JP4228416B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置およびその製造方法に関し、特にMOS型電界効果トランジスタを有する半導体装置およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置に用いられるトランジスタとしては、バイポーラトランジスタと金属−酸化膜−半導体積層電界効果トランジスタ(MOSFET:Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)に大別される。MOSFETとしては、トランジスタのチャネルの導電型によりさらにnチャネル型とpチャネル型とに分類される。MOSFETは今日における代表的な半導体素子として広く使用されており、大規模集積化が進められてきている。
【0003】
今日において、半導体装置に要求される性能はより高速化、高性能化、大容量化が求められており、これに伴って上記のMOSFETも微細化、縮小化が進められて、半導体装置の製造プロセスにおいては微細加工技術が開発、研究されている。とりわけ、0.35μm世代以降のMOSFETの形成においては、ゲート電極の微細加工技術の開発が盛んである。ゲート長が1μm以下になるとポリシリコンとタングステンシリサイドなどのシリサイドを積層させて形成したポリサイド構造が用いられ、ゲート長が0.5μm以下になると、短チャネル効果の抑制とホットキャリアによるトランジスタ特性の劣化の抑制の目的で、ソース・ドレイン拡散層のチャネル形成領域側にソース・ドレイン拡散層よりも低濃度の不純物含有領域を形成したLDD(Lightly Doped Drain )構造が用いられるようになってきた。
【0004】
図11(a)は上記のLDD構造を用いたMOSFETを有する半導体装置の断面図である。例えばSTI(Shallow Trench Isolation)法により形成された素子分離絶縁膜20で分離されたp型半導体基板10の活性領域(チャネル形成領域)上に、例えば酸化シリコンからなるゲート絶縁膜21aが形成されている。その上層に、例えばポリシリコンからなるゲート電極30aが形成されている。ゲート電極30aの両側部には、例えば酸化シリコンからなるサイドウォール絶縁膜22が形成されている。ゲート電極の両側部の半導体基板10中には、例えばn型不純物を含有するソース・ドレイン拡散層13が形成されており、さらにそのチャネル形成領域側には例えばn型不純物をソース・ドレイン拡散層13よりも低濃度に含有するLDD(Lightly Doped Drain )拡散層12が形成されている。また、半導体基板10中のチャネル形成領域(ゲート電極30aの下部領域)においては、p型不純物を高濃度に含有して短チャネル効果の1つであるパンチスルーを防止するためのパンチスルー防止層11が形成されている。パンチスルー防止層11においては、図11(a)中のX−X’に沿った位置でのp型不純物濃度プロファイルである図11(b)に示すように、半導体基板10の表面から深くなるほど不純物濃度が高くなり、例えばLDD拡散層12の接合面の深さとソース・ドレイン拡散層13の接合面の深さの間の深さに極大値を有するようなプロファイルをとる。
【0005】
上記のMOSFETは、ゲート電極30aに電圧を印加することによりp型半導体基板10のチャネル形成領域にn型の反転層を誘起し、誘起された反転層がチャネルとなり、電流はソース拡散層からドレイン拡散層へと流れることが可能となるものである。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のLDD構造のMOSFETにおいて、半導体装置の高集積化及び微細化のためにスケーリング則に従ってゲート長およびゲート絶縁膜の縮小化を行うと、トランジスタのチャネル抵抗は低下するものの、一方で短チャネル効果が顕著となってくるという問題が発生する。特に短チャネル効果の一つであるパンチスルー電流を抑制するためには、ソース・ドレインの接合深さを浅くして、ソース・ドレイン空乏層がチャネル側に張り出す量を少なくすること、あるいは、チャネル不純物濃度を高くしてパンチスルー防止層を形成することが効果的であることが知られている。
【0007】
しかし、上記の理由で接合深さを浅くした場合、接合領域の面抵抗が上昇し、スケーリング則に沿ってゲート長を縮小化したことでチャネル抵抗を低下させたにもかかわらず、接合部の面抵抗による寄生抵抗が増大し、トランジスタの電流駆動能力を低下させることになる。
【0008】
また、図11(a)の半導体装置のように、チャネル形成領域のチャネル不純物濃度はそれほど高くせず、チャネル形成領域の下部において基板表面から所定の深さに基板不純物の濃度極大を持つような濃度プロファイルを持つパンチスルー防止層を形成する場合、パンチスルー電流の抑制には効果があるが、このチャネル不純物をイオン注入により形成するのは通常ゲート電極の形成工程前であり、基板全面に上記のプロファイルの不純物が導入されるので、ソース・ドレイン拡散層の接合面近傍領域にも高濃度にチャネル不純物が導入されることになる。この場合、ソース・ドレイン拡散層の接合容量が大きくなり、トランジスタの電流駆動能力が低下してしまう。
【0009】
上記の問題を解決する方法として、特公平3−43787号公報には、フォトリソグラフィー工程を用いてソース・ドレインとなる領域をマスクし、チャネル形成領域のみに高濃度のチャネル不純物を導入する方法が開示されている。この方法によれば、チャネル形成領域のみに高濃度のチャネル不純物を導入してパンチスルー電流を抑制し、一方ソース・ドレイン拡散層の接合面近傍領域にはチャネル不純物を導入しないので接合容量の増大を防止できる。しかしながら、フォトリソグラフィー工程を用いるので製造コストが上昇し、また、半導体装置を微細化するにつれて合わせずれが許容できなくなってくるということが問題となっている。
【0010】
また、特開昭62−141778号公報には、高濃度のチャネル不純物の注入を基板全面に行った後に、ゲート電極およびソース・ドレイン拡散層の形成を行い、形成したトランジスタを被覆する層間絶縁膜を形成し、ソース・ドレイン拡散層に達するコンタクトホールを開口し、この開口部内にチャネル不純物と逆導電型の不純物をイオン注入し、ソース・ドレイン領域の下方にソース・ドレイン領域と半導体基板との中間的な不純物濃度の半導体層を形成する方法が開示されている。しかしながら、中間的な不純物濃度の半導体層の形成はコンタクトホールの開口部に限定され、しかもコンタクトホールもソース・ドレイン領域とのあわせずれを補償するためにソース・ドレイン領域よりも小さくせざるを得ないため、コンタクトホールの開口部以外のソース・ドレイン領域の接合容量を低減することはできない。
