JP4229625B2 - 窒化物半導体層とそれを含む窒化物半導体素子 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、P元素を含む窒化物系化合物半導体材料を用いた窒化物半導体素子に関する。
【0002】
【従来の技術】
六方晶系のGaN結晶にPを添加してなるGaN1-xPxがJpn.J.Appl.Phys.Vol.35(1996)pp.L1634−L1637で報告された。そのGaN1-xPxはGSMBE(Gas Source Molecular Beam Epitaxy)装置で作製された。このGaN1-xPxは、Pの組成xが0.015、c軸方向の格子定数は0.5202nmである。一方、その下地層であるGaNの格子定数は0.5185nmである。このように、従来、窒化物系半導体においては、ある材料にさらにPを添加すると、Pを添加した半導体層(前述の例で言えばGaNP)は、Pが添加されていない半導体層(GaNPに対してはGaN)と比較してc軸の格子定数は大きく、発光波長は長波長であった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
これまで窒化物系半導体で、GaNよりも小さい格子定数を有する材料を得るためには、GaNにAlを添加する方法しかなかった。しかしながら、Alは酸化しやすい物質でもあり、素子設計の自由度を増すためには、Alを含まない窒化物系半導体で、より格子定数の小さい半導体を得ることが熱望されていた。
【0004】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題に鑑み、研究を重ねた結果、Pが添加された窒化物半導体で、従来報告されていたのとは異なる性質を持つ窒化物半導体を作製することに成功した。
【0005】
本発明の半導体層は、GaとNを含み、さらに、Pを含む窒化物半導体層(以降、単に「Pを含む窒化物半導体」と言う)において、前記窒化物半導体層に含まれるPの原子分率は30%以下であり、さらにPは少なくともIII族のサイトに含まれることを特徴とする。さらに、このような窒化物半導体層(六方晶系)は、そのc軸方向の格子定数が前記窒化物半導体層からPを除いた半導体層(以降、「Pを含まない窒化物半導体層」と言う)のc軸方向の格子定数と比較して小さいくなることが、本発明者らの研究結果によって判明した。
【0006】
これは、従来のGaNP(GaNのNがPよりも多いGaNP)はGaNにPが添加されるとその格子定数が大きくなるという特性と反対の性質を示している。なお、従来例として報告されているGaN1-xPxは、その表記が表す通り、G:P+Nで組成比が1:1となる。すなわち、PはV族のサイトに入っていると考えられる。
【0007】
ここで、本明細書で説明される、或る窒化物半導体層に含まれるPの原子分率とは以下のようにして表される。Pの原子分率(%)=100×(P)/(或る窒化物半導体層の総てのIII族原子+或る窒化物半導体層の総てのV族元素)。ここで、或る窒化物半導体層の総てのV族元素は前記のPを含む。例えば、或る窒化物半導体層がGaNPの場合、Pの原子分率は、100×P/(Ga+N+P)である。
【0008】
本発明の窒化物導体層のc軸方向の格子定数は、前記窒化物半導体層からPを除いた半導体層のc軸方向の格子定数よりも小さいことを特徴とする。
【0009】
本発明の窒化物半導体素子は、前記の窒化物半導体層を含むことを特徴とする。
【0010】
本発明の窒化物半導体素子は、発光素子であることを特徴とする。
本発明の窒化物半導体素子は、前記窒化物半導体層が発光層に含まれることを特徴とする。
【0011】
本発明の窒化物半導体素子は、前記窒化物半導体層がn型であることを特徴とする。
【0012】
本発明の窒化物半導体素子は、前記窒化物半導体層がp型であることを特徴とする。
【0013】
本発明の窒化物半導体素子は、少なくとも前記窒化物半導体層を含む多層膜構造または超格子構造を具備することを特徴とする。
【0014】
本発明の窒化物半導体素子は、前記窒化物半導体層がコンタクト層として利用されることを特徴とする。
【0015】
本発明の窒化物半導体素子は、前記窒化物半導体層が光ガイド層として利用されることを特徴とする。
【0016】
本発明の窒化物半導体素子は、前記窒化物半導体層がクラッド層として利用されることを特徴とする。
【0017】
【発明の実施の形態】
<実施の形態1>
(本発明にかかわるPを含む窒化物半導体の特徴について)
