JP4219823B2 - 写像型電子顕微鏡及びマイクロデバイスの製造方法 - Google Patents
写像型電子顕微鏡及びマイクロデバイスの製造方法 Download PDFInfo
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(1)ウェハを製造するウェハ製造工程(又はウェハを準備するウェハ準備工程)
(2)露光に使用するマスクを製作するマスク製造工程(又はマスクを準備するマスク準備工程)
(3)ウェハに必要な加工処理を行うウェハプロセッシング工程
(4)ウェハ上に形成されたチップを1個ずつ切り出し、動作可能にならしめるチップ組立工程
(5)できたチップを検査するチップ検査工程
なお、それぞれの工程はさらにいくつかのサブ工程からなっている。
(1)絶縁層となる誘電体薄膜や配線部、あるいは電極部を形成する金属薄膜等を形成する薄膜形成工程(CVDやスパッタリング等を用いる)
(2)この薄膜層やウェハ基板を酸化する酸化工程
(3)薄膜層やウェハ基板等を選択的に加工するためにマスク(レチクル)を用いてレジストのパターンを形成するリソグラフィ工程
(4)レジストパターンに従って薄膜層や基板を加工するエッチング工程(例えばドライエッチング技術を用いる)
(5)イオン・不純物注入拡散工程
(6)レジスト剥離工程
(7)さらに加工されたウェハを検査する検査工程
なお、ウェハプロセッシング工程は必要な層数だけ繰り返し行い、設計通り動作する半導体デバイスを製造する。
Claims (6)
- 電子線源より放出される照明用電子線を、照明電子光学系を介して電磁プリズムに入射させ、当該電磁プリズムを通過した前記照明用電子線を、対物電子光学系を介して試料面に照射し、試料面から発生する電子を、前記対物電子光学系を介して前記電磁プリズムに導き、前記電磁プリズムを通過した前記電子を結像電子光学系を介して検出器に導き、前記試料面の像を前記検出器の検出面に結像させることにより、前記試料面の観察を行う写像型電子顕微鏡であって、前記照明用電子線は前記試料面をケーラー照明するようにされており、前記試料面の像を前記検出器の結像面に結像させる投影電子光学系中の電子光学系において、前記対物電子光学系が、物体側テレセントリックな光学系とされているものにおいて、前記対物電子光学系のクロスオーバ位置における前記照明用電子線の分布形状がドーナツ状とされており、前記ドーナツ状の形状の照明用電子線の分布の内径が、前記試料面から発生して、開口絞りを通って前記検出器の検出面の有効領域に入射する電子の、前記クロスオーバ位置での分布範囲よりも大きくされていることを特徴とする写像型電子顕微鏡。
- 請求項1に記載の写像型電子顕微鏡であって、前記クロスオーバ位置に、前記ドーナツ状の形状の照明用電子線の分布の外径以上の開口を有する絞りが設けられていることを特徴とする写像型電子顕微鏡。
- 請求項1または2に記載の写像型電子顕微鏡であって、前記ドーナツ状の形状の照明用電子線の分布が、前記照明電子光学系の、前記対物電子光学系のクロスオーバ位置と共役な位置に設けられたドーナツ状の絞りにより形成されていることを特徴とする写像型電子顕微鏡。
- フィールドエミッタから放出される照明用電子線を試料面に照射し、試料面から発生する電子を、対物電子光学系と結像電子光学系を介して検出器に導き、前記試料面の像を前記検出器の検出面に結像させることにより、前記試料面の観察を行う写像型電子顕微鏡であって、前記対物電子光学系が、物体側テレセントリックな光学系とされているものにおいて、前記フィールドエミッタは、前記対物電子光学系のクロスオーバ位置のドーナツ状の面上に配置され、当該ドーナツ状形状の内径が、前記試料面から発生して、開口絞りを通って前記検出器の検出面の有効領域に入射する電子の、前記クロスオーバ位置での分布範囲よりも大きくされていることを特徴とする写像型電子顕微鏡。
- 請求項4に記載の写像型電子顕微鏡であって、前記クロスオーバ位置に、前記ドーナツ状の形状のフィールドエミッタの外径以上の開口を有する絞りが設けられていることを特徴とする写像型電子顕微鏡。
- 製造工程中に、請求項1から請求項5のうちいずれか1項に記載の写像型電子顕微鏡を用いて、最終製品又は中間製品の検査を行う工程を有することを特徴とするマイクロデバイスの製造方法。
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