【0011】
また、特開平8−213600号公報には、高濃度のチャネル不純物の注入を基板全面に行った後に、ゲート電極の形成を行い、さらに、ゲート電極をマスクとして基板表面に対して垂直にチャネル不純物と逆の導電型の不純物イオンを注入し、チャネリングを起こさせることにより、チャネル不純物領域よりも深い位置に接合面を有するようにソース・ドレイン拡散層を形成する方法が開示されている。この方法によれば、不純物イオンの注入方向から横方向への広がりの好くないチャネリングを利用してソース・ドレイン拡散層を深く形成するので、ゲート電極下方のチャネル形成領域における実効的なチャネル不純物濃度は高く保て、パンチスルー電流を抑制することが可能であり、一方、ソース・ドレイン拡散層の接合容量を低減できる。ソース・ドレイン拡散層の形成用マスクと同じマスクを用いることができるので、ソース・ドレイン拡散層の下方に全面に不純物を注入でき、ソース・ドレイン拡散層の接合容量を低減する効果は特開昭62−141778号公報記載の方法よりも大きい。
【0012】
しかしながら、上記の特開平8−213600号公報に記載の方法は、ソース・ドレイン拡散層の形成のためのイオン注入時に、チャネリングを利用するので、イオン注入角度に対するプロセスマージンが小さく、さらに不純物イオンの注入量を制御することが困難である。例えば、面方位(100)面の半導体基板を用いる場合、チャネリングを起こさせるような基板表面の法線に対する注入角度は−2°〜2°程度に制限され、しかもこの角度範囲においても、チャネリングするイオンの割合は注入角度に対して大きく変動してしまう。ソース・ドレイン拡散層の接合容量の低減効果は注入する不純物イオンの量に大きく依存するので、この方法により安定にソース・ドレイン拡散層の接合容量を低減することは困難である。
【0013】
本発明は上記の状況に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、パンチスルー電流を抑制するために、ソース・ドレイン拡散層を浅く形成し、チャネル不純物を高くしてパンチスルー防止層を形成しても、ソース・ドレインの接合容量を増大させないMOS型電界効果トランジスタを有する半導体装置を安定に製造することが可能な製造方法を提供することである。
【0014】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するため、本発明の半導体装置は、チャネル形成領域を有する第1導電型の半導体基板と、前記チャネル形成領域の上層に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上層に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の両側部における前記半導体基板中に前記チャネル形成領域と接続して形成された第2導電型のソース・ドレイン領域と、前記チャネル形成領域において前記半導体基板中に形成された第1導電型のパンチスルー防止層と、前記ソース・ドレイン領域の接合面の下部に形成され、前記パンチスルー防止層よりも第1導電型の実効的キャリア濃度が低い第1導電型領域とを有する。
【0015】
上記の本発明の半導体装置は、半導体基板に形成されたMOS型電界効果トランジスタ(MOSFET)を有する半導体装置であり、チャネル形成領域において半導体基板中に形成された第1導電型のパンチスルー防止層が形成されていてパンチスルー電流が抑制され、また、ソース・ドレイン領域の接合面の下部が、パンチスルー防止層よりも第1導電型の実効的キャリア濃度が低い第1導電型領域となっているので、チャネル不純物を高くしてパンチスルー防止層を形成しても、ソース・ドレインの接合容量を増大させない。
【0016】
上記の本発明の半導体装置は、好適には、前記パンチスルー防止層よりも第1導電型の実効的キャリア濃度が低い第1導電型領域が、前記パンチスルー防止層中の第1導電型不純物濃度と同じオーダーでかつ低濃度の第2導電型不純物を含有している。これにより、ソース・ドレイン領域の接合面の下部をパンチスルー防止層よりも第1導電型の実効的キャリア濃度が低い第1導電型領域とすることができる。
【0017】
上記の本発明の半導体装置は、好適には、前記ソース・ドレイン領域の前記チャネル形成領域側における前記半導体基板中に、第2導電型不純物を前記ソース・ドレイン領域よりも低濃度に含有する第2導電型低濃度不純物含有領域が形成されている。これにより、LDD(Lightly Doped Drain )構造のMOSFETとすることができる。
【0018】
上記の本発明の半導体装置は、好適には、前記ゲート電極の側壁部にサイドウォール絶縁膜が形成されている。ゲート電極の側壁部のサイドウォール絶縁膜は、LDD構造の拡散層を形成するときのイオン注入用マスク(LDDスペーサ)とすることができるので、LDD構造のMOSFETを形成することが可能となる。
【0019】
上記の本発明の半導体装置は、好適には、前記第2導電型低濃度不純物含有領域の前記チャネル形成領域側における前記半導体基板中に、第1導電型不純物を前記パンチスルー防止層よりも高濃度に含有するポケット層が形成されている。これにより、第2導電型低濃度不純物含有領域(LDD拡散層)近傍におけるドレイン電界を緩和して、パンチスルー電流をさらに抑制することができる。
【0020】
また、上記の目的を達成するため、本発明の半導体装置は、半導体基板上に第1トランジスタと前記第1トランジスタよりもしきい値電圧が高い第2トランジスタを有する半導体装置であって、前記第1トランジスタと第2トランジスタは、第1導電型の半導体基板上に形成され、前記半導体基板中のチャネル形成領域と、前記チャネル形成領域の上層に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上層に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の両側部における前記半導体基板中に前記チャネル形成領域と接続して形成された第2導電型のソース・ドレイン領域と、前記チャネル形成領域において前記半導体基板中に形成された第1導電型のパンチスルー防止層と、前記ソース・ドレイン領域の接合面の下部に形成され、前記パンチスルー防止層よりも第1導電型の実効的キャリア濃度が低い第1導電型領域とを有し、前記第2トランジスタのゲート電極が前記第1トランジスタのゲート電極よりも高く、前記第2トランジスタのチャネル形成領域における実効的キャリア濃度が前記第1トランジスタのチャネル形成領域における実効的キャリア濃度よりも高い。