本発明は、窒化物半導体中に占めるPの原子分率が30%以下である窒化物半導体層において、そのPが少なくともIII族のサイトに含まれることを特徴とする。さらに、その窒化物半導体層のc軸方向の格子定数が、前記のPを含まない窒化物半導体層のそれと比較して小さくなるようにすることを特徴としている。このような窒化物半導体層は有機金属気相成長(MOCVD)装置を用いて以下のようにして作製することができる。
【0018】
まず、サファイア基板をMOCVD装置内にセットし、V族原料のNH3とIII族原料のTMGa(トリメチルガリウム)を供給して、550℃の成長温度で低温GaNバッファ層を30nm成長した。次に、基板温度が1050℃に上げられ、再びNH3とTMGaが供給されて、約3μm厚のGaN下地層を作製する。続いて、基板温度を900℃に下げて前記原料にPH3(ホスフィン)を1sccm加えて、GaNPが成長された。ここで使用したPH3は窒素ベースの10%希釈のものを利用した。
【0019】
本発明者らによる実験結果によれば、本発明に係るGaNP結晶の成長温度は、800℃以上1100℃以下が好ましく、さらに好ましくは850℃以上1000℃以下であった。また、GaNP結晶を成長する際のキャリアガスは、水素のほかに窒素を混ぜることが好ましく、全キャリアガス中に占める窒素キャリアガスの割合は、0.01%以上50%以下が好ましかった。窒素キャリアガスの割合が50%を超えると結晶性が低下するため好ましくなかった。また、Pを含む窒化物半導体であって、さらにInを含む窒化物半導体は、必ずキャリアガスとして水素を含む必要があった。さもなければ、表面モフォロジーが悪化してエピタキシャル成長することができなかった。
【0020】
さらに、GaNPの成長レートは、0.3μm/h以下が好ましかった。本発明者らの実験結果によると、GaNP結晶は成長レートが早すぎるとうまくエピタキシャル成長することが困難であった。一方、GaNは、成長レートが3〜4μm/hであり、本願におけるGaNPの成長レートはかなり遅いものである。このように第1の半導体層であるGaNP結晶の成長レートを、第2の半導体層であるGaNの成長レートより遅くすることによって、GaNPのPがIII族のサイトに入るものと考えられる。
【0021】
このようにして作製されたGaNPは淡黄色透明の膜であった。このGaNP膜をオージェ電子分光(AES)装置で測定し、尚且つ、標準試料(GaNとGaP)を用いて各構成元素の組成比(原子分率)の感度校正を行った。その結果、GaNPの構成元素の原子分率が100%であるとして、Ga元素の原子分率が47.6%、P元素の原子分率が2.4%、N元素の原子分率が50%であった。このAES測定結果から、窒化物半導体のIII族元素とV族元素のストイキオメトリが50%になるようにPの配分を考えると、III族サイトにPが添加されていると考えるとうまく説明が成り立つ。つまり、PはV族であるから、本来NとPで50%になるはずであるが、上記のAESの結果ではNだけで50%になっているため、本願のGaNPにおいては、PはIII族サイトに入っていると考えられる。このようにして、本発明者らはPが窒化物半導体のIII族サイトに含まれていると判断した。前述と同様の手法を用い、PH3の供給量のみを種々変えて作製されたGaNPの構成元素の原子分率が表1に示される。この表1と前述の判定方法を用いると、GaNPのPは窒化物半導体のIII族サイトに含まれていることがわかる。さらに、本発明者らの実験結果によれば、同一のPH3供給量であっても、GaNPの成長レートが早ければ早いほどPの原子分率が大きくなり、成長温度が低ければ低いほどPの原子分率が大きくなることが確認された。
【0022】
【表1】
【0023】
また、上述では、Pが窒化物半導体のIII族元素のサイトに含まれることがAES測定によって調べられたが、EPMA(電子線マイクロアナライザ)測定でも同様にして調べられることが本発明者らによって確認された。
【0024】
次に、前述で説明されたPの原子分率が2.4%のGaNPがX線装置(光学系は4結晶)を用いて解析された。そのときの結果が図4に示される。図4は、X線測定手法の1つである2θ−ωスキャンによる測定結果である。この図をみるとわかるように、GaN下地層に起因する(0002)反射スペクトルと、そのスペクトルよりも高角側にGaNPに起因するスペクトルが観測された(このGaNPに起因するスペクトルが、X線源のCuのKαに起因するものではないことは本発明者らによって確認されている)。このように、GaNPに起因するスペクトルがGaN下地層の(0002)反射スペクトルよりも高角側に現れたことから、GaNPのc軸の格子定数は、Pが含まれていないGaNのそれよりも小さいことが明らかとなった。事実、前記GaNP(GaNPの厚みは0.5μm、GaN下地層の厚みは3μm)膜の表面を光学顕微鏡を用いて観察したところ、クラックが散見された。
