JP4221429B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
(1)隣り合うトランジスタで一方の拡散層を共有する半導体装置の製造方法であって、
シリコン基板上にゲート絶縁膜、ポリシリコン膜および第1の絶縁膜を形成する工程と、
第1の絶縁膜上に、後に形成するゲート電極のパターンに対応する開口パターンを有するマスクを形成する工程と、
前記マスクを用い、前記ポリシリコン膜が露出するまで第1の絶縁膜を除去して、第1の絶縁膜をパターニングし、開口部を形成する工程と、
前記ポリシリコン膜上に、コバルト膜またはニッケル膜からなる金属膜を形成する工程と、
前記ポリシリコン膜を第1絶縁膜で覆われていない部分に接する前記金属膜と反応させて、シリサイド層を形成する工程と、
未反応の金属膜を除去する工程と、
後に行う第1の絶縁膜除去のためのエッチングにおいて第1の絶縁膜よりもエッチング速度が遅く後に形成される層間絶縁膜よりもエッチング速度が遅い第2の絶縁膜を、前記シリサイド層が形成されたポリシリコン膜上に形成する工程と、
第1の絶縁膜が露出し、且つ第1の絶縁膜で覆われていない領域に前記開口部を埋め込んで第2の絶縁膜が残るように、第2の絶縁膜を除去する工程と、
第1の絶縁膜をエッチングにより除去する工程と、
残された第2の絶縁膜をマスクとして用い、前記ポリシリコン膜をエッチングして、上層側にシリサイド層および下層側にポリシリコン層を有するゲート電極を形成する工程と、
前記層間絶縁膜よりもエッチング速度が遅い第3の絶縁膜を、少なくとも前記ゲート電極の側面を覆うように形成する工程と、
前記層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜に、エッチングにより、前記隣り合うトランジスタの間において前記隣り合うトランジスタの前記第3の絶縁膜及び前記ゲート電極に自己整合的に前記共通の拡散層を露出させるようにコンタクトホールを形成する工程と、を有し、
第1の絶縁膜をエッチングにより除去する工程の後に、第2の絶縁膜の側面に前記層間絶縁膜よりもエッチング速度が遅い側壁絶縁膜を形成する工程を有し、前記ゲート電極の形成工程において、この側壁絶縁膜および第2の絶縁膜をマスクとして用い、前記シリサイド層を露出させないように前記ポリシリコン膜をドライエッチングする、半導体装置の製造方法。
(5)前記他方の拡散層に一端が接続される前記プラグの他端に接続される容量素子を形成する工程をさらに備える、上記4項に記載の半導体装置の製造方法。
図1から図3の模式的工程断面図を用いて本発明の第1の実施例を説明する。
本発明の第2の実施例を、図面を用いて説明する。
42 ゲート酸化膜
43 ゲート電極
44 オフセット酸化膜
45 サイドウォール
46 ソース/ドレイン領域
47 SiOx層間絶縁膜
48 レジストパターン
49 コンタクトホール
50 SiNエッチング停止膜
51 SiOx層間絶縁膜
52 レジストパターン
53 コンタクトホール
100 シリコン基板
101 素子分離領域
102 ゲート絶縁膜
103 ポリシリコン膜
104 シリコン酸化膜
105 エッチングマスク(フォトレジストパターン)
106 コバルト膜
107 シリサイド層(コバルトシリサイド層)
108 第1のシリコン窒化膜(キャップ層)
109 第2のシリコン窒化膜
110 第1の層間絶縁膜
111 コンタクトホール
120 第2の層間絶縁膜
121 第3の層間絶縁膜
121−1 層間絶縁膜
121−2 ハードマスク層
122 第4の層間絶縁膜
123 下部電極膜
124 誘電体膜(絶縁膜)
125 上部電極膜
126 絶縁膜
127 層間絶縁膜
128 配線
130 側壁絶縁膜
A 共通拡散層
B 拡散層
C 第1のプラグ
D 第2のプラグ
E 第3のプラグ
201 P型シリコン基板
202 ゲート酸化膜
233,233a 多結晶シリコン膜
234 シリコン酸化膜
234a スペーサ
235 N型ソース・ドレイン拡散層
235A,235B N型拡散層
236 チタン膜
237a,237ba,237bb チタンシリサイド膜
238 ゲート電極
239 ソース・ドレイン領域
Claims (5)
- 隣り合うトランジスタで一方の拡散層を共有する半導体装置の製造方法であって、
シリコン基板上にゲート絶縁膜、ポリシリコン膜および第1の絶縁膜を形成する工程と、
第1の絶縁膜上に、後に形成するゲート電極のパターンに対応する開口パターンを有するマスクを形成する工程と、
前記マスクを用い、前記ポリシリコン膜が露出するまで第1の絶縁膜を除去して、第1の絶縁膜をパターニングし、開口部を形成する工程と、
前記ポリシリコン膜上に、コバルト膜またはニッケル膜からなる金属膜を形成する工程と、
前記ポリシリコン膜を第1絶縁膜で覆われていない部分に接する前記金属膜と反応させて、シリサイド層を形成する工程と、
未反応の金属膜を除去する工程と、
後に行う第1の絶縁膜除去のためのエッチングにおいて第1の絶縁膜よりもエッチング速度が遅く後に形成される層間絶縁膜よりもエッチング速度が遅い第2の絶縁膜を、前記シリサイド層が形成されたポリシリコン膜上に形成する工程と、
第1の絶縁膜が露出し、且つ第1の絶縁膜で覆われていない領域に前記開口部を埋め込んで第2の絶縁膜が残るように、第2の絶縁膜を除去する工程と、
第1の絶縁膜をエッチングにより除去する工程と、
残された第2の絶縁膜をマスクとして用い、前記ポリシリコン膜をエッチングして、上層側にシリサイド層および下層側にポリシリコン層を有するゲート電極を形成する工程と、
前記層間絶縁膜よりもエッチング速度が遅い第3の絶縁膜を、少なくとも前記ゲート電極の側面を覆うように形成する工程と、
前記層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜に、エッチングにより、前記隣り合うトランジスタの間において前記隣り合うトランジスタの前記第3の絶縁膜及び前記ゲート電極に自己整合的に前記共通の拡散層を露出させるようにコンタクトホールを形成する工程と、を有し、
第1の絶縁膜をエッチングにより除去する工程の後に、第2の絶縁膜の側面に前記層間絶縁膜よりもエッチング速度が遅い側壁絶縁膜を形成する工程を有し、前記ゲート電極の形成工程において、この側壁絶縁膜および第2の絶縁膜をマスクとして用い、前記シリサイド層を露出させないように前記ポリシリコン膜をドライエッチングする、半導体装置の製造方法。 - 第1の絶縁膜がシリコン酸化膜であり、第2の絶縁膜および第3の絶縁膜がシリコン窒化膜である、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記コンタクトホールは、隣り合うゲート電極間のシリコン基板上に達するように設けられ、このコンタクトホールの開口径が当該ゲート電極間の最小間隔より大きい、請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記隣り合うトランジスタの間の前記コンタクトホール及び前記共有される一方の拡散層と対を成す他方の拡散層を露出させるように形成されたコンタクトホールを導電性材料によって埋め込むプラグを形成する工程をさらに備え、前記隣り合うトランジスタの各々において、前記共有される一方の拡散層及び前記他方の拡散層は、シリサイドを介すること無く前記プラグの一端に接続されている、請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記他方の拡散層に一端が接続される前記プラグの他端に接続される容量素子を形成する工程をさらに備える、請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
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