【0021】
上記の本発明の半導体装置は、第1トランジスタと第1トランジスタよりもしきい値電圧が高い第2トランジスタを有する半導体装置であり、第1トランジスタと第2トランジスタにおいて、それぞれチャネル形成領域において半導体基板中に形成された第1導電型のパンチスルー防止層が形成されていてパンチスルー電流が抑制され、また、ソース・ドレイン領域の接合面の下部が、パンチスルー防止層よりも第1導電型の実効的キャリア濃度が低い第1導電型領域となっているので、チャネル不純物を高くしてパンチスルー防止層を形成しても、ソース・ドレインの接合容量を増大させない。また、第2トランジスタのチャネル形成領域における実効的キャリア濃度が前記第1トランジスタのチャネル形成領域における実効的キャリア濃度よりも高いことにより、第2トランジスタのしきい値電圧を第1トランジスタよりも高くすることが可能となっている。これは、第1トランジスタと第2トランジスタとでゲート電極の高さが異なることから、製造工程においてソース・ドレイン領域の接合面の下部をパンチスルー防止層よりも第1導電型の実効的キャリア濃度が低い第1導電型領域とする際に、各トランジスタのチャネル形成領域における実効的キャリア濃度を変えることが可能となっている。
【0022】
また、上記の目的を達成するため、本発明の半導体装置の製造方法は、チャネル形成領域を有する第1導電型の半導体基板に、パンチスルー防止層となる第1導電型の不純物を導入する工程と、前記チャネル形成領域上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜の上層にゲート電極を形成する工程と、前記半導体基板中に第2導電型の不純物を導入して前記チャネル形成領域に接続するソース・ドレイン領域を形成する工程と、前記半導体基板の表面に対して斜めに角度をつけて第2導電型不純物をイオン注入することにより、前記ソース・ドレイン領域の下部に第2導電型の不純物を導入する工程とを有する。
【0023】
上記の本発明の半導体装置の製造方法は、チャネル形成領域を有する第1導電型の半導体基板に、パンチスルー防止層となる第1導電型の不純物を導入し、チャネル形成領域上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜の上層にゲート電極を形成する。次に、半導体基板中に第2導電型の不純物を導入してチャネル形成領域に接続するソース・ドレイン領域を形成し、半導体基板の表面に対して斜めに角度をつけて第2導電型不純物をイオン注入することにより、ソース・ドレイン領域の下部に第2導電型の不純物を導入する。
【0024】
上記の本発明の半導体装置の製造方法によれば、半導体基板上にMOS型電界効果トランジスタ(MOSFET)を形成することができ、第1導電型の不純物を導入してパンチスルー防止層を形成するのでパンチスルー電流が抑制され、また、チャネリングを起こさないように、半導体基板の表面に対して斜めに角度をつけて第2導電型不純物をイオン注入してソース・ドレイン領域の下部に第2導電型の不純物を導入することから、導入する不純物の量がばらつくことなく安定に、ソース・ドレインの接合容量を増大させずにMOSFETを形成することが可能である。
【0025】
上記の本発明の半導体装置の製造方法は、好適には、前記ソース・ドレイン領域の下部に第2導電型の不純物を導入する工程においては、前記半導体基板の表面の法線に対して3〜10°の角度をつけて第2導電型不純物をイオン注入する。これにより、チャネリングを起こさないように第2導電型の不純物を導入することができる。
【0026】
上記の本発明の半導体装置の製造方法は、好適には、前記ソース・ドレイン領域の下部に第2導電型の不純物を導入する工程においては、前記ソース・ドレイン領域の下部を、前記パンチスルー防止層よりも第1導電型の実効的キャリア濃度が低い第1導電型領域とし、さらに好適には、前記ソース・ドレイン領域の下部に第2導電型の不純物を導入する工程においては、前記ソース・ドレイン領域の下部に、前記パンチスルー防止層中の第1導電型不純物濃度と同じオーダーでありかつ低濃度となるように第2導電型不純物を導入する。これにより、パンチスルー防止層を形成しても、ソース・ドレインの接合容量を増大させないで形成することができる。
【0027】
上記の本発明の半導体装置の製造方法は、好適には、前記ソース・ドレイン領域を形成する工程、および、前記ソース・ドレイン領域の下部に第2導電型の不純物を導入する工程においては、前記ゲート電極をマスクとして第2導電型の不純物を導入する。これにより、ゲート電極に対して自己整合的にソース・ドレイン領域を形成することが可能であり、また、ソース・ドレイン領域の下部にソース・ドレインの接合容量を増加させないように第2導電型の不純物を導入することができる。
【0028】
上記の本発明の半導体装置の製造方法は、好適には、前記ゲート電極を形成する工程の後、前記ソース・ドレイン領域を形成する工程の前に、前記ゲート電極をマスクとして前記半導体基板中に第2導電型の不純物を導入して前記ソース・ドレイン領域よりも低濃度の第2導電型不純物を含有する第2導電型低濃度不純物含有領域を形成する工程と、前記ゲート電極の側壁にサイドウォール絶縁膜を形成する工程とをさらに有し、前記ソース・ドレイン領域を形成する工程、および、前記ソース・ドレイン領域の下部に第2導電型の不純物を導入する工程においては、前記サイドウォール絶縁膜をマスクとして第2導電型の不純物を導入する。これにより、LDD構造のMOSFETを形成することができる。
【0029】
上記の本発明の半導体装置の製造方法は、好適には、前記ゲート電極を形成する工程の後、前記サイドウォール絶縁膜を形成する工程の前に、前記ゲート電極をマスクとして前記半導体基板の表面に対して斜めに角度をつけて第1導電型の不純物をイオン注入する工程をさらに有する。これにより、第2導電型低濃度不純物含有領域(LDD拡散層)のチャネル形成領域側にパンチスルー防止層よりも高濃度に第1導電型不純物を含有するポケット層を形成することができ、パンチスルー電流をさらに抑制することができる。
【0030】
