JP4228286B2

JP4228286B2 - Information recording medium and information recording apparatus

Info

Publication number: JP4228286B2
Application number: JP2003136466A
Authority: JP
Inventors: 弘典手操; 均小森谷
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 2003-05-14
Filing date: 2003-05-14
Publication date: 2009-02-25
Anticipated expiration: 2023-05-14
Also published as: JP2004342206A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は情報記録媒体及び情報記録装置に関するものであり、特に、微小プローブにより高密度の情報記録再生を行う情報記録装置における微小プローブ先端の摩耗を検知するための手段に特徴のある情報記録媒体及び情報記録装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、大容量の情報記録再生装置に対する要求が高まっており、今後も止むことはない状況である。
情報記録再生装置として最も用いられている磁気ディスク装置においては年々記録密度の増大がみられるが、磁気記録の原理的な限界に近づいているといわれている。
【０００３】
この限界を超える技術として、微小プローブを用いる記録技術が注目を浴びており（例えば、非特許文献１参照）、この非特許文献１では熱を利用した記録方式が記されている。
【０００４】
また、記録方式としては熱を利用するものの他に、導電性を有するプローブを用い、これを情報記録媒体と接触させ、プローブと情報記録媒体との間に電圧を印加し、情報記録媒体の性状を変化せしめることによる電気的なものも検討されている（例えば、特許文献１或いは非特許文献２を参照）。
【０００５】
このプローブと情報記録媒体と接触させる情報記録装置においては、プローブ先端の磨耗が発生するという問題があり、情報記録装置の寿命がプローブの寿命で決定されることになる。
【０００６】
この問題に対して、特許文献１においては、情報記録媒体またはプローブに導電性のダイヤモンド薄膜などの保護膜を形成して磨耗を防ぐことも提案されている。
また、プローブの磨耗を情報記録装置上で検知する技術も検討されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００７】
【特許文献１】
特開平１０−１１２０８３号公報
【特許文献２】
特開２００１−２９１２９２号公報
【非特許文献１】
ＩＢＭＪ．Ｒｅｓ．Ｄｅｖｅｌｏｐ．，ｖｏｌ．４４，ｐｐ．３２３−３４０，２０００
【非特許文献２】
Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，ｖｏｌ．７０，ｐ．２７２５，１９９１
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上述の特許文献１の場合には、導電性のダイヤモンド薄膜などの保護膜によって、磨耗によるプローブ先端の損傷を軽減することが可能になると考えられが、磨耗を完全に防ぐことができないという問題があり、経時的な測定結果の信頼性に問題がある。
【０００９】
一方、特許文献２の場合には、プローブ先端の物理的な磨耗を検知することにとどまるものであり、物理的な磨耗が小さい場合でも生じる電気的導通不良というような導電性プローブで起こりうる損傷を検知することは考えられていないという問題がある。
【００１０】
したがって、本発明は、導電性プローブの損傷を精度良く検出することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
図１は本発明の原理的構成図であり、この図１を参照して本発明における課題を解決するための手段を説明する。
なお、図における符号５，６は、夫々ガラス基板等の基板、及び、Ａｕ層等の導電層である。
図１参照
上記目的を達成するため、本発明は、電気抵抗或いは容量の変化により情報を記録する情報記録媒体１において、記録領域２を情報記録媒体１上に区分設定するとともに、区分設定した各記録領域２内の一部に導電性領域３を設けたことを特徴とする。
【００１２】
この様に、情報記録媒体１自体の内部に導電性領域３を設け、定期的に導電性領域３と導電性プローブ４とを接触させ、その抵抗値を測定するという簡単な構成により導電性プローブ４の先端の摩耗或いは損傷の検出が可能になる。
【００１３】
この場合、区分設定した記録領域２の表面と導電性領域３の表面が同一平面を構成するようにすることが望ましく、それによって、導電性プローブ４の先端が移動する時に情報記録媒体１の凹凸と衝突して損傷することがなくなる。
【００１４】
また、情報記録媒体１としては、電気抵抗が変化するＧｅＳｂＴｅ等のカルコゲナイド系の相変化材料、或いは、容量が変化するＳｉ／Ｓｉ酸化膜／Ｓｉ窒化膜の積層構造、即ち、ＮＯＳ媒体のいずれでも良い。
【００１５】
また、情報記録媒体１が矩形状である場合には、導電性領域３を区分設定した各記録領域２の周辺部に記録領域２を囲むように設けても良いし、各記録領域２の一部に局所的に設けても良いものである。
【００１６】
また、情報記録媒体が円盤状である場合には、区分設定した記録領域と導電性領域とを交互に同心円環状に配置すれば良い。
【００１７】
また、矩形状の情報記録媒体１を用いた情報記録装置を構成する場合には、導電性プローブ４を２次元的に配列したプローブヘッド、プローブヘッドと情報記録媒体１との相対移動を制御する手段、個々の導電性プローブ４と情報記録媒体１との接触を制御する手段、導電性プローブ４と導電性領域３間の抵抗値を測定する手段、及び、測定した抵抗値と基準値とを比較することにより導電性プローブ４の損傷を判定する手段を少なくとも備えれば良い。
【００１８】
この場合、プローブヘッドと情報記録媒体１との相対移動制御手段により、プローブヘッドと情報記録媒体１との相対的位置関係を変更することができ、これにより、各導電性プローブ４が区分設定された各記録領域２内で複数の情報を記録および再生することができる。
【００１９】
また、個々の導電性プローブ４に情報記録媒体１との接触、非接触を制御する手段を設けることにより、個々の導電性プローブ４を独立して並行的に動作させることができる。
【００２０】
