JP4235945B2 - 金属配線形成方法および金属配線形成装置 - Google Patents
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Description
従来の手法では、ウェットエッチングやレジスト膜の除去などの各工程が複雑であるとともに、工程数が多い。
従来の手法では、酸を用いたウェットエッチングによって金属パターンを形成しているので、空間解像度に限界がある。
従来の手法では、特にウェットエッチングの工程やレジスト膜の除去の工程において、有機溶液や酸の溶液などの廃液が多量に生じてしまう。
12,42 金属薄膜形成システム
14,44 金属堆積システム
20 レーザー
22 ミラー
24,54 レンズ
26 ステージ
26a 上面
28 ターゲット
28a 基台
28b 表面
28c 金属薄膜
28d 底面
30,36 スペーサー
32 槽
34 メッキ液
50 塗布装置
52 ハンダ
58 ターゲット
58a 上面
58b 底面
100 基板
100a 配線が形成される面
100b 面
Claims (12)
- 電子回路用の基板に金属配線を形成する金属配線形成方法において、
電子回路用の基板に、前記電子回路用の基板に対して透明なレーザー光を照射するとともに、前記電子回路用の基板の配線が形成される面に近接してプラズマを生成し、前記プラズマと前記電子回路用の基板に照射されたレーザー光とを相互作用させ、前記相互作用によって、前記電子回路用の基板の前記配線が形成される面でアブレーションを発生させて、前記電子回路用の基板の前記配線が形成される面にアブレーションによるエッチング溝を形成すると同時に前記エッチング溝の底面に金属薄膜を堆積させる第1の段階と、
前記第1の段階によって形成された前記エッチング溝内に金属を堆積させる第2の段階と
を有する金属配線形成方法。 - 電子回路用の基板に金属配線を形成する金属配線形成方法において、
金属の熱伝導率に比べて小さい熱伝導率を有する材料からなる基台と前記基台の表面に形成された金属の薄膜とを有するターゲットを、電子回路用の基板の配線が形成される面と前記金属の薄膜とが対向するようにしかつ前記電子回路用の基板と前記ターゲットとの間の距離を制御して配置し、前記電子回路用の基板に対して透明なレーザー光を、前記電子回路用の基板に照射するとともに前記ターゲットの前記金属の薄膜に照射して、前記ターゲットから前記ターゲットの前記金属の薄膜と前記電子回路用の基板の前記配線が形成される面との間にプラズマを生成し、前記プラズマと前記電子回路用の基板に照射されたレーザー光とを相互作用させ、前記相互作用によって、前記電子回路用の基板の前記配線が形成される面でアブレーションを発生させて、前記電子回路用の基板の前記配線が形成される面にアブレーションによるエッチング溝を形成すると同時に前記エッチング溝の底面に前記ターゲットの前記金属の薄膜からアブレーションされた金属薄膜を堆積させる第1の段階と、
前記第1の段階によって形成された前記エッチング溝内に金属を堆積させる第2の段階と
を有する金属配線形成方法。 - 電子回路用の基板に金属配線を形成する金属配線形成方法において、
電子回路用の基板の配線が形成される面と表面とが対向するようにしかつ前記電子回路用の基板との間の距離を制御してターゲットを配置し、前記電子回路用の基板に対して透明なレーザー光を、焦点位置が前記ターゲットの前記表面に位置するようにして、前記電子回路用の基板に照射するとともに前記ターゲットの前記表面に照射して、前記ターゲットから前記ターゲットの前記表面と前記電子回路用の基板の前記配線が形成される面との間にプラズマを生成し、前記プラズマと前記電子回路用の基板に照射されたレーザー光とを相互作用させ、前記相互作用によって、前記電子回路用の基板の前記配線が形成される面でアブレーションを発生させて、前記電子回路用の基板の前記配線が形成される面にアブレーションによるエッチング溝を形成すると同時に前記エッチング溝の底面に前記ターゲットからアブレーションされた金属薄膜を堆積させる第1の段階と、
前記第1の段階によって形成された前記エッチング溝内に金属を堆積させる第2の段階と
を有する金属配線形成方法。 - 請求項1、請求項2または請求項3のいずれか1項に記載の金属配線形成方法において、
前記第1の段階において照射されるレーザー光は、パルス・レーザー光である
金属配線形成方法。 - 請求項1、請求項2、請求項3または請求項4のいずれか1項に記載の金属配線形成方法において、
前記第2の段階は、無電解メッキ液を用いたメッキ、電解メッキ液を用いたメッキまたはハンダの塗布のうちのいずれかにより、前記エッチング溝内に金属を堆積させる
ものである金属配線形成方法。 - 請求項1、請求項2、請求項3、請求項4または請求項5のいずれか1項に記載の金属配線形成方法において、
前記電子回路用の基板はポリマー材料により形成され、前記第1の段階によって前記エッチング溝の底面に金の薄膜を形成し、前記第2の段階によって前記エッチング溝内に銅を堆積させる
ものである金属配線形成方法。 - 電子回路用の基板に金属配線を形成する金属配線形成装置において、
配線が形成される面を有する電子回路用の基板を移動自在に保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された前記電子回路用の基板の前記配線が形成される面に近接してプラズマを生成するプラズマ生成手段と、
前記電子回路用の基板に対して透明なレーザー光を、前記保持手段に保持された前記電子回路用の基板に照射して、前記プラズマ生成手段によって生成されたプラズマと前記レーザー光とを相互作用させるレーザーと
を有し、
前記プラズマ生成手段によって生成されたプラズマと前記レーザーから前記電子回路用の基板に照射されたレーザー光との相互作用によって、前記電子回路用の基板の前記配線が形成される面でアブレーションを発生させて、前記電子回路用の基板の前記配線が形成される面にアブレーションによるエッチング溝を形成すると同時に前記エッチング溝の底面に金属薄膜を堆積させる第1のシステムと、
前記第1のシステムによって形成された前記エッチング溝内に金属を堆積させる第2のシステムと