【0025】
さらに、図4を参照すると、閃亜鉛鉱構造のGaP(111)反射(2θ=28.333°)が現れるスペクトル位置近傍に何も観測されていないことから、本結晶中にGaPベースのGaPN(立方晶系)が含まれていないことがわかった(本結晶はGaNベースの六方晶系のGaNPであり、六方晶系と立方晶系に相分離を起こしていない)。
【0026】
(窒化物半導体中に占めるPの原子分率について)
窒化物半導体に占めるPの原子分率は、0.1%以上30%以下が好ましい。より好ましくは、0.3%以上15%以下、さらに好ましくは、0.5%以上10%以下である。Pの原子分率が30%を超えると結晶性が低下するために好ましくなく、Pの原子分率が0.1%未満であると、本発明による効果が得られにくくなる可能性がある。
【0027】
(本発明にかかわる窒化物半導体が発光層に適用された場合)
ここで、発光層とは、光を発する井戸層と電子とホールを閉じ込める障壁層とから構成される。発光層が単一量子井戸構造の場合は、井戸層のみ、または障壁層/井戸層/障壁層の構造を用いるができる。また、発光層が多重量子井戸構造の場合は、障壁層で始まり障壁層で終わる、障壁層/井戸層/障壁層/・・・/障壁層の構造を、あるいは、井戸層で始まり井戸層で終わる、井戸層/障壁層/井戸層/・・・/井戸層の構造を用いることができる。
【0028】
上述で説明された窒化物半導体層がこの発光層に含まれることによって以下の効果を有することができる。
【0029】
本発明に係わるPを含む窒化物半導体が井戸層として用いられる事によって、発光波長または発振波長を容易に短波長化することが可能である。この特性は、これまでに報告されているGaNPとは逆の性質である。本発明者らの実験結果によれば、GaNPに起因するフォトルミネッセンスがGaNのそれと比べて短波長側で発光していた。
【0030】
本発明に係わるPを含む窒化物半導体は、Pを含まないそれと比較してバンドギャップエネルギーを大きくすることができるため、障壁層として用いる事ができる。例えば、InGaNが井戸層の場合、障壁層は、GaNPを用いることができる。また、GaNが井戸層の場合にも、障壁層は、GaNPを用いることができる。
【0031】
(本発明にかかわる窒化物半導体がn型層として適用された場合)
本発明者らの実験結果によると、本発明に係わるPを含む窒化物半導体の極性は、ドナーとなる不純物を添加しなくても容易にn型となることが可能であった。本発明の窒化物半導体にドナー不純物を添加する場合は、その不純物としてSiが最も好ましく、その不純物濃度は、1×1017〜5×1018/cm3の範囲内であることが好ましかった。
【0032】
(本発明にかかわる窒化物半導体がp型層として適用された場合)
本発明に係わるPを含む窒化物半導体は、Mgを添加することによってp型の極性を有することができる。本発明者らはMgの原料としてビスエチルシクロペンタジエニルマグネシウムを利用した。Pを含む窒化物半導体中へのMg不純物濃度は、1×1020〜5×1021/cm3の範囲内であることが好ましかった。
【0033】
(本発明にかかわる窒化物半導体が多層膜構造または超格子構造に利用された場合)
本発明に係わるPを含む窒化物半導体は、多層膜構造または超格子構造の一部に用いることができる。例えば、本発明に係わるPを含む窒化物半導体層とPを含まない窒化物半導体層とが交互に積層された多層膜構造または超格子構造、あるいは、Pを含む第1の窒化物半導体層とPを含む第2の窒化物半導体層とが交互に積層されてなる多層膜構造または超格子構造に用いることができる。
【0034】
具体的には、AlGaN/GaNP多層膜または超格子をもちいる事によって、互いの格子不整合を小さくすることができるために、クラックの発生を防止するとともにクラッド層としての機能を兼ね備えることが可能である。たとえば、従来のAl0.15Ga0.85N/GaN多層膜または超格子からなる各層の格子定数は、Al0.15Ga0.85N層が0.5159nm、GaN層が0.5190nmである。その格子不整合差は、0.0031nmである。一方、本願のPの原子分率2.4%のGaNPを含むAl0.15Ga0.85N/GaNP(Pの原子分率は2.4%)からなる各層の格子定数は、Al0.15Ga0.85N層が0.5159nm、GaNP層が0.5156nmである。その格子不整合差は、0.0003nmである。つまり、本願を利用した場合、その格子不整合差は、従来のそれと比較して約1/10にまで小さくすることが可能である。