また、導電性プローブ４と導電性領域３との間の抵抗値を測定する手段を設けることにより、導電性プローブ４と導電性領域３との間の抵抗値を簡単に測定することが可能となり、測定した抵抗値と基準値とを比較することにより導電性プローブ４の摩耗或いは損傷を容易に判定することができる。
【００２１】
また、円盤状の情報記録媒体を用いた情報記録装置を構成する場合には、導電性プローブを１次元的に配列したプローブヘッド、プローブヘッドと情報記録媒体との相対移動を制御する手段、個々の導電性プローブと情報記録媒体との接触を制御する手段、導電性プローブと導電性領域間の抵抗値を測定する手段、及び、測定した抵抗値と基準値とを比較することにより導電性プローブの損傷を判定する手段を少なくとも備えれば良い。
この場合のプローブヘッドと情報記録媒体との相対移動を制御する手段は、情報記録媒体を回転させる回転手段と、プローブヘッドを情報記録媒体の半径方向に移動制御する手段とからなる。
【００２２】
この場合、プローブヘッドを構成する導電性プローブ４と、情報記録媒体１に設けた区分設定した各記録領域２とを１：１に対応させることが望ましく、それによって、書込速度及び読出速度を高速化することができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
ここで、図２乃至図８を参照して、本発明の第１の実施の形態の情報記録装置を説明する。
図２参照
図２は、本発明の第１の実施の形態に用いるプローブヘッドの概略的平面図であり、このプローブヘッド１０はＳＯＩ基板１１にプローブエレメント２０を二次元アレイ状に設けたものであり、個々のプローブエレメント２０には２本の脚部２１、探針形成部２２、及び、探針２３により構成されている。
なお、ここでは、便宜的に５×３の二次元アレイとしているが、実際には、もっと多数のプローブエレント２０を配置した構成となる。
【００２４】
次に、図３を参照して、本発明の第１の実施の形態に用いるプローブヘッドを構成するプローブエレメント２０の構成を説明する。
図３（ａ）及び（ｂ）参照
図３（ａ）は、プローブエレメント２０の概略的平面図であり、また、図３（ｂ）は脚部の延在方向に沿った概略的断面図である。
まず、シリコン基板１２上にＳｉＯ₂膜１３を介して厚さが、例えば、１μｍのシリコン層を設けたＳＯＩ基板１１を用い、一部を残してシリコン層の全体を０．５μｍの深さにエッチングして探針２３を形成する。
【００２５】
次いで、脚部形成領域にＰ（リン）をヘビードープして低抵抗化したのち、２本の脚部２１及び探針形成部２２が得られるようにパターニングしたのち、少なくとも２本の脚部２１、探針形成部２２、及び、探針２３の表面を導電性ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜２４で被覆する。
この場合、例えば、脚部２１の長さは５０μｍ、幅は１０μｍとする。
【００２６】
また、プローブヘッドのＸ方向にＡｕ配線２５を設けたのち、窒化膜を設けて、所定のパターンにパターニングすることによって脚部２１の付け根部に歪制御ＳｉＮ膜２６を形成し、次いで、この歪制御ＳｉＮ膜２６の一部を覆うようにＮｉブリッジ２７を設けてＡｕ配線２５と脚部２１とを接続する。
なお、脚部２１に電流を流すための配線及びスイッチング素子は、本発明の本質とは直接の関連がないので図示を省略する。
【００２７】
プローブヘッド１０はモーターを使って媒体との距離を制御することが可能であり、また個々のプローブエレメント２０の脚部２１からなるカンチレバーについて、該カンチレバーに設けたアクチュエータにより、カンチレバーのたわみを制御することが可能であり、それによって、プローブ先端の探針と媒体との距離を制御することが可能である。
【００２８】
図４参照
図４は、本発明の第１の実施の形態に用いる情報記録媒体３０の概念的平面図であり、上述のプローブヘッド１０を構成するプローブエレメント２０に応じて矩形状の区分記録領域３１に分割し、各区分記録領域３１には記録材料層３２の周囲部分に導電性配線領域３３を設けたものである。
【００２９】
次に、図５及び図６を参照して、本発明の第１の実施の形態に用いる情報記録媒体３０の製造工程を説明する。
図５（ａ）参照
まず、ガラス基板４１上にＡｕ層４２を成膜したのち、レジスト層４３を塗布する。
【００３０】
図５（ｂ）参照
次いで、フォトリソグラフィー技術を用いて露光・現像することによって導電性配線領域３３を形成するための凹部４４を形成する。
図５（ｃ）参照
次いで、全面にＡｕ膜４５をスパッタ法で形成する。
【００３１】
図６（ｄ）参照
次いで、レジスト層４３上に堆積したＡｕ膜４５をレジスト層４３とともに除去することにより、凹部４４に残ったＡｕ膜４５が導電性配線領域３３となる。
図６（ｅ）参照
次いで、全面にスパッタ法を用いてＧｅＳｂＴｅ膜４６を形成する。
【００３２】
図６（ｆ）参照
最後に、媒体面をＣＭＰ（化学機械研磨）法により導電性配線領域３３の表面が現れるまで研磨することによって、導電性配線領域３３の表面とＧｅＳｂＴｅからなる記録材料層３２の表面が同一平面を構成する情報記録媒体３０が完成する。
【００３３】
図７参照
図７は、上述のプローブヘッド１０と情報記録媒体３０との配置関係の説明図であり、プローブヘッド１０を構成する個々のプローブエレメント２０と、情報記録媒体３０を構成する区分記録領域３１とが１：１で対応するように配置する。
【００３４】
図８参照
図８は、本発明の第１の実施の形態の情報記録装置の駆動方法を説明するブロック図であり、情報記録媒体３０を移動させる記録媒体駆動手段、即ち、モーターにより、情報記録媒体３０とプローブヘッド１０とを相対的に移動させる。
【００３５】
また、プローブ接触制御手段、即ち、カンチレバーに設けたアクチュエータにより、カンチレバーのたわみを制御することにより、プローブヘッド１０の個々のプローブエレメント２０の先端の探針２３と情報記録媒体３０との接触を制御する。
【００３６】
この時、プローブエレメント２０と情報記録媒体３０の記録材料層３２との間に電圧を印加することにより記録動作をおこない、また電圧印加により流れる電流を測定することで抵抗値が測定され、これらの電圧印加や抵抗値測定は個々のプローブエレメント２０に対しておこなわれる。
【００３７】
即ち、相変化記録材料であるＧｅＳｂＴｅからなる記録材料層３２の一部に電圧を印加することによって、接触箇所においてＧｅＳｂＴｅは相変化し抵抗値が変化するので１ビットの情報の記録が可能になる。
また、記録ビット３４における抵抗値の違いを探針２３とＡｕ層４２との間に電流を流すことによって電気的に読み出すことによって、書込情報の読出が可能になる。
【００３８】
また、プローブエレメント２０を区分記録領域３１に設けた導電性配線領域３３と接触させ、プローブエレメント２０と情報記録媒体３０との間に電圧を印加して流れる電流を測定することにより、プローブエレメント２０と導電性配線領域３３との間の抵抗値が測定される。
