JP4215746B2 - 情報処理装置および寿命監視方法 - Google Patents
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Description
まず、ステップ201で、情報処理装置1が起動する。
101 主記憶部
102 演算器
102a 取得部
102b 判断部
102c 作成部
102d 書換え部
102e 記録部
102f 監視部
102g 入手部
102h 判定部
103 表示回路
104 表示装置
105 入出力回路
106 不揮発性記憶装置
2 ストレージ装置
21 制御回路
22 フラッシュメモリ
22a ストレージ型名パラメータテーブル
22b 累計書換え回数管理テーブル
22c 型名
22d シリアル番号
22e Identify Device情報
Claims (10)
- 書換え回数制限値が記録されたフラッシュメモリを含むストレージ装置と接続され、該フラッシュメモリに書き込まれた情報を書き換え、また、該書換え回数制限値を用いて該ストレージ装置の寿命を監視する情報処理装置であって、
前記情報処理装置が起動すると、前記フラッシュメモリから、当該フラッシュメモリに格納されている前記ストレージ装置のシリアル番号を取得する取得部と、
前記情報処理装置が起動すると、累計書換え回数を管理するための管理テーブルが前記フラッシュメモリに存在するか否かを判断する判断部と、
前記管理テーブルが前記フラッシュメモリに存在しないと前記判断部が判断すると、前記管理テーブルを前記フラッシュメモリに作成する作成部と、
前記情報が書き換えられた回数を示す累計書換え回数を、前記作成部にて作成された管理テーブルに記録し、また、前記管理テーブルが前記フラッシュメモリに存在しないと前記判断部が判断すると、前記作成部にて作成された管理テーブルに、前記取得部にて取得されたシリアル番号を記録する記録部と、
前記ストレージ装置の寿命を、前記管理テーブルに記録された累計書換え回数と、前記書換え回数制限値と、に基づいて監視する監視部と、
前記管理テーブルが前記フラッシュメモリに存在すると前記判断部が判断すると、前記管理テーブルから前記シリアル番号を入手する入手部と、
前記入手部にて入手されたシリアル番号と、前記取得部にて取得されたシリアル番号と、を比較して、前記ストレージ装置が置換されたか否かを判定する判定部と、を含み、
前記作成部は、前記ストレージ装置が置換されたと前記判定部が判定すると、前記管理テーブルを削除し、その後、新たな管理テーブルを前記フラッシュメモリに作成する、情報処理装置。 - 請求項1に記載の情報処理装置において、
前記フラッシュメモリは、複数の格納領域を有し、該格納領域ごとに情報を書換え可能であり、
前記記録部は、前記累計書換え回数を前記格納領域ごとに前記管理テーブルに記録し、
前記監視部は、前記ストレージ装置の寿命を、前記管理テーブルに前記格納領域ごとに記録された累計書換え回数と、前記書換え回数制限値と、に基づいて監視する、情報処理装置。 - 請求項2に記載の情報処理装置において、
前記フラッシュメモリは、前記情報処理装置と接続可能なストレージ装置の型名と、その型名のストレージ装置が含むフラッシュメモリの書換え回数制限値とを、前記型名ごとに関連づけて格納し、かつ、自己を含むストレージ装置の型名を格納し、
前記取得部は、前記フラッシュメモリから該フラッシュメモリを含むストレージ装置の型名を取得し、その取得されたストレージ装置の型名に関連づけられた書換え回数制限値を前記フラッシュメモリから取得し、
前記監視部は、前記取得部にて取得された書換え回数制限値と、前記管理テーブルに前記格納領域ごとに記録された累計書換え回数と、に基づいて前記ストレージ装置の寿命を監視する、情報処理装置。 - 請求項1ないし3のいずれか1項に記載の情報処理装置において、
前記フラッシュメモリに作成された管理テーブルと同じ管理テーブルを格納する不揮発性記憶部をさらに含む、情報処理装置。 - 請求項1ないし4のいずれか1項に記載の情報処理装置において、
前記監視部は、前記書換え回数制限値から前記累計書換え回数を引いた値が所定値以下になったか否かを判断し、
前記書換え回数制限値から前記累計書換え回数を引いた値が前記所定値以下になったと前記監視部が判断すると、警告を発する警告部をさらに含む、情報処理装置。 - 書換え回数制限値が記録されたフラッシュメモリを含むストレージ装置と接続され、該フラッシュメモリに書き込まれた情報を書き換え、また、該書換え回数制限値を用いて該ストレージ装置の寿命を監視する情報処理装置が行う寿命監視方法であって、
前記情報処理装置が起動すると、前記フラッシュメモリから、当該フラッシュメモリに格納されている前記ストレージ装置のシリアル番号を取得する取得ステップと、
前記情報処理装置が起動すると、累計書換え回数を管理するための管理テーブルが前記フラッシュメモリに存在するか否かを判断する判断ステップと、
前記管理テーブルが前記フラッシュメモリに存在しないと判断されると、前記管理テーブルを前記フラッシュメモリに作成する作成ステップと、
前記情報が書き換えられた回数を示す累計書換え回数を、前記作成された管理テーブルに記録する記録ステップと、
前記ストレージ装置の寿命を、前記管理テーブルに記録された累計書換え回数と、前記書換え回数制限値と、に基づいて監視する監視ステップと、
前記管理テーブルが前記フラッシュメモリに存在しないと判断されると、前記作成された管理テーブルに、前記取得されたシリアル番号を記録するステップと、