【0035】
図5は、GaNPのP原子分率とそのc軸方向の格子定数との関係と、GaNPのP原子分率とそのGaNPの下地層であるGaNの格子定数の関係を表している。図5中の黒四角印はGaNPを、図5中の白抜き丸印は各P原子分率で作製されたGaNPの下地層であるGaNを表している(P原子分率が0の白抜き丸印は、サファイア基板上に結晶成長されたGaN層の格子定数である。P原子分率が0の場合だけ、その他のGaNに比べて格子定数が小さいのは、GaN層上に結晶成長されたGaNPによって圧縮歪みを受けているためだと考えられる)。この図をみるとわかるように、GaNPのP原子分率が増大するにつれて、GaNPのc軸方向の格子定数が小さくなることがわかる。
【0036】
前記の多層膜または超格子の極性をn型とする場合、AlGaNとGaNPの両層ともに、もしくは片方の層のみにSiを添加することができる。一方、前記の多層膜または超格子の極性をp型とする場合、AlGaNとGaNPの両層ともに、もしくは片方の層のみにMgを添加することができる。
【0037】
前記と同様の効果が、AlInGaN/GaNP多層膜または超格子、GaN/GaNP多層膜または超格子、AlInGaNP/GaNP多層膜または超格子、GaNP/GaNP多層膜または超格子などでも得ることが可能である。
【0038】
他方、InGaN/GaNP多層膜または超格子は、格子定数の異なる2つの窒化物半導体層と間に接して挿入される事によって、これら窒化物半導体層間の格子不整合を緩和させ、クラックの発生を防止する効果がある。また、光ガイド層としても用いることが可能である。前記の多層膜または超格子の極性をn型とする場合、InGaNとGaNPの両層ともに、もしくは片方の層のみにSiを添加することができる。一方、前記の多層膜または超格子の極性をp型とする場合、InGaNとGaNPの両層ともに、もしくは片方の層のみにMgを添加することができる。
【0039】
前記と同様の効果が、GaN/GaNP多層膜または超格子、GaNP/GaNP多層膜または超格子などでも得ることが可能である。
【0040】
上記で述べられた多層膜構造または超格子構造に含まれる、Pを含む窒化物半導体層の厚みは、1nm以上50nm以下が好ましく、さらに好ましくは2nm以上25nm以下である。
【0041】
(本発明にかかわる窒化物半導体がコンタクト層として利用された場合)
本発明に係わるPを含む窒化物半導体は、n型電極と接するn型コンタクト層またはp型電極と接するp型コンタクト層として利用することが可能である。
【0042】
本発明に係わるPを含む窒化物半導体層がn型コンタクト層として利用される場合、n型電極として、Ti、Al、Hf、Auの少なくとも何れかを用いることができる。このことによってn電極のコンタクト抵抗が低減し得るために好ましい。本発明に係る窒化物半導体のn型コンタクト層の厚みは、2nm以上0.6μm以下が好ましい。
【0043】
他方、本発明に係わるPを含む窒化物半導体層がp型コンタクト層として利用される場合、p型電極として、Pd、Pt、Mo、Ni、Auの少なくとも何れかを用いることができる。このことによってp電極のコンタクト抵抗が低減するとともに電極剥離が防止し得るために好ましい。また、p型電極の反対側の、p型コンタクト層の主面と接する窒化物半導体層は、コンタクト抵抗を低減する上で、p型の極性を有するGaNであることが最も好ましかった。本発明に係る窒化物半導体のp型コンタクト層の厚みは、0.02μm以上0.2μm以下が好ましい。
【0044】
(本発明にかかわる窒化物半導体が光ガイド層として利用された場合)
本発明に係るPを含む窒化物半導体は、半導体レーザの光ガイド層として利用することが可能である。一般に窒化物半導体レーザ素子で利用されるクラッド層は、AlGaN層(層厚は約1μm)やAlGaN(層厚は数nm)/GaN(層厚は数nm)からなる超格子などである。また、一般に窒化物半導体レーザ素子で利用される光ガイド層は、GaN層(層厚は約0.1μm)である。勿論、これらの層はその極性をn型またはp型にするために例えばSiやMgが添加され得る。
【0045】
一般に窒化物半導体レーザ素子における前記光ガイド層と前記クラッド層は、互いに接して形成される。また、前記クラッド層の格子定数は、前記光ガイド層のそれと比べて小さいという特徴がある。この特徴は、これらの層を用いた窒化物半導体レーザ素子中にクラックを発生させ、生産における歩留まりの低下を齎していた。