【００３９】
この抵抗値を基準値と比較し、基準値より大きい場合はプローブエレメント２０が損傷していると判定する。
この場合の導電性配線領域３３に対する接触頻度は、プローブヘッド１０の構成或いは情報記録媒体３０の構成によって異なるが、例えば、駆動時間１０００時間毎に行えば良い。
なお、記録動作と抵抗値測定によるプローブ損傷の判定とはコントローラにより制御を行う。
【００４０】
次に、図９乃至図１０を参照して、本発明の第１の実施の形態に情報記録装置に用いる他の情報記録媒体の製造方法を説明する。
図９（ａ）参照
まず、導電性シリコン基板５１上に熱酸化によりＳｉＯ₂膜５２を形成したのち、ＣＶＤ法を用いて、ＳｉＮ膜５３及びＳｉＯ₂膜５４を順次成膜する。
【００４１】
図９（ｂ）参照
次いで、全面にレジストを塗布し、露光・現像することによって導電性配線領域３３に対応する開口部を有するレジストパターン５５を形成し、このレジストパターンをマスクとしてＳｉＯ₂膜５４をエッチングして開口部５６を形成する。
【００４２】
図９（ｃ）参照
次いで、レジストパターン５５を除去したのち、ＳｉＯ₂膜５４をマスクとしてＳｉＮ膜５３の露出部をエッチングする。
【００４３】
図１０（ｄ）参照
次いで、ＳｉＯ₂膜５４をエッチング除去するとともに、ＳｉＮ膜５３をマスクとしてＳｉＯ₂膜５２の露出部をエッチングしてシリコン基板５１に達する凹部５７を形成する。
【００４４】
図１０（ｅ）参照
次いで、スパッタ法を用いて全面にＡｕ膜５８を堆積させて凹部５７を完全に埋め込む。
図１０（ｆ）参照
最後に、媒体面をＣＭＰ法により研磨することにより凹部５７を充填するＡｕ膜５８が導電性配線領域３３になるとともに、導電性配線領域３３の表面と、記録材料層の上層を構成するＳｉＮ膜５３の表面とが同一面を構成するＮＯＳ型の情報記録媒体５０が完成する。
【００４５】
このＮＯＳ媒体を用いる場合、プローブエレメント２０とシリコン基板５１との間に電圧が印加されることにより、接触箇所におけるＮＯＳ媒体に空乏層が形成されてＮＯＳ媒体の静電容量が変化するので、この静電容量の変化を情報とする。
【００４６】
次に、図１１を参照して、本発明の第１の実施の形態に情報記録装置に用いるさらに他の情報記録媒体を説明する。
図１１参照
図１１は、情報記録媒体６０の概念的平面図であり、基本構成は図４に示した情報記録媒体３０と同様であるが、この情報記録媒体６０においては、区分記録領域６１の一部に局所的にドット状接触領域６２を設けたものである。
【００４７】
この情報記録媒体６０を用いた場合にも、ドット状接触領域６２の位置を記憶しておくことによって、予め設定した期間毎にプローブエレメント２０をドット状接触領域６２に接触させれば良い。
【００４８】
次に、図１２を参照して、本発明の第２の実施の形態の情報記録装置を説明する。
図１２参照
図１２は、本発明の第２の実施の形態の情報記録装置の概念的構成図であり、図２に示したプローブエレメントと同様の構成を有する脚部７１、探針形成部７２、探針７３を備えたプローブエレメントを一次元アレイ状に配置してプローブヘッド７０を構成し、このプローブヘッド７０を円盤状の情報記録媒体８０の半径方向に一次元アレイの配列方向が位置するように配置する。
なお、ここでは、便宜上、４個のプローブエレメントとしているが、実際には、もっと多数のプローブエレメントからなるものであり、また、脚部７１、探針形成部７２、及び、探針７３の表面は導電性ＤＬＣ膜（図示を省略）で被覆されている。
【００４９】
この場合の円盤状の情報記録媒体８０は、図４に示した情報記録媒体３０と基本構成が同じであり、Ａｕ層が形成されたガラス基板上に同心円環状のＧｅＳｂＴｅからなる記録材料層８２とＡｕからなる導電性配線領域８３とを交互に配置したものであり、互いに隣接する記録材料層８２と導電性配線領域８３とによって区分記録領域８１が構成される。
【００５０】
この第２の実施の形態においては、円盤状の情報記録媒体をスピンドルモーターにより回転させるとともに、プローブヘッド７０をＸ軸方向に移動することにより、プローブヘッド７０と情報記録媒体８０との相対移動がなされる。
【００５１】
以上、本発明の各実施の形態を説明したが、本発明は各実施の形態に記載した構成及び条件に限られるものではなく、各種の変更が可能である。
例えば、上記の第１の実施の形態においては、情報記録媒体をＸ−Ｙステージに載置しているが、プローブヘッドをＸ−Ｙステージに固定・搭載して情報記録媒体とプローブヘッドとを相対的に移動させる構成にしても良い。
【００５２】
また、上記の第２の実施の形態においては、移動方向はＸ方向のみであるので、一次元移動ステージ、即ち、Ｘステージを用いても良いものである。
【００５３】
また、上記の第１の実施の形態においては、基板のサイズとプローブヘッドのサイズが同程度であることを前提としているが、プローブヘッドのサイズより何倍も大きな基板に対しても適用されることは言うまでもない。
その場合には、ステッパーの様に、基板を複数の領域に分割し、プローブヘッドを順次隣接する分割領域に移動させて記録・読出を行えば良い。
【００５４】
また、上記の第２の実施の形態においては、ディスクの半径に対応する長さのプローブヘッドを一個だけ用いているが、複数個のプローブヘッドを用いてデスクをセクタに分割するようにしても良く、それによって、読出速度及び書込速度を向上することができる。
例えば、２個のプローブヘッドを一直線上に配置しても良いし、或いは、４個のプローブヘッドを十字状の配置しても良いものである。
【００５５】
また、上記の各実施の形態においては導電性配線領域或いはドット状接触領域をＡｕによって形成しているが、Ａｕに限られるものではなく、Ａｕと同様に低抵抗で耐酸化性に優れたＰｔを用いても良いものである。
【００５６】
また、上記の第１の実施の形態においては、ガラス基板上にＡｕからなる導電層を設けているが、Ａｕに限られるものではなくＰｔを用いても良いものであり、さらに、この導電層は製造工程以外では露出して酸化されることがないので、ＣｕやＡｌ等の他の導電材料を用いても良いものである。
【００５７】
また、この場合の基板はガラスに限られるものではなく、シリコン基板や、Ａｌ−Ｍｎ合金等の導電性基板を用いても良いものである。
【００５８】
また、上記の各実施の形態においては、プローブエレメントの表面を導電性ＤＬＣ膜で被覆しているが、導電性ＤＬＣに限られるものではなく、Ｗ₂Ｃ或いはＴｉＮ等の硬質導電性被膜を用いても良いものである。
【００５９】
ここで、再び図１を参照して、改めて本発明の詳細な特徴を説明する。
再び、図１参照
（付記１）電気抵抗或いは容量の変化により情報を記録する情報記録媒体１において、記録領域２を前記情報記録媒体１上に区分設定するとともに、前記区分設定した各記録領域２内の一部に導電性領域３を設けたことを特徴とする情報記録媒体。