を有する金属配線形成装置。 - 電子回路用の基板に金属配線を形成する金属配線形成装置において、
配線が形成される面を有する電子回路用の基板を移動自在に保持する保持手段と、
金属の熱伝導率に比べて小さい熱伝導率を有する材料からなる基台と前記基台の表面に形成された金属の薄膜とを有してなり、前記保持手段に保持された前記電子回路用の基板の前記配線が形成される面と前記金属の薄膜とが対向するようにしかつ前記電子回路用の基板との間の距離を制御して配置されたターゲットと、
前記電子回路用の基板に対して透明なレーザー光を、前記保持手段に保持された前記電子回路用の基板に照射するとともに前記ターゲットの前記金属の薄膜に照射して、前記ターゲットから前記ターゲットの前記金属の薄膜と前記電子回路用の基板の前記配線が形成される面との間にプラズマを生成し、前記プラズマと前記レーザー光とを相互作用させるレーザーと
を有し、
前記ターゲットから生成されたプラズマと前記レーザーから前記電子回路用の基板に照射されたレーザー光との相互作用によって、前記電子回路用の基板の前記配線が形成される面でアブレーションを発生させて、前記電子回路用の基板の前記配線が形成される面にアブレーションによるエッチング溝を形成すると同時に前記エッチング溝の底面に前記ターゲットの前記金属の薄膜からアブレーションされた金属薄膜を堆積させる第1のシステムと、
前記第1のシステムによって形成された前記エッチング溝内に金属を堆積させる第2のシステムと
を有する金属配線形成装置。 - 電子回路用の基板に金属配線を形成する金属配線形成装置において、
配線が形成される面を有する電子回路用の基板を移動自在に保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された前記電子回路用の基板の前記配線が形成される面と表面とが対向するようにしかつ前記電子回路用の基板との間の距離を制御して配置されたターゲットと、
前記電子回路用の基板に対して透明なレーザー光を、焦点位置が前記ターゲットの前記表面に位置するようにして、前記保持手段に保持された前記電子回路用の基板に照射するとともに前記ターゲットの前記表面に照射して、前記ターゲットから前記ターゲットの前記表面と前記電子回路用の基板の前記配線が形成される面との間にプラズマを生成し、前記プラズマと前記レーザー光とを相互作用させるレーザーと
を有し、
前記ターゲットから生成されたプラズマと前記レーザーから前記電子回路用の基板に照射されたレーザー光との相互作用によって、前記電子回路用の基板の前記配線が形成される面でアブレーションを発生させて、前記電子回路用の基板の前記配線が形成される面にアブレーションによるエッチング溝を形成すると同時に前記エッチング溝の底面に前記ターゲットからアブレーションされた金属薄膜を堆積させる第1のシステムと、
前記第1のシステムによって形成された前記エッチング溝内に金属を堆積させる第2のシステムと
を有する金属配線形成装置。 - 請求項7、請求項8または請求項9のいずれか1項に記載の金属配線形成装置において、
前記レーザーは、前記レーザー光としてパルス・レーザー光を照射するものである
金属配線形成装置。 - 請求項7、請求項8、請求項9または請求項10のいずれか1項に記載の金属配線形成装置において、
前記第2のシステムは、無電解メッキ液を用いたメッキ、電解メッキ液を用いたメッキまたはハンダの塗布のうちのいずれかにより、前記エッチング溝内に金属を堆積させる
ものである金属配線形成装置。 - 請求項7、請求項8、請求項9、請求項10または請求項11のいずれか1項に記載の金属配線形成装置において、
前記電子回路用の基板はポリマー材料により形成され、前記第1のシステムによって前記エッチング溝の底面に金の薄膜を形成し、前記第2のシステムによって前記エッチング溝内に銅を堆積させる
ものである金属配線形成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003306137A JP4235945B2 (ja) | 2003-08-29 | 2003-08-29 | 金属配線形成方法および金属配線形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003306137A JP4235945B2 (ja) | 2003-08-29 | 2003-08-29 | 金属配線形成方法および金属配線形成装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005079245A JP2005079245A (ja) | 2005-03-24 |
JP4235945B2 true JP4235945B2 (ja) | 2009-03-11 |
Family
ID=34409298
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003306137A Expired - Fee Related JP4235945B2 (ja) | 2003-08-29 | 2003-08-29 | 金属配線形成方法および金属配線形成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4235945B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009231393A (ja) * | 2008-03-19 | 2009-10-08 | Toppan Forms Co Ltd | 配線基板作製方法及び配線基板 |
US8663754B2 (en) | 2009-03-09 | 2014-03-04 | Imra America, Inc. | Pulsed laser micro-deposition pattern formation |
JP2014165263A (ja) * | 2013-02-22 | 2014-09-08 | Seiren Co Ltd | 透明電極材の製造方法 |
TW202224211A (zh) * | 2016-03-31 | 2022-06-16 | 美商伊雷克托科學工業股份有限公司 | 用於導電電鍍的雷射種晶之方法 |