【0046】
しかしながら、本発明に係るPを含む窒化物半導体が光ガイド層に用いられることによって、前記クラッド層と光ガイド層との間の格子不整合差を小さくすることが可能となり、クラックが低減し得る。これは窒化物半導体レーザ素子における歩留まり率の向上を齎す。
【0047】
具体的な、本発明に係る光ガイド層とは、GaNPである。この光ガイド層は、不純物が添加されてn型またはp型にされても構わないし、不純物を意図的に添加されなくても構わない(i型)。不純物が添加されて光ガイド層の極性をn型とする場合は、不純物としてSiを用いることができる。このときのSi不純物濃度の範囲は1×1017〜3×1018/cm3が好ましい。他方、不純物が添加されて光ガイド層の極性をp型とする場合は、不純物としてMgを用いることができる。このときのMg不純物濃度の範囲は1×1019〜3×1020/cm3が好ましい。
【0048】
この光ガイド層に添加されるPの原子分率は、光ガイド層と接して形成されるクラッド層の屈折率よりも大きくなるように、あるいはクラッド層のバンドギャップエネルギーよりも小さくなるように調整される。具体的に、光ガイド層中に含まれるPの原子分率は0.1%以上5%以下が好ましい。
【0049】
(本発明にかかわる窒化物半導体がクラッド層として利用された場合)
本発明に係るPを含む窒化物半導体は、窒化物半導体発光素子(半導体レーザ、発光ダイオードを含む)のクラッド層として利用することができる。一般に窒化物半導体発光素子で利用されるクラッド層は、AlGaN層(層厚は約1μm)やAlGaN(層厚は数nm)/GaN(層厚は数nm)からなる超格子などである。また、これらの層はその極性をn型またはp型にするために例えばSiやMgが添加される。
【0050】
クラッド層は、発光層と光ガイド層に光を閉じ込めるために、これらの層よりも屈折率を小さくする必要がある。しかしながら、従来のAlを含む窒化物半導体からなる(Pは含まない)クラッド層の屈折率は、InGaNからなる活性層やGaNからなる光ガイド層のそれと比較して、大きな屈折率差を得ることが難しく(Alの組成比を高くすると、クラックが発生してしまう)、十分に光を閉じ込めることが困難であった。
【0051】
ところが、本発明に係るPを含む窒化物半導体がクラッド層に用いられることによって、従来のクラッド層と比較して薄い層厚で光を閉じ込めることが可能である。このことによって、窒化物半導体発光素子中のクラックの発生率が低減し、尚且つ光閉じ込めも満足することが可能となった。
【0052】
具体的な本発明に係るクラッド層とは、GaNPである。この層の極性をn型とするためにSiが、p型とするためにMgがそれぞれ添加されても構わない。Si不純物濃度の範囲は、1×1017〜5×1018/cm3が好ましく、Mg不純物濃度の範囲は、1×1019〜5×1021/cm3が好ましい。また、これらクラッド層を構成している元素の原子分率は、その屈折率が光ガイド層と活性層の屈折率よりも小さくなるように、あるいはそのバンドギャップエネルギーが光ガイド層または発光層のバンドギャップエネルギーよりも大きくなるように調整される。具体的に、クラッド層中に含まれるPの原子分率は0.1%以上10%以下が好ましい。さらに、これらクラッド層の層厚は、0.3μm以上1μm以下が好ましい。
【0053】
本クラッド層は前記のような単層以外に、上述で述べた多層膜または超格子構造をクラッド層に用いることができる。特に本発明に係るp型の多層膜またはp型の超格子構造は、高いホールキャリア濃度を得ることが可能であるため、好ましく用いられる。
【0054】
(本発明を利用した半導体装置について)
本発明に係る窒化物半導体素子は、素子不良率が少なく、信頼性の高い窒化物半導体素子を提供することが可能である。例えば、本発明に係わる窒化物半導体レーザ素子は、光磁気再生記録装置、DVD装置、レーザプリンター、バーコードリーダー、光の三原色(青色、緑色、赤色)レーザによるプロジェクター等の光学装置に好ましく用いられる。また、本発明に係わる窒化物半導体発光ダイオード素子は、白色光源装置、液晶表示装置のバックライト、携帯電話のバックライト、光の三原色発光ダイオードを用いた表示装置、コピー機などの光学装置に好ましく用いられる。さらにまた、本発明に係わる窒化物半導体電子デバイスは、携帯電話などの通信伝送装置、高速スイッチング装置などに好ましく用いられる。