（付記２）上記区分設定した記録領域２の表面と上記導電性領域３の表面が、同一平面を構成することを特徴とする付記１記載の情報記録媒体。
（付記３）上記情報記録媒体１が、電気抵抗が変化する相変化材料、或いは、容量が変化するＳｉ／Ｓｉ酸化膜／Ｓｉ窒化膜の積層構造のいずれかからなることを特徴とする付記１または２に記載の情報記録媒体。
（付記４）上記情報記録媒体１が矩形状であり、上記導電性領域３を上記区分設定した各記録領域２の周辺部に前記記録領域２を囲むように設けたことを特徴とする付記１乃至３のいずれか１に記載の情報記録媒体。
（付記５）上記情報記録媒体１が矩形状であり、上記導電性領域３を上記区分設定した各記録領域２の一部に局所的に設けたことを特徴とする付記１乃至３のいずれか１に記載の情報記録媒体。
（付記６）上記情報記録媒体が円盤状であり、上記区分設定した記録領域と上記導電性領域とが交互に同心円環状に配置されていることを特徴とする付記１乃至３のいずれか１に記載の情報記録媒体。
（付記７）付記４または５に記載の情報記録媒体１に導電性プローブ４を接触させて、前記導電性プローブ４と前記情報記録媒体１との間に電圧を印加することにより記録を行う情報記録装置において、前記導電性プローブ４を２次元的に配列したプローブヘッド、前記プローブヘッドと前記情報記録媒体１との相対移動を制御する手段、個々の導電性プローブ４と前記情報記録媒体１との接触を制御する手段、前記導電性プローブ４と上記導電性領域３間の抵抗値を測定する手段、及び、前記測定した抵抗値と基準値とを比較することにより導電性プローブ４の損傷を判定する手段を少なくとも備えたことを特徴とする情報記録装置。（付記８）付記６記載の情報記録媒体に導電性プローブを接触させて、前記導電性プローブと前記情報記録媒体との間に電圧を印加することにより記録を行う情報記録装置において、前記導電性プローブを１次元的に配列したプローブヘッド、前記プローブヘッドと前記情報記録媒体との相対移動を制御する手段、個々の導電性プローブと前記情報記録媒体との接触を制御する手段、前記導電性プローブと上記導電性領域間の抵抗値を測定する手段、及び、前記測定した抵抗値と基準値とを比較することにより導電性プローブの損傷を判定する手段を少なくとも備えたことを特徴とする情報記録装置。
（付記９）上記プローブヘッドを構成する各導電性プローブ４と、上記情報記録媒体１に設けた区分設定した各記録領域２とが１：１に対応していることを特徴とする付記７または８に記載の情報記録装置。
【００６０】
【発明の効果】
本発明によれば、導電性プローブと情報記録媒体とを用いて電気的な記録または再生を行う情報記録装置において、情報記録媒体に損傷検出用の導電性領域を設けているので導電性プローブの損傷を簡単に検出することができ、ひいては、高密度情報記録装置の実用化に寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に用いるプローブヘッドの概略的平面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に用いるプローブヘッドを構成するプローブエレメントの構成説明図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に用いる情報記録媒体の概念的平面図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態に用いる情報記録媒体の途中までの製造工程の説明図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態に用いる情報記録媒体の図５以降の製造工程の説明図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態におけるプローブヘッドと情報記録媒体の配置関係の説明図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態の情報記録装置の駆動方法を説明するブロック図である。
【図９】本発明の第１の実施の形態に用いる他の情報記録媒体の途中までの製造工程の説明図である。
【図１０】本発明の第１の実施の形態に用いる他の情報記録媒体の図９以降の製造工程の説明図である。
【図１１】本発明の第１の実施の形態に用いるさらに他の情報記録媒体の概念的平面図である。
【図１２】本発明の第２の実施の形態の情報記録装置の概念的構成図である。
【符号の説明】
１情報記録媒体
２記録領域
３導電性領域
４導電性プローブ
５基板
６導電層
１０プローブヘッド
１１ＳＯＩ基板
１２シリコン基板
１３ＳｉＯ₂膜
２０プローブエレメント
２１脚部
２２探針形成部
２３探針
２４導電性ＤＬＣ膜
２５Ａｕ配線
２６歪制御ＳｉＮ膜
２７Ｎｉブリッジ
３０情報記録媒体
３１区分記録領域
３２記録材料層
３３導電性配線領域
３４記録ビット
４１ガラス基板
４２Ａｕ層
４３レジスト層
４４凹部
４５Ａｕ膜
４６ＧｅＳｂＴｅ膜
５０情報記録媒体
５１シリコン基板
５２ＳｉＯ₂膜
５３ＳｉＮ膜
５４ＳｉＯ₂膜
５５レジストパターン
５６開口部
５７凹部
５８Ａｕ膜
６０情報記録媒体
６１区分記録領域
６２ドット状接触領域
７０プローブヘッド
７１脚部
７２探針形成部
７３探針
７４ガラスディスク基板
８０情報記録媒体
８１区分記録領域
８２記録材料層
８３導電性配線領域[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an information recording medium and an information recording apparatus, and more particularly to an information recording medium characterized by means for detecting wear of a microprobe tip in an information recording apparatus that performs high-density information recording / reproduction with a microprobe. And an information recording apparatus.
[0002]
[Prior art]
In recent years, a demand for a large-capacity information recording / reproducing apparatus is increasing, and it will not stop in the future.
