JP4216831B2 - 基板の接続構造 - Google Patents
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Description
図1、2、3は本発明に関する基板間の接続図である。フィルム状基板とシリコンチップの接続に適用した場合を示す。図1は接続部の断面図であり、ポリイミドのフィルム11上に表面にSn層を有するCuの突起12(高さhl=15±2μm、幅W1=40μm)を複数設けたフィルム状基板13と、シリコン基板21上に形成したSiO2等の絶縁膜23(厚さh2=2μm、開口幅W2=80μm)で囲まれた複数のAlの電極22を設けたシリコンチップ24との間に接着剤31を配置し、180℃、20kgf/cm2、20秒の条件で加熱、加圧し固定する。Cu突起12は線状であり、Al電極22上の絶縁膜23の開口部より長くても、図2に示すように変形してAl電極22に接触し基板間の電気的接続がなされる。Cu突起、Al電極、絶縁層は基板に電気回路を形成する際に同時に形成できるものであり、新規に工程を必要としない。また、フィルム状基板を用いフィルム状基板側から加圧することにより、Cu突起に高さのばらつきがあってもフィルムがクッションとして働き、各々の突起に均一に圧力が加わるため、一括して多数の接続を信頼性良く行うことができる。
参考例1のCuの突起12を形成する際、両面を粗化(Cu表面の突起粗さ;1〜5μm、密度5000〜10000個/mm2)した。この場合、Cu表面の粗化により形成された微小突起に圧力が集中するため、より確実な電気的接続が得られる。また、微小突起がAl電極22の酸化膜を破壊してさらに良好な接触が得られる。
参考例1の接着剤31として、導電粒子を分散した異方導電接着剤アニソルムAC−7144(エポキシ樹脂系接着剤に粒径5μmの金属被覆プラスチック粒子を含有、日立化成工業(株)製商品名)を用いた。Cu突起12の変形が少なくても導電粒子を介してAl電極22と導通が可能である。この場合は接着剤中に変形性を有する突起ばらつきと同程度の大きさの導電粒子を分散させることで、突起と電極の接触に加えて導電粒子を介して接続することにより同様の効果が期待できる。
12.突起(回路)
13.フィルム状基板
21.シリコン基板
22.Al電極
23.絶縁膜
24.ICチップ(シリコンチップ)
31.接着剤
Claims (1)
- 変形性を有する第1のフィルム状基板上に設けた少なくとも表面がCu、Ag、Ni、Sn、Au、はんだのいずれか1以上からなる基板面より凸状の回路の表面に微小突起を形成し、第2の基板であるICチップ上に設けた前記回路の幅より広く、かつ前記フィルム状基板の厚みよりも小さい酸化シリコン、ホウケイ酸ガラス、チッ化けい素、チッ化アルミニウム、チッ化ホウ素、ポリイミド、ポリテトラフルオロエチレンのいずれかである絶縁層からなる開口部内の接続用突起を設けていない電極とが、第1の基板の回路と第2の基板の電極の少なくとも一部が前記開口部内で第1の基板の回路の変形によって接触するとともに、第1の基板と第2の基板が反応性接着剤で一括固定してなることを特徴とする基板の接続構造。
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