上記の本発明の半導体装置の製造方法は、好適には、前記ソース・ドレイン領域の下部に第2導電型の不純物を導入する工程においては、注入する不純物イオンの投影飛程距離Rp、不純物イオンの投影飛程距離のゆらぎΔRp、および、前記ソース・ドレイン領域の接合面の前記半導体基板表面からの深さXjに対して、Xj≦Rp≦Xj+ΔRpを満足するように第2導電型不純物をイオン注入する。ここで、不純物イオンの投影飛程距離のゆらぎΔRpとは、基板からの深さRpにおける不純物濃度の(1/e)1/2 の濃度となる深さの、深さRpからの距離である。Xj≦Rp≦Xj+ΔRpとすることで、ソース・ドレイン領域の下部に選択的に第2導電型の不純物を導入することが可能となり、また、この第2導電型の不純物のチャネル形成領域側への広がりを抑制して形成することができるので、効果的にパンチスルー電流を抑制することが可能である。
【0031】
上記の本発明の半導体装置の製造方法は、好適には、前記ソース・ドレイン領域の下部に第2導電型の不純物を導入する工程においては、前記ゲート電極の高さH、注入する不純物イオンの投影飛程距離Rp、および、不純物イオンの投影飛程距離のゆらぎΔRpに対して、H<Rp+2ΔRpを満足するように第2導電型不純物をイオン注入する。これにより、ソース・ドレイン領域の下部に第2導電型の不純物を導入する際に、同時にチャネル形成領域にも第2導電型不純物を導入して、しきい値電圧を調節することができる。
【0032】
上記の本発明の半導体装置の製造方法は、好適には、前記ソース・ドレイン領域の下部に第2導電型の不純物を導入する工程においては、前記ゲート電極の高さH、注入する不純物イオンの投影飛程距離Rp、および、不純物イオンの投影飛程距離のゆらぎΔRpに対して、H≧Rp+2ΔRpを満足するように第2導電型不純物をイオン注入する。これにより、ソース・ドレイン領域の下部に第2導電型の不純物を導入する際に、同時にチャネル形成領域にも第2導電型不純物が導入されるのを防ぐことができる。
【0033】
上記の本発明の半導体装置の製造方法は、好適には、前記ゲート電極を形成する工程の後、前記ソース・ドレイン領域を形成する工程の前に、前記ゲート電極の上層にオフセット絶縁膜を形成する工程をさらに有し、前記ソース・ドレイン領域の下部に第2導電型の不純物を導入する工程においては、前記ゲート電極と前記オフセット絶縁膜の高さの和H’、注入する不純物イオンの投影飛程距離Rp、および、不純物イオンの投影飛程距離のゆらぎΔRpに対して、H’<Rp+2ΔRpを満足するように第2導電型不純物をイオン注入する。これにより、ソース・ドレイン領域の下部に第2導電型の不純物を導入する際に、同時にチャネル形成領域にも第2導電型不純物を導入して、しきい値電圧を調節することができる。
【0034】
上記の本発明の半導体装置の製造方法は、好適には、前記ゲート電極を形成する工程の後、前記ソース・ドレイン領域を形成する工程の前に、前記ゲート電極の上層にオフセット絶縁膜を形成する工程をさらに有し、前記ソース・ドレイン領域の下部に第2導電型の不純物を導入する工程においては、前記ゲート電極と前記オフセット絶縁膜の高さの和H’、注入する不純物イオンの投影飛程距離Rp、および、不純物イオンの投影飛程距離のゆらぎΔRpに対して、H’≧Rp+2ΔRpを満足するように第2導電型不純物をイオン注入する。これにより、ソース・ドレイン領域の下部に第2導電型の不純物を導入する際に、同時にチャネル形成領域にも第2導電型不純物が導入されるのを防ぐことができる。
【0035】
また、上記の目的を達成するため、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板に形成される、第1トランジスタと前記第1トランジスタとしきい値電圧が異なる第2トランジスタを有し、前記第1トランジスタと第2トランジスタは、それぞれ第1導電型の半導体基板に形成され、前記半導体基板中のチャネル形成領域と、前記チャネル形成領域の上層に形成されるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上層に形成されるゲート電極と、前記ゲート電極の両側部における前記半導体基板中に前記チャネル形成領域と接続して形成される第2導電型のソース・ドレイン領域と、前記チャネル形成領域において前記半導体基板中に形成される第1導電型のパンチスルー防止層と、前記ソース・ドレイン領域の接合面の下部に形成され、前記パンチスルー防止層よりも第1導電型の実効的キャリア濃度が低い第1導電型領域とを有し、前記しきい値が異なるように、前記第2トランジスタのゲート電極の高さが前記第1トランジスタのゲート電極の高さと異なり、前記第2トランジスタのチャネル形成領域における実効的キャリア濃度が前記第1トランジスタのチャネル形成領域における実効的キャリア濃度よりも高い半導体装置を製造するため、第1トランジスタ形成領域および第2トランジスタ形成領域のそれぞれにおいて、前記チャネル形成領域を有する第1導電型の半導体基板に、前記半導体基板の表面から所定の深さで濃度の極大値を有するように、パンチスルー防止層となる第1導電型の不純物を導入する第一の工程と、前記第1トランジスタ形成領域および第2トランジスタ形成領域のそれぞれにおいて、前記半導体基板の、前記チャネル形成領域上に、ゲート絶縁膜を形成する第二の工程と、前記第1トランジスタ形成領域において、前記ゲート絶縁膜の上層に第1ゲート電極を形成し、前記第2トランジスタ形成領域において、前記ゲート絶縁膜の上層に、前記第1ゲート電極の高さと異なる高さの第2ゲート電極を形成する第三の工程と、前記第1トランジスタ形成領域および第2トランジスタ形成領域のそれぞれにおいて、前記半導体基板中に第2導電型の不純物を導入して前記チャネル形成領域に接続するソース・ドレイン領域を形成する第四の工程と、前記第1トランジスタ形成領域および第2トランジスタ形成領域のそれぞれにおいて、高さの異なる前記第1ゲート電極および前記第2ゲート電極をマスクとして、注入する不純物イオンの投影飛程距離Rp、不純物イオンの投影飛程距離のゆらぎΔRp、第1ゲート電極の高さH1、および、第2ゲート電極の高さH2に対して、H1<Rp+2ΔRp≦H2を満足する同じ条件で、前記半導体基板と前記ソース・ドレイン領域の接合面の下部において前記パンチスルー防止層に接するように、第2導電型の不純物をイオン注入により導入し、前記第2トランジスタのしきい値と、前記第1トランジスタのしきい値とを異ならせる第五の工程とを有する。
【0036】