In a magnetic disk apparatus most used as an information recording / reproducing apparatus, the recording density increases year by year, but it is said that the principle limit of magnetic recording is approaching.
[0003]
As a technique that exceeds this limit, a recording technique using a microprobe has been attracting attention (see, for example, Non-Patent Document 1). In Non-Patent Document 1, a recording method using heat is described.
[0004]
In addition to using heat as the recording method, a conductive probe is used, and this is brought into contact with the information recording medium, and a voltage is applied between the probe and the information recording medium, so that the properties of the information recording medium are measured. The electrical thing by changing is examined (for example, refer patent document 1 or nonpatent literature 2).
[0005]
In the information recording apparatus that is brought into contact with the probe and the information recording medium, there is a problem that the probe tip is worn, and the life of the information recording apparatus is determined by the life of the probe.
[0006]
In order to solve this problem, Patent Document 1 proposes to prevent wear by forming a protective film such as a conductive diamond thin film on an information recording medium or probe.
In addition, a technique for detecting probe wear on an information recording apparatus has been studied (for example, see Patent Document 2).
[0007]
[Patent Document 1]
JP-A-10-112083 [Patent Document 2]
JP 2001-291292 A [Non-Patent Document 1]
IBM J.M. Res. Develop. , Vol. 44, pp. 323-340, 2000
[Non-Patent Document 2]
J. et al. Appl. Phys. , Vol. 70, p. 2725, 1991
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the case of the above-mentioned Patent Document 1, it is considered that a protective film such as a conductive diamond thin film can reduce damage to the probe tip due to wear, but wear cannot be completely prevented. There is a problem, and there is a problem in the reliability of measurement results over time.
[0009]
On the other hand, in the case of Patent Document 2, it is limited to detecting physical wear at the tip of the probe, and damage that may occur in a conductive probe such as poor electrical continuity that occurs even when physical wear is small. There is a problem that it is not considered to detect.
[0010]
Therefore, an object of the present invention is to accurately detect damage to a conductive probe.
[0011]
[Means for Solving the Problems]
FIG. 1 is a block diagram showing the principle of the present invention. Means for solving the problems in the present invention will be described with reference to FIG.
Reference numerals 5 and 6 in the figure denote a substrate such as a glass substrate and a conductive layer such as an Au layer.
In order to achieve the above-described object, the present invention provides a recording area 2 on the information recording medium 1 in which information is recorded by a change in electric resistance or capacitance. A conductive region 3 is provided in a part of the recording region 2.
[0012]
In this way, the conductive probe 3 has a simple structure in which the conductive region 3 is provided inside the information recording medium 1 itself, the conductive region 3 and the conductive probe 4 are periodically contacted, and the resistance value is measured. It becomes possible to detect the wear or damage of the tip of 4.
[0013]
In this case, it is desirable that the surface of the recording area 2 and the surface of the conductive area 3 that are set to be in the same plane form the unevenness of the information recording medium 1 when the tip of the conductive probe 4 moves. It will not be damaged by collision.
[0014]
The information recording medium 1 is either a chalcogenide phase change material such as GeSbTe whose electric resistance changes, or a laminated structure of Si / Si oxide film / Si nitride film whose capacity changes, that is, an NOS medium. good.
[0015]
When the information recording medium 1 has a rectangular shape, it may be provided so as to surround the recording area 2 around the recording area 2 in which the conductive area 3 is set. It may be provided locally in the part.
[0016]
Further, when the information recording medium has a disc shape, the recording areas and the conductive areas that have been set may be arranged alternately in a concentric ring shape.
[0017]
When an information recording apparatus using the rectangular information recording medium 1 is configured, the probe head in which the conductive probes 4 are two-dimensionally arranged, and the relative movement between the probe head and the information recording medium 1 are controlled. Means, means for controlling the contact between each conductive probe 4 and the information recording medium 1, means for measuring the resistance value between the conductive probe 4 and the conductive region 3, and the measured resistance value and reference value. What is necessary is just to provide at least a means for judging the damage of the conductive probe 4 by comparison.
[0018]
In this case, the relative positional relationship between the probe head and the information recording medium 1 can be changed by the relative movement control means between the probe head and the information recording medium 1, whereby the respective conductive probes 4 are set in sections. A plurality of information can be recorded and reproduced in each recording area 2.
[0019]
Further, by providing means for controlling contact or non-contact with the information recording medium 1 in each conductive probe 4, the individual conductive probes 4 can be operated independently and in parallel.
[0020]
Further, by providing a means for measuring the resistance value between the conductive probe 4 and the conductive region 3, the resistance value between the conductive probe 4 and the conductive region 3 can be easily measured. The wear or damage of the conductive probe 4 can be easily determined by comparing the measured resistance value with the reference value.
[0021]
When configuring an information recording apparatus using a disk-shaped information recording medium, a probe head in which conductive probes are arranged one-dimensionally, a means for controlling relative movement between the probe head and the information recording medium, Means for controlling the contact between the conductive probe and the information recording medium, means for measuring the resistance value between the conductive probe and the conductive region, and the conductive probe by comparing the measured resistance value with a reference value What is necessary is just to provide at least a means for judging damage.
In this case, the means for controlling the relative movement between the probe head and the information recording medium includes a rotating means for rotating the information recording medium and a means for controlling the movement of the probe head in the radial direction of the information recording medium.
[0022]
In this case, it is desirable that the conductive probe 4 constituting the probe head and each of the separately set recording areas 2 provided on the information recording medium 1 correspond to each other, whereby the writing speed and the reading speed are increased. The speed can be increased.
[0023]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Here, the information recording apparatus according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
FIG. 2 is a schematic plan view of the probe head used in the first embodiment of the present invention. This probe head 10 is obtained by providing probe elements 20 on a SOI substrate 11 in a two-dimensional array. Each probe element 20 includes two leg portions 21, a probe forming portion 22, and a probe 23.
Here, for convenience, a 5 × 3 two-dimensional array is used, but in actuality, a larger number of probe elements 20 are arranged.
[0024]
Next, with reference to FIG. 3, the structure of the probe element 20 which comprises the probe head used for the 1st Embodiment of this invention is demonstrated.
3A and 3B, FIG. 3A is a schematic plan view of the probe element 20, and FIG. 3B is a schematic cross-sectional view along the extending direction of the legs. is there.