【0055】
<実施の形態2>
本実施の形態では、本発明に係るPを含む窒化物半導体が窒化物半導体レーザ素子に適用された場合について説明される。その他の本発明に係わる事柄は、実施の形態1と同様である。
【0056】
図1の窒化物半導体レーザ素子は、(0001)面n型GaN基板100、n型In0.07Ga0.93Nクラック防止層101、n型Al0.1Ga0.9Nクラッド層102、n型GaN光ガイド層103、発光層104、p型Al0.3Ga0.7Nキャリアブロック層105、p型GaN光ガイド層106、p型Al0.1Ga0.9Nクラッド層107、p型GaN層108、p型GaNP(Pの原子分率は2%)コンタクト層109、n電極110、p電極111およびSiO2誘電体膜112を含む。
【0057】
まず、有機金属気相成長(MOCVD)装置を用いてGaN基板100に、V族原料のNH3とIII族原料のTMGaまたはTEGa(トリエチルガリウム)に、TMIn(トリメチルインジウム)のIII族原料とSiH4が加えられ、800℃の成長温度でn型In0.07Ga0.93Nクラック防止層101が40nm成長された。次に、基板温度が1050℃に上げられ、TMAlまたはTEAl(トリエチルアルミニウム)のIII族原料が用いられて、1.2μm厚のn型Al0.1Ga0.9Nクラッド層102(Si不純物濃度1×1018/cm3)が成長され、続いてn型GaN光ガイド層103(Si不純物濃度1×1018/cm3)が0.1μm成長された。
【0058】
その後、基板温度が800℃に下げられ、3周期の、厚さ4nmのIn0.15Ga0.85N井戸層と厚さ8nmのIn0.01Ga0.99N障壁層から構成された発光層(多重量子井戸構造)104が、障壁層/井戸層/障壁層/井戸層/障壁層/井戸層/障壁層の順序で成長された。その際、障壁層と井戸層の両方にSiH4(Si不純物濃度は1×1018/cm3)が添加された。
【0059】
発光層にPが添加される場合はPH3(ホスフィン)を添加すると良い。また、発光層が形成される際、N原料として、NH3以外にジメチルヒドラジンが用いられても構わない。これらの原料は、本発明に係るPを含む窒化物半導体層に好ましく用いられる。
【0060】
次に、基板温度が再び1050℃まで昇温されて、厚み20nmのp型Al0.3Ga0.7Nキャリアブロック層105、0.1μmのp型GaN光ガイド層106、0.5μmのp型Al0.1Ga0.9Nクラッド層107と0.1μmのp型GaN層108が順次成長された。そして、基板温度を900℃に下げてp型GaNP(Pの原子分率は2%)コンタクト層109を0.1μm成長した。前記のp型不純物としてMg(EtCP2Mg:ビスエチルシクロペンタジエニルマグネシウム)が添加された。
【0061】
続いて、上記で成長されたエピウエハーがMOCVD装置から取り出され、電極が形成された。n電極110は、エピウエハーの裏面にHf/Alの順序で形成された。そして、n電極110にn型電極パッドとしてAuが蒸着された。前記n電極材料の他に、Ti/Al、Ti/MoまたはHf/Au等が用いられても構わない。
p電極部分はストライプ状にエッチングされ、リッジストライプ部(図1)が形成された。リッジストライプ部の幅は1.7μmであった。その後、SiO2誘電体膜112が200nm蒸着され、p型GaNPコンタクト層109が露出されて、p電極111がPd(15nm)/Mo(15nm)/Au(200nm)の順序で蒸着されて形成された。
【0062】
上記で説明されたIn0.07Ga0.93Nクラック防止層102は、In組成比が0.07以外であっても構わないし、InGaNクラック防止層自体がなくても構わない。しかしながら、クラッド層とGaN基板との格子不整合が大きくなる場合は、クラック防止層が挿入された方がクラック防止の点で好ましい。本実施の形態ではInGaNクラック防止層が用いられたが、実施の形態1で説明された本発明に係る窒化物半導体層がクラック防止層として用いられても構わない。例えば、GaNP(0.1μm)、GaNP(10nm)/GaN(10nm)多層膜または超格子などが挙げられる。
【0063】
上記で説明された発光層104は、障壁層で始まり障壁層で終わる構成であったが、井戸層で始まり井戸層で終わる構成であってもよい。また、井戸層の層数は、前述の3層に限らず、10層以下であれば閾値電流密度が低く、室温連続発振が可能であった。上記で説明された発光層104は、井戸層と障壁層の両層にSi(SiH4)が1×1018/cm3添加されたが、Siが添加されなくても構わない。また、井戸層と障壁層の両層に限らず片方の層のみに前記不純物が添加されても良い。さらに、上記発光層104が実施の形態1で説明された本発明に係る窒化物半導体を含んでいても構わない。