上記の本発明の半導体装置の製造方法は、第1トランジスタ形成領域および第2トランジスタ形成領域のそれぞれにおいて、チャネル形成領域を有する第1導電型の半導体基板に、前記半導体基板の表面から所定の深さで濃度の極大値を有するように、パンチスルー防止層となる第1導電型の不純物を導入し、第1トランジスタ形成領域および第2トランジスタ形成領域のそれぞれにおいて、半導体基板の、前記チャネル形成領域上に、にゲート絶縁膜を形成する。次に、第1トランジスタ形成領域において、ゲート絶縁膜の上層に第1ゲート電極を形成し、一方、第2トランジスタ形成領域において、ゲート絶縁膜の上層に第2ゲート電極よりも高い第2ゲート電極を形成する。次に、第1トランジスタ形成領域および第2トランジスタ形成領域のそれぞれにおいて、半導体基板中に第2導電型の不純物を導入してチャネル形成領域に接続するソース・ドレイン領域を形成し、さらに前記第1ゲート電極および第2ゲート電極をマスクとして、注入する不純物イオンの投影飛程距離Rp、不純物イオンの投影飛程距離のゆらぎΔRp、第1ゲート電極の高さH1、および、第2ゲート電極の高さH2に対して、H1<Rp+2ΔRp≦H2を満足する同じ条件で、前記半導体基板と前記ソース・ドレイン領域の接合面の下部において前記パンチスルー防止層に接するように、第2導電型の不純物をイオン注入により導入する。
【0037】
上記の本発明の半導体装置の製造方法によれば、第1トランジスタと第2トランジスタを形成する際に、各トランジスタのゲート電極の高さを変えることで、ソース・ドレイン領域の下部に第2導電型の不純物を導入する際に、H1<Rp+2ΔRp≦H2を満足するように第2導電型の不純物をイオン注入することにより、第1トランジスタにおいては、同時にチャネル形成領域にも第2導電型不純物を導入して、しきい値電圧を調節し、第2トランジスタにおいては、同時にチャネル形成領域にも第2導電型不純物が導入されるのを防ぐ。これにより、互いにしきい値電圧の異なる第1トランジスタおよび第2トランジスタを有する半導体装置を製造することができる。
【0038】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の半導体装置の実施の形態について実施例により図面を参照して説明する。
【0039】
第1実施形態
図1(a)は本実施形態にかかるLDD構造を用いたnチャネル型MOSFETを有する半導体装置の断面図である。例えばSTI(Shallow Trench Isolation)法により形成された素子分離絶縁膜20で分離されたp型半導体基板10の活性領域(チャネル形成領域)上に、例えば酸化シリコンからなるゲート絶縁膜21aが形成されている。その上層に、例えばポリシリコンからなるゲート電極30aが形成されている。ゲート電極30aの両側部には、例えば酸化シリコンからなるサイドウォール絶縁膜22が形成されている。ゲート電極の両側部の半導体基板10中には、例えばn型不純物を含有するソース・ドレイン拡散層13が形成されており、さらにそのチャネル形成領域側には例えばn型不純物をソース・ドレイン拡散層13よりも低濃度に含有するLDD(Lightly Doped Drain )拡散層12が形成されている。また、半導体基板10中のチャネル形成領域(ゲート電極30aの下部領域)においては、p型不純物を高濃度に含有して短チャネル効果の1つであるパンチスルーを防止するためのパンチスルー防止層11が形成されている。パンチスルー防止層11においては、図1(a)中のX−X’に沿った位置でのp型不純物濃度プロファイルである図1(b)に示すように、半導体基板10の表面から深くなるほど不純物濃度が高くなり、例えばLDD拡散層12の接合面の深さとソース・ドレイン拡散層13の接合面の深さの間の深さに極大値を有するようなプロファイルをとる。また、ソース・ドレイン拡散層13の接合面の下部にはパンチスルー防止層11よりもp型の実効的キャリア濃度が低いp型領域14が形成されている。
【0040】
上記のMOSFETは、ゲート電極30aに電圧を印加することによりp型半導体基板10のチャネル形成領域にn型の反転層を誘起し、誘起された反転層がチャネルとなり、電流はソース拡散層からドレイン拡散層へと流れることが可能となるものである。ここで、チャネル形成領域において半導体基板中にp型のパンチスルー防止層11が形成されているのでパンチスルー電流を抑制することができ、また、ソース・ドレイン拡散層13の接合面の下部が、パンチスルー防止層11よりもp型の実効的キャリア濃度が低いp型領域14となっているので、チャネル不純物を高くしてパンチスルー防止層11を形成しても、ソース・ドレインの接合容量を増大させない。パンチスルー防止層11よりもp型の実効的キャリア濃度が低いp型領域14においては、パンチスルー防止層11と同じ濃度のp型不純物を含有し、さらにこのp型不純物と同じオーダーでかつ低濃度にn型不純物を含有させることで、パンチスルー防止層11よりもp型の実効的キャリア濃度を低くすることができる。
【0041】
次に、上記の半導体装置の製造方法について説明する。まず、図2(a)に示すように、例えばp型シリコン半導体基板10にSTI法などにより300nmの膜厚の素子分離絶縁膜20を形成する。
【0042】
次に、図2(b)に示すように、素子分離絶縁膜20により分離されたp型半導体基板10の活性領域上に、ウェル形成、チャネルストップ層の形成、パンチスルー防止層の形成、しきい値の調整のために、p型不純物D1をイオン注入する。図面上は、パンチスルー防止層11のみを表示している。パンチスル防止層を形成するためのイオン注入は、例えばホウ素を50keVのエネルギーでイオン注入し、例えばp型不純物の濃度プロファイルが図1(b)に示すように基板表面から所定の深さの位置で濃度の極大値を有するように導入する。
【0043】
次に、図3(c)に示すように、例えば熱酸化法により4nmの膜厚の酸化シリコンのゲート絶縁膜21を形成する。
【0044】
次に、図3(d)に示すように、ゲート絶縁膜21の上層に例えばCVD(Chemical Vapor Deposition )法により200nmの膜厚でポリシリコンを堆積させ、ゲート電極用層30を形成する。
【0045】
次に、図4(e)に示すように、フォトリソグラフィー工程によりゲート電極のパターンのレジスト膜を形成し、RIE(反応性イオンエッチング)などのエッチングを施して、ゲート電極30aを形成する。
【0046】
次に、図4(f)に示すように、ゲート電極30aをマスクとしてn型不純物D2として例えば砒素を10keVのエネルギーでイオン注入し、LDD拡散層12を形成する。次に、例えば窒素雰囲気中で1000℃,10秒のランプアニールによるRTA(Rapid Thermal Annealing )処理を行うことで、半導体基板の結晶欠陥の回復や、導入した不純物D2の活性化などを行う。
【0047】