First, an SOI substrate 11 in which a silicon layer having a thickness of, for example, 1 μm is provided on a silicon substrate 12 via a SiO ₂ film 13, and the entire silicon layer is made to a depth of 0.5 μm, leaving a part. The probe 23 is formed by etching.
[0025]
Next, P (phosphorus) is heavily doped in the leg formation region to reduce the resistance, and after patterning so as to obtain the two legs 21 and the probe formation part 22, at least two legs 21, The surfaces of the probe forming part 22 and the probe 23 are covered with a conductive DLC (diamond-like carbon) film 24.
In this case, for example, the leg 21 has a length of 50 μm and a width of 10 μm.
[0026]
Further, after providing the Au wiring 25 in the X direction of the probe head, a strain control SiN film 26 is formed at the base of the leg 21 by forming a nitride film and patterning in a predetermined pattern. An Ni bridge 27 is provided so as to cover a part of the control SiN film 26, and the Au wiring 25 and the leg portion 21 are connected.
In addition, since the wiring and the switching element for flowing an electric current to the leg part 21 are not directly related to the essence of the present invention, the illustration is omitted.
[0027]
The probe head 10 can control the distance from the medium by using a motor, and controls the deflection of the cantilever by the actuator provided on the cantilever composed of the leg portions 21 of the individual probe elements 20. It is possible to control the distance between the probe at the tip of the probe and the medium.
[0028]
FIG. 4 is a conceptual plan view of the information recording medium 30 used in the first embodiment of the present invention, and shows a rectangular segmented recording area corresponding to the probe element 20 constituting the probe head 10 described above. Each of the divided recording areas 31 is provided with a conductive wiring area 33 around the recording material layer 32.
[0029]
Next, a manufacturing process of the information recording medium 30 used in the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
5A. First, after forming an Au layer 42 on the glass substrate 41, a resist layer 43 is applied.
[0030]
Next, referring to FIG. 5B, a recess 44 for forming the conductive wiring region 33 is formed by exposure and development using a photolithography technique.
Next, referring to FIG. 5C, an Au film 45 is formed on the entire surface by sputtering.
[0031]
Next, referring to FIG. 6D, the Au film 45 deposited on the resist layer 43 is removed together with the resist layer 43, so that the Au film 45 remaining in the recess 44 becomes the conductive wiring region 33.
Next, referring to FIG. 6E, a GeSbTe film 46 is formed on the entire surface by sputtering.
[0032]
Finally, referring to FIG. 6F, the surface of the conductive wiring region 33 and the recording material layer 32 made of GeSbTe are polished by polishing the medium surface by CMP (chemical mechanical polishing) until the surface of the conductive wiring region 33 appears. The information recording medium 30 having the same surface constituting the same plane is completed.
[0033]
FIG. 7 is an explanatory diagram of the arrangement relationship between the probe head 10 and the information recording medium 30 described above. Individual probe elements 20 constituting the probe head 10 and the segmented recording area constituting the information recording medium 30 It arrange | positions so that 31 may respond | correspond 1: 1.
[0034]
FIG. 8 is a block diagram for explaining a driving method of the information recording apparatus according to the first embodiment of the present invention. Information recording is performed by a recording medium driving means for moving the information recording medium 30, that is, by a motor. The medium 30 and the probe head 10 are relatively moved.
[0035]
Further, the contact between the probe 23 at the tip of each probe element 20 of the probe head 10 and the information recording medium 30 is controlled by controlling the deflection of the cantilever by the probe contact control means, that is, the actuator provided on the cantilever. To do.
[0036]
At this time, a recording operation is performed by applying a voltage between the probe element 20 and the recording material layer 32 of the information recording medium 30, and a resistance value is measured by measuring a current flowing by applying the voltage. Voltage application and resistance measurement are performed on each probe element 20.
[0037]
That is, by applying a voltage to a part of the recording material layer 32 made of GeSbTe, which is a phase change recording material, GeSbTe changes phase and changes its resistance value at the contact location, so that 1-bit information can be recorded. .
Further, the write information can be read by electrically reading the difference in resistance value in the recording bit 34 by passing a current between the probe 23 and the Au layer 42.
[0038]
Further, the probe element 20 is brought into contact with the conductive wiring region 33 provided in the segmented recording region 31, and the current flowing by applying a voltage between the probe element 20 and the information recording medium 30 is measured. And the resistance value between the conductive wiring region 33 is measured.
[0039]
This resistance value is compared with a reference value. If the resistance value is larger than the reference value, it is determined that the probe element 20 is damaged.
In this case, the contact frequency with respect to the conductive wiring region 33 varies depending on the configuration of the probe head 10 or the configuration of the information recording medium 30, but may be performed every 1000 hours of driving time, for example.
The recording operation and the determination of probe damage by measuring the resistance value are controlled by a controller.
[0040]
Next, with reference to FIGS. 9 to 10, another method for manufacturing an information recording medium used in the information recording apparatus according to the first embodiment of the present invention will be described.
9A. First, after a SiO ₂ film 52 is formed on a conductive silicon substrate 51 by thermal oxidation, a SiN film 53 and a SiO ₂ film 54 are sequentially formed using a CVD method.
[0041]
Next, referring to FIG. 9B, a resist is applied to the entire surface, exposed and developed to form a resist pattern 55 having an opening corresponding to the conductive wiring region 33. Using this resist pattern as a mask, the SiO ₂ film 54 is formed. Is etched to form an opening 56.
[0042]
Next, referring to FIG. 9C, after removing the resist pattern 55, the exposed portion of the SiN film 53 is etched using the SiO ₂ film 54 as a mask.
[0043]
Next, referring to FIG. 10D, the SiO ₂ film 54 is removed by etching, and the exposed portion of the SiO ₂ film 52 is etched using the SiN film 53 as a mask to form a recess 57 reaching the silicon substrate 51.
[0044]
Next, referring to FIG. 10E, an Au film 58 is deposited on the entire surface by sputtering to completely fill the recess 57.
Finally, referring to FIG. 10 (f), the Au film 58 filling the recess 57 by polishing the medium surface by the CMP method becomes the conductive wiring region 33, and the surface of the conductive wiring region 33 and the recording material layer The NOS type information recording medium 50 in which the surface of the SiN film 53 constituting the upper layer forms the same surface is completed.
[0045]
When this NOS medium is used, a voltage is applied between the probe element 20 and the silicon substrate 51, so that a depletion layer is formed in the NOS medium at the contact location and the capacitance of the NOS medium changes. Changes in capacitance are used as information.
