記アクチュエータの逆起電圧を算出し、前記逆起電圧から前記アクチュエータの移動速度を算出して、該アクチュエータを速度制御することを
特徴とする記憶装置。 - 前記逆起電圧検出回路は、
抵抗とインダクタンスを有する前記アクチュエータのコイルのセンス抵抗と、
前記センス抵抗と並列に設けられ、前記センス抵抗に対応した逆起電圧を検出するための第1の抵抗と、
前記第1の抵抗と直列接続され、前記アクチュエータの抵抗に対応した逆起電圧を検出するための第2の抵抗と、
前記センス抵抗の電位から前記第1及び第2の抵抗の中点の電位を差し引くアンプと、
前記アクチュエータの抵抗の電位と、前記アンプの出力電位との差をとる差動アンプとを有することを
特徴とする請求項3の記憶装置。 - 前記格納手段は、
予め前記単位ステップの指示電流値を前記アクチュエータに供給し、且つ前記測定時間間隔で、前記アクチュエータの両端電圧値を測定して得た各時間の過渡応答値を、前記過渡応答モデルとして、格納することを
特徴とする請求項3の記憶装置。
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