次に、図5(g)に示すように、例えばCVD法により酸化シリコン層を100nmの膜厚で酸化シリコンあるいは窒化シリコンを層を堆積させ、RIEなどのエッチングにより全面にエッチバックして、ゲート電極30aの側壁部分を残して酸化シリコンあるいは窒化シリコンを除去し、ゲート電極30aの側壁部に幅が100nm程度のサイドウォール絶縁膜22を形成する。
【0048】
次に、図5(h)に示すように、サイドウォール絶縁膜22をマスクとしてn型不純物D3として例えば砒素を50keVのエネルギーでイオン注入し、ソース・ドレイン拡散層13を形成する。
【0049】
次に、図6(i)に示すように、サイドウォール絶縁膜22をマスクとして、半導体基板10の表面の法線に対して3〜10°の角度をつけて、n型不純物D4として例えばリンを100keVのエネルギーでイオン注入し、ソース・ドレイン拡散層12の下部にパンチスルー防止層11中のp型不純物濃度と同じオーダーでありかつ低濃度となるようにn型不純物を導入することで、ソース・ドレイン拡散層13の下部を、パンチスルー防止層11よりもp型の実効的キャリア濃度が低いp型領域14とする。
【0050】
次に、例えば窒素雰囲気中で1000℃,10秒のランプアニールによるRTA処理を行うことで、半導体基板の結晶欠陥の回復や、導入した不純物D3,D4の活性化などを行う。以上で、図1(a)に示すMOSFETを有する半導体装置に至る。以降の工程としては、例えば、MOSFETと被覆して酸化シリコンの層間絶縁膜を形成し、層間絶縁膜にソース・ドレイン拡散層12に達するコンタクトホールを開口し、コンタクトホール内に埋め込み電極を形成し、さらに上層配線などを形成して所望の半導体装置を形成する。MOSFETとしては、SALICIDE(Self Aligned Silicide )プロセスにより、ゲート電極上部、ソース・ドレイン拡散層上部に高融点金属シリサイド領域を形成することもできる。
【0051】
ここで、上記の図6(i)に示すソース・ドレイン拡散層13の下部を、パンチスルー防止層11よりもp型の実効的キャリア濃度が低いp型領域14とするためのn型不純物のイオン注入について、図7(a)を参照して説明する。このイオン注入時の総不純物注入量をQ、注入する不純物イオンの投影飛程距離をRp、不純物イオンの投影飛程距離のゆらぎ(基板からの深さRpにおける不純物濃度の(1/e)1/2 の濃度となる深さの、深さRpからの距離)をΔRp、ソース・ドレイン領域の接合面の前記半導体基板表面からの深さをXjとすると、Rp−ΔRp〜Rp+ΔRpの範囲(図中の斜線部分)に約7割(0.7Q)の不純物が注入されることになり、Rp+ΔRpよりも深い領域には約1.5割(0.15Q)の少ない量の不純物しか注入されないことになる。ここで、RpをXj+ΔRpとなるように設定することで、約7割(0.7Q)の不純物がソース・ドレイン領域の直下の領域となるXj〜Xj+2ΔRpの範囲に注入され、これにより効果的にソース・ドレインの接合容量を低減することが可能となる。上記のイオン注入は、基板に対して角度をつけてチャネリングが起きないようにして注入するので、不純物の注入量を制御して安定に不純物注入を行うことが可能である。また、注入する不純物のチャネル形成領域側への広がり方にも上記と同様の関係があるので、Xj+2ΔRpよりも遠い領域にまで不純物が注入されることはなく、効果的にパンチスルー電流を抑制することができる。Rpとしては、Xj≦Rp≦Xj+ΔRpとなるように設定することが好ましい。
【0052】
また、上記のイオン注入においては、Rp+2ΔRpよりも深い領域には、約2.3%(0.023Q)以下しか注入されない。このことから、ゲート電極の高さ(ゲート電極の上層にオフセット絶縁膜が形成されている場合にはゲート電極とオフセット絶縁膜の高さの和)を調節することで、パンチスルー防止層11よりもp型の実効的キャリア濃度が低いp型領域14とするためのn型不純物のイオン注入において、同時にチャネル形成領域にもn型不純物を導入し、しきい値電圧を調節する、あるいは、チャネル形成領域にもn型不純物が導入されるのを防ぐことができる。即ち、図7(b)に示すように、ゲート電極の高さHについて、H<Rp+2ΔRpを満足するようにゲート電極を低くすることで、上記の不純物イオンの一部がゲート電極を突き抜けてチャネル形成領域に注入されることになり、これにより実効的キャリア濃度が低下してしきい値電圧を低くすることができる。逆に、H≧Rp+2ΔRpを満足するようにゲート電極を高くすることで、上記の不純物イオンの一部がゲート電極を突き抜けてチャネル形成領域に注入されることはなくなり、これにより実効的キャリア濃度を低下させないで形成することができる。ゲート電極の上層にオフセット絶縁膜が形成されている場合には、ゲート電極とオフセット絶縁膜の高さの和H’についてH’<Rp+2ΔRpを満足するように設定することで上記の不純物イオンの一部がゲート電極を突き抜けてチャネル形成領域に注入されることになり、H’≧Rp+2ΔRpを満足するように設定することで、上記の不純物イオンの一部がゲート電極を突き抜けてチャネル形成領域に注入されることはなくなる。
【0053】
また、上記のイオン注入において、ゲート電極の高さに応じてトランジスタのしきい値の調整が可能であることから、ゲート電極の高さの異なるトランジスタを形成し、例えばゲート電極の高さHについて、H<Rp+2ΔRpとなるトランジスタと、H≧Rp+2ΔRpとなるトランジスタを形成する(例えば200nmの高さのゲート電極と250nmの高さのゲート電極を形成する)ことで、前者は上記のイオン注入において不純物イオンの一部がチャネル形成領域に注入され、後者は上記のイオン注入において不純物イオンがチャネル形成領域に注入されることはなく、簡単な方法で互いにしきい値の異なるトランジスタを形成することが可能である。上記のように高さの異なるゲート電極を形成するためには、例えばフォトリソグラフィー工程によりレジストマスクを形成し、高さを低く形成するゲート電極のみをドライエッチングにより必要量エッチング除去することで形成することが可能である。この時、ゲート電極中に不純物を導入する場合には、あらかじめ不純物を注入しておくことが好ましい。
【0054】
上記の本実施形態の半導体装置の製造方法によれば、半導体基板上にnチャネル型MOS型電界効果トランジスタ(MOSFET)を形成することができる。p型の不純物を導入してパンチスルー防止層を形成するのでパンチスルー電流が抑制され、また、チャネリングを起こさないように、半導体基板の表面に対して斜めに角度をつけてn型不純物をイオン注入してソース・ドレイン領域の下部にn型の不純物を導入することから、導入する不純物の量がばらつくことなく安定に、ソース・ドレインの接合容量を増大させずにMOSFETを形成することが可能である。