[0046]
Next, still another information recording medium used in the information recording apparatus according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
FIG. 11 is a conceptual plan view of the information recording medium 60. The basic configuration is the same as that of the information recording medium 30 shown in FIG. A dot-like contact region 62 is locally provided in a part.
[0047]
Even when this information recording medium 60 is used, the position of the dot-like contact area 62 is stored, and the probe element 20 may be brought into contact with the dot-like contact area 62 for each preset period.
[0048]
Next, an information recording apparatus according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
FIG. 12 is a conceptual configuration diagram of an information recording apparatus according to the second embodiment of the present invention. A leg portion 71 and a probe forming portion 72 having the same configuration as the probe element shown in FIG. The probe elements including the probes 73 are arranged in a one-dimensional array to form a probe head 70. The probe head 70 is positioned in the radial direction of the disk-shaped information recording medium 80 in the arrangement direction of the one-dimensional array. Arrange as follows.
Here, for the sake of convenience, four probe elements are used, but actually, the probe elements are composed of a larger number of probe elements, and the surfaces of the leg portions 71, the probe forming portions 72, and the probe 73 are used. Is covered with a conductive DLC film (not shown).
[0049]
The disc-shaped information recording medium 80 in this case has the same basic configuration as the information recording medium 30 shown in FIG. 4, and a recording material layer 82 made of concentric annular GeSbTe on a glass substrate on which an Au layer is formed. The conductive wiring regions 83 made of Au are alternately arranged, and the recording material layer 82 and the conductive wiring region 83 that are adjacent to each other constitute a divided recording region 81.
[0050]
In the second embodiment, the disk-shaped information recording medium is rotated by a spindle motor and the probe head 70 is moved in the X-axis direction, whereby the probe head 70 and the information recording medium 80 are relatively moved. Made.
[0051]
Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the configurations and conditions described in the embodiments, and various modifications can be made.
For example, in the first embodiment, the information recording medium is placed on the XY stage, but the probe head is fixed and mounted on the XY stage, and the information recording medium and the probe head are attached. You may make it the structure moved relatively.
[0052]
In the second embodiment, since the movement direction is only the X direction, a one-dimensional movement stage, that is, an X stage may be used.
[0053]
In the first embodiment described above, it is assumed that the size of the substrate and the size of the probe head are approximately the same, but the present invention is also applied to a substrate that is many times larger than the size of the probe head. Needless to say.
In that case, like a stepper, the substrate may be divided into a plurality of regions, and the probe head may be sequentially moved to adjacent divided regions to perform recording / reading.
[0054]
In the second embodiment, only one probe head having a length corresponding to the radius of the disk is used. However, the desk may be divided into sectors using a plurality of probe heads. Good, thereby improving reading speed and writing speed.
For example, two probe heads may be arranged on a straight line, or four probe heads may be arranged in a cross shape.
[0055]
In each of the above embodiments, the conductive wiring region or the dot-like contact region is formed of Au, but it is not limited to Au, and Pt that has low resistance and excellent oxidation resistance like Au. May be used.
[0056]
In the first embodiment, the conductive layer made of Au is provided on the glass substrate. However, the conductive layer is not limited to Au, and Pt may be used. Since it is not exposed and oxidized outside the manufacturing process, other conductive materials such as Cu and Al may be used.
[0057]
Further, the substrate in this case is not limited to glass, and a conductive substrate such as a silicon substrate or an Al—Mn alloy may be used.
[0058]
Further, in each of the above embodiments, the surface of the probe element is covered with the conductive DLC film, but is not limited to the conductive DLC, and a hard conductive film such as W ₂ C or TiN is used. It is good.
[0059]
Here, the detailed features of the present invention will be described again with reference to FIG.
Referring again to FIG. 1 (Appendix 1) In the information recording medium 1 for recording information by a change in electric resistance or capacity, the recording area 2 is set on the information recording medium 1 and each of the set recording areas 2 is set. An information recording medium characterized in that a conductive region 3 is provided in a part thereof.
(Supplementary note 2) The information recording medium according to supplementary note 1, wherein the surface of the recording area 2 set in the section and the surface of the conductive area 3 constitute the same plane.
(Additional remark 3) The said information recording medium 1 consists of either a phase change material from which an electrical resistance changes, or the laminated structure of Si / Si oxide film / Si nitride film from which a capacity | capacitance changes. Or the information recording medium of 2.
(Supplementary note 4) The supplementary note 1 is characterized in that the information recording medium 1 has a rectangular shape and the conductive region 3 is provided so as to surround the recording region 2 at the periphery of each of the recording regions 2 set as above. 4. The information recording medium according to any one of 1 to 3.
(Supplementary note 5) Any one of Supplementary notes 1 to 3, wherein the information recording medium 1 has a rectangular shape, and the conductive region 3 is locally provided in a part of each of the divided recording regions 2. 1. The information recording medium according to 1.
(Supplementary note 6) In any one of supplementary notes 1 to 3, wherein the information recording medium has a disk shape, and the recording areas and the conductive areas are alternately arranged in a concentric ring shape. The information recording medium described.
(Supplementary Note 7) Information to be recorded by bringing the conductive probe 4 into contact with the information recording medium 1 according to Supplementary Note 4 or 5 and applying a voltage between the conductive probe 4 and the information recording medium 1. In the recording apparatus, a probe head in which the conductive probes 4 are two-dimensionally arranged, a means for controlling relative movement between the probe head and the information recording medium 1, individual conductive probes 4 and the information recording medium 1, Damage to the conductive probe 4 by comparing the measured resistance value with a reference value, means for controlling the contact between the conductive probe 4 and the conductive region 3, and comparing the measured resistance value with a reference value. An information recording apparatus comprising at least means for determining. (Supplementary Note 8) In an information recording apparatus that performs recording by bringing a conductive probe into contact with the information recording medium according to Supplementary Note 6 and applying a voltage between the conductive probe and the information recording medium, Probe head in which probes are arranged one-dimensionally, means for controlling relative movement between the probe head and the information recording medium, means for controlling contact between each conductive probe and the information recording medium, and the conductive probe And at least means for measuring a resistance value between the conductive regions, and means for determining damage of the conductive probe by comparing the measured resistance value with a reference value. apparatus.