【0064】
上記で説明されたp型Al0.3Ga0.7Nキャリアブロック層107は、Al組成比が0.3以外であっても構わないし、p型キャリアブロック層自体がなくても構わない。しかしながら、発光層が本発明に係る窒化物半導体を含んでいる場合は、p型の極性を有し、尚且つ少なくともAlを含む窒化物半導体層(キャリアブロック層)がないと、発光強度の向上や閾値電流密度の低減を図ることが困難であった。
【0065】
上記の説明では、p型クラッド層とn型クラッド層として、Al0.1Ga0.9N結晶が用いられたが、実施の形態1で説明された本発明に係る窒化物半導体を用いることもできる。
【0066】
本実施の形態2で説明された窒化物半導体レーザ素子は、本発明に係るp型のGaNPコンタクト層を用いることによって、コンタクト抵抗の低減と共に、p電極の剥離が防止され、歩留まり率が向上した。上記のコンタクト層以外に、実施の形態1で述べられたコンタクト層を用いることができるのは言うまでもない。
【0067】
本実施の形態2では、リッジストライプ構造を有する窒化物半導体レーザ素子について説明されたが、電流阻止層を有する窒化物半導体レーザ素子に適用されても同様の効果を得ることが可能である。
【0068】
また、本実施の形態では、基板としてGaN基板を用いたが、AlGaN基板、サファイア基板、Si基板の(111)面、サファイア基板上に形成されたELOG(Epitaxially laterally overgrownGaN)基板、GaN基板上に形成されたELOG基板またはSi(111)面上に形成されたELOG基板を用いても構わない。これらのELOG基板を用いる場合は、成長抑制膜(例えばSiO2膜)の幅の中央上方、および成長抑制膜が形成されていない領域の幅の中央上方に、窒化物半導体レーザ素子のリッジストライプ部分またはその電流狭窄部分が含まれないように作製される。このことによって、レーザの発振寿命が長寿命化するために好ましい。
【0069】
このようにして作製された窒化物半導体レーザ素子は、レーザプリンター、バーコードリーダー、光の三原色(青色、緑色、赤色)レーザによるプロジェクター等に好ましく用いられる。
【0070】
<実施の形態3>
本実施の形態3では、本発明に係るPを含む窒化物半導体が窒化物半導体発光ダイオード素子に適用された場合について、図2を用いて説明される。その他の本発明に係わる事柄は、実施の形態1と同様である。
【0071】
図2の窒化物半導体発光ダイオード素子は、(0001)面n型GaN基板200、n型短周期超格子201、n型Al0.3Ga0.7Nキャリアブロック層202、発光層203、p型Al0.3Ga0.7Nキャリアブロック層204、p型短周期超格子205、p型GaNAs(Asの原子分率は6%)コンタクト層206、p型透光性電極207、p電極208、n電極209を含む。
【0072】
本実施の形態ではn型短周期超格子201として、100周期のGaNP(Pの原子分率4%、厚み1.5nm、Siドープ)/Al0.2Ga0.8N(厚み1.5nm、Siドープ)を用いた。発光層203としては、3周期のAl0.06Ga0.94N井戸層(厚み2nm、Siドープ)/Al0.12Ga0.88N(厚み4nm、Siドープ)を用いた。p型短周期超格子205として、100周期のGaNP(Pの原子分率4%、厚み1.5nm、Mgドープ)/Al0.2Ga0.8N(厚み1.5nm、Mgドープ)を用いた。また、p型GaNAs(Asの原子分率は6%)コンタクト層206は、p型短周期超格子205のAl0.2Ga0.8N上に30nm積層された。p型透光性電極207はPd(7nm)が、p電極208はAu(500nm)がそれぞれ用いられた。
【0073】
本実施の形態3で説明された発光ダイオード素子の各層は、実施の形態1で説明された本発明に係る窒化物半導体層に、種々置き換えることが可能である。
【0074】
<実施の形態4>
本実施の形態4では、本発明に係るPを含む窒化物半導体が窒化物半導体へテロ接合型電界効果トランジスタ素子に適用された場合について、図3を用いて説明される。その他の本発明に係わる事柄は、実施の形態1と同様である。
【0075】
図3の窒化物半導体へテロ接合型電界効果トランジスタ素子は、(0001)面i型GaN基板300、n型AlGaN層301、n型InGaNP(Inの原子分率は5%、Pの原子分率は3%)コンタクト層305、ソース302、ゲート303、およびドレイン304を含む。