【0055】
上記の本実施形態においては、nチャネル型トランジスタについて説明しているが、n型不純物をp型不純物と入れ替えることでpチャネル型トランジスタとすることもできる。製造工程において、例えば、n型半導体基板を用い、パンチスルー防止層の形成工程においてはリンを100keVでイオン注入し、LDD拡散層の形成工程においてはBF2 を10keVでイオン注入し、ソース・ドレイン拡散層の形成工程においてはBF2 を20keVでイオン注入し、ソース・ドレイン拡散層の下部を、パンチスルー防止層よりもn型の実効的キャリア濃度が低いn型領域とするためのp型不純物のイオン注入工程においては、ホウ素を40keVでイオン注入することで形成することが可能である。
【0056】
(実施例)
以下のようにして、p型シリコン半導体基板上にnチャネル型MOSFETを形成した。まず、図2(a)に示すように、p型シリコン半導体基板10にSTI法などにより300nmの膜厚の素子分離絶縁膜20を形成し、図2(b)に示すように、p型不純物D1としてホウ素を50keVのエネルギーでイオン注入し、パンチスルー防止層11を形成した。次に、図3(c)に示すように、熱酸化法により4nmの膜厚の酸化シリコンのゲート絶縁膜21を形成した。次に、図3(d)に示すように、ゲート絶縁膜21の上層に例えばCVD法により200nmの膜厚でポリシリコンを堆積させ、ゲート電極用層30を形成し、図4(e)に示すように、フォトリソグラフィー工程によりゲート電極のパターンのレジスト膜を形成し、RIE(反応性イオンエッチング)によりゲート電極30aのパターンに加工した。
【0057】
次に、図4(f)に示すように、ゲート電極30をマスクとしてn型不純物D2として砒素を10keVのエネルギーでイオン注入してLDD拡散層12を形成し、窒素雰囲気中で1000℃,10秒のランプアニールによるRTA処理を行った後、図5(g)に示すように、ゲート電極30aの側壁部に幅が100nm程度のサイドウォール絶縁膜22を形成した。次に、図5(h)に示すように、サイドウォール絶縁膜22をマスクとしてn型不純物D3として砒素を50keVのエネルギーでイオン注入し、ソース・ドレイン拡散層13を形成し、さらに図6(i)に示すように、サイドウォール絶縁膜22をマスクとして、半導体基板10の表面の法線に対して3〜10°の角度をつけて、n型不純物D4としてリンを100keVのエネルギーでイオン注入し、ソース・ドレイン拡散層12の下部にパンチスルー防止層11中のp型不純物濃度と同じオーダーでありかつ低濃度となるようにn型不純物を導入してソース・ドレイン拡散層13の下部をパンチスルー防止層11よりもp型の実効的キャリア濃度が低いp型領域14とした。次に、例えば窒素雰囲気中で1000℃,10秒のランプアニールによるRTA処理を行った。
【0058】
上記のソース・ドレイン拡散層13の下部をパンチスルー防止層11よりもp型の実効的キャリア濃度が低いp型領域14とするためのリンのイオン注入においては、ドーズ量を0(注入しない条件)、5×1012atoms/cm2 、1×1013atoms/cm2 の各条件とした。また、注入する不純物イオンの投影飛程距離をRpをソース・ドレイン領域の接合面の前記半導体基板表面からの深さをXj程度と設定し、また、ゲート電極の高さHは、H<Rp+2ΔRpとして注入するリンの一部がゲート電極を突き抜けてチャネル形成領域に注入される条件とした。
【0059】
図8(a)は、上記のようにして形成したnチャネル型トランジスタのソース・ドレイン拡散層の接合容量Cを累積確率に対して、各ドーズ量について、プロットした図である。このように、リンのイオン注入により効果的にソース・ドレイン拡散層の接合容量が低減されていることが確認された。
【0060】
図8(b)は、上記のようにして形成したnチャネル型トランジスタについて、ゲート長Lに対してトランジスタのしきい値Vthをプロットしたロールオフ特性を示す図である。このように、リンのイオン注入によりロールオフの増大を抑制する、即ち、パンチスルー電流の増大を抑制でき、また、リンのドーズ量を増加するにつれてトランジスタのしきい値が低電圧化できていることが確認された。
【0061】
第2実施形態
図9(a)は本実施形態にかかるLDD構造を用いたpチャネル型MOSFETを有する半導体装置の断面図である。実質的に第1実施形態にかかる半導体装置と同様であるが、さらに、LDD拡散層12のチャネル形成領域側において、パンチスルー防止層11よりも高濃度のp型不純物を含有するポケット層15が形成されている点が異なる。第1実施形態と同様に、パンチスルー防止層11においては、図9(a)中のX−X’に沿った位置でのp型不純物濃度プロファイルである図9(b)に示すように、半導体基板10の表面から深くなるほど不純物濃度が高くなり、例えばLDD拡散層12の接合面の深さとソース・ドレイン拡散層13の接合面の深さの間の深さに極大値を有するようなプロファイルをとり、また、ソース・ドレイン拡散層13の接合面の下部にはパンチスルー防止層11よりもp型の実効的キャリア濃度が低いp型領域14が形成されている。
【0062】
次に、上記の半導体装置の製造方法について説明する。第1実施形態と同様にして、LDD拡散層12を形成した後、図10(a)に示すように、半導体基板に対して斜めに(例えば45°程度)p型不純物としてホウ素をイオン注入し、パンチスルー防止層11よりも高濃度のp型不純物を含有するポケット層15を形成する。以降の工程は第1実施形態と同様であり、砒素などのn型不純物をイオン注入してソース・ドレイン拡散層13を形成し、さらにリンなどのn型不純物D4をイオン注入してソース・ドレイン拡散層13の下部をパンチスルー防止層11よりもp型の実効的キャリア濃度が低いp型領域14として、図9(a)に示す半導体装置に至る。
【0063】
上記の本実施形態の半導体装置は、LDD拡散層12のチャネル形成領域側において、パンチスルー防止層11よりも高濃度のp型不純物を含有するポケット層15が形成されているので、パンチスルー電流をさらに抑制することができる。
【0064】
本発明の半導体装置及びその製造方法は、上記の実施形態に限定されない。例えば、また、ゲート電極としては、本実施形態のように単層構成の他、ポリサイドなどの2層以上としてよい。ゲート電極の高さは特に限定されず、必要に応じて様々な高さとすることができる。この他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