US11471981B2 (en) | 2018-01-05 | 2022-10-18 | Hirosaki University | Transparent material processing method, transparent material processing device, and transparent material |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA1105093A (en) * | 1977-12-21 | 1981-07-14 | Roland F. Drew | Laser deposition of metal upon transparent materials |
JPH02246328A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-02 | Fujitsu Ltd | 薄膜形成装置およびエッチング装置 |
JP3192667B2 (ja) * | 1990-03-01 | 2001-07-30 | 住友電気工業株式会社 | 酸化物超電導薄膜の製造方法 |
JPH07240568A (ja) * | 1994-02-28 | 1995-09-12 | Mitsubishi Electric Corp | 回路基板およびその製造方法 |
JPH1150274A (ja) * | 1997-08-01 | 1999-02-23 | Toshiba Mach Co Ltd | 切断加工方法および装置 |
JPH1168288A (ja) * | 1997-08-21 | 1999-03-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 回路基板の製造方法及び回路基板 |
JP2002252212A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-09-06 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 表面加工方法、光起電力発生装置の製造方法及び製造装置 |
JP2003096559A (ja) * | 2001-09-21 | 2003-04-03 | Shin Meiwa Ind Co Ltd | 成膜装置および成膜方法 |
-
2003
- 2003-08-29 JP JP2003306137A patent/JP4235945B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005079245A (ja) | 2005-03-24 |
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Date | Code | Title | Description |
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A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20031201 |
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RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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|
A621 | Written request for application examination |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20060328 |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060602 |
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A521 | Written amendment |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060724 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080930 |
|
A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20081202 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111226 Year of fee payment: 3 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121226 Year of fee payment: 4 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121226 Year of fee payment: 4 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131226 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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S533 | Written request for registration of change of name |
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|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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S533 | Written request for registration of change of name |
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