前記管理テーブルが前記フラッシュメモリに存在すると判断されると、前記管理テーブルから前記シリアル番号を入手する入手ステップと、
前記入手されたシリアル番号と、前記取得されたシリアル番号と、を比較して、前記ストレージ装置が置換されたか否かを判定する判定ステップと、を含み、
前記作成ステップでは、前記ストレージ装置が置換されたと判定されると、前記管理テーブルを削除し、その後、新たな管理テーブルを前記フラッシュメモリに作成する、寿命監視方法。 - 請求項6に記載の寿命監視方法において、
前記フラッシュメモリは、複数の格納領域を有し、該格納領域ごとに情報を書換え可能であり、
前記記録ステップでは、前記累計書換え回数を前記格納領域ごとに前記管理テーブルに記録し、
前記監視ステップでは、前記ストレージ装置の寿命を、前記管理テーブルに前記格納領域ごとに記録された累計書換え回数と、前記書換え回数制限値と、に基づいて監視する、寿命監視方法。 - 請求項7に記載の寿命監視方法において、
前記フラッシュメモリは、前記情報処理装置と接続可能なストレージ装置の型名と、その型名のストレージ装置が含むフラッシュメモリの書換え回数制限値とを、前記型名ごとに関連づけて格納し、かつ、自己を含むストレージ装置の型名を格納し、
前記取得ステップでは、さらに、前記フラッシュメモリから該フラッシュメモリを含むストレージ装置の型名を取得し、その取得されたストレージ装置の型名に関連づけられた書換え回数制限値を前記フラッシュメモリから取得し、
前記監視ステップでは、前記取得された書換え回数制限値と、前記管理テーブルに前記格納領域ごとに記録された累計書換え回数と、に基づいて前記ストレージ装置の寿命を監視する、寿命監視方法。 - 請求項6ないし8のいずれか1項に記載の寿命監視方法において、
前記フラッシュメモリに作成された管理テーブルと同じ管理テーブルを不揮発性記憶部に格納する格納ステップをさらに含む、寿命監視方法。 - 請求項6ないし9のいずれか1項に記載の寿命監視方法において、
前記監視ステップでは、前記書換え回数制限値から前記累計書換え回数を引いた値が所定値以下になったか否かを判断し、
前記書換え回数制限値から前記累計書換え回数を引いた値が前記所定値以下になったと判断されると、警告を発する警告ステップをさらに含む、寿命監視方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005148128A JP4215746B2 (ja) | 2005-05-20 | 2005-05-20 | 情報処理装置および寿命監視方法 |
US11/436,644 US7904637B2 (en) | 2005-05-20 | 2006-05-19 | Information processing apparatus, lifetime monitoring method and program for monitoring lifetime of storage device including flash memory |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005148128A JP4215746B2 (ja) | 2005-05-20 | 2005-05-20 | 情報処理装置および寿命監視方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006323751A JP2006323751A (ja) | 2006-11-30 |
JP4215746B2 true JP4215746B2 (ja) | 2009-01-28 |
Family
ID=37449632
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005148128A Active JP4215746B2 (ja) | 2005-05-20 | 2005-05-20 | 情報処理装置および寿命監視方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7904637B2 (ja) |
JP (1) | JP4215746B2 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007331356A (ja) * | 2006-06-19 | 2007-12-27 | Ricoh Co Ltd | 画像形成装置 |
JP4575346B2 (ja) * | 2006-11-30 | 2010-11-04 | 株式会社東芝 | メモリシステム |
KR20090000192A (ko) * | 2007-01-29 | 2009-01-07 | 삼성전자주식회사 | 유효기간 및/ 또는 인듀어런스 데이터를 알려주는 전자시스템 및 그 방법 |
TWI368224B (en) * | 2007-03-19 | 2012-07-11 | A Data Technology Co Ltd | Wear-leveling management and file distribution management of hybrid density memory |
US8397015B2 (en) * | 2007-05-10 | 2013-03-12 | Panasonic Corporation | Memory controller, semiconductor recording device, and method for notifying the number of times of rewriting |