【0065】
【発明の効果】
本発明の半導体装置によれば、チャネル形成領域において半導体基板中に形成された第1導電型のパンチスルー防止層が形成されていてパンチスルー電流が抑制され、また、ソース・ドレイン領域の接合面の下部が、パンチスルー防止層よりも第1導電型の実効的キャリア濃度が低い第1導電型領域となっているので、チャネル不純物を高くしてパンチスルー防止層を形成しても、ソース・ドレインの接合容量を増大させない。
【0066】
また、本発明の半導体装置の製造方法によれば、本発明の半導体装置を容易に製造することが可能である。第1導電型の不純物を導入してパンチスルー防止層を形成するのでパンチスルー電流が抑制され、また、チャネリングを起こさないように、半導体基板の表面に対して斜めに角度をつけて第2導電型不純物をイオン注入してソース・ドレイン領域の下部に第2導電型の不純物を導入することから、導入する不純物の量がばらつくことなく安定に、ソース・ドレインの接合容量を増大させずにMOSFETを形成することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1(a)は第1実施形態にかかる半導体装置の断面図であり、図1(b)は図1(a)中のX−X’における不純物プロファイルである。
【図2】図2は第1実施形態にかかる半導体装置の製造方法の製造工程を示す断面図であり、(a)は素子分離絶縁膜の形成工程まで、(b)はパンチスルー防止層の形成工程までを示す。
【図3】図3は図2の続きの工程を示し、(c)はゲート絶縁膜の形成工程まで、(d)はゲート電極用層の形成工程までを示す。
【図4】図4は図3の続きの工程を示し、(e)はゲート電極のパターン加工工程まで、(f)はLDD拡散層の形成工程までを示す。
【図5】図5は図4の続きの工程を示し、(g)はサイドウォール絶縁膜の形成工程まで、(h)はソース・ドレイン拡散層の形成工程までを示す。
【図6】図6は図5の続きの工程を示し、(i)はソース・ドレイン拡散層の下部に第1導電型不純物をイオン注入する工程までを示す。
【図7】図7(a)はソース・ドレイン拡散層の下部に第1導電型不純物をイオン注入する工程における注入位置を説明する模式図であり、図7(b)はゲート電極の高さによりチャネル形成領域への不純物の注入を制御する方法を説明する模式図である。
【図8】図8(a)は実施例において、トランジスタのソース・ドレイン拡散層の接合容量Cを累積確率に対してプロットした図であり、図8(b)はゲート長Lに対してトランジスタのしきい値Vthをプロットしたロールオフ特性を示す図である。
【図9】図9(a)は第2実施形態にかかる半導体装置の断面図であり、図9(b)は図9(a)中のX−X’における不純物プロファイルである。
【図10】図10は第2実施形態にかかる半導体装置の製造方法の製造工程を示す断面図であり、(a)はポケット層の形成工程まで、(b)はソース・ドレイン拡散層の下部に第1導電型不純物をイオン注入する工程までを示す。
【図11】図11(a)は従来例にかかる半導体装置の断面図であり、図11(b)は図11(a)中のX−X’における不純物プロファイルである。
【符号の説明】
10…p型半導体基板、11…p型パンチスルー防止層、12…n型LDD拡散層、13…n型ソース・ドレイン拡散層、14…p型領域、15…p型ポケット層、20…素子分離絶縁膜、21,21a…ゲート絶縁膜、22サイドウォール絶縁膜、30…ゲート電極用層、30a…ゲート電極、D1,D2,D3,D4,D5…不純物イオン。
Claims (1)
- 半導体基板に形成される、第1トランジスタと前記第1トランジスタとしきい値電圧が異なる第2トランジスタを有し、
前記第1トランジスタと第2トランジスタは、それぞれ第1導電型の半導体基板に形成され、前記半導体基板中のチャネル形成領域と、前記チャネル形成領域の上層に形成されるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上層に形成されるゲート電極と、前記ゲート電極の両側部における前記半導体基板中に前記チャネル形成領域と接続して形成される第2導電型のソース・ドレイン領域と、前記チャネル形成領域において前記半導体基板中に形成される第1導電型のパンチスルー防止層と、前記ソース・ドレイン領域の接合面の下部に形成され、前記パンチスルー防止層よりも第1導電型の実効的キャリア濃度が低い第1導電型領域とを有し、
前記しきい値が異なるように、前記第2トランジスタのゲート電極の高さが前記第1トランジスタのゲート電極の高さと異なり、
前記第2トランジスタのチャネル形成領域における実効的キャリア濃度が前記第1トランジスタのチャネル形成領域における実効的キャリア濃度よりも高い半導体装置を製造するため、
第1トランジスタ形成領域および第2トランジスタ形成領域のそれぞれにおいて、前記チャネル形成領域を有する第1導電型の半導体基板に、前記半導体基板の表面から所定の深さで濃度の極大値を有するように、パンチスルー防止層となる第1導電型の不純物を導入する第一の工程と、
前記第1トランジスタ形成領域および第2トランジスタ形成領域のそれぞれにおいて、前記半導体基板の、前記チャネル形成領域上に、ゲート絶縁膜を形成する第二の工程と、
前記第1トランジスタ形成領域において、前記ゲート絶縁膜の上層に第1ゲート電極を形成し、前記第2トランジスタ形成領域において、前記ゲート絶縁膜の上層に、前記第1ゲート電極の高さと異なる高さの第2ゲート電極を形成する第三の工程と、
前記第1トランジスタ形成領域および第2トランジスタ形成領域のそれぞれにおいて、前記半導体基板中に第2導電型の不純物を導入して前記チャネル形成領域に接続するソース・ドレイン領域を形成する第四の工程と、
前記第1トランジスタ形成領域および第2トランジスタ形成領域のそれぞれにおいて、高さの異なる前記第1ゲート電極および前記第2ゲート電極をマスクとして、注入する不純物イオンの投影飛程距離Rp、不純物イオンの投影飛程距離のゆらぎΔRp、第1ゲート電極の高さH1、および、第2ゲート電極の高さH2に対して、H1<Rp+2ΔRp≦H2を満足する同じ条件で、前記半導体基板と前記ソース・ドレイン領域の接合面の下部において前記パンチスルー防止層に接するように、第2導電型の不純物をイオン注入により導入し、前記第2トランジスタのしきい値と、前記第1トランジスタのしきい値とを異ならせる第五の工程と
を有し、第一の工程から第五の工程の順序で処理を行う、半導体装置の製造方法。
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