(Additional remark 9) Each conductive probe 4 which comprises the said probe head, and each recording area 2 set in the said information recording medium 1 corresponding to 1: 1 correspond to 1: 1 or 7 characterized by the above-mentioned. 8. The information recording device according to 8.
[0060]
【The invention's effect】
According to the present invention, in an information recording apparatus that performs electrical recording or reproduction using a conductive probe and an information recording medium, a conductive region for damage detection is provided on the information recording medium. Damage can be easily detected, and in turn contributes to the practical application of high-density information recording devices.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an explanatory diagram of a basic configuration of the present invention.
FIG. 2 is a schematic plan view of a probe head used in the first embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a configuration explanatory diagram of a probe element constituting the probe head used in the first embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a conceptual plan view of an information recording medium used in the first embodiment of the present invention.
FIG. 5 is an explanatory diagram of the manufacturing process up to the middle of the information recording medium used in the first embodiment of the present invention.
FIG. 6 is an explanatory diagram of the manufacturing process of FIG. 5 and subsequent drawings of the information recording medium used in the first embodiment of the present invention.
FIG. 7 is an explanatory diagram of an arrangement relationship between the probe head and the information recording medium in the first embodiment of the invention.
FIG. 8 is a block diagram illustrating a method for driving the information recording apparatus according to the first embodiment of this invention.
FIG. 9 is an explanatory diagram of a manufacturing process up to the middle of another information recording medium used in the first embodiment of the present invention.
FIG. 10 is an explanatory diagram of a manufacturing process subsequent to FIG. 9 for another information recording medium used in the first embodiment of the present invention.
FIG. 11 is a conceptual plan view of still another information recording medium used in the first embodiment of the present invention.
FIG. 12 is a conceptual configuration diagram of an information recording apparatus according to a second embodiment of this invention.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Information recording medium 2 Recording area 3 Conductive area 4 Conductive probe 5 Substrate 6 Conductive layer 10 Probe head 11 SOI substrate 12 Silicon substrate 13 SiO ₂ film 20 Probe element 21 Leg portion 22 Probe forming portion 23 Probe 24 Conductivity DLC film 25 Au wiring 26 Strain control SiN film 27 Ni bridge 30 Information recording medium 31 Segment recording area 32 Recording material layer 33 Conductive wiring area 34 Recording bit 41 Glass substrate 42 Au layer 43 Resist layer 44 Recess 45 Au film 46 GeSbTe film 50 information recording medium 51 silicon substrate 52 SiO ₂ film 53 SiN film 54 SiO ₂ film 55 resist pattern 56 opening 57 recess 58 Au film 60 information recording medium 61 segmented recording area 62 dot-like contact area 70 probe head 71 leg 72 probe Needle forming unit 73 Probe 74 Glass disk substrate 80 Information recording medium 81 Sectional recording area 82 Recording material layer 83 Conductive wiring area

Claims

電気抵抗或いは容量の変化により情報を記録する情報記録媒体において、記録領域を前記情報記録媒体上に区分設定するとともに、前記区分設定した各記録領域内の一部に導電性領域を設けたことを特徴とする情報記録媒体。In an information recording medium for recording information by a change in electrical resistance or capacitance, a recording area is set on the information recording medium, and a conductive area is provided in a part of each of the set recording areas. A characteristic information recording medium.

上記区分設定した記録領域の表面と上記導電性領域の表面が、同一平面を構成することを特徴とする請求項１記載の情報記録媒体。2. The information recording medium according to claim 1, wherein the surface of the recording area set in a divided manner and the surface of the conductive area constitute the same plane.

上記情報記録媒体が、電気抵抗が変化する相変化材料、或いは、容量が変化するＳｉ／Ｓｉ酸化膜／Ｓｉ窒化膜の積層構造のいずれかからなることを特徴とする請求項１または２に記載の情報記録媒体。3. The information recording medium according to claim 1, wherein the information recording medium is formed of either a phase change material whose electric resistance changes or a laminated structure of Si / Si oxide film / Si nitride film whose capacity changes. Information recording media.

請求項１乃至３のいずれか１項に記載の情報記録媒体に導電性プローブを接触させて、前記導電性プローブと前記情報記録媒体との間に電圧を印加することにより記録を行う情報記録装置において、前記導電性プローブを２次元的に配列したプローブヘッド、前記プローブヘッドと前記情報記録媒体との相対移動を制御する手段、個々の導電性プローブと前記情報記録媒体との接触を制御する手段、前記導電性プローブと上記導電性領域間の抵抗値を測定する手段、及び、前記測定した抵抗値と基準値とを比較することにより導電性プローブの損傷を判定する手段を少なくとも備えたことを特徴とする情報記録装置。An information recording apparatus that performs recording by bringing a conductive probe into contact with the information recording medium according to any one of claims 1 to 3 and applying a voltage between the conductive probe and the information recording medium. A probe head in which the conductive probes are two-dimensionally arranged, means for controlling relative movement between the probe head and the information recording medium, and means for controlling contact between each conductive probe and the information recording medium A means for measuring a resistance value between the conductive probe and the conductive region, and a means for judging damage of the conductive probe by comparing the measured resistance value with a reference value. A characteristic information recording apparatus.

請求項１乃至３のいずれか１項に記載の情報記録媒体に導電性プローブを接触させて、前記導電性プローブと前記情報記録媒体との間に電圧を印加することにより記録を行う情報記録装置において、前記情報記録媒体が円盤状の情報記録媒体であるとともに、前記導電性プローブを１次元的に配列したプローブヘッド、前記プローブヘッドと前記情報記録媒体との相対移動を制御する手段、個々の導電性プローブと前記情報記録媒体との接触を制御する手段、前記導電性プローブと上記導電性領域間の抵抗値を測定する手段、及び、前記測定した抵抗値と基準値とを比較することにより導電性プローブの損傷を判定する手段を少なくとも備えたことを特徴とする情報記録装置。An information recording apparatus that performs recording by bringing a conductive probe into contact with the information recording medium according to any one of claims 1 to 3 and applying a voltage between the conductive probe and the information recording medium. The information recording medium is a disk-shaped information recording medium, a probe head in which the conductive probes are arranged one-dimensionally, means for controlling relative movement between the probe head and the information recording medium, Means for controlling contact between a conductive probe and the information recording medium, means for measuring a resistance value between the conductive probe and the conductive region, and comparing the measured resistance value with a reference value An information recording apparatus comprising at least means for determining damage to a conductive probe.