TWI372397B (en) * | 2007-08-06 | 2012-09-11 | Ind Tech Res Inst | Method and system of defect management for storage medium |
WO2009063614A1 (ja) * | 2007-11-14 | 2009-05-22 | Panasonic Corporation | メモリコントローラ、不揮発性記憶モジュール、アクセスモジュール、及び不揮発性記憶システム |
US8560762B2 (en) * | 2008-06-25 | 2013-10-15 | Microsoft Corporation | Limited memory power |
EP2418646A1 (en) * | 2010-08-12 | 2012-02-15 | Harman Becker Automotive Systems GmbH | Diagnosis system for removable media drives |
JP5961376B2 (ja) * | 2011-12-20 | 2016-08-02 | Kyb株式会社 | データ記録装置及びドライブレコーダ |
JP2014216041A (ja) * | 2013-04-30 | 2014-11-17 | ソニー株式会社 | メモリ装置およびメモリ管理方法 |
CN104658550A (zh) * | 2013-11-19 | 2015-05-27 | 株式会社东芝 | 磁盘装置及其控制方法 |
JP6750518B2 (ja) * | 2017-01-27 | 2020-09-02 | 株式会社Jvcケンウッド | 映像記録制御装置、方法及びプログラム |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3407317B2 (ja) | 1991-11-28 | 2003-05-19 | 株式会社日立製作所 | フラッシュメモリを使用した記憶装置 |
JPH09305497A (ja) | 1996-05-15 | 1997-11-28 | Hitachi Ltd | 記録再生装置およびそのコントローラ、データ保護方法 |
US6000006A (en) * | 1997-08-25 | 1999-12-07 | Bit Microsystems, Inc. | Unified re-map and cache-index table with dual write-counters for wear-leveling of non-volatile flash RAM mass storage |
JP3421581B2 (ja) | 1998-06-29 | 2003-06-30 | 株式会社日立製作所 | 不揮発性半導体メモリを用いた記憶装置 |
JP2000057000A (ja) | 1998-08-17 | 2000-02-25 | Sharp Corp | フラッシュメモリ内蔵マイクロコンピュータ |
US6249838B1 (en) * | 1998-12-28 | 2001-06-19 | Cisco Technology Inc. | Physical medium information in file system header |
US7533214B2 (en) * | 2002-02-27 | 2009-05-12 | Microsoft Corporation | Open architecture flash driver |
JP4183237B2 (ja) | 2002-10-28 | 2008-11-19 | シャープ株式会社 | 記憶装置 |
JP4256175B2 (ja) | 2003-02-04 | 2009-04-22 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体メモリ |
JP2004280187A (ja) | 2003-03-12 | 2004-10-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 不揮発性メモリ搭載マイクロコントローラのデータ書き換え方法 |
US7363421B2 (en) * | 2005-01-13 | 2008-04-22 | Stmicroelectronics S.R.L. | Optimizing write/erase operations in memory devices |
-
2005
- 2005-05-20 JP JP2005148128A patent/JP4215746B2/ja active Active
-
2006
- 2006-05-19 US US11/436,644 patent/US7904637B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006323751A (ja) | 2006-11-30 |
US20060265545A1 (en) | 2006-11-23 |
US7904637B2 (en) | 2011-03-08 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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