【0076】
本実施の形態ではn型AlGaN層301として、Al0.25Ga0.75N(厚み50nm、Si不純物濃度:5×1018/cm3)が用いられた。n型InGaNP(Inの原子分率は5%、Pの原子分率は3%)コンタクト層305は厚み5nm、Si不純物濃度5×1018/cm3を用いた。ソース302とドレイン304の電極としてTi(15nm)/Al(30nm)/Au(100nm)を用いた。ゲート303の電極として、PdSi(15nm)/Au(100nm)を用いた。
【0077】
本実施の形態4で説明されたトランジスタ素子は、本発明に係る窒化物半導体をコンタクト層に用いることによってゲート電極の剥離が防止され、歩留まりが向上し得た。
【0078】
本実施の形態4で説明されたトランジスタ素子の各層は、実施の形態1で説明された本発明に係る窒化物半導体層に、種々置き換えることが可能である。
【0079】
【発明の効果】
本発明によれば、発光波長の短波長化、格子定数の縮小化、バンドギャップエネルギーの増大、屈折率の減少化を図ることができる。このことによって、本発明に係わるPを含む窒化物半導体が、発光層、n型層、p型層、多層膜構造、超格子構造、クラック防止層、n型コンタクト層、p型コンタクト層、光ガイド層およびクラッド層などに好ましく用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 窒化物半導体レーザ素子の一例を表した図である。
【図2】 窒化物半導体発光ダイオード素子の一例である。
【図3】 窒化物半導体へテロ接合型電界効果トランジスタ素子の一例である。
【図4】 GaNPのX線スペクトルである(2θ−ωスキャン)。
【図5】 GaNPの原子分率と格子定数の関係を表す図である。
【符号の説明】
100、200…n型GaN基板
101…n型In0.07Ga0.93Nクラック防止層
102…n型Al0.1Ga0.9Nクラッド層
103…n型GaN光ガイド層
104、203…発光層
105…p型Al0.3Ga0.7Nキャリアブロック層
106…p型GaN光ガイド層
107…p型Al0.1Ga0.9Nクラッド層
108…p型GaN層
109…p型GaNPコンタクト層
110、209…n電極
111、208…p電極
112…SiO2誘電体膜
201…n型短周期超格子
202…n型Al0.3Ga0.7Nキャリアブロック層
204…p型Al0.3Ga0.7Nキャリアブロック層
205…p型短周期超格子
206…p型GaNAsコンタクト層
207…p型透光性電極
300…i型GaN基板
301…n型AlGaN層
302…ソース
303…ゲート
304…ドレイン
305…InGaNPコンタクト層
Claims (11)
- GaとNを含み、さらに、Pを含む窒化物半導体層において、
前記窒化物半導体層に含まれる、Pの原子分率は30%以下であり、さらにPは少なくともIII族のサイトに含まれることを特徴とする窒化物半導体層。 - GaとNを含み、さらに、Pを含む窒化物半導体層において、
前記窒化物半導体層に含まれるPの原子分率は30%以下であり、かつ前記窒化物導体層のc軸方向の格子定数は、前記窒化物半導体層からPを除いた半導体層のc軸方向の格子定数よりも小さいことを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体層。 - 請求項1または2の項に記載の窒化物半導体層を含むことを特徴とする窒化物半導体素子。
- 前記窒化物半導体素子は、発光素子であることを特徴とする請求項3に記載の窒化物半導体素子。
- 前記窒化物半導体層が発光層に含まれることを特徴とする請求項4に記載の窒化物半導体素子。
- 前記窒化物半導体層がn型であることを特徴とする請求項3に記載の窒化物半導体素子。
- 前記窒化物半導体層がp型であることを特徴とする請求項3に記載の窒化物半導体素子。
- 少なくとも前記窒化物半導体層を含む多層膜構造または超格子構造を具備することを特徴とする請求項3に記載の窒化物半導体素子。
- 前記窒化物半導体層がコンタクト層であることを特徴とする請求項3に記載の窒化物半導体素子。
- 前記窒化物半導体層が光ガイド層であることを特徴とする請求項4に記載の窒化物半導体素子。
- 前記窒化物半導体層がクラッド層であることを特徴とする請求項4に記載の窒化物半導体素子。
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